JP2005294786A - 高輝度チップ型発光ダイオード - Google Patents

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Abstract

【課題】省エネルギー且つ長寿命という特徴を持つ発光ダイオードは光源として最も注目されている。しかし、輝度不足のため高輝度発光ダイオードが求められている。この要求を満たすため本発明を行った。
【解決手段】 このチップ型発光ダイオード13は、プリント基板7上に発光ダイオード素子5をダイスボンドとワイヤーボンドにより電気的に結線を行い、その後トランスフアーモールド等により透明樹脂封止体2で発光ダイオード素子5が発する光の光軸に対して同心円の凸字状レンズ(樹脂封止体2)を成形すると同時に、発光ダイオード素子5とボンディングワイヤー6は封止されている。また、その周囲に反射面3を持つ反射板4が配置されている。
【選択図】図2

Description

この発明は、チップ型発光ダイオードに関するものである。
従来、この種のチップ型発光ダイオードとしては、例えば図10に示したものが知られている。このチップ型発光ダイオード1は、プリント基板7に面に内部接続電極8,9が左右形成され、外部接続電極10,11とそれぞれと接続されている。内部接続電極8の上に導電性接着剤(図示せず)によって発光ダイオード素子5を固着すると共に、発光ダイオード素子5の上面電極と内部接続電極9とをボンディングワイヤー6で接続し、この周りを取り囲むように、外方に向かって傾斜する反射面3を設け、発光ダイオード素子5及びボンディングワイヤー6を樹脂封止体2によって保護した構造のものである。
上述のチップ型発光ダイオード1は、発光ダイオード素子5から発光される光を反射面3で上方に向けて反射させることで光の集光性を高めることができる。
しかしながら、以上の技術によれば、図10に示したように、発光ダイオード素子5から天面へ放出される光線12は屈折により光の発散と全反射という光の損失が生じてしまうといった問題があった。
そこで、本発明は、発光ダイオード素子5から天面へ放出される光線12の発散と全反射を防ぎ、更に光線12の指向特性の調整が可能であり、光の利用効率高い発光ダイオードを提供することにある。
以上の課題を解決するために、本発明の請求項1に係るチップ型発光ダイオードは、発光ダイオード素子が発する光の光軸に対して同心円的に凸レンズ部を構成し、更にその周囲に反射面を配置したことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載のチップ型発光ダイオードにおいて、前記凸レンズは上面部分と側面部分から構成し、その断面が凸字状をなすことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1に記載のチップ型発光ダイオードにおいて、前記反射面が曲面或は傾斜面を有していることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1に記載の発光ダイオードにおいて、前記発光素子が2個以上の多数個を直線に搭載され、発光素子と同数の前記凸レンズ部と、同数の前記反射面を配置したことを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1に記載の発光ダイオードにおいて、前記発光素子が3個を正三角形に搭載され、発光素子と同数の前記凸レンズ部と、同数の前記反射面を配置したことを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項1乃至請求項5に記載の発光ダイオードにおいて、発光素子を搭載するプリント基板がパラボラ構造を有していることを特徴とする。
以上説明したように、本発明に係るチップ型発光ダイオードによれば、透明樹脂により発光ダイオード素子が発する光の光軸に対して同心円的に凸レンズ部を構成し、更にその周囲に反射面を配置したことで、凸字状レンズにより、発光ダイオード素子から天面へ放出される光線の発散と全反射を防ぎ、曲面或は傾斜面の反射面により、光線の指向特性の調整が可能であり、光の集光性を高め、利用効率高い発光ダイオードができる。
発明を実施の形態
以下、添付図面に基づいて本発明に係るチップ型発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図1、図2示した第1実施形態に係るチップ型発行ダイオードにおいて、図1はチップ型発行ダイオードの外観形状を示した斜視図、図2は図1におけるA−Aに沿った断面図又は光路図である。
図1、図2を参照すると、本発明に係るチップ型発光ダイオードの一実施形態が符号13で示されており、このチップ型発光ダイオード13は、プリント基板7上面に内部接続電極8,9が左右形成されている。その内部接続電極8,9はプリント基板7の左右側面と裏面左右側に外部接続電極10,11それぞれと接続されている。
前記内部接続電極8の上面には発光部としての発光ダイオード素子5が載置され、その下面電極が導電性接着剤(図示せず)を介して固着されている。また、発光ダイオード素子5の上面電極は内部接続電極9にボンディングワイヤー6によって接続されている。そのため、外部接続電極10,11から内部接続電極8,9を介して発光ダイオード素子5に電流が供給され、発光ダイオード素子5が発光する。上記発光ダイオード素子5の種類や発光色は何ら限定されるものではない。
前記発光ダイオード素子5及びボンディングワイヤー6は、プリント基板7上面に設けられた樹脂封止体2によって被覆されている。この樹脂封止体2は、発光ダイオード素子5の光軸に対して同心円的に凸字状レンズ(樹脂封止体2)に形成されたもので、前述の発光ダイオード素子5及びボンディングワイヤー6の他、内部接続電極8,9を被覆している。樹脂封止体2(凸字状レンズ)によって、発光ダイオード素子5から天面へ放出される光線12の発散と全反射を防ぎ、更に光線12の指向特性の調整が可能である。樹脂封止体2の材料には例えば透明のエポキシ系樹脂が用いられる。
前記樹脂封止体2の周囲に反射面3を配置し、反射面3の曲面の曲率或は傾斜面の角度によって、反射光線12の指向性の調整ができる。反射板4の材料は伝熱性が良い、光反射率の高い金属Alが用いられ、或は、反射面3に反射率高い白塗装や銀メッキなどが施されている。
図3、図4は本発明に係るチップ型発光ダイオードの第2実施形態(2個発光素子搭載例)を示したものである。このチップ型発光ダイオード13aは、発光ダイオード素子5a,5bにはそれぞれのレンズ、反射面を有していることで、発光ダイオード素子5a,5bが発する光はそれぞれのレンズと反射面で制御し、チップ型発光ダイオード13aの薄型化ができる。2個発光素子で更に高輝度化ができる。
図5、図6は本発明に係るチップ型発光ダイオードの第2実施形態(3個発光素子搭載例)を示したものである。このチップ型発光ダイオード13bは、発光ダイオード素子5a,5b,5cは等距離直線に搭載され、それぞれのレンズ、反射面を有していることで、発光ダイオード素子5a,5b,5cが発する光はそれぞれのレンズと反射面で制御し、チップ型発光ダイオード13b薄型化ができる。2個発光素子より更に高輝度化ができる。(もっと輝度を求めたときは3個以上発光素子の搭載もできる)しかも、発光素子赤、グリーン、ブルーの3色搭載ができる。
図7、図8は本発明に係るチップ型発光ダイオードの第3実施形態を示したものである。このチップ型発光ダイオード13cは、発光ダイオード素子5a,5b,5cは正三角形に搭載され、それぞれのレンズ、反射面を有していることで、発光ダイオード素子5a,5b,5cが発する光はそれぞれのレンズと反射面で制御し、チップ型発光ダイオード13c薄型化ができる。第2実施形態(3個発光素子搭載例)より発光ダイオード素子5a,5b,5c間の距離が一致であることで、発光素子赤、グリーン、ブルーの3色搭載するとき更に混色効果一層高めることができる。
図9は本発明に係るチップ型発光ダイオードの第4実施形態(1個発光素子搭載例)を示したものである。 このチップ型発光ダイオード13dは、発光ダイオード素子5を搭載するプリント基板7にメッキされたパラボラ16を構成することにより、発光ダイオード素子5の横からの光モレ防止で更に高輝度化ができる。または、パラボラ16に蛍光体をボンディングし、複合素子にも適応することになれている。
本発明に係るチップ型発光ダイオードの第1実施形態を示す斜視図である。 上記第1実施形態に係るチップ型発光ダイオード、図1におけるA−A線に沿った断面図又は光路図である。 本発明に係るチップ型発光ダイオードの第2実施形態(2個発光素子搭載例)を示す斜視図である。 上記第2実施形態に係るチップ型発光ダイオード(2個発光素子搭載例)、上記図3におけるA1−A1線に沿った断面図である。 本発明に係るチップ型発光ダイオードの第2実施形態(3個発光素子搭載例)を示す斜視図である。 上記第2実施形態に係るチップ型発光ダイオード(3個発光素子搭載例)、上記図5におけるA2−A2線に沿った断面図である。 本発明に係るチップ型発光ダイオードの第3実施形態を示す斜視図である。 上記第3実施形態に係るチップ型発光ダイオード、上記図7におけるA3−A3線に沿った断面図である。 本発明に係るチップ型発光ダイオードの第4実施形態(1個発光素子搭載例)を示す断面図である 従来の発光ダイオードの一例を示す断面図又は光路図である。
符号の説明
1 従来のチップ型発光ダイオード
2,2a,2b,2c 樹脂封止体(レンズ)
3,3a,3b,3c 反射面
4 反射板
5,5a,5b,5c 発光ダイオード素子(発光部)
6 ボンディングワイヤー
7 プリント基板
8,9 内部接続用電極
10,11 外部接続用電極
12 光線
13,13a,13b,13c,13d チップ型発光ダイオード
14 レンズ上面部曲面
15 レンズ側面部曲面
16 パラボラ

Claims (6)

  1. 透明樹脂により発光ダイオード素子が発する光の光軸に対して同心円的に凸レンズ部を構成し、更にその周囲に反射面を配置したことを特徴とするチップ型発光ダイオード。
  2. 前記凸レンズは上面部分と側面部分から構成し、その断面が凸字状をなすことを特徴とする請求項1記載のチップ型発光ダイオード。
  3. 前記反射面が曲面意或は傾斜面を有していることを特徴とする請求項1記載のチップ型発光ダイオード。
  4. 前記発光ダイオード素子が2個以上の多数個を直線に搭載され、発光ダイオード素子と同数の前記凸レンズ部と、同数の前記反射面を配置したことを特徴とする請求項1記載のチップ型発光ダイオード。
  5. 前記発光ダイオード素子が3個を正三角形に搭載され、発光ダイオード素子と同数の前記凸レンズ部と、同数の前記反射面を配置したことを特徴とする請求項1記載のチップ型発光ダイオード。
  6. 発光ダイオード素子を搭載するプリント基板がパラボラ構造を有していることを特徴とする請求項1乃至請求項5記載のチップ型発光ダイオード。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700201B1 (ko) 2005-09-01 2007-03-27 에스엘 주식회사 발광 램프
JP2008004640A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN103574499A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 欧司朗股份有限公司 透镜模块和具有该透镜模块的照明装置
JP2014521227A (ja) * 2011-07-18 2014-08-25 ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 改善された光学系を備えているオプトエレクトロニクスモジュール
DE102009016683B4 (de) * 2008-12-24 2015-06-25 Industrial Technology Research Institute Multichip-LED
KR20200129973A (ko) * 2019-05-10 2020-11-18 주식회사 라이트전자 발광소자 패키지

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700201B1 (ko) 2005-09-01 2007-03-27 에스엘 주식회사 발광 램프
JP2008004640A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE102009016683B4 (de) * 2008-12-24 2015-06-25 Industrial Technology Research Institute Multichip-LED
JP2014521227A (ja) * 2011-07-18 2014-08-25 ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 改善された光学系を備えているオプトエレクトロニクスモジュール
US9593823B2 (en) 2011-07-18 2017-03-14 Heraeus Noblelight Gmbh Optoelectronic module with improved optical system
CN103574499A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 欧司朗股份有限公司 透镜模块和具有该透镜模块的照明装置
KR20200129973A (ko) * 2019-05-10 2020-11-18 주식회사 라이트전자 발광소자 패키지
KR102244386B1 (ko) * 2019-05-10 2021-05-07 주식회사 라이트전자 발광소자 패키지

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