JP2005278165A - 非放射性誘電体線路および変換器 - Google Patents

Abstract

【課題】低損失なLSM_０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路を得る。また、線路構造が小形な非放射性誘電体線路を得る。さらに、誘電体部分を射出成型により形成した非放射性誘電体線路を得る。
【解決手段】平行配置されて地導体となる２枚の導体平板と、上記２枚の導体平板それぞれの内側に接して設けられた２本の誘電体ストリップと、上記２枚の導体平板の間に充填され、上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体とを備えた非放射性誘電体線路であって、上記２枚の導体平板の間隔が上記誘電体ストリップにおける伝搬波長の１／２以下で、かつ、上記非放射性誘電体線路の伝搬方向に直交する断面における上記２枚の導体平板と２本の誘電体ストリップと誘電体による構造が上下で線対称構造であることとした。
【選択図】図８

Description

この発明は、主としてＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯およびミリ波帯で用いられる非放射性誘電体線路および非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器に関するものである。

図３１は、例えば特開昭５８−２１５８０４号公報に示された非放射性誘電体線路を示す概略図であり、２枚の導電体平板１４１および導電体平板１４２の間に誘電体ストリップ１４３が設けられた構成である。
このような従来の非放射性誘電体線路は、２枚の導電体平板１４２、１４３の間隔を電磁波の伝搬波長の半波長以下にして曲り部分などの不連続部分における放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

特開昭５８−２１５８０４号公報（第１図、第１０図）

従来の非放射性誘電体線路では、その電磁界を図３２、図３３に示すように、基本伝送波（LSM０１モード）より低い遮断周波数をもつ不要伝送波（LSE０１モード）が存在するため、分岐部および結合部などの不連続部周辺においてはLSE０１モードが励振され、これが伝送損失の主要な原因となっていた。このため、LSE０１モードの励振を防ぐためには不連続部周辺にモードサプレッサの設置が必要不可欠であった。そのため構造が複雑となり、誘電体部分を射出成型により形成する場合などに障害となっていた。

また、従来の非放射性誘電体線路では、曲り部を作る場合には不要伝送波であるLSE０１モードの励振を抑制するために曲率半径を大きくしなければならず、線路構造が大きくなっていた。

この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。また、線路構造が小形な非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。さらに、誘電体部分を射出成型により形成した非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。

この発明に係る非放射性誘電体線路は、平行配置されて地導体となる２枚の導体平板と、上記２枚の導体平板それぞれの内側に接して設けられた２本の誘電体ストリップと、上記２枚の導体平板の間に充填され、上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体とを備えた非放射性誘電体線路であって、上記２枚の導体平板の間隔が上記誘電体における伝搬波長の１／２以下で、かつ、上記非放射性誘電体線路の伝搬方向に直交する断面における上記２枚の導体平板と２本の誘電体ストリップと誘電体による構造が対になる導体平板と誘電体ストリップの２組をそれぞれの組に分断する直線に対して対称構造であることを特徴とするものである。

また、この発明に係る非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器は、導波管の幅広面から伸びる変換器の面を非放射性誘電体線路方向に向かってテーパ状に大きくし、かつ、非放射性誘電体線路から伸びる誘電体ストリップの導体平板と平行な方向の幅、および導体平板と垂直な方向の幅の少なくとも一方を導波管に向かってテーパ状に細くしたことを特徴とするものである。

この発明は、非放射性誘電体線路において、２枚の導体平板の間隔を導体平板内に充填された誘電体媒質における伝搬波の波長の１／２以下とし、また、非放射性誘電体線路の伝搬方向に直交する断面における２枚の導体平板と２本の誘電体ストリップと誘電体による構造を対になる導体平板と誘電体ストリップの２組をそれぞれの組に分断する直線に対して対称な構造にすることにより、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとすることができて伝送損失が低減され、放射波の発生を抑圧してモードサプレッサの設置を不要にし、線路構造がシンプルで小形な非放射性誘電体線路を得ることができる。また、曲り部の曲率半径を小さくでき、小形な非放射性誘電体線路を得ることができる。さらに、線路構造がシンプルなため、誘電体部分を射出成型で容易に形成でき、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる。また、導体平板に代えて金属メッキで形成できるため、量産性をさらに高めることができる。

変換器における断面寸法の変化に対するインピーダンスの変化の大きい部分、即ち、導波管の幅広面から伸びる変換器の面が緩やかなテーパ形状となるので反射特性が改善され、反射特性の優れた非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器を得られる。

実施の形態１．
図１は、この発明を実施するための実施の形態１における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図２は図１に示される非放射性誘電体線路の断面図である。なお、以下の実施の形態では、例示として、２つの誘電体ストリップの断面形状が矩形の場合を主に図示して説明する。

図において、非放射性誘電体線路は、２枚の導体平板１１および１２を平行配置し、これら導体平板１１および１２の間に、断面がそれぞれ矩形であり、導体平板１１または１２に密着させて対称に挿入された２つの誘電体ストリップ１４および１５を備えている。また、導体平板１１および１２の間の誘電体ストリップ１４および１５以外の空間は、誘電体ストリップ１４および１５より誘電率が小さい空気層１３で埋められている。ここで、２枚の導体平板１１および１２の間隔を自由空間波長（空気層１３における伝搬波の波長）の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、図１、図２のように線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にしており、放射波の発生を抑圧している。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、電界の向きが導体平板１１および１２と垂直な不要伝送波（LSE０１モード）の遮断周波数は高くなるが、一方、電界の向きが導体平板１１および１２と平行な基本伝送波（LSM０１モード）には影響は少なく、基本伝送波の遮断周波数は不要伝送波のそれと比べ変化が小さい。

この遮断周波数変化への効果を有限要素法を用いた数値計算例により示す。図３に従来の非放射性誘電体線路と実施の形態１における非放射性誘電体線路について、伝送波の自由空間波長（λｇ）に対する伝搬波長（λ）との比（λ／λｇ）と伝送波の周波数（ｆ_０）との関係を示す。図３より、従来の非放射性誘電体線路では基本伝送波であるLSM０１モードの遮断周波数よりLSE０１モードの遮断周波数が低くなっているが、実施の形態１における非放射性誘電体線路では基本伝送波であるLSM０１モードの遮断周波数よりLSE０１モードの遮断周波数が高くなっている。

それぞれのモードの遮断周波数が前記のようになるため、実施の形態１における非放射性誘電体線路では、基本伝送波のみが通過できる周波数帯が存在することになり、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路が得られる。また、曲り部における不要伝送波であるLSE０１モードの励振が抑制されるために曲率半径を大きくする必要がなく、小型化できる。さらに、分岐部や結合部などの不連続部などで不要伝送波であるLSE０１モードが発生せず、モードサプレッサを不要にできるため、誘電体部分の構造が簡単になり、射出成型で容易に形成できる。

実施の形態２．
図４は、この発明を実施するための実施の形態２における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図５は図４に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、２枚の導体平板２１および２２を平行配置し、これら導体平板２１および２２の間に、断面がそれぞれ矩形であり、導体平板２１および２２に密着させて対称に挿入された２つの誘電体ストリップ２４および２５を備えている。また、誘電体ストリップ２４および２５の間に、誘電体ストリップ２４および２５より誘電率が小さい第１の誘電体２６が挿入されており、誘電体２６は図に示す位置で、その横幅が誘電体ストリップ２４および２５の横幅と同一寸法となっている。また、導体平板２１および２２の間の誘電体ストリップ２４および２５並びに誘電体２６以外の空間は、第２の誘電体として空気層２３で埋められている。そのため、伝送波には殆ど影響を与えずに機械的強度を強くできる。ここで、２枚の導体平板２１および２２の間隔を導体平板内に充填された第２の誘電体の媒質における伝搬波の波長（自由空間波長）の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、図４、図５のように線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にしており、放射波の発生を抑圧している。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態１と同様に、電界の向きが導体平板２１および２２と垂直な不要伝送波（LSE０１モード）の遮断周波数は高くなるが、一方、電界の向きが導体平板２１および２２と平行な基本伝送波（LSM０１モード）には影響は少なく、基本伝送波の遮断周波数は不要伝送波のそれと比べ変化が小さい。

それぞれのモードの遮断周波数が前記のようになるため、実施の形態２における非放射性誘電体線路では、実施の形態１と同様に基本伝送波のみが通過できる周波数帯が存在することになり、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路が得られる。また、曲り部における不要伝送波であるLSE０１モードの励振が抑制されるために曲率半径を大きくする必要がなく、小型化できる。さらに、分岐部や結合部などの不連続部などで不要伝送波であるLSE０１モードが発生せず、モードサプレッサを不要にできるため構造が簡単になり、誘電体ストリップ２４および２５や誘電体２６などの誘電体部分を射出成型により一体形成できる。

実施の形態３．
図６は、この発明を実施するための実施の形態３における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図７は図６に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、２枚の導体平板３１および３２を平行配置し、これら導体平板３１および３２の間に、断面がそれぞれ矩形であり、導体平板３１および３２に密着させて対称に挿入された２つの誘電体ストリップ３４および３５を備えている。また、誘電体ストリップ３４および３５の間には平面寸法が導体平板３１および３２の平面寸法と同じで誘電体ストリップ３４および３５より誘電率が小さい第１の誘電体３６が挿入され、導体平板３１および３２の間の誘電体ストリップ３４、３５および第１の誘電体３６以外の空間には、誘電体ストリップ３４および３５より誘電率が小さい第２の誘電体として空気層３３を充填挿入している、このため、伝送波には殆ど影響を与えずに機械的強度を強くできる。ここで、２枚の導体平板３１および３２の間隔を導体平板内に充填された第２の誘電体の媒質（空気３３）における伝搬波の波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、図６、図７のように線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にしており、放射波の発生を抑圧している。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態１と同様に、電界の向きが導体平板３１および３２と垂直な不要伝送波（LSE０１モード）の遮断周波数は高くなるが、一方、電界の向きが導体平板３１および３２と平行な基本伝送波（LSM０１モード）には影響は少なく、基本伝送波の遮断周波数は不要伝送波のそれと比べ変化が小さい。

それぞれのモードの遮断周波数が前記のようになるため、実施の形態３における非放射性誘電体線路では、実施の形態１と同様に基本伝送波のみが通過できる周波数帯が存在することになり、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路が得られる。また、曲り部における不要伝送波であるLSE０１モードの励振が抑制されるために曲率半径を大きくする必要がなく、小型化できる。さらに、分岐部や結合部などの不連続部などで不要伝送波であるLSE０１モードが発生せず、モードサプレッサを不要にできるため構造が簡単になり、誘電体ストリップ３４および３５や誘電体３６などの誘電体部分を射出成型により一体形成できる。

この実施の形態３の誘電体３６によれば、前記実施の形態２の誘電体２６に比べ、横ズレの影響がないので製造精度が緩和され、製造が容易になる効果がある。また、通常、上下の導体平板も固定する必要があるため、誘電体ストリップからある程度離れた電気的に影響のないところで上下の導体平板を固定する構造とするが、その場合に実施の形態３の構造によれば、導体平板を固定するのと同時に誘電体３６も固定でき、固定が簡便にできる効果がある。

実施の形態４．
図８は、この発明を実施するための実施の形態４における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図９は図８に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、２枚の導体平板４１および４２を平行配置し、これら導体平板４１および４２の間に、断面がそれぞれ矩形であり、導体平板４１または４２に密着させて対称に挿入された２つの誘電体ストリップ４４および４５を備えている。また、導体平板４１および４２の間における誘電体ストリップ４４および４５以外の空間は、誘電体ストリップ４４および４５より誘電率が小さい誘電体４３で埋められている。そのため、伝送波には殆ど影響を与えずに機械的強度を強くできる。ここで、２枚の導体平板４１および４２の間隔を誘電体４３における伝搬波の波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、図８、図９のように線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にしており、放射波の発生を抑圧している。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態１と同様に、電界の向きが導体平板４１および４２と垂直な不要伝送波（LSE０１モード）の遮断周波数は高くなるが、一方、電界の向きが導体平板４１および４２と平行な基本伝送波（LSM０１モード）には影響は少なく、基本伝送波の遮断周波数は不要伝送波のそれと比べ変化が小さい。

それぞれのモードの遮断周波数が前記のようになるため、実施の形態４における非放射性誘電体線路では、実施の形態１と同様に基本伝送波のみが通過できる周波数帯が存在することになり、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路が得られる。また、曲り部における不要伝送波であるLSE０１モードの励振が抑制されるために曲率半径を大きくする必要がなく、小型化できる。さらに、分岐部や結合部などの不連続部などで不要伝送波であるLSE０１モードが発生せず、モードサプレッサを不要にできるため構造が簡単になり、誘電体ストリップ４４および４５や誘電体４３などの誘電体部分を射出成型により一体形成できる。さらに、導体平板４１および４２の間の誘電体ストリップ４４および４５以外の空間を誘電体４３で埋めているため、誘電体ストリップ４４および４５の安定した固定が容易にでき、安定した構造で機械的強度に優れた非放射性誘電体線路が得られる。

実施の形態５．
図１０は、この発明を実施するための実施の形態５における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図１１は図１０に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、２枚の導体平板５２および５２を平行配置し、これら導体平板５１および５２の間に、断面がそれぞれ矩形部分に矩形の突起５４ａおよび５５ａを有する凸字型で、導体平板５１または５２に前記突起５４ａおよび５５ａを埋め込み突起のある側を導体平板５１および５２に密着させて対称に挿入された２つの誘電体ストリップ５４および５５を備えている。また、導体平板５１および５２の間の誘電体ストリップ５４および５５以外の空間を誘電体ストリップ５４および５５より誘電率が小さい誘電体５３で埋めているため、誘電体ストリップ５４および５５の安定した固定が容易にでき、安定した構造で機械的強度に優れた非放射性誘電体線路が得られる。ここで、２枚の導体平板５１および５２の間隔を誘電体５３における伝搬波の波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、図１０、図１１のように線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にしており、放射波の発生を抑圧している。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態１と同様に、電界の向きが導体平板５１および５２と垂直な不要伝送波（LSE０１モード）の遮断周波数は高くなるが、一方、電界の向きが導体平板５１および５２と平行な基本伝送波（LSM０１モード）には影響は少なく、基本伝送波の遮断周波数は不要伝送波のそれと比べ変化が小さい。

それぞれのモードの遮断周波数が前記のようになるため、実施の形態５における非放射性誘電体線路では、実施の形態１と同様に基本伝送波のみが通過できる周波数帯が存在することになり、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路が得られる。また、曲り部における不要伝送波であるLSE０１モードの励振が抑制されるために曲率半径を大きくする必要がなく、小型化できる。さらに、分岐部や結合部などの不連続部などで不要伝送波であるLSE０１モードが発生せず、モードサプレッサを不要にできるため構造が簡単になり、誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分を射出成型により一体形成できる。さらに、導体平板５１および５２の間の誘電体ストリップ５４および５５以外の空間は、誘電体ストリップ５４および５５より誘電率が小さい誘電体５３で埋められているため、安定した構造で機械的強度に優れた非放射性誘電体線路が得られる。
また、誘電体ストリップ５４および５５はそれぞれ突起５４ａおよび５５ａを有しているため、LSM０１モードの伝送波長が長くなり、遮断周波数が低くなる。一方、不要モードであるLSE０１モードにはほとんど影響はなく、よって、実施の形態１〜４と比べて基本伝送波のみ使用できる周波数帯域が広くなる。

この遮断周波数変化への効果を有限要素法を用いた数値計算例により示す。図１２に従来の非放射性誘電体線路と実施の形態５における非放射性誘電体線路について、伝送波の自由空間波長（λｇ）と伝搬波長（λ）との比（λ／λｇ）と伝送波の周波数（ｆ_０）との関係を示す。図１２より、従来の非放射性誘電体線路では基本伝送波であるLSM０１モードの遮断周波数よりLSE０１モードの遮断周波数が低くなっているが、実施の形態５における非放射性誘電体線路では基本伝送波であるLSM０１モードの遮断周波数よりLSE０１モードの遮断周波数が高くなっている。
さらに、図３に示した実施の形態１の場合と図１２に示した実施の形態５の場合を比較すると、実施の形態１の場合に比べて実施の形態５の場合は、基本伝送波であるLSM０１モードの遮断周波数よりLSE０１モードの遮断周波数が低くなっている周波数帯域が広くなっており、基本伝送波のみ使用できる周波数帯域が広い、広帯域な非放射性誘電体線路を得られる効果がある。

実施の形態６．
図１３は、この発明を実施するための実施の形態６における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図１４は図１３に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、２枚の導体平板６１および６２を平行配置し、これら導体平板６１および６２の間に、断面がそれぞれ矩形部分に半円形の突起６４ａおよび６５ａを有し、導体平板６１または６２に前記半円形の突起６４ａおよび６５ａを埋め込んで突起のある側を導体平板６１または６２に密着させて対称に挿入された２つの誘電体ストリップ６４および６５を備えている。また、導体平板６１および６２の間の誘電体ストリップ６４および６５以外の空間は、誘電体ストリップ６４および６５より誘電率が小さい誘電体６３で埋められているため、伝送波には殆ど影響を与えずに機械的強度を強くできる。ここで、２枚の導体平板６１および６２の間隔を誘電体６３における伝搬波の波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、図１３、図１４のように線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にしており、放射波の発生を抑圧している。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態１と同様に、電界の向きが導体平板６１および６２と垂直な不要伝送波（LSE０１モード）の遮断周波数は高くなるが、一方、電界の向きが導体平板６１および６２と平行な基本伝送波（LSM０１モード）には影響は少なく、基本伝送波の遮断周波数は不要伝送波のそれと比べ変化が小さい。

それぞれのモードの遮断周波数が前記のようになるため、実施の形態６における非放射性誘電体線路では、実施の形態１と同様に基本伝送波のみが通過できる周波数帯が存在することになり、低損失なLSM０１モードを最低次のモードとする非放射性誘電体線路が得られる。また、曲り部における不要伝送波であるLSE０１モードの励振が抑制されるために曲率半径を大きくする必要がなく、小型化できる。さらに、分岐部や結合部などの不連続部などで不要伝送波であるLSE０１モードが発生せず、モードサプレッサを不要にできるため構造が簡単になり、誘電体ストリップ６４および６５や誘電体６３などの誘電体部分を射出成型により一体形成できる。さらに、導体平板６１および６２の間の誘電体ストリップ６４および６５以外の空間を誘電体６３で埋めているため、誘電体ストリップ６４および６５の安定した固定が容易にでき、安定した構造で機械的強度に優れた非放射性誘電体線路が得られる。

また、誘電体ストリップ６４および６５はそれぞれ導体平板６１および６２に嵌め込まれた断面半円状の突起６４ａおよび６５ａを有しているため、LSM０１モードの伝送波長が長くなり、遮断周波数が低くなる。一方、不要モードであるLSE０１モードにはほぼ影響はなく、よって、実施の形態５と同様に実施の形態１〜４と比べて基本伝送波のみ使用できる周波数帯域が広い広帯域な非放射性誘電体線路を得られる効果がある。

さらに、この非放射性誘電体線路では、前記のように突起６４ａおよび６５ａが半円形であるため、誘電体ストリップ６４および６５や誘電体６３などの誘電体部分を射出成型により一体形成する場合に、誘電体部分を型から抜くことが容易となる。

実施の形態７．
図１５は、この発明を実施するための実施の形態７における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図１６は図１５に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４、５５および誘電体５３の誘電体部分（導体平板５１と５２を取り除いた部分）と同様の構造で、誘電体７３、および誘電体７３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起７４aおよび７５aを有する、２つの誘電体ストリップ７４および７５から構成されている誘電体部分と、この誘電体部分の突起７４aおよび７５aのある上面と底面（図に示す位置で）の２箇所全面にそれぞれ施された導体平板を形成する金属メッキ７１および７２を備える。なお、実施の形態５の図１０、図１１で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。また、誘電体７３の厚みを誘電体７３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。さらに、この非放射性誘電体線路では、前記のような射出成型により一体形成された誘電体ストリップ７４および７５や誘電体７３などの誘電体部分に金属メッキ７１および７２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も金属メッキで形成するため、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

実施の形態８．
図１７は、この発明を実施するための実施の形態８における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図１８は図１７に示される非放射性誘電体線路の平面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４および５５ならびに誘電体５３などの誘電体部分（導体平板５１と５２を取り除いた部分）と同様の構造で、誘電体８３、および誘電体８３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起８４aおよび８５aを有する２つの誘電体ストリップ８４および８５から構成され、さらに、この２つの誘電体ストリップ８４および８５の途中に、電波の伝搬方向を変えるため誘電体ストリップ８４および８５の方向を直角に変換する突起８４aおよび８５aが形成されない曲り部８６がそれぞれ設けられた誘電体部分と、この誘電体部分の突起８４aおよび８５aのある上面と底面の２ヵ所全面にそれぞれ施された金属メッキ８１および８２を備えている。なお、この金属メッキ８１および８２は導体平板を形成する。また、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面の２つの誘電体ストリップ８４および８５を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。さらに、誘電体８３の厚みを誘電体８３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ８４および８５や曲り部８６および誘電体８３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ８１および８２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

ここで、従来の非放射性誘電体線路において曲り部を形成するには、曲率半径を大きくして不要伝送波であるLSE０１モードが発生しないようにする必要があった。一方、実施の形態８に示す非放射性誘電体線路の曲り部では曲がりの曲率半径に関係なくLSE０１モードが発生しないため伝送波の進行方向に対し直角に曲げることも可能となり、曲り部の小形化が可能となる。従って、実施の形態８の非放射性誘電体線路によれば、小形の非放射性誘電体線路を得られる効果がある。

なお、ここでは曲り部８６では誘電体ストリップ８４および８５に突起８４aおよび８５aをもたない構造を例示して説明したが、曲り部８６の誘電体ストリップ８４および８５に突起８４aおよび８５aがある場合でも前記同様の効果を奏する。

実施の形態９．
図１９は、この発明を実施するための実施の形態９における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図２０は図１９に示される非放射性誘電体線路の平面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分と同様の構造で、誘電体９３、および誘電体９３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起９４aおよび９５aを有する２つの誘電体ストリップ９４および９５から構成され、この２つの誘電体ストリップ９４および９５の途中に、電波の伝搬方向を変えるための２つの誘電体ストリップ９４および９５の方向を直角に変換する曲り部９６a、９６ｂおよび９６ｃが設けられた誘電体部分と、この誘電体部分の突起９４aおよび９５aのある上面および底面の２ヵ所全面にそれぞれ施された金属メッキ９１および９２を備えている。

なお、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面の２つの誘電体ストリップ９４および９５を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。また、誘電体９３の厚みを誘電体９３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。
また、曲り部は電波の伝搬方向を４５度変更する部分９６aと９６ｂおよびこの電波伝搬方向変更部分９６a、９６ｂの間に設けられ、電波伝搬方向変更部分９６a、９６ｂを接続する電波の伝搬方向直進部分９６ｃとからなる。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ９４および９５や曲り部９６a、９６ｂ、９６ｃおよび誘電体９３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ９１および９２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

ここで、従来の非放射性誘電体線路において曲り部を形成するには、曲率半径を大きくして不要伝送波であるLSE０１モードが発生しないようにする必要があった。一方、実施の形態９に示す非放射性誘電体線路の曲り部では曲がりの曲率半径に関係なくLSE０１モードが発生しないため伝送波の進行方向に対し自由に曲げることも可能となるため、非放射性誘電体線路を円弧状に４５度曲げた場合にもLSE０１モードが発生しない。

よって、誘電体ストリップを４５度曲げた曲り部９６a、９６bを、曲り部９６aにおける反射波と曲り部９６bの反射波が打ち消しあう間隔（例えば伝搬波長の１／４）をもって配置することにより反射波が互いに打ち消しあい、反射波を小さくすることができる。

さらに、誘電体ストリップ９４および９５からなる非放射性誘電体線路から見た曲り部９６a、９６ｂ、９６ｃのインピーダンスが大きく見えるため、曲り部９６a、９６ｂ、９６ｃの線路幅を大きくすることにより曲り部９６a、９６ｂ、９６ｃのインピーダンスを誘電体ストリップ９４および９５からなる非放射性誘電体線路のインピーダンスとほぼ等しくすることができ、インピーダンス不整合による反射波を小さくすることができる。従って、実施の形態９の非放射性誘電体線路によれば、小形で反射特性の優れた非放射性誘電体線路曲り部を得られる効果がある。

実施の形態１０．
図２１は、この発明を実施するための実施の形態１０における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図２２は図２１に示される非放射性誘電体線路の断面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分と同様の構造で、誘電体９３、および誘電体９３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起９４aおよび９５aを有する２つの誘電体ストリップ９４および９５から構成される。
図２１、図２２を左に９０度回転した状態を想定して説明すると、誘電体９３は上平板９３ａに縦平板９３ｂを上平板９３ａの中央部で結合した正面形状がＴ字状をなし、２本の突起を有する誘電体ストリップ９４，９５は、縦平板９３ｂの両側面にそれぞれその表面が縦平板９３ｂの側面と同一となるよう縦方向に埋め込まれ、さらに上平板９３ａの下面には縦平板９３ｂの両側面からの誘電体ストリップに９４，９５連続する誘電体ストリップ９７，９８が、その表面が上平板９３ａの下面と同一となるようそれぞれ上平板９３ａの端部まで埋め込まれて形成され、上平板９３ａの上面には縦中央部における横断面に誘電体ストリップ９７，９８と対称となるように突起９９aを有する誘電体ストリップ９９が設けられている。また導体平板を形成する金属メッキは、上平板93aの両面全面に９１、９２、９３ａとして、また縦平板９３ｂの両側面全面に９１、９２として施されている。

なお、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面の２つの誘電体ストリップ９４および９５を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。また、誘電体９３の厚みを誘電体９３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ９４、９５、９７，９８，９９および誘電体９３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ９１、９２および９３cを施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

ここで、従来の非放射性誘電体線路において曲り部を形成するには、曲率半径を大きくして不要伝送波であるLSE０１モードが発生しないようにする必要があった。一方、実施の形態１０に示す非放射性誘電体線路の曲り部では曲がりの曲率半径に関係なくLSE０１モードが発生しないため伝送波の進行方向に対し自由に曲げることも可能となるため、非放射性誘電体線路を円弧状に９０度曲げた場合にもLSE０１モードが発生しない。

従来の非放射性誘電体線路においてT分岐回路を形成するには、分岐部においてLSE０１モードの発生を抑制するため、不連続部にモードサプレッサを挿入する必要がある。モードサプレッサを挿入しない場合には、分岐部をLSE０１モードの影響がでないような構造にする必要があり、構造に制約がある。一方、実施の形態１０に示す非放射性誘電体線路ではLSE０１モードが発生しないためモードサプレッサを挿入する必要がなく簡易な構造のT分岐回路が得られる。また、伝送波の進行方向に対し直角に曲げることも可能となり、T分岐回路の構造の小形化が可能となる。従って、実施の形態１０の非放射性誘電体線路によれば、簡易な構造、かつ、小形の非放射性誘電体線路T分岐回路を得られる効果がある。

実施の形態１１．
図２３は、この発明を実施するための実施の形態１１における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図２４は図２３に示される非放射性誘電体線路の平面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分と同様の構造で、誘電体１０３、および誘電体１０３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起１０４a、１０５a、１０６aおよび１０７aを有する平面略鎹形の誘電体ストリップ１０４と１０５、および１０６と１０７の２組から構成され、この突起１０４a、１０５a、１０６aおよび１０７aのある上面および底面の２ヵ所全面にそれぞれ施された金属メッキ１０１および１０２とを備えている。

また、２組の誘電体ストリップ１０４および１０５、１０６および１０７は曲り部１０４ｂ、１０４ｃ、１０５ｂ（図示せず）、１０５ｃ（図示せず）、１０６ｂ、１０６ｃ、および１０７ｂ（図示せず）、１０７ｃ（図示せず）を有しており、曲り部１０４ｂ、１０４ｃ、１０６ｂおよび１０６ｃにはさまれる直線部分が適当な間隔をもって平行に配置され、２組の誘電体ストリップ１０４と１０５からなる非放射性誘電体線路と誘電体ストリップ１０６と１０７からなる非放射性誘電体線路の電波を互いに結合させる結合部１０８となっている。
また、図示していないが、曲り部１０５ｂ、１０５ｃ、１０７ｂおよび１０７ｃにはさまれる直線部分が上記間隔と同じ間隔をもって平行に配置され、２組の誘電体ストリップ１０４と１０５からなる非放射性誘電体線路と誘電体ストリップ１０６と１０７からなる非放射性誘電体線路の電波を互いに結合させる結合部となっている。

さらに、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路と同様に、線路断面の２組の誘電体ストリップ１０４と１０５および１０６と１０７をそれぞれ対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。さらにまた、誘電体１０３の厚みを誘電体１０３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ１０４および１０５、誘電体ストリップ１０６および１０７や結合部１０８および誘電体１０３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ１０１および１０２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

結合器を形成するには、結合部の前後に曲り部を置く必要があるが、従来の非放射性誘電体線路では曲り部においてLSE０１モードの発生を抑制するためには曲り部を大きくする必要があり、結果として結合器全体の構造が大きくなっていた。一方、実施の形態１０に示す非放射性誘電体線路ではLSE０１モードが発生しないため曲り部１０４b、１０４ｃ、１０６bおよび１０６ｃを小形化すること、同様に曲り部１０５ｂ、１０５ｃ、１０７ｂおよび１０７ｃを小形化することが可能となり、結合器全体の構造の小形化も可能となる。従って、実施の形態１１の非放射性誘電体線路によれば、小形の非放射性誘電体線路結合器を得られる効果がある。

またここでは、２組の非放射性誘電体線路を適当な間隔をもって並べた場合について示したが、２組の非放射性誘電体線路を間隔をあけずに並べた場合や、２組の非放射性誘電体線路を適当な間隔を持って並べその間隔の一部を梯子状に接続させた場合にも同様の効果を示す。

実施の形態１２．
図２５は、この発明を実施するための実施の形態１１における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図２６は図２５に示される非放射性誘電体線路の平面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分と同様の構造で、誘電体１１３、および誘電体１１３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起１１４a、１１５a、１１６aおよび１１７aを有する２組の誘電体ストリップ１１４、１１５、１１６および１１７から構成され、２組の誘電体ストリップ１１４、１１５、１１６および１１７がT字状に配置され、この誘電体部分の突起１１４a、１１５a、１１６aおよび１１７aのある上面および底面の２ヵ所全面にそれぞれ施された金属メッキ１１１および１１２を備えている。なお、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面の２つの誘電体ストリップ１１４および１１５、１１６および１１７を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。また、誘電体１１３の厚みを誘電体１１３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。また、整合をとるために誘電体ストリップ１１６の長手方向中央で誘電体ストリップ１１４の反対側端辺部に切り欠き部分１１８が設けられている。
図示していないが底面側の誘電体ストリップ１１７の長手方向中央で誘電体ストリップ１１５の反対側端辺部に整合をとるため同様な切り欠き部分が設けられている。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ１１４および１１５や誘電体ストリップ１１６および１１７や誘電体１１３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ１１１および１１２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

従来の非放射性誘電体線路においてT分岐回路を形成するには、分岐部においてLSE０１モードの発生を抑制するため、不連続部にモードサプレッサを挿入する必要がある。モードサプレッサを挿入しない場合には、分岐部をLSE０１モードの影響がでないような構造にする必要があり、構造に制約がある。一方、実施の形態１１に示す非放射性誘電体線路の結合部ではLSE０１モードが発生しないためモードサプレッサを挿入する必要がなく簡易な構造のT分岐回路が得られる。また、伝送波の進行方向に対し直角に曲げることも可能となり、T分岐回路の構造の小形化が可能となる。従って、実施の形態１２の非放射性誘電体線路によれば、簡易な構造、かつ、小形の非放射性誘電体線路T分岐回路を得られる効果がある。

実施の形態１３．
図２７は、この発明を実施するための実施の形態１３における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。図２８は図２７に示される非放射性誘電体線路の平面図である。

図において、非放射性誘電体線路は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、射出成型により一体形成された誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分と同様の構造で、誘電体１２３、および誘電体１２３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起１２４a、１２５a、を有する２つの誘電体ストリップ１２４、１２５と、誘電体ストリップ１２４、１２５が円弧状の曲り部１２６ｂ、１２８ｂを介して２つに分岐し、誘電体ストリップ１２４、１２５と直交する方向に延在する誘電体ストリップ１２６、１２７、１２８、１２９から構成され、この誘電体部分の突起１２４a、１２５a、１２６a、１２７a、１２８aおよび１２９aのある上面および底面の２ヵ所全面にそれぞれ施された金属メッキ１２１および１２２を備えている。また、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面の２つの誘電体ストリップ１２４および１２５、１２６および１２７、１２８および１２９を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。さらに、誘電体１２３の厚みを誘電体１２３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

この非放射性誘電体線路では、前記のような構造をしているため、実施の形態１２と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ１２４〜１２９および誘電体１２３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ１２１および１２２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

一方、実施の形態１２と比較して不連続部におけるインピーダンスの急峻な変化を小さくできるため実施の形態１２の非放射性誘電体線路によれば反射特性の優れた非放射性誘電体線路T分岐回路を得られる効果がある。

実施の形態１４．
図２９は、この発明を実施するための実施の形態１４における非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器を斜視図で示す構成説明図である。図３０は図２９に示される非放射性誘電体線路と導波管と変換器の平面図である。

図において、非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器１３７は非放射性誘電体線路１３６と導波管１３８の間に介在する。非放射性誘電体線路１３６は、前記実施の形態５の図１０、図１１で示した、誘電体ストリップ５４および５５や誘電体５３などの誘電体部分（導体平板５１と５２を取り除いた部分）と同様の構造で、誘電体１３３、および誘電体１３３より誘電率が大きく、断面が矩形部分に突起１３４aおよび１３５aを有する２つの誘電体ストリップ１３４および１３５から構成され、この誘電体部分の突起１３４aおよび１３５aのある上面および底面の２ヵ所全面にそれぞれ施され、導体平板の機能を果たす金属メッキ１３１および１３２を備えている。また、実施の形態７の図１５、図１６で示した非放射性誘電体線路のように、線路断面の２つの誘電体ストリップ１３４、１３５を対称な構造（図での上下方向の対称な構造）にして、放射波の発生を抑圧している。さらに、誘電体１３３の厚みを誘電体１３３における伝搬波長の１／２以下とすることにより放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。

変換器１３７は導波管１３８の幅広面から続く金属壁面１３９の形状が非放射性誘電体線路１３６の方向にテーパ状に広がった構造をしている。ここで、図中の金属壁面１３９の両縁１３９aと１３９ｂ間の幅aは非放射性誘電体線路１３６から求める幅aまでの距離Xと変換器１３７の長さLおよび導波管１３８の幅広面の幅ａ０を用いて以下の式のように表される。
a=a0+(a1-a0)×cos ³｛（πX)／(2L)｝
また、非放射性誘電体線路から続く誘電体ストリップ１３４および１３５は変換器１３７において厚みが導波管に向かって直線テーパ状に薄くなっている。

また、非放射性誘電体線路１３６では、前記のような構造をしているため、実施の形態５と同様の効果を奏する。また、この非放射性誘電体線路では、前記実施の形態７と同様で、誘電体ストリップ１３４および１３５や変換器１３７および誘電体１３３などの誘電体部分は射出成型により一体形成でき、この誘電体部分に金属メッキ１３１および１３２を施して導体平板を形成しているため、誘電体部分が容易に射出成型で量産できるとともに、導体平板も量産性に優れ、量産性に優れた非放射性誘電体線路を提供できる効果がある。

実施の形態１４に示す非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器は以上のような構造をしているため、変換器における断面寸法の変化に対するインピーダンスの変化の大きい部分が緩やかなテーパ形状となるので反射特性が改善される。従って実施の形態１３に示す変換器によれば反射特性の優れた非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器を得られる効果がある。
なお、上記式はコサイン関数が３乗の場合を示したが、この乗数は３以外の整数ｎでも同様の効果を奏する。

この発明は、ＶＨＦ、ＵＨＦ、マイクロ波およびミリ波等の通信装置で用いられる非放射性誘電体線路に適用され、小形で量産性に富む低損失な非放射性誘電体線路を提供できる。

この発明を実施するための実施の形態１における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図１に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 従来の非放射性誘電体線路と実施の形態１における非放射性誘電体線路について、遮断周波数変化への効果を有限要素法を用いた数値計算例により示す図である。 この発明を実施するための実施の形態２における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図４に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 この発明を実施するための実施の形態３における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図６に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 この発明を実施するための実施の形態４における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図８に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 この発明を実施するための実施の形態５における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図１０に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 従来の非放射性誘電体線路と実施の形態５における非放射性誘電体線路について、遮断周波数変化への効果を有限要素法を用いた数値計算例により示す図である。 この発明を実施するための実施の形態６における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図１３に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 この発明を実施するための実施の形態７における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図１５に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 この発明を実施するための実施の形態８における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図１７に示される非放射性誘電体線路の平面図である。 この発明を実施するための実施の形態９における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図１９に示される非放射性誘電体線路の平面図である。 この発明を実施するための実施の形態１０における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図２１に示される非放射性誘電体線路の断面図である。 この発明を実施するための実施の形態１１における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図２３に示される非放射性誘電体線路の平面図である。 この発明を実施するための実施の形態１２における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図２５に示される非放射性誘電体線路の平面図である。 この発明を実施するための実施の形態１３における非放射性誘電体線路を斜視図で示す構成説明図である。 図２７に示される非放射性誘電体線路の平面図である。 この発明を実施するための実施の形態１４における非放射性誘電体線路と導波管との変換器を斜視図で示す構成説明図である。 図２９に示される非放射性誘電体線路と導波管との変換器の平面図である。 従来の非放射性誘電体線路を示す概略図である。 従来の非放射性誘電体線路の電磁界を示す説明図である。 従来の非放射性誘電体線路の電磁界を示す説明図である。

符号の説明

１１、１２、２１、２２、３１，３２、４１、４２、５１、５２、６１、６２、１４１、１４２ 導体平板、７１、７２、８１、８２、９１、９２、９３ｃ、１０１、１０２、１１１、１１２、１２１、１２２、１３１、１３２ 金属メッキ、１３、２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１０３、１１３、１２３、１３３、１４３ 誘電体、１４、１５、２４、２５、３４、３５、４４、４５、５４、５５、６４、６５、７４、７５、８４、８５、９４、９５、９７、９８、９９、１０４、１０５、１０６、１０７、１１４、１１５、１１６、１１７、１２４、１２５、１２６、１２７、１２８、１３４、１３５、 誘電体ストリップ、５４ａ、５５ａ、６４ａ、６５ａ、７４ａ、７５ａ、８４ａ、８５ａ、９４ａ、９５ａ、１０４ａ、１０５ａ、１０６ａ、１０７ａ、１１４ａ、１１５ａ、１１６ａ、１１７ａ、１２４ａ、１２５ａ、１２６ａ、１２７ａ、１２８ａ、１３４ａ、１３５ａ 突起、８６、９６ａ、９６ｂ、９６ｃ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０６ｂ、１０６ｃ、１２６ｂ、１２８ｂ 曲り部。

Claims (20)

1. 平行配置されて地導体となる２枚の導体平板と、上記２枚の導体平板それぞれの内側に接して設けられた２本の誘電体ストリップと、上記２枚の導体平板の間に充填され、上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体とを備えた非放射性誘電体線路であって、上記２枚の導体平板の間隔が上記誘電体における伝搬波長の１／２以下で、かつ、上記非放射性誘電体線路の伝搬方向に直交する断面における上記２枚の導体平板と２本の誘電体ストリップと誘電体による構造が対になる導体平板と誘電体ストリップの２組をそれぞれの組に分断する直線に対して対称構造であることを特徴とする非放射性誘電体線路。
2. 上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体が空気であり、上記２本の誘電体ストリップが上記２枚の導体平板それぞれの内側に接着されたことを特徴とする請求項１記載の非放射性誘電体線路。
3. 上記２枚の導体平板の間に充填され、上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体が、第１の誘電体と第２の誘電体からなり、上記第１の誘電体が上記２本の誘電体ストリップの間にのみ充填され、上記第２の誘電体が空気であり、上記２枚の導体平板の間隔が上記第２の誘電体における伝搬波長の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載の非放射性誘電体線路。
4. 上記２枚の導体平板の間に充填され、上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体が、第１の誘電体と空気でなる第２の誘電体からなり、上記第１の誘電体が上記２本の誘電体ストリップの間に充填されると共に、上記第２の誘電体である空気の部位に延在され、上記２枚の導体平板の間隔が上記第２の誘電体における伝搬波長の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載の非放射性誘電体線路。
5. 上記非放射性誘電体線路の伝搬方向に直交する断面における上記２本の誘電体ストリップの断面形状が、矩形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の非放射性誘電体線路。
6. 上記非放射性誘電体線路の伝搬方向に直交する断面における上記２本の誘電体ストリップの断面形状が、上記２枚の導体平板それぞれの内側に接した部位に突起を有する形状であり、上記突起が上記導体平板に減り込んでいることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の非放射性誘電体線路。
7. 上記突起の形状が矩形であることを特徴とする請求項６記載の非放射性誘電体線路。
8. 上記突起の形状が半円形であることを特徴とする請求項６記載の非放射性誘電体線路。
9. 上記２本の誘電体ストリップと上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体の少なくとも一方が射出成型で形成されたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の非放射性誘電体線路。
10. 請求項１または５〜９のいずれかに記載の非放射性誘電体線路において、上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体に空気を用いない場合に、上記平行配置されて地導体となる２枚の導体平板の少なくとも一方に代えて、上記誘電体ストリップと上記誘電体ストリップの誘電率より小さい誘電率の誘電体の上記２枚の導体平板の少なくとも一方の導体平板に接する面に、金属メッキを施して地導体としたことを特徴とする非放射性誘電体線路。
11. 上記２本の誘電体ストリップを、設けられている面内で直角に曲げて直交方向へ延在させた曲り部を備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路。
12. 上記曲り部は、その線路幅を曲り部に接続される夫々の誘電体ストリップの線路幅より大きくしたことを特徴とする請求項１１に記載の非放射性誘電体線路。
13. 上記曲り部は、電波の伝搬方向を変更する複数の部分と、この電波の伝搬方向を変更する部分間に設けられた電波の伝搬方向が直進する部分とからなり、電波の伝搬方向を変更する部分は、それぞれ伝搬波長のおよそ１／４の間隔で配置されたことを特徴とする請求項１１または１２に記載の非放射性誘電体線路。
14. 上記２本の誘電体ストリップが、それぞれ設けられている面内で２つに分岐され、分岐された誘電体ストリップは互いに逆方向に直角に曲げられ直交方向へ延在されてT字状の誘電体ストリップが形成されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路。
15. 誘電体は上平板に縦平板を上平板の中央部で結合した正面形状がＴ字状をなし、２本の突起を有する誘電体ストリップは、縦平板の両側面にそれぞれその表面が縦平板の側面と同一となるよう縦方向に埋め込まれ、さらに上平板の下面に縦平板の両側面からの誘電体ストリップに連続する誘電体ストリップが、その表面が上平板の下面と同一となるようそれぞれ上平板の端部まで埋め込まれて形成され、導体平板を形成する金属メッキは、上平板の両面および縦平板の両側面全面に施されてなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路。
16. 請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路２個が、導体平板と平行な方向に２個の非放射性誘電体線路間の電波を結合可能とする間隔を有して近接配置されることを特徴とする非放射性誘電体線路。
17. 請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路２個が導体平板と平行な方向に所定間隔を有して近接配置され、かつ上記所定間隔の間が梯子状に接続されて２個の非放射性誘電体線路間の電波を結合させる結合部を形成する構成にされたことを特徴とする非放射性誘電体線路。
18. 請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路２個が導体平板と平行な方向に接触されて配置され、２個の非放射性誘電体線路間の電波を結合させる結合部を形成する構成にされたことを特徴とする非放射性誘電体線路。
19. 請求項１〜１０のいずれかに記載の非放射性誘電体線路と導波管とを接続する変換器において、導波管の幅広面から伸びる変換器の面の幅を非放射性誘電体線路方向に向かってテーパ状に大きくし、かつ、非放射性誘電体線路から伸びる誘電体ストリップの導体平板と平行な方向の幅、および導体平板と垂直な方向の幅の少なくとも一方を導波管に向かってテーパ状に細くしたことを特徴とする変換器。
20. 上記導波管の幅広面から伸びる変換器の面におけるテーパの形状はコサイン関数のn乗（ｎは整数）で表される形状であることを特徴とする請求項１９に記載の変換器。

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