JP2005292349A - 光走査装置及び画像形成装置及び液晶素子の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、レーザビームの位相を変調可能な液晶素子43a,43bを具備する光走査装置20において、上記液晶素子43a,43bは、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変する手段(液晶素子駆動用IC)45を有することを特徴とし、液晶素子43a,43bに設けられたストライプ状の電極パターンに印加する電圧を液晶素子駆動用IC45で制御することにより、液晶素子43a,43bを出射するレーザビームの位相を任意に制御することが可能となる。
【選択図】図1
Description
このマルチビーム走査装置に用いられ、複数のレーザビームを出射するマルチビーム光源装置の方式として、1パッケージ内に複数の発光点(発光チャンネル)を持つマルチビーム半導体レーザ(例えば、半導体レーザアレイ)を用いる方式があるが、製造プロセス上チャンネル数を増加することが困難であり、また、熱的/電気的なクロストークの影響を除去することが難しく、短波長化が困難であるといった理由により、現在では高価な光源手段である。
この4ドラムタンデム方式の画像形成装置は、1ドラム方式の画像形成装置に対して、カラーもモノクロも同じ速度で出力できるため、高速プリントに有利である。その反面、4つの感光体ドラムに対応して4つの走査光学系を有するため、装置の小型化に課題がある。また、各々の感光体ドラムで現像したトナー像を転写する際の色ずれを低減することが課題である。
(1)感光体ドラムの周方向(副走査方向)の送り速度むら。
(2)記録材または中間転写体の搬送方向(副走査方向)の送り速度むら。
(3)感光体間の位置誤差。
(4)走査光学系間のビームスポット書き込み位置ずれ。
(5)上記(1)〜(4)の環境変動または連続プリント時などの温度変動による位置ずれ。
(6)各感光体上にマルチビームで同時に書き込みを行う場合、ポリゴンスキャナーの回転と感光体送り速度は、一般に非同期のため、副走査方向でビーム数だけずれる恐れがある。
(A)特許文献2においては、複数の走査手段を用いる画像形成装置において、各走査手段(ハウジング)全体を感光体に対し位置調整し、各感光体での走査線を一致させる発明がなされている。しかし、調整のための機構が複雑になり、調整時間もかかる。また、重量の大きいハウジングを調整するため、温度変化などによる経時的な変化には対応できにくく、プリント中、もしくは使用環境における色ずれを高精度に補正することはできない。
(B)また、前記問題の別の解決方法として、特許文献3等では、ガルバノミラーを用いて副走査ビーム位置を制御する方法が提案されている。しかしながら、ガルバノミラーは副走査位置を制御するには感度か高すぎるため外部振動の影響を受けやすく、更に良好なビームスポット径を確保するためには高い面精度(透過面の約4倍)が要求されるといった問題があった。
(C)マルチビーム間のずれの問題を解決する発明として、特許文献4においては、中間転写基準信号とライン同期信号との位相関係に応じて複数のレーザビームのうち感光体に最初に画像を書き込むレーザビームを切り換えることにより副走査方向の各色毎の画像書き込み開始位置を調整して色ずれを補正する補正手段を備えたことを特徴とするカラー画像形成装置が提案されている。しかし、本方式をもってしても1ライン以下の補正はできないため、例えば600dpi(dpi:dots per inch)書き込みの場合は、少なくとも42μm以上の色ずれを発生する。
(1)液晶層内の電位分布を任意に制御することができる構成の光走査装置を提供すること、
(2)パワー成分を発生させず、入射ビームを光路偏向させることができる構成の光走査装置を提供すること、
(3)被走査面上のビームスポット位置制御に伴うビームウェスト位置変動を抑制し、ビームスポット形状の安定化を図ることができる構成の光走査装置を提供すること、
(4)液晶素子を出射するレーザビームの収束(または発散)状態を任意に制御することができる構成の光走査装置を提供すること、
(5)基板の共通化により、部品点数の低減、低コスト化を図ることができる構成の光走査装置を提供すること、
(6)マルチビーム走査装置における走査線間隔を可変し、また、走査密度の切替を行うことができる構成の光走査装置を提供すること、
(7)多色画像形成装置に適用するマルチステーション式光走査装置におけるステーション間の走査線位置ずれを抑制することができる構成の光走査装置を提供すること、
(8)被走査面におけるビームスポット形状を安定化させることができる構成の光走査装置を提供すること、
(9)ビームピッチ(又は走査線間隔)の検出結果に基づき、高精度なビームスポット位置制御が可能となる構成の光走査装置を提供すること、
(10)ビームウェスト位置(結像状態)の検出結果に基づき、高精度なビームウェスト位置制御が可能となる構成の光走査装置を提供すること、
(11)装置内部に設けられた温度センサでの検出結果より、被走査面でのビームスポット位置、あるいはビームウェスト位置の変動を予測することができる構成の光走査装置を提供すること、
を目的とする。
また、本発明は、光路偏向素子、ピント調整素子として適用可能な液晶素子の駆動方法を提供することを目的とする。
第1の手段は、レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置において、上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変する手段を有することを特徴とする(請求項1)。
また、第2の手段は、レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置において、上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に比例することを特徴とする(請求項2)。
また、第4の手段は、第1の手段の光走査装置において、上記液晶素子の駆動時の透過光の透過波面収差と非駆動時の透過波面収差の偏差を二次以上の次数を有する多項式で近似した曲線から傾き成分を除去した曲線の最大値と最小値の差(入射ビーム径内でのPV)が、λ/4以下(λはレーザビームの波長)となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする(請求項4)。
また、第5の手段は、第1の手段の光走査装置において、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に対する獲得位相差曲線が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする(請求項5)。
また、第7の手段は、第1〜第5のいずれか一つの手段の光走査装置において、上記液晶素子を駆動する電気信号と、レーザビームを出射する半導体レーザを駆動する電気信号は、共通の集積回路(IC)から発生させることを特徴とする(請求項7)。
また、第9の手段は、第1〜第4、第6、第7のいずれか一つの手段の光走査装置において、複数のレーザビームで複数の異なる被走査面を走査し、上記液晶素子により、少なくとも一つの被走査面を走査するレーザビームのビームスポット位置を可変することを特徴とする(請求項9)。
さらに、第10の手段は、第1、第5〜第7のいずれか一つの手段の光走査装置において、上記液晶素子により、被走査面付近のレーザビームのビームウェスト位置(結像位置)を可変することを特徴とする(請求項10)。
また、第12の手段は、第10の手段の光走査装置において、被走査面付近のレーザビームのビームウェスト位置(結像状態)を検出する検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づきビームウェスト位置を補正することを特徴とする(請求項12)。
さらに、第13の手段は、第8〜第10のいずれか一つの手段の光走査装置において、装置内部の温度を検出する温度検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づき、被走査面上のビームスポット位置、及び/又はビームスポット間隔、及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とする(請求項13)。
また、第15の手段は、第14の手段の画像形成装置において、上記現像手段により顕像化されたトナー像の位置及び/又は面積を検出する検出手段による検出結果に基づき、上記像担持体上のビームスポット位置及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とする(請求項15)。
また、第17の手段は、第16の手段の画像形成装置において、上記現像手段により顕像化された各色のトナー像の位置及び/又は面積を検出する検出手段による検出結果に基づき、各像担持体上のビームスポット位置及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とする(請求項17)。
また、第19の手段は、レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置における上記液晶素子の駆動方法において、上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプの配列方向の位置(座標)に比例することを特徴とする(請求項19)。
また、第21の手段は、第18の手段の液晶素子の駆動方法において、上記液晶素子の駆動時の透過光の透過波面収差と非駆動時の透過波面収差の偏差を二次以上の次数を有する多項式で近似した曲線から傾き成分を除去した曲線の最大値と最小値の差(入射ビーム径内でのPV)が、λ/4以下(λはレーザビームの波長)となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする(請求項21)。
さらに、第22の手段は、第18の手段の液晶素子の駆動方法において、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に対する獲得位相差曲線が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする(請求項22)。
また、第2の手段の光走査装置では、液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に比例することを特徴とするので、液晶素子の駆動による獲得位相差を、単純な駆動方法にて液晶素子の有効エリア内で直線的に変化させることができる。
また、第4の手段の光走査装置では、第1の手段の構成及び効果に加えて、上記液晶素子の駆動時の透過光の透過波面収差と非駆動時の透過波面収差の偏差を二次以上の次数を有する多項式で近似した曲線から傾き成分を除去した曲線の最大値と最小値の差(入射ビーム径内でのPV)が、λ/4以下(λはレーザビームの波長)となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とするので、液晶素子駆動に伴い発生する波面収差を許容値以下に抑制するため、被走査面におけるビームスポット形状の劣化を回避することが可能となる。
また、第5の手段の光走査装置では、第1の手段の構成及び効果に加えて、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に対する獲得位相差曲線が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とするので、液晶素子による位相変調によりレンズ効果を得ることができるので、液晶素子に入射したレーザビームの収束(または発散)の状態を制御することが可能となる。
また、第7の手段の光走査装置では、第1〜5のいずれか一つの手段の構成及び効果に加えて、上記液晶素子を駆動する電気信号と、レーザビームを出射する半導体レーザを駆動する電気信号は、共通の集積回路(IC)から発生させることを特徴とするので、液晶素子と半導体レーザの駆動信号を共通のICから発生させる構成とすることにより、さらなる部品点数及び部品コストの低減を図ることが可能となる。
また、第9の光走査装置では、第1〜第4、第6、第7のいずれか一つの手段の構成及び効果に加えて、複数のレーザビームで複数の異なる被走査面を走査し、上記液晶素子により、少なくとも一つの被走査面を走査するレーザビームのビームスポット位置を可変することを特徴とするので、いわゆる「マルチステーション光走査装置」に液晶素子を配備することにより、ステーション間の相対的な走査線位置補正を行うことが可能となる。
さらに、第10の手段の光走査装置では、第1、第5〜第7のいずれか一つの手段の構成及び効果に加えて、上記液晶素子により、被走査面付近のレーザビームのビームウェスト位置(結像位置)を可変することを特徴とするので、液晶素子による位相変調によりレンズ効果を得ることができるので、ビームウェスト位置(ピント位置)調整を行うことが可能となる。
また、第12の手段の光走査装置では、第10の手段の構成及び効果に加えて、被走査面付近のレーザビームのビームウェスト位置(結像状態)を検出する検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づきビームウェスト位置を補正することを特徴とするので、ビームウェスト位置の検出結果に基づきビームウェスト位置を補正することができ、高精度な補正を実現することが可能となる。
さらに、第13の手段の光走査装置では、第8〜第10のいずれか一つの手段の構成及び効果に加えて、装置内部の温度を検出する温度検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づき、被走査面上のビームスポット位置、及び/又はビームスポット間隔、及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とするので、比較的低コストな検出手段(温度検出センサ)にて装置内部の環境(温度)状態を把握し、その結果に基づきビームスポット位置、及び/又はビームスポット間隔、及び/又はビームウェスト位置の補正を行うことができる。
また、第15の手段の画像形成装置では、第14の手段の構成及び効果に加え、現像手段により顕像化されたトナー像の位置及び/又は面積を検出する検出手段による検出結果に基づき、上記像担持体上のビームスポット位置及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とするので、トナー像の位置及び/又は面積の検出手段による検出結果により、光走査装置におけるビームスポット特性(ビームスポット位置及び結像状態)を把握することができ、これに基づく補正により高品位な出力画像を得ることができる。
また、第17の手段の画像形成装置では、第16の手段の構成及び効果に加え、現像手段により顕像化された各色のトナー像の位置及び/又は面積を検出する検出手段による検出結果に基づき、各像担持体上のビームスポット位置及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とするので、トナー像の位置及び/又は面積の検出手段による検出結果により、光走査装置におけるビームスポット特性(ビームスポット位置及び結像状態)を把握することができ、これに基づく補正により色再現性に優れた高品位な出力画像を得ることができる。
また、第19の手段の液晶素子の駆動方法では、レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置における上記液晶素子の駆動方法において、上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプの配列方向の位置(座標)に比例することを特徴とするので、液晶素子の駆動による獲得位相差を、単純な駆動方法にて液晶素子の有効エリア内で直線的に変化させることができる。
また、第21の手段の液晶素子の駆動方法では、第18の手段の効果に加え、液晶素子の駆動時の透過光の透過波面収差と非駆動時の透過波面収差の偏差を二次以上の次数を有する多項式で近似した曲線から傾き成分を除去した曲線の最大値と最小値の差(入射ビーム径内でのPV)が、λ/4以下(λはレーザビームの波長)となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とするので、液晶素子駆動に伴い発生する波面収差を許容値以下に抑制するため、被走査面におけるビームスポット形状の劣化を回避することが可能となる。
さらに、第22の手段の液晶素子の駆動方法では、第18の手段の効果に加え、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に対する獲得位相差曲線が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とするので、液晶素子による位相変調によりレンズ効果を得ることができるので、液晶素子に入射したレーザビームの収束(または発散)の状態を制御することが可能となる。
このように第18〜22の手段の液晶素子の駆動方法では、所望の形状に波面制御可能(位相変調可能)な液晶素子の駆動方法を提供することができる。
[1-1:マルチビーム走査装置の概要]
図1は画像形成装置の光書込部等に用いられる「光走査装置」の一実施例を示す図であって、光走査装置の概略構成を示す図である。この光走査装置は2本のレーザビームを同時に走査する2ビーム走査装置であるが、より多くの本数の光ビームを走査するマルチビーム走査装置に展開可能である。
2つの半導体レーザ11a,11bから発射され各々カップリングレンズ12a,12bを出射した2本のレーザビーム21a,21bは、シリンドリカルレンズ13の作用により偏向器であるポリゴンミラー14の偏向反射面上に(副走査方向に結像し、主走査方向に長い)線像として結像され、走査光学系15(第一走査レンズ15−1,第二走査レンズ15−2)により、像担持体である感光体ドラム16の被走査面上をビームスポットとして走査される。
このような、光源部から出射されたレーザビームを感光体ドラム16の被走査面上にビームスポットとして走査する装置20を、「光走査装置」と呼ぶことにする。
なお、図1においては、2本のレーザビーム21a,21bは、主走査断面にてポリゴンミラー14の偏向反射面近傍で互いに交差する構成を採用している。このような構成を採用することにより、ポリゴンミラー14での反射点の差異に起因する2本のレーザビーム間の光学特性の偏差(結像位置、倍率等)の発生を抑制することが可能となる。
マルチビーム走査装置においては、被走査面上の走査線間隔の初期調整、及び環境変動、経時変動の補正のため、「光ビーム位置補正手段」が具備されることが多い。
光ビーム位置補正手段の基本構成としては、
・折返しミラーを回転する、
・シリンドリカルレンズをシフトまたは回転する、
・プリズムをシフトまたは回転する、
・電気光学素子、AOMを利用する、
・半導体レーザとカップリングレンズの間に配設された平行平板を回転する、
等、光路を偏向する(レーザビームを微小角度だけ偏向する)「光路偏向手段」の構成が従来より提案されている。しかし、従来の方法では装置が大型化する、消費電力や発熱、騒音が大きい、等の問題があった。
そのため本発明では図1に示すように、光路偏向手段として、小型、軽量化、省エネルギー対応可能、無騒音、無発熱である等の特徴を有する液晶素子43a,43bを採用した。
また、上記ビームスポット位置(走査開始位置)及び走査線間隔を検出するビームピッチ検出センサ41の他に、装置内の温度を検出する温度検知センサ(図示せず)を備えることができる。走査線間隔が変化する主原因は装置内の温度変化であり、この温度変化と走査線間隔変化の関係を事前にシミュレーション又は実験等にて求めておき、これに基づき作成された補正テーブルを用いて液晶素子43a,43bを制御/駆動し、走査線間隔の補正を行えばよい。
また、同様に、後述する[3-3:液晶素子によるビームウェスト位置補正]のように、温度検知センサの検出結果に基づき、ビームウェスト位置(結像位置)の変動を補正することも可能である。この場合にも、事前に温度変化とビームウェスト位置変動との関係を把握しておけばよい。
このように、走査線間隔の初期調整や、環境変動、経時変動の補正、あるいは走査密度切替(例えば、600dpi⇔1200dpi)のために液晶素子43a,43bを用いる場合には、液晶素子43a,43bによる光路偏向の方向を副走査方向(または、少なくとも副走査方向の成分を有する方向)に対応させて配設すればよい。
Δz=mz×fcyl×tanβ
=1.1×130×tan(±2.0分)
=±0.083[mm]
=±83[μm]
となる。
なお、液晶素子43a,43bによる光路偏向の方向を主走査方向に対応させることにより、感光体ドラム16の被走査面上のビームスポット位置を主走査方向に可変することができる。
[2-1:液晶素子の構成]
図2(a),(b)及び図3(a)の(i)に、液晶素子の構成の模式図を示す。図2(a)は液晶素子43の外形形状を表しており、図3の(i)は液晶素子43の断面構造及び液晶分子の配向状態を表している。
図3(a)の(i)において、厚さ数〜数十[μm]程度の液晶層54が、透明電極52−1,52−2及び配向膜53を介して、2枚のガラス基板51−1及び51−2に挟持されている。本図においては下側(レーザビームの入射面側)の透明電極52−1は、図2(b)に示すような等間隔に配列したストライプ状の電極パターン56(56−1,56−2,・・・,56−n)を呈しており、上側(レーザビームの出射面側)の透明電極52−2は全面一様の電極パターンとなっている。
なお、図面の左右方向はレーザビームが光路偏向される方向であり、複数ビームの走査線間隔を補正する場合には、副走査方向に対応する方向である。
一方、図5の(a)は電圧印加による液晶分子の(光学軸の)チルトの様子を示す図であり、(b)は液晶(一軸性結晶)の屈折率を示す図である。また、図5(b)において、n1は図5(a)に示す偏光面を有する直線偏光に対する屈折率であり、n2は図5(a)に示す偏光面に直交する偏光面を有する直線偏光に対する屈折率である。
図5(a)において、液晶分子の長軸がチルト角φだけ傾いた液晶層54に、図中の矢印(⇔)に示す方向(左右方向)に振動している直線偏光を入射させた場合について考える。この液晶分子を「一軸性結晶」とみなすと、液晶分子の長軸(すなわち一軸性結晶の光軸)がチルト角φだけ傾いた液晶層は、上記直線偏光に対しては、異常光の屈折率を示すことになる。すなわち図5(b)において、『「長軸半径ne、短軸半径noの楕円」と「角度φの傾きをもつ直線」との交点』と『原点』の距離n1が、上記異常光の屈折率を表す。従って、液晶層54に電圧を印加し、液晶分子のチルト角φを可変することにより、異常光に対する屈折率n1を制御することが可能となる。
なお、直線偏光の振動方向が、上記の場合と直交する場合(紙面に垂直な方向に振動している直線偏光の場合)には、その屈折率は、図5(b)における半径noの円により規定されるため、液晶分子のチルト角φによらず一定値(n2=no)となる。
例えば、液晶素子43の端子1及び端子2に、CH1=1.0[V]及びCH2=5.0[V]の駆動信号(駆動電圧)を印加した場合について、図3(a)を用いて検討する。駆動電圧は通常、数キロヘルツ程度の周波数の矩形波又は正弦波であるため、実効値にて表されるが、その振幅を変えることで実効値を変えることができる。また、図1に示す光走査装置20においては、液晶素子43(43a,43b)の端子1及び端子2への駆動電圧は液晶素子駆動用IC45から出力される。
[3-0:液晶素子による位相変調]
液晶素子43に駆動電圧を印加することにより、入射したレーザビームに対する屈折率を変化させ、その位相を変調する(波面形状を可変/制御する)ことができることを上述の[II:液晶素子の動作原理]にて簡単に説明したが、ここでは、図6を用いて、液晶素子による位相変調について補足説明する。
図6(b)は、液晶素子43にて、平面形状の波面をもつ入射ビームの位相を変調することにより、平面波の進行方向を偏向した例である。この場合、液晶素子43は偏向素子として機能する。
図6(c)は、液晶素子43にて、平面形状の波面をもつ入射ビームの位相を変調することにより、平面波を球面波に変換した例である。この場合、液晶素子43は正パワーを有するレンズとして機能する。
図6(d)は、同図(a)の場合とは逆に、液晶素子43にて、任意形状の波面をもつ入射ビームの位相を変調することにより、平面波に変換した例である。
このように液晶素子43を制御/駆動することにより、入射したレーザビームの位相を変調することが可能である。
ここで、図4(a)〜(d)は、図3(a)の(ii)電位分布と(iii)屈折率分布に相当する図であり、(a)は屈折率分布が電位分布に比例しない場合、(b)は各ストライプ毎に独立した電圧を印加し、電位分布を可変することにより、屈折率分布を直線(一定勾配)になるように補正した場合、(c)はCH1=1[V],CH2=3[V]の場合で、屈折率分布が正パワーを発生する場合、(d)はCH1=1[V],CH2=7[V]の場合で、屈折率分布が中央部で負パワーを発生する場合、をそれぞれ示している。
これに起因する不具合を明確に示す別の印加電圧の例として、液晶素子43の端子1及び端子2に、CH1=1.0[V]及びCH2=3.0[V]を印加した場合について、図4(c)に示す。本条件の場合には、有効エリア内で電極パターンの配列方向に、1.0[V]から3.0[V]の電位勾配が発生し、これに従い、屈折率分布は図4(c)の(iii)に示すように傾き成分に付加して、曲線的な成分を発生することになる。この曲線的な成分がレーザビームの透過波面収差に球面収差成分を発生させることになり、この影響によりレンズ効果(正パワー)が生じることになる。このような液晶素子を、光走査装置において「光路偏向素子」として使用すると、被走査面付近でのビームウェスト位置(ピント位置)ずれを発生することになり、被走査面でのビームスポット形状を劣化させる原因となる。
この場合、図2(b)に示した、ストライプ状の各電極パターン間を接続する抵抗部材55を備える必要はなく、液晶素子駆動用IC45から出力された駆動電圧を、個々の電極パターンに入力する構成を採用する。
また、温度変化に伴う液晶層の膨張/収縮による液晶素子の膨張/収縮に起因する波面収差劣化に対しても、シミュレーション又は実験結果等に基づき作成された補正テーブルを用いることで、駆動電圧の制御量を決定することができる。
現在各メーカにて工業的に生産されているレーザプリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に適用されている光走査装置においては、その出力画像品質を確保するため、被走査面(感光体表面)付近のビームスポット形状を良好に維持する必要がある。そのためには光走査装置における光学系にて発生する波面収差を極力抑制することが望まれる。
ところが、ガラス基板表面の面精度や、液晶層密封時の圧力管理ばらつきの影響にて、液晶素子の非駆動時にも、例えばλ/10程度の透過波面収差が発生する恐れがある。
そこで、この透過波面収差の影響を除去するため、半導体レーザと対応するカップリングレンズとの位置合わせ調整(いわゆる『光軸/コリメート調整』)を行う際、液晶素子を光路内に配備して調整作業を実施すればよい。
また、前述の第3の手段のように、ストライプ状の各電極パターン56−1〜56−nに印加する電圧にて、屈折率分布が一定勾配となるように制御することができるが、部品ばらつき、組立ばらつきの影響等により、印加電圧と獲得位相差が比例関係とみなせず、波面収差(球面収差成分)が発生する恐れがある。
図7(a)は、液晶素子43の端子1及び端子2に、CH1=1.0[V]及びCH2=3.0[V]を印加した場合の透過波面収差の測定結果(非駆動時の透過波面収差を除去した例)を示す。横軸は入射ビーム径内の位置(副走査方向の座標)を表し、本実施例の場合には、副走査方向の全幅が8.0[mm]のレーザビームを液晶素子に入射した。縦軸は透過波面収差であるが、その最大値と最小値の差は、概ね3.2λ(λ=655nm)であることを示す。このように位相変調されている場合、光路偏向角βは、
β=tan-1(3.2×655[nm]/8.0[mm])=0.9[分]
である。
本発明に係る液晶素子43は、ストライプ状の各電極パターン56を独立に制御して「光路偏向手段」として使用するだけではなく、「出射ビームの収束(または発散)状態を変化させるための手段」として使用することも可能である。
この場合は、図8(a)の(iii)に示すように、屈折率分布が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能な曲線となるように、(ii)電位分布を制御すればよい。
その際、被走査面の近傍にビームウェスト位置を検出するビームウェスト位置検出センサを配備し、その検出結果に基づき液晶素子を制御/駆動すればよい。
[4-1:液晶素子駆動用ICの構成]
図1に示すように、半導体レーザ11a及び11bは、画像データに基づき半導体レーザ制御部46を介し、半導体レーザ駆動用IC47により、変調/駆動され、2本のレーザビーム21a,21bが感光体ドラム16の被走査面上を走査する。一方、感光体ドラム16表面と光学的に等価な位置に、ビームピッチ検出センサ41が配備されており、感光体ドラム16の被走査面上での走査線間隔を検出することができる。この検出結果と所望の走査線間隔との偏差が、液晶素子制御部44にて算出され、これを補正するための補正データに基づいて、液晶素子駆動用IC45により液晶素子43a,43bが駆動される。
[5-1:上記光走査装置の適用例(1)]
図11は本発明に係る電子写真プロセスを利用した画像形成装置の一例を示す概略構成図である。この画像形成装置は、像担持体として光導電性の感光体ドラム16を有している。感光体ドラム16の周囲には、帯電手段としての帯電ローラ22、現像手段としての現像装置23、転写手段としての転写ローラ24、クリーニング手段としてのクリーニング装置25が配備されている。帯電手段としては帯電ローラ22に代えて、コロナチャージャや帯電ブラシ等を用いることもできる。さらに、帯電した感光体ドラム16上に画像情報に対応した潜像を形成するための光書込み手段として、レーザビームLBにより光走査を行う光走査装置20が設けられ、帯電ローラ22と現像装置23との間で光書込による露光を行うようになっている。この光走査装置20としては前述の図1または図9に示したような構成の光走査装置が用いられる。また、図11において、符号26は給紙カセット、27は給紙コロ、28はレジストローラ対、29は定着装置、30aは排紙ローラ対、30bは排紙トレイであり、符号Sは記録材としての記録紙を示している。
記録紙Sを収納した給紙カセット26は、画像形成装置本体に脱着可能であり、図のごとく装着された状態において、収納された記録紙Sの最上位の1枚が給紙コロ27により給紙され、給紙された記録紙Sは、その先端部をレジストローラ対28に捕らえられる。レジストローラ対28は、感光体ドラム16上のトナー画像が転写位置へ移動するのにタイミングを合わせて、記録紙Sを感光体ドラム16と転写ローラ24のニップ部である転写部へ送り込む。送り込まれた記録紙Sは、転写部において感光体ドラム16上のトナー画像と重ね合わせられ、転写ローラ24の作用によりトナー画像を静電転写される。トナー画像を転写された記録紙Sは定着装置29へ送られ、定着装置29においてトナー画像を定着され、搬送路を通り、排紙ローラ対30aにより排紙トレイ30b上に排出される。一方、トナー画像を転写した後の感光体ドラム16の表面は、クリーニング装置25によりクリーニングされ、残留トナーや紙粉等が除去される。
このような場合には、画像形成装置に走査線間隔(副走査方向のビームピッチ)を検出する検出系(ビームピッチ検出センサ)41を備えることで、上記の原因により発生する走査線間隔を検出し、その結果に基づき液晶素子43a,43bを駆動して走査線間隔を補正することが可能となる。
また、画像形成装置に備えられた操作パネル等からオペレータが画素密度切替の指令を出すことにより、使用目的(求める機能)に応じて、「高画質対応(1200dpi)⇔高速度(多出力枚数)対応(600dpi)」のように、画素密度を切り替えたい場合もある。
このような場合には、本画像形成装置に具備された光路偏向素子(液晶素子)43a,43bを駆動/制御することで、容易に画素密度を切り替えることが可能となる。
上記適用例(1)においては、一つの感光体ドラム16の被走査面上を走査する複数ビーム間の相対位置(ビームピッチ)を所望の値に調整し、高品位な出力画像を得ることを目的とした。
一方、図10及び図12に示す適用例(2)においては、複数の感光体間の走査線位置(ステーション間の色ずれ)を補正することを目的としている。
ここで、図10は4ドラムタンデム方式の画像形成装置に用いられる光走査装置200の構成例を示す図であり、図12はその光走査装置200を用いた4ドラムタンデム方式の画像形成装置の構成例を示す図である。
これらの感光体ドラム16K,16C,16M,16Yは全て同一径に形成されたものであり、その周囲には、電子写真プロセスに従って画像形成を行なうためのプロセス部材が順に配設されており、各色の作像ステーションを構成している。ここで、ブラックK用の作像ステーションを例に挙げて説明すると、感光体ドラム16Kの周囲には帯電チャージャ22K、光走査装置200の露光部、現像装置23K、転写部材24K、クリーニング装置25K等が順に配設されている。また、他の色の作像ステーションの感光体ドラム16C,16M,16Yに対しても同様のプロセス部材が配設されている。
そこで、図10においては、各感光体ドラム16K,16C,16M,16Yに至るレーザビームの光路内に、副走査方向の画像書込開始位置を補正するための液晶素子43を配設した。この液晶素子43は、一つの素子内に複数の有効エリアを有するものでも良いし、各レーザビーム毎に一つの有効エリアを有する独立した素子としても構わない。
また、中間転写ベルト31上の例えば3個所に形成された、作像ステーション間の色ずれを検知するためのトナー像32を、それぞれ「発光素子と受光素子からなる色ずれ検知用センサ33」にて検出し、その検出結果(作像ステーション間の色ずれの程度)に従い液晶素子43を駆動することにより、副走査方向の書込開始タイミング(すなわち書込開始位置)を補正することができる。さらに、ビームウェスト位置(結像状態)を検出する目的のため、1ドットのトナー像を形成し、その面積を検出する検出センサを設けておき、その検出センサの検出結果に基づいてビームウェスト位置(結像状態)を補正する構成を採用することも可能である。
なお、ビームスポット位置及び/又はビームスポット間隔及び/又はビームウェスト位置の補正を行う液晶素子43は、全てのレーザビームの光路に配設する必要はなく、ある基準色(例えばブラックK)に対して位置合わせするために、他の色(シアンC、マゼンタM、イエローY)の光路内にのみ液晶素子43を配設する構成としても構わない。
次に本発明の光走査装置の別の適用例として、図13に示すように、2以上の光走査装置20−1,20−2を主走査方向に並列して配備し、有効書込幅を分割して走査する構成の画像形成装置に適用することができる。各光走査装置20−1,20−2の構成は、図1または図9に示した光走査装置と略同様の構成であり、光源としての半導体レーザ11、カップリングレンズ12、液晶素子43、シリンドリカルレンズ13、ポリゴンミラー14、走査レンズ15等で構成されている。なお、光源としては、複数の半導体レーザや、半導体レーザアレイを用いたマルチビーム光源としてもよい。
半導体レーザ11から出射され、カップリングレンズ12でカップリングされたレーザビームは、液晶素子43を利用して微小角度偏向することができ、ビームスポット位置を可変して補正することができる。従って、初期調整時や、あるいは環境変動/経時変動等によって図13に示す分割走査の繋ぎ目部の走査線位置にずれが生じた場合にも、液晶素子43を駆動して、走査線位置のずれを補正することができる。
12,12a,12b:カップリングレンズ
13:シリンドリカルレンズ
14:ポリゴンミラー(偏向器)
15:走査光学系(走査レンズ)
15−1:第一走査レンズ
15−2:第二走査レンズ
16,16K,16C,16M,16Y:感光体ドラム(像担持体)
18:折り返しミラー
20,20−1,20−2:光走査装置
21a,21b:レーザビーム
22:帯電ローラ
22K,22C,22M,22Y:帯電チャージャ
23:現像装置
23K,23C,23M,23Y:各色の現像装置
24:転写ローラ
24K,24C,24M,24Y:転写部材
25:クリーニング装置
25K,25C,25M,25Y:クリーニング装置
26:給紙カセット
27:給紙コロ
28:レジストローラ対
29:定着装置
30a:排紙ローラ対
30b:排紙トレイ
31:中間転写ベルト
32:トナー像
33:色ずれ検知用センサ
41:同期検知兼用のビームピッチ検出センサ
42:同期検知センサ
43,43a,43b:液晶素子
44:液晶素子制御部
45:液晶素子駆動用IC
46:半導体レーザ制御部
47:半導体レーザ駆動用IC
48:液晶素子及び半導体レーザ駆動用IC
49:回路基板
51−1,51−2:ガラス基板
52−1:ストライプ状の透明電極
52−2:透明電極
53:配向膜
54:液晶層
55:抵抗
56:透明電極パターン
61K,61C,61M,61Y,62C,62M,62Y:光路折り返し用のミラー
63:検出センサ
64:二次転写ローラ
65:ベルトクリーニング装置
Claims (22)
- レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置において、
上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変する手段を有することを特徴とする光走査装置。 - レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置において、
上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に比例することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1記載の光走査装置において、
上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に比例するように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1記載の光走査装置において、
上記液晶素子の駆動時の透過光の透過波面収差と非駆動時の透過波面収差の偏差を二次以上の次数を有する多項式で近似した曲線から傾き成分を除去した曲線の最大値と最小値の差(入射ビーム径内でのPV)が、λ/4以下(λはレーザビームの波長)となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1記載の光走査装置において、
上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に対する獲得位相差曲線が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜5のいずれか一つに記載の光走査装置において、
上記液晶素子を駆動する電気信号を発生する集積回路(IC)は、レーザビームを出射する半導体レーザを駆動する電気信号を発生する集積回路(IC)と同じ基板上に実装されていることを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜5のいずれか一つに記載の光走査装置において、
上記液晶素子を駆動する電気信号と、レーザビームを出射する半導体レーザを駆動する電気信号は、共通の集積回路(IC)から発生させることを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜4、6、7のいずれか一つに記載の光走査装置において、
複数のレーザビームで共通の被走査面を走査し、上記液晶素子により、少なくとも一つのレーザビームのビームスポット位置を可変することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜4、6、7のいずれか一つに記載の光走査装置において、
複数のレーザビームで複数の異なる被走査面を走査し、上記液晶素子により、少なくとも一つの被走査面を走査するレーザビームのビームスポット位置を可変することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1、5〜7のいずれか一つに記載の光走査装置において、
上記液晶素子により、被走査面付近のレーザビームのビームウェスト位置(結像位置)を可変することを特徴とする光走査装置。 - 請求項8または9記載の光走査装置において、
被走査面のレーザビームのビームスポット位置及び/又はビームスポット間隔を検出する検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づき少なくとも一つのレーザビームのビームスポット位置を補正することを特徴とする光走査装置。 - 請求項10記載の光走査装置において、
被走査面付近のレーザビームのビームウェスト位置(結像状態)を検出する検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づきビームウェスト位置を補正することを特徴とする光走査装置。 - 請求項8〜10のいずれか一つに記載の光走査装置において、
装置内部の温度を検出する温度検出手段を具備し、上記検出手段による検出結果に基づき、被走査面上のビームスポット位置、及び/又はビームスポット間隔、及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とする光走査装置。 - 光導電性を有する像担持体と、該像担持体を帯電する帯電手段と、帯電された像担持体をレーザビームで走査し静電潜像を形成する光走査装置と、上記像担持体上の静電潜像をトナーで顕像化する現像手段と、顕像化されたトナー像を記録材または中間転写体に転写する転写手段とを備えた画像形成装置において、
上記光走査装置として、請求項1〜13のいずれか一つに記載の光走査装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。 - 請求項14記載の画像形成装置において、
上記現像手段により顕像化されたトナー像の位置及び/又は面積を検出する検出手段による検出結果に基づき、上記像担持体上のビームスポット位置及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とする画像形成装置。 - 複数の並設された光導電性を有する像担持体と、各像担持体を帯電する帯電手段と、帯電された各像担持体をそれぞれレーザビームで走査し静電潜像を形成する光走査装置と、各像担持体上の静電潜像を各色のトナーで顕像化する現像手段と、顕像化された各色のトナー像を記録材または中間転写体に順次重ね合わせて転写する転写手段とを備えた画像形成装置において、
上記光走査装置として、請求項1〜13のいずれか一つに記載の光走査装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。 - 請求項16記載の画像形成装置において、
上記現像手段により顕像化された各色のトナー像の位置及び/又は面積を検出する検出手段による検出結果に基づき、各像担持体上のビームスポット位置及び/又はビームウェスト位置を補正することを特徴とする画像形成装置。 - レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置における前記液晶素子の駆動方法において、
上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする液晶素子の駆動方法。 - レーザビームの位相を変調可能な液晶素子を具備する光走査装置における上記液晶素子の駆動方法において、
上記液晶素子は、一方向に配列したストライプ状の電極パターンを有し、上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に比例することを特徴とする液晶素子の駆動方法。 - 請求項18記載の液晶素子の駆動方法において、
上記液晶素子の駆動による獲得位相差が、上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に比例するように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする液晶素子の駆動方法。 - 請求項18記載の液晶素子の駆動方法において、
上記液晶素子の駆動時の透過光の透過波面収差と非駆動時の透過波面収差の偏差を二次以上の次数を有する多項式で近似した曲線から傾き成分を除去した曲線の最大値と最小値の差(入射ビーム径内でのPV)が、λ/4以下(λはレーザビームの波長)となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする液晶素子の駆動方法。 - 請求項18記載の液晶素子の駆動方法において、
上記ストライプ状の電極パターンの配列方向の位置(座標)に対する獲得位相差曲線が、少なくとも二次以上の次数を有する多項式で近似可能となるように、上記ストライプ状の各電極パターン毎に、個別に駆動電圧の実効値を可変することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
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