JP2005285283A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)は、第1選択信号(A)に応じて、出力信号を第1データバス(20’)に出力する。第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)は、第2選択信号(B)に応じて、出力信号を第2データバス(20’’)に出力する。反転部(30)は、第1選択信号(A)又は第2選択信号(B)に応じて、第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)との一方のデータバスに印加される出力信号の信号レベルを反転して第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)との他方のデータバスに出力する。イコライズ回路(33)は、リセット信号(C)に応じて、第1データバス(20’)に印加される信号レベルと第2データバス(20’’)に印加される信号レベルとをイコライズする。バスドライバ回路(23)は、第2データバス(20’’)に印加される信号レベルを反転して、又は、反転せずに、第3データバス(20’’’)に出力する。
【選択図】図5
Description
例えば、第1選択信号Aは、その信号レベルがロウ(Lo)である場合、アクティブ状態を表し、その信号レベルがハイ(Hi)である場合、インアクティブ状態を表す。第2選択信号Bは、その信号レベルがロウ(Lo)である場合、アクティブ状態を表し、その信号レベルがハイ(Hi)である場合、インアクティブ状態を表す。リセット信号Cは、その信号レベルがロウ(Lo)である場合、アクティブ状態を表し、その信号レベルがハイ(Hi)である場合、インアクティブ状態を表す。
反転部(30)は、第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)の出力と第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)の出力との間に設けられ、第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)の出力を反転して出力する。
イコライズ回路(33)は、第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)の出力と反転部(30)の出力とを所定の期間(EQC)において結合する。
共通バス(20’’)には、反転部(30)の出力と第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)の出力との一方の出力が伝達される。
バスドライバ回路(23)は、共通バス(20’’)に伝達される出力を反転または反転させずに出力バス(20’’’)に伝達する。
バスドライバ回路(23)は、第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)の出力が共通バス(20’’)に伝達されるときは、第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)の出力を反転させずに出力バス(20’’’)に出力する。
データバス(20)は、第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)と第3データバス(20’’’)とを有する。第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)の出力は、第1データバス(20’)に接続されている。第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)の出力は、第2データバス(20’’)に接続されている。反転部(30)は、第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)との間に設けられている。イコライズ回路(33)は、第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)との間に設けられている。バスドライバ回路(23)は、第2データバス(20’’)と第3データバス(20’’’)との間に設けられている。
第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)は、第1選択信号(A)に応じて、出力信号を第1データバス(20’)に出力する。
第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)は、第2選択信号(B)に応じて、出力信号を第2データバス(20’’)に出力する。
反転部(30)は、第1選択信号(A)又は第2選択信号(B)に応じて、第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)との一方のデータバスに印加される出力信号の信号レベルを反転して第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)との他方のデータバスに出力する。
イコライズ回路(33)は、リセット信号(C)に応じて、第1データバス(20’)に印加される信号レベルと第2データバス(20’’)に印加される信号レベルとをイコライズする。
バスドライバ回路(23)は、第2データバス(20’’)に印加される信号レベルを反転して、又は、反転せずに、第3データバス(20’’’)に出力する。
バスドライバ回路(23)は、第2選択信号(B)に応じて、第2データバス(20’’)に印加される信号レベルを第3データバス(20’’’)に出力する。
第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)と第2データバス(20’’)とは第2実装領域(44)に設けられている。
反転部(30)とイコライズ回路(33)とは、第1実装領域(42)と第2実装領域(44)との間の第3実装領域(43)に設けられている。
第3データバス(20’’’)とバスドライバ回路(23)とは第2実装領域(45)に設けられている。
第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)と第2データバス(20’’)とは第1実装領域(42)と第2実装領域(45)との間の第3実装領域(44)に設けられている。
反転部(30)とイコライズ回路(33)とは第1実装領域(42)と第3実装領域(44)との間の第4実装領域(43)に設けられている。
制御装置(4)は、第1選択信号(A)又は第2選択信号(B)と、リセット信号(C)とを交互に出力する。
トランスファーゲート(34)の一方のゲートには、リセット信号(C)が直接入力され、トランスファーゲート(34)の他方のゲートには、インバータ(35)を介してリセット信号(C)が入力される。
このように、本発明の半導体記憶装置(10)では、反転部(30)とイコライズ回路(33)とを具備することにより、イコライズ期間(EQC)における信号レベル(電圧1/2VCC)をイコライズ回路(33)が生成し易くなり、イコライズ期間(EQC)において第1データバス(20’)と第2データバス(20’’)とを電圧1/2VCCにプリチャージすることができる。このため、本発明の半導体記憶装置(10)では、実行動作を高速に行なうことができる。
一方、本発明の半導体記憶装置(10)では、反転部(30)とイコライズ回路(33)とを具備することにより、電源電圧VCCがドロップすることはない。このため、本発明の半導体記憶装置(10)では、実行動作を従来の半導体記憶装置(100)のそれよりも高速に行なうことができる。
一方、本発明の半導体記憶装置(10)では、反転部(30)とイコライズ回路(33)とを具備することにより、本発明の半導体記憶装置(10)により消費される消費電力を従来の半導体記憶装置(100)のそれよりも低減することができる。
この場合、従来の半導体記憶装置(100)では、実行期間(ACT)において第1センスアンプ部(15−1−j、121−1)、第2センスアンプ部(15−4−j、122−1)がデータバス(120)を駆動するときの駆動電荷量は、C×(1/2×VCC)=1/2×(C×VCC)となる。
一方、本発明の半導体記憶装置(10)では、実行期間(ACT)において、第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)が第1データバス(20’)を駆動するときの駆動電荷量は、(x×C)×(1/2×VCC)=1/2×x×(C×VCC)となり、第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)が第2データバス(20’’)を駆動するときの駆動電荷量は、((1−x)×C)×(1/2×VCC)=1/2×(1−x)×(C×VCC)となる。ここで、xは、0<x<1を満たす正数であり、データバス{第1データバス(20’)、第2データバス(20’’)}の全距離に対してX倍の位置に中間バッファ{反転部(30)とイコライズ回路(33)とを含む}が配置されていることを表す。このように、本発明の半導体記憶装置(10)では、駆動電荷量を従来の半導体記憶装置(100)のそれよりも低減することができ、第1センスアンプ部(15−1−j、21−1)、第2センスアンプ部(15−4−j、22−1)の回路サイズを従来の第1センスアンプ部(15−1−j、121−1)、第2センスアンプ部(15−4−j、122−1)の回路サイズよりも小さくすることができる。
例えば、第1選択信号Aは、その信号レベルがロウ(Lo)である場合、アクティブ状態を表し、その信号レベルがハイ(Hi)である場合、インアクティブ状態を表す。インアクティブ状態を表す第1選択信号Aを第1選択信号/A(Hi)と称する。第2選択信号Bは、その信号レベルがロウ(Lo)である場合、アクティブ状態を表し、その信号レベルがハイ(Hi)である場合、インアクティブ状態を表す。インアクティブ状態を表す第2選択信号Bを第2選択信号/B(Hi)と称する。リセット信号Cは、その信号レベルがロウ(Lo)である場合、アクティブ状態を表し、その信号レベルがハイ(Hi)である場合、インアクティブ状態を表す。
反転回路21−1の入力は、プレート3−1のセンスアンプ15−1−jの出力に接続され、反転回路21−1の出力は第1データバス20’に接続されている。この場合、そのセンスアンプ15−1−jが実装領域42に設けられているため、そのセンスアンプ15−1−jと第1入力部21の反転回路21−1とを含むセンスアンプ部(又は、第1センスアンプ部)と称することもある。
反転回路21−2の入力は、プレート3−2のセンスアンプ15−2−jの出力に接続され、反転回路21−2の出力は第1データバス20’に接続されている。この場合、そのセンスアンプ15−2−jが実装領域42に設けられているため、そのセンスアンプ15−2−jと第1入力部21の反転回路21−2とを含むセンスアンプ部(又は、第1センスアンプ部)と称することもある。
反転回路21−3の入力は、プレート3−3のセンスアンプ15−3−jの出力に接続され、反転回路21−3の出力は第1データバス20’に接続されている。この場合、そのセンスアンプ15−3−jが実装領域42に設けられているため、そのセンスアンプ15−3−jと第1入力部21の反転回路21−3とを含むセンスアンプ部(又は、第1センスアンプ部)と称することもある。
反転回路21−1〜21−3は、制御回路4に接続されている。反転回路21−1〜21−3は、制御回路4からの第1選択信号A(Lo)に応じて、その入力に入力される信号レベルを反転して出力するインバータである。
反転回路22−1の入力は、プレート3−4のセンスアンプ15−4−jの出力に接続され、反転回路22−1の出力は第2データバス20’’に接続されている。この場合、そのセンスアンプ15−4−jが実装領域44に設けられているため、そのセンスアンプ15−4−jと第2入力部22の反転回路22−1とを含むセンスアンプ部(又は、第2センスアンプ部)と称することもある。
反転回路22−2の入力は、プレート3−5のセンスアンプ15−5−jの出力に接続され、反転回路22−2の出力は第2データバス20’’に接続されている。この場合、そのセンスアンプ15−5−jが実装領域44に設けられているため、そのセンスアンプ15−5−jと第2入力部22の反転回路22−2とを含むセンスアンプ部(又は、第2センスアンプ部)と称することもある。
反転回路22−3の入力は、プレート3−6のセンスアンプ15−6−jの出力に接続され、反転回路22−3の出力は第2データバス20’’に接続されている。この場合、そのセンスアンプ15−6−jが実装領域44に設けられているため、そのセンスアンプ15−6−jと第2入力部22の反転回路22−3とを含むセンスアンプ部(又は、第2センスアンプ部)と称することもある。
反転回路22−1〜22−3は、制御回路4に接続されている。反転回路22−1〜22−3は、制御回路4からの第2選択信号B(Lo)に応じて、その入力に入力される信号レベルを反転して出力するインバータである。
このように、本発明のフラッシュメモリ10では、反転部30とイコライズ回路33とを具備することにより、イコライズ期間EQCにおける信号レベル(電圧1/2VCC)をイコライズ回路33が生成し易くなり、イコライズ期間EQCにおいて第1データバス20’と第2データバス20’’とを電圧1/2VCCにプリチャージすることができる。このため、本発明のフラッシュメモリ10では、実行動作を高速に行なうことができる。
このように、本発明のフラッシュメモリ10では、反転部30とイコライズ回路33とを具備することにより、イコライズ期間EQCにおける信号レベル(電圧1/2VCC)をイコライズ回路33が生成し易くなり、イコライズ期間EQCにおいて第1データバス20’と第2データバス20’’とを電圧1/2VCCにプリチャージすることができる。このため、本発明のフラッシュメモリ10では、実行動作を高速に行なうことができる。
一方、本発明のフラッシュメモリ10では、反転部30とイコライズ回路33とを具備することにより、本発明のフラッシュメモリ10により消費される消費電力を従来のフラッシュメモリ100のそれよりも低減することができる。
この場合、従来のフラッシュメモリ100では、実行期間ACTにおいて第1入力部121(反転回路121−1〜121−3)、第2入力部122(反転回路122−1〜122−3)がデータバス120を駆動するときの駆動電荷量は、C×(1/2×VCC)=1/2×(C×VCC)となる。
一方、本発明のフラッシュメモリ10では、実行期間ACTにおいて、第1入力部21(反転回路21−1〜21−3)が第1データバス20’を駆動するときの駆動電荷量は、(x×C)×(1/2×VCC)=1/2×x×(C×VCC)となり、第2入力部22(反転回路22−1〜22−3)が第2データバス20’’を駆動するときの駆動電荷量は、((1−x)×C)×(1/2×VCC)=1/2×(1−x)×(C×VCC)となる。ここで、xは、0<x<1を満たす正数であり、データバス(第1データバス20’、第2データバス20’’)の全距離に対してX倍の位置に中間バッファ(反転部30とイコライズ回路33とを含む)が配置されていることを表す。
一方、本発明のフラッシュメモリ10では、出力バス部16−jの第1入力部21(反転回路21−1、21−2、21−3)の入力に第1センスアンプ(センスアンプ15−1−j、15−2−j、15−3−j)が接続され、その第1入力部21(反転回路21−1、21−2、21−3)の出力に第1データバス20’が接続されている。出力バス部16−jの第2入力部22(反転回路22−1、22−2、22−3)に第2センスアンプ(センスアンプ15−4−j、15−5−j、15−6−j)が接続され、その第2入力部22(反転回路22−1、22−2、22−3)の出力に第2データバス20’’が接続されている。出力バス部16−jの反転部30は、第1データバス20’と第2データバス20’’とに接続されている。本発明のフラッシュメモリ10では、出力バス部16−jのイコライズ回路33により、第1データバス20’に印加された信号レベルと第2データバス20’’に印加された信号レベルとを用いて、データバス20(第1データバス20’、第2データバス20’’)をイコライズする。
一方、本発明のフラッシュメモリ10では、上述のように、第1データバス20’に印加された信号レベルと第2データバス20’’に印加された信号レベルとを用いて、データバス20(第1データバス20’、第2データバス20’’)をイコライズする。即ち、第1入力部21(反転回路21−1〜21−3)が第1データバス20’に出力する信号レベルと、反転部30(反転回路31)が第2データバス20’’に出力する信号レベルとを用いて、データバス20(第1データバス20’、第2データバス20’’)をイコライズする。第2入力部22(反転回路22−1〜22−3)が第2データバス20’’に出力する信号レベルと、反転部30(反転回路32)が第1データバス20’に出力する信号レベルとを用いて、データバス20(第1データバス20’、第2データバス20’’)をイコライズする。このため、1つのデータバス20に反転回路{第1入力部21(反転回路21−1〜21−3)、第2入力部22(反転回路22−1〜22−3)}を並列に接続することができる。
一方、本発明のフラッシュメモリ10では、実行期間ACTにおいて、第1入力部21が第1データバス20’を駆動するときの駆動電荷量、第2入力部22が第2データバス20’’を駆動するときの駆動電荷量は、(1/2×C)×(1/2×VCC)=1/4×(C×VCC)となる。このように、本発明のフラッシュメモリ10における駆動電荷量は、特許文献1に記載された半導体記憶装置のそれよりも低い。このため、本発明のフラッシュメモリ10では、第1入力部21(反転回路21−1〜21−3)、第2入力部22(反転回路22−1〜22−3)の回路サイズを、特許文献1に記載された半導体記憶装置のデータバスドライバ(70)の回路サイズよりも小さくすることができる。
2 アドレスバッファ部
3−1〜3−6、3−i(i=1、2、…、6) プレート
4 制御回路
5 昇圧回路
6 入出力バッファ部
7−1〜7−n、7−j(j=1、2、…、n) 端子
8 電源切換部
9 カラムデコーダ部
10 フラッシュメモリ
11 グローバルロウデコーダ部
12 ローカルロウデコーダ部
13−1〜13−n セクター
14 リファレンスセル部
15、15−i−1〜15−i−n(i=1、2、…、6) センスアンプ
16、16−1〜16−n、16−j(j=1、2、…、n) 出力バス部
20 データバス
20’ 第1データバス(第1共通バス)
20’’ 第2データバス(第2共通バス)
20’’’ 第3データバス(出力バス)
21 第1入力部
21−1〜21−3 反転回路
22 第2入力部
22−1〜22−3 反転回路
23 バスドライバ回路
24、25、26 反転回路
30 反転部
31、32 反転回路
33 イコライズ回路
34 トランスファーゲート
35 反転回路
41〜47 実装領域
104 制御回路
100 フラッシュメモリ
116、116−1〜16−n、116−j(j=1、2、…、n) 出力バス部
120 データバス
121 第1入力部
121−1〜121−3 反転回路
122 第2入力部
122−1〜122−3 反転回路
123 Pチャネルトランジスタ
Claims (10)
- 第1センスアンプ部の出力と第2センスアンプ部の出力との間に設けられ、前記第1センスアンプ部の出力を反転して出力する反転部と、
前記第1センスアンプ部の出力と前記反転部の出力とを所定の期間において結合するイコライズ回路と、
前記反転部の出力と前記第2センスアンプ部の出力との一方の出力が伝達される共通バスと、
前記共通バスに伝達される出力を反転または反転させずに出力バスに伝達するバスドライバ回路とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記バスドライバ回路は、
前記反転部の出力が前記共通バスに伝達されるときは、前記反転部の出力を反転して前記出力バスに出力し、
前記第2センスアンプ部の出力が前記共通バスに伝達されるときは、前記第2センスアンプ部の出力を反転させずに前記出力バスに出力することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1センスアンプ部の出力と第2センスアンプ部の出力との一方の出力が有効になることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。
- 前記共通バスと前記第1センスアンプ部との距離は、前記共通バスと前記第2センスアンプ部との距離よりも長いことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 第1データバスと第2データバスと第3データバスとを有するデータバスと、
第1選択信号に応じて、出力信号を前記第1データバスに出力する第1センスアンプ部と、
第2選択信号に応じて、出力信号を前記第2データバスに出力する第2センスアンプ部と、
前記第1データバスと前記第2データバスとの間に設けられ、前記第1選択信号又は前記第2選択信号に応じて、前記第1データバスと前記第2データバスとの一方のデータバスに印加される出力信号の信号レベルを反転して前記第1データバスと前記第2データバスとの他方のデータバスに出力する反転部と、
前記第1データバスと前記第2データバスとの間に設けられ、リセット信号に応じて、前記第1データバスに印加される信号レベルと前記第2データバスに印加される信号レベルとをイコライズするイコライズ回路と、
前記第2データバスと前記第3データバスとの間に設けられ、前記第2データバスに印加される信号レベルを反転して、又は、反転せずに、前記第3データバスに出力するバスドライバ回路と
を具備する半導体記憶装置。 - 請求項5に記載の半導体記憶装置において、
前記バスドライバ回路は、
前記第1選択信号に応じて、前記第2データバスに印加される信号レベルを反転して前記第3データバスに出力し、
前記第2選択信号に応じて、前記第2データバスに印加される信号レベルを前記第3データバスに出力する
半導体記憶装置。 - 請求項5又は6記載の半導体記憶装置において、
前記第1センスアンプ部と前記第1データバスとが第1実装領域に設けられ、
前記第2センスアンプ部と前記第2データバスとが第2実装領域に設けられ、
前記反転部と前記イコライズ回路とが前記第1実装領域と前記第2実装領域との間の第3実装領域に設けられている
半導体記憶装置。 - 請求項7に記載の半導体記憶装置において、
前記第1センスアンプ部と前記第1データバスとが第1実装領域に設けられ、
前記第3データバスと前記バスドライバ回路とが第2実装領域に設けられ、
前記第2センスアンプ部と前記第2データバスとが前記第1実装領域と前記第2実装領域との間の第3実装領域に設けられ、
前記反転部と前記イコライズ回路とが前記第1実装領域と前記第3実装領域との間の第4実装領域に設けられている
半導体記憶装置。 - 請求項5〜8のいずれか一項に記載の半導体記憶装置において、
更に、
前記第1選択信号又は前記第2選択信号と、前記リセット信号とを交互に出力する制御装置
を具備する半導体記憶装置。 - 請求項5〜9のいずれか一項に記載の半導体記憶装置において、
前記イコライズ回路は、
その一方の端子が前記第1データバスに接続され、その他方の端子が前記第2データバスに接続されたトランスファーゲートを具備し、
前記トランスファーゲートの一方のゲートには、前記リセット信号が直接入力され、前記トランスファーゲートの他方のゲートには、インバータを介して前記リセット信号が入力される
半導体記憶装置。
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