JP2005260136A

JP2005260136A - 低温焼成多層セラミック基板の製造方法

Info

Publication number: JP2005260136A
Application number: JP2004072554A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Asano; 洋浅野; Koichi Shigeno; 交市茂野; Hiroshi Kagata; 博司加賀田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2004-03-15
Filing date: 2004-03-15
Publication date: 2005-09-22

Abstract

【課題】Ａｇを主成分とする電極を有する低温焼成多層セラミック基板のＡｇの蒸発を防いで電極の接続不良を防止することができる低温焼成多層セラミック基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被焼成体１である低温焼成多層セラミック基板の周囲をＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック材料２によって被覆して焼成する低温焼成多層セラミック基板の製造方法であり、Ａｇを含む電極の細りや断線といった問題を解決することができる低温焼結セラミック多層基板の製造方法を実現することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ａｇを主成分とする電極を用いた低温焼成多層セラミック基板の製造方法に関する。

従来、半導体ＩＣ等を実装する多層セラミック基板には大きく分けて高温焼成タイプのＨＴＣＣ（ＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏ−ｆｉｒｅｄＣｅｒａｍｉｃｓ）系と低温焼成タイプのＬＴＣＣ（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏ−ｆｉｒｅｄＣｅｒａｍｉｃｓ）系多層セラミック基板に分類できる。ＨＴＣＣ系多層セラミック基板は基材として、Ａｌ₂Ｏ₃やＡｌＮ，ＢｅＯ，ＳｉＣ−ＢｅＯなどの耐熱性を有する無機粉体を用いたものである。これらのセラミック材料は粉末状の前記無機粉体を主成分として混合して成形した後、１５００℃以上の高温で焼成することによって製造される。このためＨＴＣＣ系多層セラミック基板の内部に形成される配線用の導体材料としては融点の高いＭｏやＷが用いられる。しかしながら、このＭｏやＷは導体としては抵抗率が高いという欠点があり、導電率の高いＡｇやＣｕは融点が低く、前記ＨＴＣＣ系多層セラミック基板の焼成温度における焼成では溶融してしまい内層用の配線導体として用いることができない。

一方、多層セラミック基板の導体の低抵抗率の要望は高周波域におけるモジュール部品の需要とともに大きくなり、これらの要望を満足するためにアルミナ、フォルステライト等のセラミック原料をＡｇやＣｕの溶融しない低温で焼結可能としたものがＬＴＣＣ系多層セラミック基板である。このＬＴＣＣ系多層セラミック基板は低温焼成多層セラミック基板とも呼び、前記セラミック原料に低融点のガラス原料を混合することによって低温での焼成を可能としたものであり、例えばホウケイ酸鉛ガラス＋アルミナ系、ホウケイ酸ガラス＋コージエライト系およびその他各種の組成系などがある。

これらの組成を有する絶縁体材料はＡｇやＣｕの導電率の高い金属との同時焼成を可能とするために大体１０００℃以下の温度で焼成可能であるように調整している。その結果、低抵抗のＡｇやＣｕを内部導体として用いることができ、高周波域で用いる高密度実装を実現できる多層セラミック基板としてはこのＬＴＣＣ系多層セラミック基板（低温焼成多層セラミック基板）が現在主流になりつつある。

しかしながら、前記ＬＴＣＣ系多層セラミック基板（以下、低温焼成多層セラミック基板と呼ぶ）において、電極材料にＡｇを用いた場合、焼成時に起こるＡｇ電極の蒸発に起因する配線電極やビア電極のオープン不良を誘発することが問題となっている。

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、７５０〜８００℃の昇温レートを１０℃／Ｈｒ以上とする方法や、密封した容器内部にＡｇ固形物を混入して焼成する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平４−２４５６９６号公報

しかしながら、前記従来の低温焼成多層セラミック基板である被焼成体にＡｇと共晶反応を示すような銅酸化物などの酸化物が含まれる場合あるいは焼結に長時間を必要とする材料を低温焼成多層セラミック基板の基材として用いた場合にはＡｇの蒸発を十分に抑制することができないという問題点があった。

本発明は前記従来の課題を解決するもので、より広範囲な材料組成物に対してＡｇを主成分とする電極の蒸発を抑制しながら焼成するための低温焼成多層セラミック基板の製造方法を提供することを目的とするものである。

前記従来の課題を解決するために、Ａｇを主成分とする電極を有した低温焼成多層セラミック基板の製造方法において、ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック材料によって被焼成体の周囲を被覆して焼成する低温焼成多層セラミック基板の製造方法とするものである。

本発明は、Ａｇを主成分とする電極を有したセラミックグリーンシートを積層して得られる低温焼成多層セラミック基板の製造方法であり、従来の方法よりも焼成時におけるＡｇ電極の蒸発を抑制することが可能であるため、より広範囲な材料組成物に対してＡｇを主成分とする電極の蒸発を抑制しながら焼成するための低温焼成多層セラミック基板の製造方法を提供することができる。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における低温焼成多層セラミック基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。

図１および図２は本発明の実施の形態１における低温焼成多層セラミック基板の製造方法における焼成方法を説明するための概念図を示す。

図１において、１は被焼成体であり、Ａｇを主成分とする電極を有した低温焼結タイプのセラミックグリーンシートからなる積層体である。

また、２はＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体であり、このセラミック粉体２はＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物とアルミナやマグネシアなどの被焼成体１の焼結温度以下では焼結せず、被焼成体１と反応しにくいセラミック粉体とを混合分散させたものを用いている。またＡｇの材料としてはＡｇ粉を用い、Ａｇを含んだ化合物としてはＡｇ₂ＯあるいはＡｇの合金粉末などを用いることができる。

このセラミック粉体２は焼成後に被焼成体１と容易に分離可能であれば特に限定されない。また、前記セラミック粉体２の粒子径やＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物の含有量についても被焼成体１との反応性が少なく、焼成後の分離が可能であれば特に限定されないが、ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物の含有量が少なくなると本発明に記載の効果が得にくくなり、逆に含有量が多くなると被焼成体１との反応が起こりやすくなることから０．１ｗｔ％から６０ｗｔ％の範囲であることが望ましく、より好ましくは２ｗｔ％から３０ｗｔ％とする。

また、３は焼成時に被焼成体１を載置するためのセラミック基板であり、このセラミック基板３は例えばアルミナやジルコニア、マグネシアなどの耐熱性材料から選ぶことができ、化学的に安定で焼成時において被焼成体１やセラミック粉体２と反応しない材料から選択することとなる。そして、セラミック基板３の上に散布したセラミック粉体２は被焼成体１の周囲を被覆するように配置してある。このような状態で被焼成体１の焼成条件で焼成することにより従来の焼成方法と比較して遥かにＡｇ電極の蒸発を抑制することが可能となる。これはＡｇを電極として含んだ被焼成体１を焼成するとき、ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体２が被焼成体１を覆っていることにより被焼成体１の周りのＡｇガス濃度を高めることにより被焼成体１の中のＡｇを含む電極の蒸発を抑制することができることから、Ａｇを含む電極の細りや断線といった問題を解決することができることとなり、Ａｇを含む電極やビア電極のオープン不良の発生を大きく減少させることができるという効果を奏するものである。

また、従来のように被焼成体１を密封した容器などに入れる必要が無くなり、脱バイ性に注意を払うことなく被焼成体１を焼成することができるので生産性の向上にも寄与することができる。

以上のことから、Ａｇを含む電極を有する低温焼成多層セラミック基板の品質と生産性を高めることができる低温焼成多層セラミック基板の製造方法を提供することができる。

次に、図２を用いて本発明の別の焼成方法について説明する。

図２において、図１の焼成方法と特に異なっている点は被焼成体４が板状になっているということとＡｇまたはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を用いて前記被焼成体４を被覆して焼成していることである。前記被焼成体４は分割部６を有しており、焼成後に分割部６から個片に分割することができるものである。この分割部６を有することにより多数個の部品をあたかも一枚のウエハーとして取り扱うことにより生産性を著しく高めることができるものである。

なお、この分割部６は必要に応じて設けることができる。分割部６を持たない場合にはダイシングソーなどの切断機により個片に分割することも可能である。このような板状を有する被焼成体４を焼成するために、ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体を用いてシート成形したＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を用いていることである。このＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５はＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物以外に、例えばアルミナやマグネシアなど被焼成体４の焼結温度以下では焼結せず、被焼成体４と反応しにくいセラミック粉体を含有しており、焼成後に被焼成体４と容易に分離可能であれば特に限定されない。

次に、このような形状の被焼成体４を焼成する方法について説明する。

まず図２に示すように、セラミック基板３の上にＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を配置し、このＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５の上に被焼成体４を配置する。次にこの被焼成体４の上にもう一層のＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を重ねる。このようにして被焼成体４はＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５によって被覆された状態となる。

このような状態で被焼成体４が焼結する焼成条件で焼成することにより、被焼成体４の周りのＡｇガス濃度を高めることができることから、被焼成体４の中のＡｇを含む電極の蒸発を抑制することによって、Ａｇ電極の細りや断線といった問題を解決することができる低温焼成多層セラミック基板の製造方法を実現することができる。

また、この製造方法は特に被焼成体４である積層体が焼成後に基板分割される板状の低温焼成多層セラミック基板である場合にＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を用いて被覆することにより生産性を高められることと、一定の厚みで均一に被覆することができることから板状の低温焼成多層セラミック基板の均質性を高めることができるという効果を発揮することができる。

また、図２では被焼成体４とセラミック基板３の間にＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を配置して焼成したが、この部分はセラミック基板３が遮蔽板となり、Ａｇの蒸発を防止することが可能であるので直接セラミック基板３の上に被焼成体４を載置して焼成することも可能であり、この場合にはより生産性を高めることができる。

（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における低温焼成多層セラミック基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。

図３は本発明の実施の形態２における低温焼成多層セラミック基板の焼成方法を説明するための概念図である。

図３において、４は分割部６を有した被焼成体であり、図２において説明したものとほぼ同様である。８はＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体より成形した拘束用グリーンシートであり、被焼成体４の上下面の最表面に積層圧着される。この積層圧着の方法は熱圧着によるものや有機系バインダなどを介して接着するなどの方法が用いられるが被焼成体４に強固に接着すれば前記方法に限らない。

また、ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含む拘束用グリーンシート８はＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物以外に、例えばアルミナやマグネシアなど被焼成体４の焼結温度以下では焼結せず、被焼成体４と反応しにくいセラミック粉体を含有してもよく、焼成後に被焼成体４と容易に分離可能であれば特に限定されない。また、前記ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含む拘束用グリーンシート８に含まれるＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物の量についても、被焼成体４との反応性が少なく、焼成後の分離が可能であれば特に限定されない。しかし、ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物の含有量が少なくなると本発明に記載の効果が得にくくなり、逆に含有量が多くなると被焼成体４との反応が起こりやすくなるため、０．１ｗｔ％から６０ｗｔ％の範囲であることが望ましく、より好ましくは２ｗｔ％から３０ｗｔ％とする。

次に、焼成後はサンドブラスト装置などを使って拘束用グリーンシート８を構成する無機粉体が容易に除去される。

以上のように、前記低温焼成多層セラミック基板の焼成温度では実質的に焼結しないＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体からなる無機組成材料によって構成される拘束用グリーンシート８を被焼成体４の上下面の最表層に配置されるように圧着してから焼成するため、焼成時に発生する面方向への収縮を拘束し、厚み方向の収縮だけに一元化することが可能となるため、従来の焼成方法と比較して、焼結体の反りや層間剥離などを防止し、寸法精度を高精度に制御することができる低温焼成多層セラミック基板の製造方法を提供することができる。

（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における低温焼成多層セラミック基板の製造方法について説明する。

実施の形態１，２に記載した低温焼成多層セラミック基板の製造方法において、被焼成体１または４が酸化銅を含む時、Ａｇを主成分とする電極が被焼成体１または４に含まれる酸化銅と共晶反応を起こし、Ａｇ電極の蒸発が誘発されやすくなる。しかしながら、本発明の低温焼成多層セラミック基板の製造方法によれば、従来の方法で製造した場合と比較して著しくＡｇ電極の蒸発を抑制することが可能となることが分かった。このように被焼成体１または４に酸化銅を含む材料を用いたときにおいても、Ａｇを含む電極やビア電極のオープン不良の発生を大きく減少させることができるという効果を奏するものである。

また、被焼成体１または４に含まれるガラス量が１０重量部以下とすることで、良好な機械的強度と熱伝導性を保持し、且つＡｇ電極の蒸発を抑制した低温焼成多層セラミック基板の製造方法を実現することができる。

また、焼成の雰囲気として酸素濃度が２０ｗｔ％以下であればよりＡｇの飛散を防止することができ、これを組み合わせることによって、さらにＡｇ電極の蒸発を抑制した低温焼成多層セラミック基板の製造方法を実現することができる。

以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。

（実施例１）
主成分にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）とホウケイ酸ガラスを用い、副成分として微量の酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）を含むセラミック粉体をボールミルによって混合・乾燥した後、この混合粉体にバインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてジブチルフタレート、溶剤として酢酸ブチルを所定量添加し、ボールミルを用いて混合することによりセラミックスラリーを得た。

その後、このセラミックスラリーを用いてドクターブレード法により所望の厚みのセラミックグリーンシートを成形した。

以上のように作製したセラミックグリーンシートのうちビア電極を形成する各セラミックグリーンシートには機械的にビア孔を貫通させた後スクリーン印刷法でＡｇペーストを充填してビア電極を形成し、導体層や表層の導体層を形成する各セラミックグリーンシート上には同様の方法でＡｇペーストをパターン印刷した。

これらのセラミックグリーンシートを図４の積層体構成を複数個有するように４０℃−１００ｋｇ／ｃｍ²の熱プレス条件で加圧しながら圧着することにより積層体１５を製造した。

次に、このようにして製造された多数個取りの積層体１５は所望の大きさに切断し個片化した。

図４において、積層体１５の製造は誘電体もしくはガラスを主成分とする絶縁体からなるセラミック層１０を基材とし、１１は導体層である内部Ａｇ電極であり、１２はビアＡｇ電極、１３は表層Ａｇ電極である。

また、内層に２層の内部Ａｇ電極１１によって所定の面積で対向するように電極パターンを設計して配置することによってコンデンサ素子を形成することによりコンデンサ素子内蔵の評価用の低温焼結多層セラミック基板とした。

一方、Ａｇの化合物を含んだセラミック材料として、粒径が数μｍのアルミナとＡｇ₂Ｏを重量比で５０：５０としたＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体２を作製するとともに実施の形態２で説明したＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を作製した。

その後、前記ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体２とＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５を使って、図１および図２に示すような状態に設置するとともに５００℃で４時間熱処理することによりバインダおよび可塑剤成分を分解除去した後、連続して９２０℃、昇降温速度３００℃／Ｈｒ、２時間保持の条件で焼成して焼結体を得た。

これらの低温焼成多層セラミック基板の静電容量をＬＣＲメータにて１ＭＨｚで測定した結果を（表１）に示す。

なお、比較例として、通常の焼成方法により焼成を行った場合についても、その静電容量を表中に記載した（比較例１〜３）。

また、焼成時の酸素濃度の雰囲気を変えて焼成を行った試料の特性についても同様に測定し（表１）に記載した。

また、（表１）中の実施例１、実施例３、比較例１における表層Ａｇ電極１３の光学顕微鏡写真を図５（ａ）〜（ｃ）に示す。

（表１）の結果より、被焼成体である積層体１５をＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体２またはＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート５によって被覆した状態で焼成を行った試料（実施例１〜４）に関して、計算から求められる静電容量値をほぼ実現しているのに対して、比較例の焼成方法では５割程度の静電容量しか得られていない。これは、図５に示す観察像からもわかるようにＡｇの蒸発に起因する電極面積の縮小による静電容量の低下やビアＡｇ電極１２の断線によるＯＰＥＮ不良が発生しているものと考えられる。

また、酸素濃度を２０％以上とした場合、いずれの試料に関しても静電容量の低下が見られ、逆に酸素濃度を小さくしたときに、より高容量のコンデンサを形成できていることが確認された。

（実施例２）
主成分にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）とホウケイ酸ガラスを用い、副成分として微量の酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）を含むセラミック粉体をボールミルによって混合・乾燥した後、溶剤、バインダ、可塑剤として酢酸ブチル、ポリビニルブチラール樹脂、ジブチルフタレートを添加し、ボールミル混合してセラミックスラリーを得た。その後、このセラミックスラリーをドクターブレード法により所望の厚みのセラミックグリーンシート１０を形成した。

一方、アルミナとＡｇを重量比で９０：１０としたセラミック粉体を用いた拘束用グリーンシート１４も前記工程と同様にして調製した。

以上のように作製したセラミックグリーンシート１０のうち、ビア電極１２を形成するセラミックグリーンシート１０には機械的にビア孔を貫通させた後、スクリーン印刷法でＡｇペーストをビア孔へ充填し、内部Ａｇ電極１１や表層Ａｇ電極１３を形成する各セラミックグリーンシート１０の上には同様の方法でＡｇペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷した。これらのセラミックグリーンシート１０と拘束用グリーンシート１４を用いて図６に示すような積層体１６となるように４０℃−１００ｋｇ／ｃｍ²の熱プレス条件で加圧しながら積層した。

図６で１０は誘電体もしくはガラスを主成分とするセラミック層、１１は内部Ａｇ電極、１２はビアＡｇ電極、１３は表層Ａｇ電極、１４は拘束用グリーンシートであり、このようにして実施例１と同じようなコンデンサ素子内蔵の評価用低温焼成多層セラミック基板とした。

このようにして作製された多数個取りの積層体１６は５００℃で４時間熱処理することによりバインダ、可塑剤成分を焼去した。その後連続して９２０℃、昇降温速度３００℃／Ｈｒ、２時間保持の条件で焼成して焼結体を得た。ここで、拘束用グリーンシート１４を設けることによって面方向への収縮を抑制することにより面方向の寸法精度を高く維持した低温焼成多層セラミック基板を実現できる。また焼結体の反りなども大きく抑制することが可能であるため、より多数個取りの基板として焼成した後、機械的に個片に切断しても製品としての問題はないことを確認している。最後に、表層に残留した拘束用グリーンシート１４の無機組成物はサンドブラスト法を用いて機械的に除去した。

これらのコンデンサ内蔵セラミック基板の静電容量をＬＣＲメータにて１ＭＨｚで測定した結果を（表２）を示す。なお、比較例として、通常の焼成方法により焼成を行った場合の静電容量については（表１）の比較例を参照のこと。また、焼成時の雰囲気を変えて焼成を行った試料の特性についても同様に測定し（表２）に記載した。

（表２）の結果より、被焼成体の両最表面にＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含む拘束用グリーンシート１４を熱圧着によって積層した実施例５〜７に関しては、計算から求められる静電容量をほぼ実現していることがわかる。また、実施例１でも述べた結果と同様に、酸素濃度を２０％以上とした場合、実施例５〜７に関しても静電容量の低下が見られ、逆に酸素濃度を小さくしたときに、より高容量のコンデンサを形成できていることが確認された。

以上のように、本発明にかかる低温焼成多層セラミック基板の製造方法は、従来よりも遥かにＡｇ電極の蒸発を抑制でき、電極切れによるオープン不良が極めて発生しにくいため、Ａｇを主成分とする電極を有する低温焼成多層セラミック基板の製造に有用である。また、セラミックグリーンシートを用いることにより、より高度な寸法精度が要求される低温焼成多層セラミック基板の製造に有用である。

本発明の実施の形態１における低温焼成多層セラミック基板の焼成方法を説明するための概念図同別の方法の概念図本発明の実施の形態２における低温焼成多層セラミック基板の焼成方法を説明するための概念図本発明の実施例１、実施例３、比較例１におけるコンデンサを内蔵した低温焼成多層セラミック基板の断面図（ａ）〜（ｃ）本発明の実施例１における焼成後の低温焼成多層セラミック基板の表層Ａｇ電極の光学顕微鏡写真を示す図本発明の実施例２におけるコンデンサを内蔵した低温焼成多層セラミック基板の断面図

符号の説明

１被焼成体
２ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体
３セラミック基板
４被焼成体
５ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミックグリーンシート
６分割部
８ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含む拘束用グリーンシート
１０誘電体もしくはガラスを主成分とするセラミック層
１１内部Ａｇ電極
１２ビアＡｇ電極
１３表層Ａｇ電極
１４ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含む拘束用グリーンシート
１５積層体
１６積層体

Claims

Ａｇを主成分とする電極を有したセラミックグリーンシートを積層して得られる低温焼成多層セラミック基板の製造方法において、被焼成体である低温焼成多層セラミック基板の周囲をＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック材料によって被覆して焼成する低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック材料に低温焼成多層セラミック基板の焼成温度では焼結しない材料または低温焼成多層セラミック基板と反応しない材料を用いた請求項１に記載の低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック材料にセラミック粉末を用いた請求項１に記載の低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
ＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック材料にセラミックグリーンシートを用いた請求項１に記載の低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
Ａｇを主成分とする電極を有したセラミックグリーンシートを積層して得られる低温焼成多層セラミック基板の製造方法において、前記低温焼成多層セラミック基板の焼成温度では実質的に焼結しないＡｇもしくはＡｇを含んだ化合物を含むセラミック粉体からなる無機組成材料によって構成される拘束用グリーンシートを被焼成体である低温焼成多層セラミック基板の上下面に積層圧着し、その後この拘束用グリーンシートを構成する無機組成材料の焼結温度未満の温度で焼成した後、前記焼成で得られた焼結体である低温焼成多層セラミック基板の上下面に残存する拘束用グリーンシートを構成する無機組成材料を除去する工程とからなる低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
低温焼成多層セラミック基板を構成するセラミックグリーンシートに酸化銅を含んだ請求項１または５に記載の低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
低温焼成多層セラミック基板を構成するセラミックグリーンシートに１０重量部以下のガラスを含んだ請求項１、５、６のいずれか一つに記載の低温焼成多層セラミック基板の製造方法。
酸素濃度２０％以下の雰囲気中にて焼成する請求項１、５、６のいずれか一つに記載の低温焼成多層セラミック基板の製造方法。