JP2005272294A - 圧電体薄膜、圧電体薄膜の製造方法、圧電体素子、インクジェット記録ヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ゾルゲル法により基板上に形成された一般式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(式中、0≦x<1、0.05≦y≦1)で表されるペロブスカイト型結晶の圧電体薄膜において、該薄膜の膜厚を1000nm以上4000nm以下とし、該薄膜の任意の箇所における組成のy値の最大値と最小値の差を0.05以下とする。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明における圧電体素子の実施形態の1例を示す縦断面模式図である。図中の1は薄膜を支持する基板、2は下部電極、3は本発明の圧電体薄膜、4は上部電極、5、6はそれぞれ基板近傍、表層近傍における任意の領域を示している。
本発明の圧電体薄膜は、チタン、ジルコニウムおよび鉛を少なくとも含む溶液または分散液(原料液と表すことがある)を基板上に塗布して塗布層を形成する工程と、塗布層を形成するごとにこれを400℃以上700℃以下の温度で焼成して層厚が150nm以上400nm以下の圧電体層を形成する工程を有するゾルゲル法により製造される。
これらは、酸と結合した塩の化合物として用いてもよい。具体的には、これらの、ギ酸塩、オクチル酸塩などとすることができる。
圧電体薄膜を形成するための原料液として金属組成がPb/La/Zr/Ti=1+v/0.01/0.52+w/0.48−w(式中、0≦v≦0.2、−0.1≦w≦0.1)で表される、表1に示す金属組成を有する原料液を以下の通り作製した。
PbおよびLaの化合物として、表1に示す金属量に相当する量の酢酸鉛水和物および酢酸ランタン水和物を混合後、加熱で脱水し、これに表1に示す安定化剤および1-メトキシ-2-プロパノール(10mol)を混合し加熱撹拌することで反応させる。その後、ZrおよびTiの化合物として、表1に示す金属量に相当する量のテトラn−ブトキシジルコニウム、テトライソプロポキシチタンを加えて更に加熱し反応させ、原料金属化合物を互いに複合化させた。次に、水(4.5mol)、エタノール(5.0mol)を添加し、加水分解反応を行った。その際、酢酸(4.0mol)とアセチルアセトン(0.7mol)を加えた。その後、沸点100℃以下の溶媒をロータリーエバポレーターで完全に取り除き、ジエチレングリコールモノエチルエーテルを添加して上記組成式に換算した金属酸化物濃度が23質量%になるように濃度を調節し原料液を調製した。
本発明に対する比較用に以下の要領で原料液を調製した。
酢酸鉛3水和物(1.15mol)および酢酸ランタン水和物(0.01mol)を2−メトキシエタノールに分散し、共沸蒸留により水を除去した後、テトライソプロポキシチタン(0.48mol)とテトラn−ブトキシジルコニウム(0.52mol)を加え、還流し、さらに安定化剤としてアセチルアセトン(2.5mol)を加えて十分に攪拌した。その後、水(5mol)を加え、最後に2−メトキシエタノールを添加して上記組成式に換算した金属酸化物濃度が10質量%となるように濃度を調節し原料液を調製した。
前記製造例1、2、3、4、5の原料液を用いて、Pt/Ti/SiO2/Si型で構成される多層基板のプラチナ層の表面に、圧電体薄膜を形成した。
まず製造例1の原料液をスピンコータ(2000rpm)により上記の多層基板上に塗布した。この塗布層を250℃のホットプレートで10分間加熱して乾燥し、溶剤を除去した後、650℃の電気炉で20分間焼成し1層目の圧電体層を形成した。次に、この1層目の圧電体層の上にスピンコータ(2000rpm)により製造例2の原料液を塗布し、1層目と同様にして2層目の圧電体層を形成した。以降、同様にして製造例3、4、5の原料液を用いて、3層目、4層目および5層目の圧電体層を各々形成し、最後に基板全体を700℃で40分間焼成して結晶化させることにより圧電体薄膜A1を得た。
原料液として製造例6、7、8、9および10の原料液を用いて1層目、2層目、3層目、4層目および5層目の各々の圧電体層を形成したことを除いては、実施例1と同様にして圧電体薄膜B1を製造し、実施例1と同様にして粒子形状の観察、膜厚の測定、X線組成分析および電子線回折測定を実施した。
導電成分としてランタンを3.73wt%ドープしたチタン酸ストロンチウム(LSTO)からなる(111)面に配向した単結晶基板を用い、原料液として製造例11、12、13、14および15の原料液を用いて1層目、2層目、3層目、4層目および5層目の各々の圧電体層を形成したことを除いては、実施例1と同様にして圧電体薄膜C1を製造し、実施例1と同様にして粒子形状の観察、膜厚の測定、X線組成分析および電子線回折測定を実施した。
原料液として製造例2、3および4の原料液を用いて、1層目の圧電体層に製造例2の原料液、2層目、3層目および4層目の圧電体層に製造例3の原料液、5層目の圧電体層に製造例4の原料液を使用して各々の圧電体層を形成したことを除いては、実施例1と同様にして圧電体薄膜D1を製造し、実施例1と同様にして粒子形状の観察、膜厚の測定、X線組成分析および電子線回折測定を実施した。
原料液として製造例16の原料液を用いて、1層目から20層目まで、20層の圧電体層を形成したことを除いては、実施例1と同様にして圧電体薄膜R1を製造し、実施例1と同様にして粒子形状の観察、膜厚の測定、X線組成分析および電子線回折測定を実施した。
図7および8に示すような構成のインクジェット式記録ヘッドを作製するために、上記実施例1で作製した圧電体薄膜A1を下部電極層の上に設けた基板のシリコン層を裏面よりエッチングした(図5および図6参照)。シリコン層のエッチングは、加熱攪拌したテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの22%水溶液中で行った。エッチングによってシリコン層がくり抜かれた箇所は、SiO2/Ti/Pt/圧電体薄膜A1の層から構成されており、約3μmの層厚を有するSiO2層が振動板としての役割を担う。
得られた圧電体素子A3に、10Vの電圧を印加し、レーザ・ドップラー速度測定器により検出した速度変化を積分して圧電体素子の振動板の振幅を求めたところ、1〜10kHzの周波数域において1.4〜1.6μmの振幅を有する振動が振動板に付与されることが確認された。この変位はインクジェット式記録ヘッドとしてインク吐出を行うのに充分な変位量であった。印加電圧を小さくすると変位も小さくなり、吐出量の制御が可能であることも確認された。
実施例5で得られた圧電体素子に図7および8で示す構成を有するノズル15を取り付け、さらにインクを導入するための導入管16、ヘッド基台7を取り付けてインクジェット式記録ヘッドを作製した。このインクジェット式記録ヘッドを用いて吐出実験を行った。
2 下部電極
3 圧電体薄膜
4 上部電極
5 圧電体薄膜の基板近傍における任意の領域
6 圧電体薄膜の表層近傍における任意の領域
7 ヘッド基台
8 インク室
9 振動板
10 圧電体素子
11 下部電極
12 圧電体薄膜
13 上部電極
14 電源
15 ノズル
16 インク導入管
Claims (17)
- 一般式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(式中、0≦x<1、0.05≦y≦1)で表されるペロブスカイト型結晶の圧電体薄膜であって、
該圧電体薄膜の膜厚が1000nm以上4000nm以下であり、
該圧電体薄膜の表面に、円相当径200nm以上である結晶粒と円相当径40nm以下である結晶粒が含まれており、
該圧電体薄膜の表面に観測される円相当径40nm以下である結晶粒の個数が、圧電体薄膜の表面に観測される全結晶粒の個数に対して、5%以上であることを特徴とする圧電体薄膜。 - 前記圧電体薄膜の表面に観測される円相当径200nm以上である結晶粒が、基板より成長した柱状結晶であることを特徴とする請求項1記載の圧電体薄膜。
- 前記圧電体薄膜の表面に観測される円相当径200nm以上である結晶粒の個数が、圧電体薄膜の表面に観測される全結晶粒の個数に対して、5%以上であることを特徴とする請求項1記載の圧電体薄膜。
- 前記圧電体薄膜の表面に観測される結晶粒が、いずれも円相当径1000nm以下であることを特徴とする請求項1記載の圧電体薄膜。
- 前記圧電体薄膜の表面に観測される結晶粒の円相当径分布のピーク値が50nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1記載の圧電体薄膜。
- 前記圧電体薄膜の表面において、隣接する結晶粒の表面同士が密接していることを特徴とする請求項1記載の圧電体薄膜。
- (a)チタン、ジルコニウムおよび鉛を含む原料液を基板上に塗布して塗布層を形成する工程と
(b)該塗布層を形成するごとに該塗布層を400℃以上700℃以下の温度で焼成して層厚が150nm以上400nm以下の圧電体層を形成する工程と、
を複数回繰り返して前記圧電体層が複数積層された圧電体薄膜を形成する圧電体薄膜の製造方法であって、
該第1層目の圧電体層の形成に用いる原料液のチタン濃度を最後の圧電体層の形成に用いる原料液のチタン濃度より高濃度とすることを特徴とする圧電体薄膜の製造方法。 - 前記(a)の工程と前記(b)の工程とを3回以上10回以下繰り返して前記圧電体層が複数積層された圧電体薄膜を形成することを特徴とする請求項7記載の圧電体薄膜の製造方法。
- 前記原料液が、安定化剤として1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノン-5-エンまたは1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンを含有することを特徴とする請求項7記載の圧電体薄膜の製造方法。
- ゾルゲル法により基板上に形成された一般式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(式中、0≦x<1、0.05≦y≦1)で表されるペロブスカイト型結晶の圧電体薄膜であって、
該圧電体薄膜の膜厚が1000nm以上4000nm以下であり、
該圧電体薄膜の任意の箇所におけるyの値の最大値と最小値との差が0.05以下であることを特徴とする圧電体薄膜。 - 前記ゾルゲル法が請求項7に記載の製造方法であることを特徴とする請求項10記載の圧電体薄膜。
- 前記圧電体薄膜の任意の箇所における結晶系が同一であることを特徴とする請求項10記載の圧電体薄膜。
- 前記結晶系が正方晶系であり、かつ前記結晶の(100)面が膜厚方向に配向した結晶構造を有することを特徴とする請求項12記載の圧電体薄膜。
- 前記結晶系が菱面体晶系であり、かつ前記結晶の(111)面が膜厚方向に配向した結晶構造を有することを特徴とする請求項12記載の圧電体薄膜。
- 下部電極および上部電極に挟持された圧電体薄膜を備える圧電体素子であって、該圧電体薄膜が請求項1に記載の圧電体薄膜であることを特徴とする圧電体素子。
- 請求項15に記載の圧電体素子を駆動源としてなることを特徴とする圧電アクチュエータ。
- インク吐出口と、インク吐出口に連通する圧力室と、圧力室の一部を構成する振動板と、圧力室の外部に設けられた振動板に振動を付与するための圧電体素子とを有し、振動板により生じる圧力室内の体積変化によって圧力室内のインクをインク吐出口から吐出するインクジェット式記録ヘッドにおいて、該圧電体素子が、請求項15記載の圧電体素子であることを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006199507A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | (111)配向pzt系誘電体膜形成用基板、この基板を用いて形成されてなる(111)配向pzt系誘電体膜 |
JP2007145672A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 複合金属酸化物用原料組成物 |
JP2008218620A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体薄膜素子、圧電体薄膜素子の製造方法、インクジェットヘッド、およびインクジェット式記録装置 |
JP2008305821A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 圧電体薄膜素子、圧電体薄膜素子の製造方法、インクジェットヘッド、およびインクジェット式記録装置 |
JP2009071295A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 圧電素子及びそれを用いた液体吐出装置 |
JP2009076819A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
JP2009182329A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Korea Inst Of Science & Technology | ゾル−ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を含むゲート絶縁層を用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010206151A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2010206152A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2010206153A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2010206149A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2011029537A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
JP2012148494A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子 |
EP2099082A3 (en) * | 2008-03-05 | 2013-05-22 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Piezoceramic material, piezoelectric element and non-resonance knock sensor |
JP2013118286A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Rohm Co Ltd | 圧電体膜、それを用いたセンサおよびアクチュエータ、ならびに圧電体膜の製造方法 |
WO2013132903A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電薄膜、圧電素子、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ |
JP2013258395A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-12-26 | Sae Magnetics(H K )Ltd | 薄膜圧電素子およびその製造方法、マイクロアクチュエータ、ヘッドジンバルアセンブリおよびそれを備えたディスク駆動装置 |
US8790538B2 (en) | 2008-05-28 | 2014-07-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
JP2014141098A (ja) * | 2014-03-13 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置 |
WO2015030064A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | PNbZT薄膜の製造方法 |
JP2016066822A (ja) * | 2016-01-20 | 2016-04-28 | 株式会社ユーテック | 強誘電体結晶膜及びその製造方法 |
JP2019029566A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社リコー | 電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体を吐出する装置及び電気−機械変換素子の製造方法 |
US10865311B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Coating liquid for forming piezoelectric thin film, method of producing coating liquid for forming piezoelectric thin film, piezoelectric thin film, method of manufacturing piezoelectric thin film, and liquid ejection head |
EP2998988B1 (en) * | 2013-05-13 | 2021-12-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon substrate having ferroelectric film attached thereto |
US11518165B2 (en) | 2020-02-17 | 2022-12-06 | Ricoh Company, Ltd. | Actuator, liquid discharge head, liquid discharge apparatus, and method of manufacturing actuator |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5892406B2 (ja) | 2011-06-30 | 2016-03-23 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
-
2005
- 2005-02-09 JP JP2005033223A patent/JP4189504B2/ja active Active
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006199507A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | (111)配向pzt系誘電体膜形成用基板、この基板を用いて形成されてなる(111)配向pzt系誘電体膜 |
JP2007145672A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 複合金属酸化物用原料組成物 |
JP2008218620A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体薄膜素子、圧電体薄膜素子の製造方法、インクジェットヘッド、およびインクジェット式記録装置 |
JP2008305821A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 圧電体薄膜素子、圧電体薄膜素子の製造方法、インクジェットヘッド、およびインクジェット式記録装置 |
JP2009071295A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 圧電素子及びそれを用いた液体吐出装置 |
JP2009076819A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
JP2009182329A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Korea Inst Of Science & Technology | ゾル−ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を含むゲート絶縁層を用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
EP2099082A3 (en) * | 2008-03-05 | 2013-05-22 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Piezoceramic material, piezoelectric element and non-resonance knock sensor |
JP2010206152A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2010206153A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
US8859051B2 (en) | 2008-05-28 | 2014-10-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
US9502636B2 (en) | 2008-05-28 | 2016-11-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
US8790538B2 (en) | 2008-05-28 | 2014-07-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
US9005358B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-04-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
JP2010206151A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2010206149A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
JP2011029537A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
JP2012148494A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子 |
JP2013118286A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Rohm Co Ltd | 圧電体膜、それを用いたセンサおよびアクチュエータ、ならびに圧電体膜の製造方法 |
US9324934B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-04-26 | Konica Minolta, Inc. | Piezoelectric thin film, piezoelectric element, ink-jet head, and ink-jet printer |
JPWO2013132903A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2015-07-30 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電薄膜、圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタおよび圧電薄膜の製造方法 |
WO2013132903A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電薄膜、圧電素子、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ |
JP2013258395A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-12-26 | Sae Magnetics(H K )Ltd | 薄膜圧電素子およびその製造方法、マイクロアクチュエータ、ヘッドジンバルアセンブリおよびそれを備えたディスク駆動装置 |
EP2998988B1 (en) * | 2013-05-13 | 2021-12-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon substrate having ferroelectric film attached thereto |
WO2015030064A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | PNbZT薄膜の製造方法 |
JP2015065430A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-04-09 | 三菱マテリアル株式会社 | PNbZT薄膜の製造方法 |
JP2014141098A (ja) * | 2014-03-13 | 2014-08-07 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置 |
JP2016066822A (ja) * | 2016-01-20 | 2016-04-28 | 株式会社ユーテック | 強誘電体結晶膜及びその製造方法 |
US10865311B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Coating liquid for forming piezoelectric thin film, method of producing coating liquid for forming piezoelectric thin film, piezoelectric thin film, method of manufacturing piezoelectric thin film, and liquid ejection head |
JP2019029566A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社リコー | 電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体を吐出する装置及び電気−機械変換素子の製造方法 |
US11355693B2 (en) | 2017-08-01 | 2022-06-07 | Ricoh Company, Ltd. | Electromechanical transducer, liquid discharge head, liquid discharge apparatus, and method for manufacturing electromechanical transducer |
US11518165B2 (en) | 2020-02-17 | 2022-12-06 | Ricoh Company, Ltd. | Actuator, liquid discharge head, liquid discharge apparatus, and method of manufacturing actuator |
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