JPH04245696A - 低温焼成多層セラミック基板の焼成方法 - Google Patents
低温焼成多層セラミック基板の焼成方法Info
- Publication number
- JPH04245696A JPH04245696A JP3211191A JP3211191A JPH04245696A JP H04245696 A JPH04245696 A JP H04245696A JP 3211191 A JP3211191 A JP 3211191A JP 3211191 A JP3211191 A JP 3211191A JP H04245696 A JPH04245696 A JP H04245696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- firing
- multilayer ceramic
- temperature
- low
- fired
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 15
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低温焼成多層セラミッ
ク基板の製造において、導体パターン及びスルーホール
用ペーストにＡｇ／Ｐｄ系のペーストを用いた場合の焼
成方法に関する。
ク基板の製造において、導体パターン及びスルーホール
用ペーストにＡｇ／Ｐｄ系のペーストを用いた場合の焼
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＡｇを主体とした導体ペーストを
用いた低温焼成多層セラミック基板の製造方法は図３に
示すような焼成プロファイルにて、図６に示されている
ようにアルミナ等のセッター１上に直接低温焼成多層セ
ラミック基板２を乗せて焼成していた。
用いた低温焼成多層セラミック基板の製造方法は図３に
示すような焼成プロファイルにて、図６に示されている
ようにアルミナ等のセッター１上に直接低温焼成多層セ
ラミック基板２を乗せて焼成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＡｇを
主体とした導体ペーストを用いた低温焼成多層セラミッ
ク基板の焼成方法において、昇温スピードが大きすぎる
と、低温焼成多層セラミック基板はグリーンシートを複
数枚積層して焼成しているため、焼成時の基板上下面の
温度差等により、シート間の密着力よりもシートの焼き
縮み等の変位が大きくなり、基板割れ、もしくはデラミ
ネーション（シートの剥離）を起こしてしまうという問
題がある。また、昇温レートを小さくし過ぎると、温度
７５０〜８００℃の間でＡｇの蒸発が激しく起こりやす
く、たとえば、この間の昇温レートが約３℃／Ｈと非常
にゆっくりな場合は、図８に示すように導体パターン及
びスルーホールのＡｇ系ペースト６ｂの蒸発を引き起こ
して凝縮され、その端部に凹み６ｃが生じ、パターンオ
ープン、導体抵抗の上昇を誘起する原因となっていた。
主体とした導体ペーストを用いた低温焼成多層セラミッ
ク基板の焼成方法において、昇温スピードが大きすぎる
と、低温焼成多層セラミック基板はグリーンシートを複
数枚積層して焼成しているため、焼成時の基板上下面の
温度差等により、シート間の密着力よりもシートの焼き
縮み等の変位が大きくなり、基板割れ、もしくはデラミ
ネーション（シートの剥離）を起こしてしまうという問
題がある。また、昇温レートを小さくし過ぎると、温度
７５０〜８００℃の間でＡｇの蒸発が激しく起こりやす
く、たとえば、この間の昇温レートが約３℃／Ｈと非常
にゆっくりな場合は、図８に示すように導体パターン及
びスルーホールのＡｇ系ペースト６ｂの蒸発を引き起こ
して凝縮され、その端部に凹み６ｃが生じ、パターンオ
ープン、導体抵抗の上昇を誘起する原因となっていた。
【０００４】本発明の目的は前記課題を解決したセラミ
ック基板の焼成方法を提供することにある。
ック基板の焼成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る低温焼成多層セラミック基板の焼成方法
においては、導体パターン、及びスルーホールの充填材
としてＡｇを主成分としたペーストを用いた低温焼成多
層セラミック基板の焼成方法において、温度範囲が７５
０〜８００℃の昇温レートを１０℃／Ｈ以上とした焼成
プロファイルで焼成するものである。
、本発明に係る低温焼成多層セラミック基板の焼成方法
においては、導体パターン、及びスルーホールの充填材
としてＡｇを主成分としたペーストを用いた低温焼成多
層セラミック基板の焼成方法において、温度範囲が７５
０〜８００℃の昇温レートを１０℃／Ｈ以上とした焼成
プロファイルで焼成するものである。
【０００６】また、被焼成体を密封された容器内に内封
し、該容器内にＡｇ固形物を混入させて焼成するのであ
る。
し、該容器内にＡｇ固形物を混入させて焼成するのであ
る。
【０００７】また、被焼成体をＡｇの板上にセットして
焼成するものである。
焼成するものである。
【０００８】
【作用】温度範囲が７５０〜８００℃の昇温レートを１
０℃／Ｈ以上とした焼成プロファイルで焼成することに
より、Ａｇの蒸発を極力抑え、導体抵抗の小さな低温焼
成多層セラミック基板を製造するものである。
０℃／Ｈ以上とした焼成プロファイルで焼成することに
より、Ａｇの蒸発を極力抑え、導体抵抗の小さな低温焼
成多層セラミック基板を製造するものである。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。Ａｇのベーパライズは、予備評価より７５０〜８００
℃間で激しく発生することが確認されている。そこで、
７５０〜８００℃間のＡｇの蒸発（ヴェーパライズ）特
性を調査した結果を、昇温レートをパラメータとして図
１に示す。図１における横軸は７５０〜８００℃間の昇
温レート、縦軸は蒸発量（ｗｔ％）を示している。図１
より示されるように、７５０〜８００℃の温度範囲でＡ
ｇの蒸発は昇温レートが低いほど、その量は増大する。 この蒸発量はパターン抵抗の上昇等から１０％以下に抑
えることが望ましい。このため、低温焼成多層セラミッ
ク基板は、脱バインダー工程が完了した後に高速にて焼
成を実施することが望まれる。しかしながら、昇温レー
トを大きくし過ぎると、問題点でも記載しているが、基
板割れ等の不良を起こしやすい。
。Ａｇのベーパライズは、予備評価より７５０〜８００
℃間で激しく発生することが確認されている。そこで、
７５０〜８００℃間のＡｇの蒸発（ヴェーパライズ）特
性を調査した結果を、昇温レートをパラメータとして図
１に示す。図１における横軸は７５０〜８００℃間の昇
温レート、縦軸は蒸発量（ｗｔ％）を示している。図１
より示されるように、７５０〜８００℃の温度範囲でＡ
ｇの蒸発は昇温レートが低いほど、その量は増大する。 この蒸発量はパターン抵抗の上昇等から１０％以下に抑
えることが望ましい。このため、低温焼成多層セラミッ
ク基板は、脱バインダー工程が完了した後に高速にて焼
成を実施することが望まれる。しかしながら、昇温レー
トを大きくし過ぎると、問題点でも記載しているが、基
板割れ等の不良を起こしやすい。
【００１０】そこで、基板割れを起こさずに、しかも、
Ａｇの蒸発を極力抑えた焼成プロファイルを見いだす必
要があった。
Ａｇの蒸発を極力抑えた焼成プロファイルを見いだす必
要があった。
【００１１】図２は導体パターン、及びスルーホールの
充填材としてＡｇを主成分としたペーストを用いた低温
焼成多層セラミック基板の焼成方法において、上記欠点
を改善したプロファイルを示している。つまり、基板割
れを起こさない範囲で、脱バインダー（約４００℃まで
の温度範囲で完了する。）以降の昇温レートを極力高く
し、Ａｇの蒸発をも極力少なくするため、７５０〜８０
０℃の温度範囲の昇温レートを２２℃／Ｈとしたプロフ
ァイルとなっている。
充填材としてＡｇを主成分としたペーストを用いた低温
焼成多層セラミック基板の焼成方法において、上記欠点
を改善したプロファイルを示している。つまり、基板割
れを起こさない範囲で、脱バインダー（約４００℃まで
の温度範囲で完了する。）以降の昇温レートを極力高く
し、Ａｇの蒸発をも極力少なくするため、７５０〜８０
０℃の温度範囲の昇温レートを２２℃／Ｈとしたプロフ
ァイルとなっている。
【００１２】図７は上記プロファイルを用いて焼成を実
施した低温焼成多層セラミック基板の断面図を示してお
り、基板２のスルーホールに埋め込まれた導体ペースト
６ａであるＡｇの蒸発が殆どしていない状態を示してい
る。
施した低温焼成多層セラミック基板の断面図を示してお
り、基板２のスルーホールに埋め込まれた導体ペースト
６ａであるＡｇの蒸発が殆どしていない状態を示してい
る。
【００１３】図４はＡｇの分圧を利用してＡｇの蒸発を
防いだ方法を示している。さらに詳細を説明すると、Ａ
ｇを主体とした導体ペーストを用いた低温焼成多層セラ
ミック基板を焼成するときに、通常はセッター１上に低
温焼成多層セラミック基板２をのせ、図２もしくは図３
に示すような焼成プロファイルを使用して焼成を実施し
ていた。
防いだ方法を示している。さらに詳細を説明すると、Ａ
ｇを主体とした導体ペーストを用いた低温焼成多層セラ
ミック基板を焼成するときに、通常はセッター１上に低
温焼成多層セラミック基板２をのせ、図２もしくは図３
に示すような焼成プロファイルを使用して焼成を実施し
ていた。
【００１４】ここで、金属の蒸発は金属固体の回りの雰
囲気で、同金属ガス濃度が高い方が蒸発がしづらくなる
。そこで、Ａｇを含んだパターンを内在した基板２を焼
成するときに、基板２を密封箱４にて密封し、基板２の
回りにＡｇの固形物３を置いておくことにより、基板回
りのＡｇのガス濃度を高めることができ、つまりは低温
焼成多層セラミック基板２中に含まれるＡｇの蒸発を軽
減させることが可能となる。このため、低温焼成多層セ
ラミック基板を焼成する場合において、基板回りを容器
４で密封し、さらに容器４内にＡｇの固形物３を入れて
おくことにより焼成中の基板２の回りのＡｇのガス濃度
を高くすることができ、基板２内のＡｇの蒸発を減少さ
せることが可能となる。
囲気で、同金属ガス濃度が高い方が蒸発がしづらくなる
。そこで、Ａｇを含んだパターンを内在した基板２を焼
成するときに、基板２を密封箱４にて密封し、基板２の
回りにＡｇの固形物３を置いておくことにより、基板回
りのＡｇのガス濃度を高めることができ、つまりは低温
焼成多層セラミック基板２中に含まれるＡｇの蒸発を軽
減させることが可能となる。このため、低温焼成多層セ
ラミック基板を焼成する場合において、基板回りを容器
４で密封し、さらに容器４内にＡｇの固形物３を入れて
おくことにより焼成中の基板２の回りのＡｇのガス濃度
を高くすることができ、基板２内のＡｇの蒸発を減少さ
せることが可能となる。
【００１５】図５はＡｇの分圧を利用した他の例を示す
ものであり、密封された箱の中のＡｇ固形物の代わりに
セッター１上にＡｇ板５を置き、Ａｇ板５上に低温焼成
多層セラミック基板２をのせて焼成することを示してい
る。ただし、本方法では基板表面よりセッター１面の低
温焼成多層セラミック基板２のＡｇの蒸発を防ぐ場合に
有効となるのは容易に推測できることである。
ものであり、密封された箱の中のＡｇ固形物の代わりに
セッター１上にＡｇ板５を置き、Ａｇ板５上に低温焼成
多層セラミック基板２をのせて焼成することを示してい
る。ただし、本方法では基板表面よりセッター１面の低
温焼成多層セラミック基板２のＡｇの蒸発を防ぐ場合に
有効となるのは容易に推測できることである。
【００１６】図７は上記実施例で記載された焼成プロフ
ァイルもしくは焼成方法にて製作された低温焼成多層セ
ラミック基板のスルーホール部がＡｇの蒸発もなく良好
な状態で形成されていることを示しており、パターンオ
ープンもなく、導体抵抗の小さな低温焼成多層セラミッ
ク基板を得ることが可能となった。
ァイルもしくは焼成方法にて製作された低温焼成多層セ
ラミック基板のスルーホール部がＡｇの蒸発もなく良好
な状態で形成されていることを示しており、パターンオ
ープンもなく、導体抵抗の小さな低温焼成多層セラミッ
ク基板を得ることが可能となった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ａｇを主
体とした導体ペーストを用いた低温焼成多層セラミック
基板の製造において、Ａｇの蒸発は７５０〜８００℃の
間で激しく起こりやすいため、この間の昇温レートを１
０℃／Ｈ以上で焼成することにより、Ａｇの蒸発を低減
させスルーホールの凸凹、オープン不良のない低温焼成
多層セラミック基板を作成することを可能にしている。
体とした導体ペーストを用いた低温焼成多層セラミック
基板の製造において、Ａｇの蒸発は７５０〜８００℃の
間で激しく起こりやすいため、この間の昇温レートを１
０℃／Ｈ以上で焼成することにより、Ａｇの蒸発を低減
させスルーホールの凸凹、オープン不良のない低温焼成
多層セラミック基板を作成することを可能にしている。
【図１】７５０〜８００℃の昇温レートによるＡｇの蒸
発量を示す図である。
発量を示す図である。
【図２】本発明に係る焼成プロファイルを示す図である
。
。
【図３】従来の焼成プロファイルを示す図である。
【図４】本発明の焼成方法を示す図である。
【図５】本発明の焼成方法を示す図である。
【図６】従来例の焼成方法を示す図である。
【図７】本発明における基板のスルーホールを示す断面
図である。
図である。
【図８】従来例における基板のスルーホールを示す断面
図である。
図である。
【符号の説明】
１ セッター
２ 基板
３ Ａｇ固形物
４ 密封箱
５ Ａｇ板
６ａ 導体ペースト
Claims (3)
- 【請求項１】 導体パターン、及びスルーホールの充
填材としてＡｇを主成分としたペーストを用いた低温焼
成多層セラミック基板の焼成方法において、温度範囲が
７５０〜８００℃の昇温レートを１０℃／Ｈ以上とした
焼成プロファイルで焼成することを特徴とする低温焼成
多層セラミック基板の焼成方法。 - 【請求項２】 被焼成体を密封された容器内に内封し
、該容器内にＡｇ固形物を混入させて焼成することを特
徴とする請求項１に記載の低温焼成多層セラミック基板
の焼成方法。 - 【請求項３】 被焼成体をＡｇの板上にセットして焼
成することを特徴とする請求項１に記載の低温焼成多層
セラミック基板の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211191A JPH04245696A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 低温焼成多層セラミック基板の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211191A JPH04245696A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 低温焼成多層セラミック基板の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245696A true JPH04245696A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=12349791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211191A Pending JPH04245696A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 低温焼成多層セラミック基板の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245696A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260136A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 低温焼成多層セラミック基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3211191A patent/JPH04245696A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260136A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 低温焼成多層セラミック基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4465727A (en) | Ceramic wiring boards | |
| CA2216683C (en) | Metal powder and process for preparing the same | |
| US3520054A (en) | Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages | |
| JPS6118356B2 (ja) | ||
| KR100259562B1 (ko) | 니켈분말 및 그 제조방법, 및 니켈분말을 사용한 도체 페이스트 및 페이스트를 사용하여 형성된 도체를 포함하는 적층세라믹 전자부품 또는 세라믹 다층기판 | |
| US6118647A (en) | Electronic part and method for producing the same | |
| JPH0577197B2 (ja) | ||
| US4340635A (en) | Ceramic substrate for fine-line electrical circuitry | |
| US4739544A (en) | Method of manufacturing a vapor-phase-diffused boundary-layer type multilayer ceramic capacitor | |
| JPH04245696A (ja) | 低温焼成多層セラミック基板の焼成方法 | |
| US5346720A (en) | Palladium thick film resistor containing boron nitride | |
| NO743408L (ja) | ||
| JPH11185528A (ja) | 低温焼成基板用導電ペースト | |
| JP2506520B2 (ja) | 多層セラミック物品を熱加工する方法 | |
| JPH04280657A (ja) | セラミックス基板およびその製造方法 | |
| EP0834368A1 (en) | Nickel powder and process for preparing the same | |
| JPH11163487A (ja) | セラミック多層回路基板用導電ペースト | |
| JPH02164093A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| US5087413A (en) | Conducting material and a method of fabricating thereof | |
| JPH03226986A (ja) | セラミックス配線基板の製造方法およびセラミックス発熱体 | |
| US4631160A (en) | Method of manufacturing ceramic substrate for fine-line electrical circuitry | |
| JP2897067B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP3166953B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH03266652A (ja) | サーマルヘッドの製造法 | |
| JPH04280694A (ja) | セラミックス基板の製造方法 |