JP2005293843A - 光記録媒体への情報記録方法、光記録媒体への情報記録装置および光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１１と基板上に形成された記録層１４を備えた追記型の光記録媒体１０に、記録パワーＰｗおよび第一の基底パワーＰｂ１を含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射し、記録層を物理的及び／又は化学的に変化させて、記録層に少なくとも二つの記録マークを形成して、情報を記録する方法であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗとの比をＡＨとしたときに、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーＰｂ１および記録パワーＰｗを設定することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光記録媒体への情報記録方法、光記録媒体への情報記録装置および光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に、情報を記録するのに適した光記録媒体への情報記録方法および情報記録装置ならびに高い記録線速度で、情報を記録するのに適した追記型の光記録媒体に関するものである。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように、データの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、データの追記はできるが、データの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのように、データの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。

広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットにより、データが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、たとえば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。

これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料として、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素などの有機色素が用いられ、その化学的変化あるいは化学的変化および物理的変化に起因する光学特性の変化を利用して、データが記録されることが一般的である。

また、二層の記録層が積層された追記型光記録媒体も知られており（たとえば、特開昭６２−２０４４４２号公報参照）、この光記録媒体においては、レーザビームを照射することによって、二層の記録層を構成する元素を混合させて、周囲の領域とは異なる光学特性を有する領域を形成し、この領域を記録マークとして用いることによって、データが記録される。

記録マークを形成するために照射するレーザビームの最適な強度変調方法は、一般的に「パルス列パターン」あるいは「記録ストラテジ」と呼ばれているが、本明細書においては、「パルス列パターン」と称する。

図９は、有機色素を用いた記録層を有するＣＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号ないし１１Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
図９に示されるように、ＣＤ−Ｒにデータを記録する場合には、一般に、形成すべき記録マークＭの長さに相当する幅の記録パルスが用いられる（たとえば、特開２０００−１８７８４２号公報参照）。

すなわち、レーザビームの強度は、記録マークＭを形成しないブランク領域においては、基底パワーＰｂに固定され、記録マークＭを形成すべき領域において記録パワーＰｗに固定される。その結果、記録マークＭを形成すべき領域においては、記録層に含まれる有機色素が分解、変質し、場合によっては、その領域が変形することによって、記録マークＭが形成される。ここに、ＣＤ−Ｒの等倍速における記録線速度は約１．２ｍ／ｓｅｃである。

図１０は、有機色素を用いた記録層を有するＤＶＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。

ＤＶＤ−Ｒに対しては、ＣＤ−Ｒに比して、高い記録線速度で、データの記録が行われるため、ＣＤ−Ｒにデータを記録する場合のように、記録マークＭの長さに相当する幅の記録パルスを用いる場合には、良好な形状の記録マークＭを形成することが困難である。

このため、ＤＶＤ−Ｒにデータを記録する場合には、図１０に示されるように、形成すべき一つの記録マークＭに対し、その長さに応じた数に分割されたパルス列を用いて、データが記録される。

具体的には、ｎＴ信号（ｎは、８／１６変調方式においては、３ないし１１および１４の整数である。）を形成するために、（ｎ−２）個の分割パルスを用い、レーザビームのパワーは、分割パルスのピークにおいては、記録パワーＰｗに、その他においては、基底パワーＰｂに設定される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「基本パルス列パターン」という。ここに、ＤＶＤ−Ｒの等倍速における記録線速度は約３．５ｍ／ｓｅｃである。

図１０に示されるように、基本パルス列パターンにおいては、基底パワーＰｂのレベルは、データ再生に用いられる再生パワーＰｒと等しいか、あるいは、これに近いレベルに設定されている。

一方、近年、データの記録密度が高められ、かつ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。

このような次世代型の光記録媒体においては、高いデータ転送レートを実現するため、従来の光記録媒体に比べて、高い記録線速度で、データを記録することが要求されるが、一般に、追記型の光記録媒体においては、記録マークの形成に必要な記録パワーＰｗは、記録線速度の平方根に略比例するため、次世代型の光記録媒体に、データを記録する場合には、高出力の半導体レーザを用いることが必要とされる。

また、次世代型の光記録媒体においては、記録容量を高めるとともに、非常に高いデータ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞ることが要求される。

レーザビームのビームスポット径を小さく絞るためには、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）を０．７以上、たとえば、０．８５程度まで大きくするとともに、レーザビームの波長λを４５０ｎｍ以下、たとえば、４００ｎｍ程度まで、短くすることが必要になる。

しかしながら、７８０ｎｍの波長λを有するレーザビームを発するＣＤ用の半導体レーザや、６５０ｎｍの波長λを有するレーザビームを発するＤＶＤ用の半導体レーザに比して、４５０ｎｍ以下の波長λを有する半導体レーザは出力が小さく、また、出力が高い半導体レーザは高価であるという問題がある。

その結果、次世代型の光記録媒体においては、基本パルス列パターンを用いて、高いデータ転送レートで、データを記録することが困難であり、とくに、５ｍ／ｓｅｃ以上の記録線速度で、データを記録する場合に、深刻な問題となっていた。

したがって、本発明は、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することを目的とするものである。

また、本発明の別の目的は、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録装置を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的は、高い記録線速度で、情報を記録することができる追記型の光記録媒体を提供することにある。

本発明のかかる目的は、基板と前記基板上に形成された記録層を備えた追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーＰｗおよび第一の基底パワーＰｂ１を含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射し、前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させて、前記記録層に少なくとも二つの記録マークを形成して、情報を記録する方法であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＨとしたときに、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法によって達成される。

本発明の好ましい実施態様においては、１．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定される。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定される。

本発明の好ましい実施態様においては、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マークの長さに対応する数の分割パルスによって構成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録パワーからなるパルスの後に、前記第一の基底パワーよりも強度の低い第二の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するように構成されている。

本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。

本発明の好ましい実施態様においては、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用い、前記対物レンズを介して、前記光記録媒体に、レーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。

本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体が、さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成され、第一の反応層と第二の反応層を含み、光透過層と、前記光透過層を介して、レーザビームが照射されたときに、前記第一の反応層に主成分として含まれている元素と、前記第二の反応層に主成分として含まれている元素とが混合し、記録マークが形成されるように構成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されている。

本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に形成された記録層を備えた追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーＰｗおよび第一の基底パワーＰｂ１を含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射するレーザ照射手段を備えた光記録媒体へのデータの記録装置であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＨとしたときに、前記レーザ照射手段が、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする光記録媒体への情報記録装置によって達成される。

本発明の好ましい実施態様においては、１．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定される。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定される。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マークの長さに対応する数の分割パルスによって構成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録パワーからなるパルスの後に、前記第一の基底パワーよりも強度の低い第二の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するように構成されている。

本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体に、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。

本発明の好ましい実施態様においては、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用い、前記対物レンズを介して、前記光記録媒体に、レーザビームを照射して、情報を記録するように構成されている。

本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に形成された記録層を備え、少なくとも記録パワーおよび第一の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームが照射されて、前記記録層が物理的及び／又は化学的に変化し、前記記録層に少なくとも二つの記録マークが形成されて、情報が記録されるように構成された追記型の光記録媒体であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＨとしたときに、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定して、記録マークを形成するために必要な記録条件設定用データが記録されていることを特徴とする光記録媒体によって達成される。

本発明の好ましい実施態様においては、光記録媒体は、さらに、光透過層と、前記基板と前記光透過層の間に形成された第一の反応層と第二の反応層を含む記録層を備え、前記光透過層を介して、レーザビームが照射されたときに、前記第一の反応層に主成分として含まれている元素と、前記第二の反応層に主成分として含まれている元素とが混合し、記録マークが形成されるように構成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光透過層が、１０ないし３００ｎｍの厚さを有するように形成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、１．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マークの長さに対応する数の分割パルスによって構成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記記録パワーからなるパルスの後に、前記第一の基底パワーよりも強度の低い第二の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するように構成されている。

本発明によれば、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することが可能になる。

また、本発明によれば、高い記録線速度で、追記型の光記録媒体に情報を記録することができる光記録媒体への情報記録装置を提供することが可能になる。

さらに、本発明によれば、高い記録線速度で、情報を記録することができる追記型の光記録媒体を提供することが可能になる。

以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の構造を示す略断面図である。

図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型の光記録媒体として構成され、基板１１と、基板１１の表面上に形成された反射層１２と、反射層１２の表面上に形成された第二の誘電体層１３と、第二の誘電体層１３の表面上に形成された記録層１４と、記録層１４の表面上に設けられた第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成された光透過層１６を備えている。図１に示されるように、記録層１４は、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の反応層３２と、第二の反応層３２の表面上に形成された第一の反応層３１を含んでいる。

図１に示されるように、光記録媒体１０の中央部分には、センターホール１７が形成されている。

本実施態様においては、図１に示されるように、光透過層１６の表面に、レーザビームＬ１０が照射されて、光記録媒体１０にデータが記録され、光記録媒体１０から、データが再生されるように構成されている。

基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。

基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。

本実施態様においては、基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。

図１に示されるように、基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬ１０のガイドトラックとして、機能する。

反射層１２は、光透過層１６を介して、入射したレーザビームＬ１０を反射し、再び、光透過層１６から出射させる機能を有している。

反射層１２の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。

反射層１２を形成するための材料は、レーザビームを反射できればよく、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、反射層１２を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金などのこれらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射層１２を形成するために、好ましく用いられる。

反射層１２は、レーザビームＬ１０を用いて、第一の反応層３１および第二の反応層３２に光記録されたデータを再生するときに、多重干渉効果によって、記録部と未記録部との反射率の差を大きくして、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るために、設けられている。

第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、記録層１４を保護する役割を担っている。したがって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３により、長期間にわたって、光記録されたデータの劣化を効果的に防止することができる。また、第二の誘電体層１３は、基板１１などの熱変形を防止する効果があり、したがって、変形に伴うジッターの悪化を効果的に防止することが可能になる。

第一の誘電体層１５および第２の誘電体層１３を形成するための誘電体材料は、透明な誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を形成することができる。より具体的には、基板１１などの熱変形を防止し、記録層１４を保護するために、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３が、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮおよびＳｉＣよりなる群から選ばれる少なくとも１種の誘電体材料を主成分として含んでいることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２を主成分として含んでいることがより好ましい。

第一の誘電体層１５と第二の誘電体層１３は、互いに同じ誘電体材料によって形成されていてもよいが、異なる誘電体材料によって形成されていてもよい。さらに、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であってもよい。

なお、本明細書において、誘電体層が、誘電体材料を主成分として含むとは、誘電体層に含まれている誘電体材料の中で、その誘電体材料の含有率が最も大きいことをいう。また、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物を意味する。

第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の層厚は、とくに限定されるものではないが、３ないし２００ｎｍであることが好ましい。第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が２００ｎｍを越えると、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３のもつ応力によって、光記録媒体１０にクラックが発生するおそれがある。

記録層１４は、記録マークが形成されて、データが記録される層であり、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の反応層３２と、第二の反応層３２の表面上に形成された第一の反応層３１を含んでいる。図１に示されるように、本実施態様においては、第一の反応層３１は、光透過層１６側に配置され、第二の反応層３２は、基板１１側に配置されている。

本実施態様においては、第一の反応層３１は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、ＡｇおよびＰｔよりなる群から選ばれた元素を主成分として含み、第二の反応層３２は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、ＡｇおよびＰｔよりなる群から選ばれた元素で、第一の反応層３１に主成分として含まれている元素とは異なる元素を主成分として含んでいる。

第一の反応層３１および第二の反応層３２が、このような元素を主成分として含んでいる場合には、光記録媒体１０の長期間の保存に対する信頼性を向上させることが可能になる。

また、これらの元素は、環境に関する負荷が小さく、地球環境を害するおそれがない。

再生信号のノイズレベルを低く抑えるためには、第一の反応層３１および第二の反応層３２に、主成分として含まれている元素以外の元素が添加されていることが好ましい。このような元素を添加することによって、第一の反応層３１および第二の反応層３２の表面平滑性を向上させて、再生信号のノイズレベルを低く抑えることが可能になるとともに、光記録媒体１０の長期間の保存に対する信頼性を向上させることが可能になる。

第一の反応層３１および第二の反応層３２に添加される元素は、一種類である必要はなく、第一の反応層３１および第二の反応層３２に、二種類以上の元素を添加することもできる。

記録層１４の層厚は、とくに限定されるものではないが、２ｎｍないし４０ｎｍの厚さを有するように、記録層１４を形成することが好ましく、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように、記録層１４を形成することがより好ましい。このような厚さを有するように、記録層１４を形成することによって、第一の反応層３１および第二の反応層３２の表面平滑性を向上させて、再生信号のノイズレベルを低く抑えることができ、また、充分に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが可能になるとともに、記録感度を十分に向上させることが可能になる。

第一の反応層３１および第二の反応層３２のそれぞれの層厚は、とくに限定されるものではないが、再生信号のノイズレベルを低く抑えるとともに、記録感度を十分に向上させ、データを記録する前後の反射率の変化を十分に大きくするためには、第一の反応層３１の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであり、第二の反応層３２の層厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましい。さらに、第一の反応層３１の層厚と第二の反応層３２の層厚との比（第一の反応層３１の層厚／第二の反応層３２の層厚）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。

光透過層１６は、レーザビームＬ１０が透過する層であり、１０μｍないし３００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層１６は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。

光透過層１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、塗布によって、光透過層１６を形成する場合には、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが好ましく用いられる。

光透過層１６は、第一の誘電体層１５の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。

以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。

まず、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された基板１１の表面上に、反射層１２が形成される。

反射層１２は、たとえば、反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、反射層１２の表面上に、第二の誘電体層１３が形成される。

第二の誘電体層１３は、たとえば、第二の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

さらに、第二の誘電体層１３の表面上に、第二の反応層３２が形成される。第二の反応層３２も、第二の誘電体層１３と同様にして、第二の反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。

次いで、第二の反応層３２の表面上に、第一の反応層３１が形成される。第一の反応層３１も、第一の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができる。

さらに、第一の反応層３１の表面上に、第一の誘電体層１５が形成される。第一の誘電体層１５もまた、第一の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。

最後に、第一の誘電体層１５の表面上に、光透過層１６が形成される。光透過層１６は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体層１５の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。

以上のようにして、光記録媒体１０が製造される。

以上のような構成を有する光記録媒体１０に、たとえば、以下のようにして、データが記録される。

まず、図１に示されるように、所定のパワーを有するレーザビームＬ１０が、光透過層１６を介して、記録層１４に照射される。

図２（ａ）は、図１に示された光記録媒体の一部拡大略断面図であり、レーザビームＬ１０が、記録層１４に照射される前の状態を示している。

データを高い記録密度で、光記録媒体１０に記録するためには、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームＬ１０を、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０上に集束することが好ましく、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍであることがより好ましい。この場合には、第一の反応層３１の表面におけるレーザビームＬ１０のビームスポット径は０．６５μｍ以下になる。

本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬ１０が、開口数が０．８５の対物レンズを用いて、第一の反応層３１の表面におけるレーザビームＬ１０のビームスポット径が約０．４３μｍとなるように、光記録媒体１０上に集束される。

その結果、レーザビームＬ１０が照射された領域において、第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素とが混合されて、図２（ｂ）に示されるように、第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素とが混合されて、混合領域Ｍが形成される。

第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素とが混合されると、その領域の反射率が大きく変化し、したがって、こうして形成された混合領域Ｍの反射率は、その周囲の領域の反射率と大きく異なることになるので、混合領域Ｍを記録マークＭとして用いて、光記録媒体１０にデータを記録し、光記録媒体１０からデータを再生することが可能になる。

図３は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の第１のパルス列パターンを示す図であり、図３（ａ）は、２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図３（ｂ）は、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示されるように、第１のパルス列パターンにおいては、記録マークＭを形成するための記録パルスが、（ｎ−１）個に分割され、レーザビームＬ１０のパワーは、各分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗに、その他の期間において、データを再生する場合のレーザビームＬ１０のパワーである再生パワーＰｒよりも高い第一の基底パワーＰｂ１に設定される。すなわち、第１のパルス列パターンは、図１０に示された基本パルス列パターンにおける基底パワーＰｂが、再生パワーＰｒにほぼ等しいレベルから、再生パワーＰｒよりも高い第一の基底パワーＰｂ１に高められた構成を有している。

記録パワーＰｗは、レーザビームＬ１０の照射によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、第一の基底パワーＰｂ１は、再生パワーＰｒよりも高いが、第一の基底パワーＰｂ１のレーザビームＬ１０が照射されても、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがないような低いレベルに設定される。

第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗとの比Ｐｂ１／Ｐｗは、０．１ないし０．５であることが好ましく、１０ｍ／ｓｅｃ以上の記録線速度で、データを記録する場合には、比Ｐｂ１／Ｐｗは、０．２ないし０．５であることが好ましく、０．３ないし０．４５であると、より好ましい。

また、記録線速度ＶＬで、データを記録する場合の第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗとの比Ｐｂ１／ＰｗをＡＬとし、記録線速度ＶＬよりも高い記録線速度ＶＨで、データを記録する場合の第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗとの比Ｐｂ１／ＰｗをＡＨとした場合、ＡＨがＡｌよりも大きくなるように、第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗを設定することが好ましく、１．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬとなるように、第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗを設定することがより好ましく、２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬとなるように、第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗを設定することが最も好ましい。

このように、第１のパルス列パターンを構成することによって、記録マークＭを形成すべき領域においては、記録パワーＰｗによる加熱が、第一の基底パワーＰｂ１によって補助されて、記録マークＭの形成が促進される一方で、記録マークＭの間のブランク領域において、第一の基底パワーＰｂ１を有するレーザビームＬ１０によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれる元素とが混合して、記録マークＭが形成されることが防止される。

したがって、第１のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬ１０のパワーを変調し、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、より低い記録パワーＰｗを有するレーザビームＬ１０を用いて、記録マークＭを形成することができ、記録線速度を５ｍ／ｓｅｃ以上に高めて、高いデータ転送レートを実現することが可能になる。

図４は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の第２のパルス列パターンを示す図であり、図４（ａ）は、２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。

図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるように、第２のパルス列パターンにおいては、記録マークＭを形成するための記録パルスが、（ｎ−１）個に分割され、レーザビームＬ１０のパワーは、各分割パルスのピークにおいて、記録パワーＰｗに、最後の分割パルスの直後において、第２の基底パワーＰｂ２に、その他の期間において、第一の基底パワーＰｂ１に設定される。図４に示されるように、第一の基底パワーＰｂ１および第２の基底パワーＰｂ２は、Ｐｂ１＞Ｐｂ２となるように設定されており、第２の基底パワーＰｂ２は、再生パワーＰｒと同じレベルあるいは再生パワーＰｒに近いレベルに設定されている。

したがって、第２のパルス列パターンは、図１０に示された基本パルス列パターンにおける最後の分割パルスの直後に、レーザビームＬ１０のパワーが、第２の基底パワーＰｂ２となる冷却期間Ｔclが挿入され、冷却期間Ｔclを除いて、図１０に示された基本パルス列パターンにおける基底パワーＰｂが、再生パワーＰｒにほぼ等しいレベルから、再生パワーＰｒよりも高い第一の基底パワーＰｂ１に高められた構成を有している。

第２のパルス列パターンにおいても、記録パワーＰｗは、レーザビームＬ１０の照射によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素が加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、第一の基底パワーＰｂ１は、再生パワーＰｒよりも高いが、第一の基底パワーＰｂ１のレーザビームＬ１０が照射されても、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素が実質的に混合することがないような低いレベルに設定される。

第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗの比Ｐｂ１／Ｐｗは、第１のパルス列パターンを同様に設定される。

このように、第２のパルス列パターンを構成することによって、記録マークＭを形成すべき領域においては、記録パワーＰｗによる加熱が、第一の基底パワーＰｂ１によって補助されて、記録マークＭの形成が促進される一方で、記録マークＭの間のブランク領域において、第一の基底パワーＰｂ１を有するレーザビームＬ１０によって、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれる元素とが混合して、記録マークＭが形成されることが防止される。

したがって、第２のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬ１０のパワーを変調し、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、より低い記録パワーＰｗを有するレーザビームＬ１０を用いて、記録マークＭを形成することができ、記録線速度を５ｍ／ｓｅｃ以上に高めて、高いデータ転送レートを実現することが可能になる。

さらに、第２のパルス列パターンにおいては、最後の分割パルスの直後に、レーザビームＬ１０のパワーが、第２の基底パワーＰｂ２となる冷却期間Ｔclが挿入されているので、記録マークＭを形成するために照射した記録パワーＰｗを有するレーザビームＬ１０によって、加熱された記録マークＭの後縁部が効果的に冷却され、記録マークＭの後縁部よりもレーザビームの進行方向側の領域において、第一の反応層３１に主成分として含まれる元素と、第２の反応層３２に主成分として含まれる元素とが混合することが防止され、したがって、記録マークＭの後縁部がずれることを効果的に防止して、記録マークＭの長さを所望の長さに制御することが可能になる。

本実施態様によれば、記録マークＭを形成するためのレーザビームＬ１０の記録パルスを（ｎ−ａ）個（ａは「０」、「１」または「２」であり、８／１６変調方式においては「２」、１，７ＲＬＬ変調方式においては「１」とすることが好ましい。）に分割するとともに、第一の基底パワーＰｂ１と記録パワーＰｗとの比Ｐｂ１／Ｐｗが、０．１ないし０．５となるように、第一の基底パワーＰｂ１のレベルおよび記録パワーＰｗのレベルが設定されているから、低い記録パワーＰｗを有するレーザビームＬ１０を用いて、光記録媒体１０にデータを記録することが可能になる。したがって、５ｍ／ｓｅｃ以上の記録線速度で、データを記録する場合にも、比較的安価で、低出力の半導体レーザを使用することが可能となる。

図５は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体への情報記録装置のブロックダイアグラムである。

図５に示されるように、本実施態様にかかる情報記録装置５０は、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０に、レーザビームを照射するとともに、光記録媒体１０によって、反射された光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２およびヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３に、レーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３に、レンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。

図５に示されるように、コントローラ５４は、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９を備えている。

フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の第一の記録層３１に、レーザビームＬ１０がフォーカスされ、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０のトラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。

図５に示されるように、フォーカスサーボ追従回路５７およびトラッキングサーボ追従回路５８は、それぞれ、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能およびトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能を有している。

また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路である。

本実施態様においては、上述した第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットの形で、記録されている。

したがって、レーザコントロール回路５９は、データを記録するのに先立って、光記録媒体１０に記録された記録条件設定用データを読み出し、読み出した記録条件設定用データに基づいて、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを選択し、レーザ駆動信号を生成し、レーザ駆動回路５５からヘッド５３に出力させる。

こうして、所望の記録ストラテジにしたがって、光記録媒体１０にデータが記録される。

本実施態様によれば、光記録媒体１０には、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、記録されており、光記録媒体１０にデータを記録するのに先立って、レーザコントロール回路５９により、記録条件設定用データが読み出され、読み出された記録条件設定用データに基づいて、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンが選択され、光記録媒体１０に、レーザビームを照射するヘッド５３が制御されるように構成されているから、所望の記録ストラテジにしたがって、光記録媒体１０にデータを記録することが可能になる。

以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例および比較例を掲げる。

［光記録媒体の作製］
以下のようにして、図１に示される光記録媒体１と同様の構成を有する光記録媒体を作製した。

すなわち、まず、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、次いで、ポリカーボネート基板上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕの混合物を含み、１００ｎｍの層厚を有する反射層、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、３０ｎｍの層厚を有する第二の誘電体層、Ｃｕを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第二の記録層、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第一の記録層、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２５ｎｍの層厚を有する第一の誘電体層を、順次、スパッタリング法によって、形成した。

第一の誘電体層および第二の誘電体層に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

さらに、第一の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。

実施例１
こうして作製した光記録媒体を、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を、記録用レーザ光として用い、ＮＡ（開口数）が０．８５の対物レンズを用いて、レーザ光を、光透過層を介して、集光し、下記の記録条件で、データを記録した。

変調方式：（１，７）ＲＬＬ
チャンネルビット長：０．１２μｍ
記録線速度：５．３ｍ／秒
チャンネルクロック：６６ＭＨｚ
記録信号：２Ｔないし８Ｔのランダム信号

（ｎ−１）分割された記録パルスを用い、第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調した。第一の基底パワーＰｂ１を０．５ｍＷ、１．０ｍＷ、１．５ｍＷおよび２．０ｍＷに変化させるとともに、記録パワーＰｗを変化させて、データを記録した。ここに、ｎは２ないし８の整数である。

この記録条件においては、フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであり、最短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速度）は、３０．４ｎｓｅｃであった。

次いで、上述の光媒体評価装置を用いて、光記録媒体に記録されたデータを再生し、最適記録パワーＰｗを有するレーザビームを用いて、ジッターを測定し、ジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを最適記録パワーＰｗとして決定し、レーザビームの最適記録パワーＰｗと、第一の基底パワーＰｂ１との関係を求めた。データの再生にあたっては、レーザ光の波長を４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とした。

実施例２
以下の記録条件で、データを記録した以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、ジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを最適記録パワーＰｗとして決定し、レーザビームの最適記録パワーＰｗと、第一の基底パワーＰｂ１との関係を求めた。

変調方式：（１，７）ＲＬＬ
チャンネルビット長：０．１２μｍ
記録線速度：１０．６ｍ／秒
チャンネルクロック：１３２ＭＨｚ
記録信号：２Ｔないし８Ｔのランダム信号

この記録条件においては、フォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約７０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速度）は、１５．２ｎｓｅｃであった。

実施例１および実施例２の測定結果は、図６に示されている。

図６に示されるように、第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合には、第一の基底パワーＰｂ１を高いレベルに設定するほど、レーザビームの最適記録パワーＰｗのレベルが低くなり、データ転送レートが約７０Ｍｂｐｓである場合に、レーザビームの最適記録パワーＰｗのレベルの低下が顕著であることが見出された。

したがって、記録線速度が高く、データ転送レートが高い場合に、第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録することが効果的であることがわかった。

また、記録線速度が高いほど、第一の基底パワーＰｂ１を高いレベルに設定することによって、レーザビームの記録パワーＰｗを同じレベルあるいはほぼ同じレベルに保持しつつ、異なる記録線速度で、データを記録することが可能であることがわかった。すなわち、約３５Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録する場合には、レーザビームの第一の基底パワーＰｂ１および記録パワーＰｗを、それぞれ、０．５ｍＷおよび４．６ｍＷに設定し、約７０Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録する場合には、レーザビームの第一の基底パワーＰｂ１および記録パワーＰｗを、それぞれ、２．０ｍＷおよび４．８ｍＷに設定して、データを記録することによって、ジッターの悪化を防止することが可能になり、したがって、最高出力が５ｍＷの比較的安価な半導体レーザを用いて、データを記録することができる。

実施例３
第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調した以外は、実施例１および実施例２と同様にして、光記録媒体にデータを記録し、ジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを最適記録パワーＰｗとして決定し、レーザビームの最適記録パワーＰｗと、第一の基底パワーＰｂ１との関係を求めた。

ここに、冷却期間Ｔclの長さは１Ｔとし、第二の基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに設定した。

測定結果は、図７に示されている。

図７に示されるように、第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合においても、第一の基底パワーＰｂ１を高いレベルに設定するほど、レーザビームの最適記録パワーＰｗのレベルが低くなり、データ転送レートが約７０Ｍｂｐｓである場合に、レーザビームの最適記録パワーＰｗのレベルの低下が顕著であることが見出された。

したがって、記録線速度が高く、データ転送レートが高い場合に、第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録することが効果的であることがわかった。

また、第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合においても、記録線速度が高いほど、第一の基底パワーＰｂ１を高いレベルに設定することによって、レーザビームの記録パワーＰｗをほぼ同じレベルに保持しつつ、異なる記録線速度で、データを記録することが可能であることがわかった。すなわち、約３５Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録する場合には、レーザビームの第一の基底パワーＰｂ１および記録パワーＰｗを、それぞれ、０．５ｍＷおよび４．６ｍＷに設定し、約７０Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録する場合には、レーザビームの第一の基底パワーＰｂ１および記録パワーＰｗを、それぞれ、２．０ｍＷおよび６．０ｍＷに設定して、データを記録することによって、ジッターの悪化を防止することが可能になり、したがって、最高出力が６ｍＷの比較的安価な半導体レーザを用いて、データを記録することができる。

さらに、図６および図７に示されるように、第一の基底パワーＰｂ１を高いレベルに設定するほど、レーザビームの最適記録パワーＰｗのレベルが低くなるという現象は、第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合よりも、第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合の方がより顕著になることが判明した。これは、第１のパルス列パターンは、第２のパルス列パターンとは異なり、冷却期間Ｔclを含んでいないため、第１の基底パワーＰｂ１による加熱補助効果がより高かったためであると考えられる。

実施例４
第１のパルス列パターンおよび第２のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、実施例１の記録条件にしたがって、光記録媒体にデータを記録し、光記録媒体に記録されたデータを再生して、第一の基底パワーＰｂ１と、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比の関係を測定した。

ここに、レーザビームの記録パワーＰｗとしては、ジッターが最小になったときのレーザビームの最適記録パワーＰｗを選択し、第２のパルス列パターンの冷却期間Ｔclの長さは１Ｔとし、第二の基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに設定した。

測定結果は、図８に示されている。

図８に示されるように、冷却期間Ｔclを含んでいない第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合には、第１の基底パワーＰｂ１を増大させるにしたがって、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が低下することが認められたが、冷却期間Ｔclを含んでいる（いない）第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、データを記録した場合には、第１の基底パワーＰｂ１を増大させても、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比の低下はほとんど認められなかった。

これは、第２のパルス列パターンにおいては、最後の分割パルスの直後に、レーザビームのパワーが、第２の基底パワーＰｂ２となる冷却期間Ｔclが挿入されているので、記録マークを形成するために照射した記録パワーＰｗを有するレーザビームによって、加熱された記録マークの後縁部が効果的に冷却され、記録マークの後縁部よりもレーザビームの進行方向側の領域において、第一の記録層に主成分として含まれる元素と、第二の記録層に主成分として含まれる元素とが混合することが防止され、したがって、記録マークの後縁部がずれることが効果的に防止されて、記録マークの長さが所望の長さに制御されたためと考えられる。

本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

たとえば、前記実施態様および前記実施例においては、光記録媒体１０の記録層１４が、互いに接触するように形成された第一の反応層３１と第二の反応層３２とによって構成されているが、光記録媒体１０の記録層１４は、第一の反応層３１と第二の反応層３２を含んでいればよく、記録層１４を、互いに接触するように形成された第一の反応層３１と第二の反応層３２とによって構成することは必ずしも必要でない。記録層１４は、３層以上の反応層を備えていてもよく、たとえば、光記録媒体１０の記録層１４が、２つの第一の反応層３１と、２つの第一の反応層３１の間に配置された第二の反応層３２とによって構成されていてもよい。

また、前記実施態様および前記実施例においては、光記録媒体１０は、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備え、記録層１４が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の間に配置されているが、光記録媒体１０が、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３を備えていることは必ずしも必要でなく、単一の誘電体層を有していてもよいし、誘電体層を備えていなくてもよい。

さらに、前記実施態様および前記実施例においては、光記録媒体１０は反射層１２を備えているが、レーザ光が照射された結果、第一の反応層３１に主成分として含まれた元素と、第二の反応層３２に主成分として含まれた元素が混合して形成された記録マークＭにおける反射光のレベルと、それ以外の領域における反射光のレベルの差が十分に大きい場合には、反射層１２を省略することができる。

また、前記実施態様においては、第２のパルス列パターンを用いる場合に、第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調して、すべての記録マークＭを形成しているが、記録マークＭの後縁部がずれて、記録マークＭの長さが、所望の長さよりも長くなることを防止するために、レーザビームの記録パワーＰｗを低下させたときに、記録マークＭの幅が細くなって、記録信号のＣ／Ｎ比（キャリア／ノイズ比）が顕著に低下するのは、記録マークＭの長さが短い場合であるから、記録マークＭの長さが最も短くなる２Ｔ信号を用いる場合だけに、第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するようにし、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を用いて、記録マークＭを形成する場合には、第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するようにしてもよい。

さらに、図５に示された実施態様においては、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、ウォブルやプレピットの形で、光記録媒体１０に記録されているが、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータを、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データを、ウォブルやプレピットの形で、光記録媒体１０に記録しておくことは必ずしも必要でなく、光記録媒体１０の第一の反応層３１あるいは第二の反応層３２に、記録条件設定用データを記録するようにしてもよい。

また、図５に示された実施態様においては、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットの形で、記録されているが、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータおよびデータを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータを、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に記録しておくことは必ずしも必要でなく、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータのみが、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に記録されていてもよい。

さらに、図５に示された実施態様においては、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータが、データを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータとともに、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に、ウォブルやプレピットの形で、記録されているが、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータおよびデータを記録する際に必要な記録線速度などの種々の記録条件を特定するためのデータを、記録条件設定用データとして、光記録媒体１０に記録しておくことは必ずしも必要でなく、情報記録装置内に、第１のパルス列パターンあるいは第２のパルス列パターンを特定するためのデータおよび記録条件を特定するためのデータを、あらかじめ格納しておき、記録条件設定用データとして、それらに基づいて、情報記録装置内にあらかじめ格納されているデータを特定することができ、間接的に、選択すべき記録ストラテジを特定可能なデータを、光記録媒体１０に記録しておくようにすることもできる。

また、図５に示された実施態様においては、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９が、コントローラ５４内に組み込まれているが、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９を、コントローラ５４内に組み込むことは必ずしも必要でなく、コントローラ５４とは別体に、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９を設けることもできるし、フォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８およびレーザコントロール回路５９の機能を果たすソフトウエアを、コントローラ５４内に組み込むようにしてもよい。

さらに、前記実施態様および前記実施例においては、高出力の半導体レーザを用いることが要求される次世代型の光記録媒体にデータを記録する場合につき、説明を加えたが、本発明は、次世代型の光記録媒体にデータを記録する場合に限らず、次世代型の光記録媒体以外の追記型光記録媒体に、データを記録する場合に広く適用することができる。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の構造を示す略断面図である。 図２（ａ）は、図１に示された光記録媒体の一部拡大略断面図であり、図２（ｂ）は、データが記録された後の光記録媒体の一部拡大略断面図である。 図３は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の第１のパルス列パターンを示す図であり、図３（ａ）は、２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図３（ｂ）は、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。 図４は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合の第２のパルス列パターンを示す図であり、図４（ａ）は、２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、図４（ｂ）は、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。 図５は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体への情報記録装置のブロックダイアグラムである。 図６は、ジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを最適記録パワーＰｗとしたときに、最適記録パワーＰｗを有する第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、約３５Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録した場合の最適記録パワーＰｗと第一の基底パワーＰｂ１との関係および最適記録パワーＰｗを有する第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、約３５Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録した場合の最適記録パワーＰｗと第一の基底パワーＰｂ１との関係を示すグラフである。 図７は、ジッターが最小になったときのレーザビームの記録パワーＰｗを最適記録パワーＰｗとしたときに、最適記録パワーＰｗを有する第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、約７０Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録した場合の最適記録パワーＰｗと第一の基底パワーＰｂ１との関係および最適記録パワーＰｗを有する第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、約７０Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録した場合の最適記録パワーＰｗと第一の基底パワーＰｂ１との関係を示すグラフである。 図８は、最適記録パワーＰｗを有する第１のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、約３５Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録した場合の２Ｔ信号のＣ／Ｎ比と、第一の基底パワーＰｂ１との関係および最適記録パワーＰｗを有する第２のパルス列パターンにしたがって、レーザビームを変調して、約３５Ｍｂｐｓのデータ転送レートで、データを記録した場合の２Ｔ信号のＣ／Ｎ比と、第一の基底パワーＰｂ１との関係を示すグラフである。 図９は、有機色素を用いたＣＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図である。 図１０は、有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに、データを記録する場合の代表的なパルス列パターン（基本パルス列パターン）を示す図である。

符号の説明

１０ 光記録媒体
１１ 基板
１１ａ ランド
１１ｂ グルーブ
１２ 反射層
１３ 第二の誘電体層
１４ 記録層
１５ 第一の誘電体層
１６ 光透過層
１７ センターホール
３１ 第一の反応層
３２ 第二の反応層
５０ 情報記録装置
５２ スピンドルモータ
５３ ヘッド
５４ コントローラ
５５ レーザ駆動回路
５６ レンズ駆動回路
５７ フォーカスサーボ追従回路
５８ トラッキングサーボ追従回路
５９ レーザコントロール回路
Ｌ１０ レーザビーム
Ｍ 記録マーク（混合領域）

Claims (20)

1. 基板と前記基板上に形成された記録層を備えた追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーＰｗおよび第一の基底パワーＰｂ１を含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射し、前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させて、前記記録層に少なくとも二つの記録マークを形成して、情報を記録する方法であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＨとしたときに、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
2. １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体への情報記録方法。
3. ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体への情報記録方法。
4. 前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マークの長さに対応する数の分割パルスによって構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
5. 前記記録パワーからなるパルスの後に、前記第一の基底パワーよりも強度の低い第二の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するように構成されたことを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体への情報記録方法。
6. 前記光記録媒体が、さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成され、第一の反応層と第二の反応層を含み、光透過層と、前記光透過層を介して、レーザビームが照射されたときに、前記第一の反応層に主成分として含まれている元素と、前記第二の反応層に主成分として含まれている元素とが混合し、記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録方法。
7. 前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されたことを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体への情報記録方法。
8. 基板と、前記基板上に形成された記録層を備えた追記型の光記録媒体に、少なくとも記録パワーＰｗおよび第一の基底パワーＰｂ１を含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームを照射するレーザ照射手段を備えた光記録媒体へのデータの記録装置であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＨとしたときに、前記レーザ照射手段が、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする光記録媒体への情報記録装置。
9. １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体への情報記録装置。
10. ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定することを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体への情報記録装置。
11. 前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マークの長さに対応する数の分割パルスによって構成されていることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の光記録媒体への情報記録装置。
12. 前記記録パワーからなるパルスの後に、前記第一の基底パワーよりも強度の低い第二の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するように構成されたことを特徴とする請求項１１に記載の光記録媒体への情報記録装置。
13. 基板と、前記基板上に形成された記録層を備え、少なくとも記録パワーおよび第一の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって変調されたレーザビームが照射されて、前記記録層が物理的及び／又は化学的に変化し、前記記録層に少なくとも二つの記録マークが形成されて、情報が記録されるように構成された追記型の光記録媒体であって、５ｍ／ｓｅｃ以上の第１の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＬとし、１０ｍ／ｓｅｃ以上の第２の記録線速度で、情報を記録する場合の前記第一の基底パワーと前記記録パワーとの比をＡＨとしたときに、ＡＨ＞ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーを設定して、記録マークを形成するために必要な記録条件設定用データが記録されていることを特徴とする光記録媒体。
14. さらに、光透過層を備え、前記記録層が、前記基板と前記光透過層の間に形成され、第一の反応層と第二の反応層を含み、光透過層と、前記光透過層を介して、レーザビームが照射されたときに、前記第一の反応層に主成分として含まれている元素と、前記第二の反応層に主成分として含まれている元素とが混合し、記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の光記録媒体。
15. 前記第二の反応層が、前記第一の反応層に接するように、形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の光記録媒体。
16. 前記光透過層が、１０ないし３００ｎｍの厚さを有するように形成されたことを特徴とする請求項１４または１５に記載の光記録媒体。
17. １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定されていることを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
18. ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬを満たすように、それぞれの第一の基底パワーおよび記録パワーが設定されていることを特徴とする請求項１７に記載の光記録媒体。
19. 前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マークの長さに対応する数の分割パルスによって構成されていることを特徴とする請求項１３ないし１８のいずれか１項に記載の光記録媒体。
20. 前記記録パワーからなるパルスの後に、前記第一の基底パワーよりも強度の低い第二の基底パワーを含むパルス列パターンにしたがって、レーザビームのパワーを変調するように構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体。

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