JP2005260083A - 磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MTJ素子MTJは、バリア止め構造を有する。導電層15上には、ピン層21及びトンネル絶縁層22が配置される。トンネル絶縁層22上には、フリー層23が配置され、フリー層23上には、キャップ層16が配置される。フリー層23の周囲には、フリー層23の側面を取り囲み、ピン層21からの漏れ磁場をシールドする機能を有する磁性層31が配置される。フリー層23と磁性層31との間には、両者を分離すると共に、両者の距離を調整する絶縁層32が配置される。
【選択図】図4
Description
このMTJ素子MTJの特徴は、ピン層21、トンネル絶縁層22及びフリー層23が同一形状を有する点にある。
このMTJ素子MTJは、ピン層21及びトンネル絶縁層22が同一形状を有し、トンネル絶縁層22上に、ピン層21とは異なる形状のフリー層23が配置される点に特徴を有する。
M.Durlam et al. "A low power 1Mbit MRAM based on 1T1MTJ bit cell integrated with Copper Interconnects", IEEE, 2002 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers
図1は、本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリのデバイス構造を示している。図2は、図1のII−II線に沿う断面図、図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。
即ち、MTJ素子MTJは、ピン層21及びトンネル絶縁層22が同一形状を有し、トンネル絶縁層22上に、ピン層21とは異なる形状のフリー層23が配置される。
次に、ピン層からの漏れ磁場をシールドする磁性層(磁気シールド層)のレイアウト例のいくつかについて説明する。
本例では、ピン層21からの漏れ磁場をシールドする機能を有する磁性層31は、フリー層23の側面を取り囲むように配置される。また、フリー層23と磁性層31との間には、両者を分離する絶縁層(例えば、酸化シリコン)32が配置される。
本例では、ピン層21からの漏れ磁場をシールドする機能を有する磁性層31は、フリー層23の側面及びキャップ層16の側面を取り囲むように配置される。この趣旨は、磁性層31が、フリー層23の側面のみでなく、その他の部分を覆っていても構わないという点にある。
本例は、上述の第1例の変形例であり、上述の第1例と比べると、フリー層23と磁性層31との間に両者を分離する絶縁層が存在せず、磁性層31がフリー層23に接触している点にある。
本例は、上述の第2例の変形例であり、上述の第2例と比べると、フリー層23と磁性層31との間に両者を分離する絶縁層が存在せず、磁性層31がフリー層23に接触している点にある。その他の点は、上述の第2例と同じである。
次に、本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について、図4のMTJ素子を採用する場合を例にとり説明する。
本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、チップ内にメモリ機能のみが形成される単体メモリの他、チップ内にメモリ機能とロジック機能(演算、制御など)とが混載されるLSIにも適用できる。
Claims (5)
- 磁化状態が固定される第1磁性層と、前記第1磁性層とは異なる形状を有し、書き込みデータに応じて磁化状態が変化する第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置される非磁性層と、前記第2磁性層の周囲を取り囲む第3磁性層とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
- 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記第2磁性層と前記第3磁性層との間に配置され、両者を分離する絶縁層をさらに具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第3磁性層は、前記第2磁性層に接触していることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1磁性層と前記非磁性層とは、同一形状を有し、前記第2磁性層は、前記非磁性層上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 第1磁性層上に非磁性層を形成する工程と、前記非磁性層上に第2磁性層を形成する工程と、第1マスクを用いて、前記第2磁性層をパターニングする工程と、サイドウォールプロセスにより、前記第2磁性層の周囲を取り囲む第3磁性層を形成する工程と、第2マスクを用いて、前記非磁性層及び前記第1磁性層をパターニングする工程とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
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