JP2005285820A - バイアススパッタ成膜方法及び膜厚制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スパッタガス導入ロ3と真空排気口2と有する真空室1内に、互いに対向するターゲット6と基板7とをそれぞれ載置するスパッタカソード4と基板ステージ5とを設けて構成したスパッタ成膜装置に、基板ステージ5に対し出力可変の電源9及びカソード電源8と制御系10とを接続し、制御系10には、あらかじめ、基板・ターゲット間距離と、カソード電圧値と、基板バイアス電圧値と、薄膜の膜厚分布とを照合データとして入力し、膜厚分布の大小に応じたカソード電圧及び基板バイアス電圧の両電圧値を照合データから選択して電圧-膜厚分布関数を算出し、基板バイアス電圧印加を伴う成膜時に、電圧-膜厚分布関数を検索すると共に、この検索された電圧関数に応じてカソード及び基板電極の両電源の出力調整を行う。
【選択図】図4
Description
2 排気口
3 スパッタガス導入ロ
6 ターゲット
7 基板
8 カソード電源
9 基板バイアス電源
10 制御系
21 側壁部分
22 開口部
23 底部
Claims (11)
- カソード電圧及び基板バイアス電圧の両電圧を印加して薄膜を形成するバイアススパッタ成膜方法において、前記両電圧のうちカソード電圧のみを印加した状態で、凹凸が形成された基板上に薄膜を形成する第1工程と、該第1工程よりも低下したカソード電圧を印加した状態で、前記基板バイアス電圧を印加する第2工程とから成ることを特徴とするバイアススパッタ成膜方法。
- 前記カソード電圧は、直流電力が供給され、前記基板バイアス電圧は、高周波電力が供給されることを特徴とする請求項1に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- 前記第2工程中、前記カソードに供給する直流電力を7W/cm2以下に設定すると共に、前記基板に供給する高周波電力を0.3W/cm2以上に設定することを特徴とする請求項2に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- 前記第2工程以降を、さらに細分化した複数工程により構成し、現工程の直前工程より低下させて印加するカソード電圧と、該直前工程より増大させて印加する基板バイアス電圧とにより、前記現工程で印加すべき前記両電圧を設定したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- ターゲットから飛来するスパッタ粒子が、前記基板に対して略垂直に入射するようにしたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- 前記薄膜を、バリア層または電解メッキ用シード層に用いることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- カソード電圧及び基板バイアス電圧の両電圧を印加して薄膜を形成するバイアススパッタ成膜方法において、凹凸が形成された基板上への成膜に際して、カソード電圧が減少するに伴って、前記基板バイアス電圧が増大するように、前記両電圧を経時変化させることを特徴とするバイアススパッタ成膜方法。
- 前記カソード電圧の減少及び前記基板バイアス電圧の増大は、時間経過にしたがって、該電圧値の連続性を保つ連続変化またはステップ変化によることを特徴とする請求項7に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- 前記カソード電圧は、直流電力が供給され、前記基板バイアス電圧は、高周波電力が供給されることを特徴とする請求項7または8に記載のバイアススパッタ成膜方法。
- カソード及び基板電極のそれぞれに対して出力可変の直流または交流電源を用い、あらかじめ、基板・ターゲット間距離と、カソード電圧値と、基板バイアス電圧値と、薄膜の膜厚分布とを照合データとして入力し、前記膜厚分布の大小に応じたカソード電圧及び基板バイアス電圧の両電圧値を前記照合データから選択して電圧-膜厚分布関数を算出し、前記基板バイアス電圧印加を伴う成膜時に、該電圧-膜厚分布関数を検索すると共に、該検索された電圧-膜厚分布関数に応じて前記カソード及び基板電極の両電源の出力調整を行うことを特徴とする膜厚制御方法。
- 基板バイアス印加を伴う成膜時が、前記第2工程以降を含む場合に、該第2工程に続く複数工程において、前記両電源出力調整を繰り返すことを特徴とする請求項10に記載の膜厚制御方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214387A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 |
WO2010004890A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜の成膜方法 |
JP5145225B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2013-02-13 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造方法 |
CN117418208A (zh) * | 2023-08-10 | 2024-01-19 | 等离子体装备科技(广州)有限公司 | 连接器镀膜方法及其制备工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61153275A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Anelva Corp | スパツタリングによる薄膜形成方法 |
JP2000096223A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Seiko Epson Corp | 直流バイアススパッタによる薄膜形成方法 |
WO2002091461A2 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-14 | Tokyo Electron Limited | Ionized pvd with sequential deposition and etching |
US20040050687A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-18 | Ulvac, Inc. | Bias sputtering film forming process and bias sputtering film forming apparatus |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004093068A patent/JP2005285820A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61153275A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Anelva Corp | スパツタリングによる薄膜形成方法 |
JP2000096223A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Seiko Epson Corp | 直流バイアススパッタによる薄膜形成方法 |
WO2002091461A2 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-14 | Tokyo Electron Limited | Ionized pvd with sequential deposition and etching |
US20040050687A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-18 | Ulvac, Inc. | Bias sputtering film forming process and bias sputtering film forming apparatus |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214387A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 |
JP5145225B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2013-02-13 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造方法 |
TWI397125B (zh) * | 2006-07-14 | 2013-05-21 | Ulvac Inc | 半導體裝置的製造方法 |
WO2010004890A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜の成膜方法 |
US8278211B2 (en) | 2008-07-11 | 2012-10-02 | Canon Anelva Corporation | Thin film forming method |
JP5249328B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2013-07-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜の成膜方法 |
CN117418208A (zh) * | 2023-08-10 | 2024-01-19 | 等离子体装备科技(广州)有限公司 | 连接器镀膜方法及其制备工艺 |
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