JP2005259985A - 光送信モジュール及びそれを用いた光送信器 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体発光素子の前面光をモニタすることが可能な光送信モジュール及びそれを用いた光送信器を提供する。
【解決手段】 光送信モジュール１００は、信号光を発生する半導体発光素子１７と、信号光を受ける光入射面１９ｔと該信号光の一部を出射する光出射面１９ｈとを有しており半導体発光素子１７をモニタするモニタ用フォトダイオード１９と、モニタ用フォトダイオード１９の光出射面からの信号光を受ける光伝送媒体５と、光伝送媒体５、モニタ用フォトダイオード１９及び半導体発光素子１７を所定の軸に沿ってこの順に保持し、ステム１１を含むパッケージ７と、を備え、半導体発光素子１７及びモニタ用フォトダイオード１９はステム１１上に設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は光送信モジュール及びそれを用いた光送信器に関する。

ＡＰＣ制御がされる光送信モジュールとして、図１２に示すものが知られている。（例えば、特許文献１参照。）。この光送信モジュール５００は、半導体レーザ素子５０１と、この半導体レーザ素子からの信号光をモニタするモニタ用フォトダイオード５０３とを備える。モニタ用フォトダイオード５０３は、半導体レーザ素子５０１の背面光を受ける。上記光送信モジュール５００を用いた光送信器では、このモニタ用フォトダイオードからのモニタ電気信号に基づいて半導体レーザ素子の出力を制御している。
特開平９−２６９４４０号公報

しかしながら、半導体レーザ素子の背面光の強度は使用温度によって変化し、半導体レーザ素子の出力と背面光の強度との関係もすべての使用温度において一定ではない。半導体レーザ素子の背面光をモニタする上記光送信モジュールでは、使用温度によっては光出力の適正な制御が得られなかった。

そこで、本発明は、半導体発光素子の前面光をモニタすることが可能な光送信モジュール及びそれを用いた光送信器を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の光送信モジュールは、信号光を発生する半導体発光素子と、信号光を受ける光入射面と該信号光の一部を出射する光出射面とを有しており半導体発光素子をモニタするモニタ用フォトダイオードと、モニタ用フォトダイオードの光出射面からの信号光を受ける光伝送媒体と、光伝送媒体、モニタ用フォトダイオード及び半導体発光素子を所定の軸に沿ってこの順に保持しステムを含むパッケージと、を備え、半導体発光素子及びモニタ用フォトダイオードはステム上に設けられている。

また、本発明の光送信モジュールは、信号光を発生する半導体発光素子と、信号光を受ける光入射面と該信号光の一部を出射する光出射面とを有しており半導体発光素子をモニタするモニタ用フォトダイオードと、モニタ用フォトダイオードの光出射面からの信号光を受ける光ファイバを含むファイバスタブと、半導体発光素子及びモニタ用フォトダイオードを搭載する搭載部材と、ファイバスタブを保持する保持部材と、搭載部材及び保持部材を搭載するフレキシブルプリント基板と、を備えている。

これらの光送信モジュールによれば、モニタ用フォトダイオードの光入射面は、半導体発光素子が発生した前面光を受けるので、半導体発光素子の前面光がモニタされる。また、光入射面に入射した前面光の一部がモニタ用フォトダイオードの光出射面から出射され光伝送媒体を介して送信される。

また、本発明の光送信モジュールは、パッケージが、ステムに搭載されたキャップを更に含み、モニタ用フォトダイオードと光伝送媒体との間に位置しキャップに保持されたレンズを有することを特徴としてもよい。このようにすれば、光伝送媒体への信号光が効率よく伝達される。

また、本発明の光送信モジュールは、モニタ用フォトダイオードは、第１及び第２の領域を含む主面を有する基板と、基板の第１の領域上に設けられ信号光を吸収する半導体吸収領域と、基板の第２の領域上に設けられ信号光を透過させる半導体透過領域と、を含んでおり、半導体発光素子からの信号光は、半導体吸収領域及び半導体透過領域に入射することを特徴としてもよい。

この光送信モジュールによれば、モニタ用フォトダイオードが受けた信号光の一部は、半導体透過領域を通過して送信光となり、一方、該信号光の残りは半導体吸収領域によって吸収され、モニタ信号に変換される。

上記作用を効果的に奏するモニタ用フォトダイオードの構成としては、第１の領域が、第２の領域に囲まれていることを特徴とする構成が挙げられる。

また、上記作用を効果的に奏するモニタ用フォトダイオードの他の構成としては、第１の領域が、帯状の閉じた領域であることを特徴とする構成が挙げられる。

また、上記作用を効果的に奏するモニタ用フォトダイオードの更に他の構成としては、基板の主面が、光伝送媒体及び半導体発光素子を通過する平面と主面との交差線によって、第１及び第２の領域に分割されていることを特徴とする構成が挙げられる。

また、本発明の光送信モジュールは、半導体発光素子とモニタ用フォトダイオードとの間に設けられ半導体発光素子からの信号光を集光する集光手段を更に備えたことを特徴としてもよい。このようにすれば、モニタ用フォトダイオードへの信号光が効率よく送信される。

また、本発明の光送信モジュールは、半導体発光素子が、端面出射型の半導体レーザダイオード、端面出射型の発光ダイオード、面発光型の半導体レーザダイオード又は面発光型の発光ダイオードの何れかを含むことを特徴としてもよい。

また、本発明の光送信モジュールは、光伝送媒体が、光ファイバ又は光導波路を含むことを特徴としてもよい。

また、本発明の光送信器は、上記何れかの光送信モジュールと、モニタ用フォトダイオードからの信号に応じて半導体発光素子を制御するための信号を発生するＡＰＣ制御回路と、を備えている。この光送信器によれば、ＡＰＣ制御回路はモニタ用フォトダイオードが受けた半導体発光素子の前面光に応じたモニタ信号に応答して半導体発光素子の出力を制御する信号を発生する。

本発明によれば、半導体発光素子の前面光をモニタすることが可能な光送信モジュール及びそれを用いた光送信器を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る光送信モジュール１００を示す断面図である。光送信モジュール１００は、同軸型ＣＡＮパッケージの構成を有しており、いわゆるピグテール型の光送信モジュールである。光送信モジュール１００は、半導体発光素子１７と、モニタ用フォトダイオード１９と、半導体発光素子１７から出射される信号光を受ける光伝送媒体５と、を保持するパッケージ７を備えている。パッケージ７は、フェルールホルダ３５と、ベンドリミッタ３７と、ステム１１と、ＣＡＮキャップ１３とを有している。フェルールホルダ３５は筒状の側壁を有しており、一端及び他端を有している。フェルールホルダ３５は、その一端が光伝送媒体５を保持し、他端が出射モジュール３のステム１１の主面１１ａ上に固定されてステム１１上に搭載されており、ＣＡＮキャップ１３を覆っている。光伝送媒体５は光ファイバ３１と、光ファイバ３１を保持するフェルール３３を有している。フェルールホルダ３５とステム１１とに囲まれた空間内に光伝送媒体５の端面５ａが露出している。

出射モジュール３は、ステム１１と、ＣＡＮキャップ１３と、半導体発光素子１７と、モニタ用フォトダイオード１９と、を備えている。ステム１１は、円盤状に形成された部材であり、例えばステンレス、鉄等の金属材料から成る。ステム１１はその主面１１ａから突出するマウント部１１ｂを有している。ＣＡＮキャップ１３は、筒形状に形成された側壁を有し、この側壁の下端がステム１１の主面１１ａに固定され、マウント部１１ｂを覆うようにステム１１上に搭載されている。ＣＡＮキャップ１３は、その上壁に形成された開口部１３ａを塞ぐように設けられた窓部材２３を有している。窓部材２３は半導体発光素子１７からの信号光（後述する）を透過する材料から成る。半導体発光素子１７及びモニタ用フォトダイオード１９は、共にマウント部１１ｂに搭載されつつステム１１とＣＡＮキャップ１３とに囲まれた空間に収容されている。また、ステム１１には、主面１１ａに略垂直に複数のリードピン２１が挿通している。

光伝送媒体５と、モニタ用フォトダイオード１９と、半導体発光素子１７と、はこの順に所定の軸ＡＸ１に沿って位置している。半導体発光素子１７の前端面１７ａからの信号光はモニタ用フォトダイオード１９へ向けて出射される。この信号光はモニタ用フォトダイオード１９の光入射面１９ｔに入射し、信号光の一部が電気信号へ変換され、他の一部はモニタ用フォトダイオード１９を透過して光出射面１９ｈから出射される。光出射面１９ｈからの信号光は窓部材２３を透過して光伝送媒体５へと入射する。

半導体発光素子１７は、前端面１７ａから信号光を出射する素子であり、サブマウント１１ｃを介してマウント部１１ｂの側面に搭載されている。半導体発光素子１７としては例えば、端面出射型の半導体レーザダイオード、端面出射型の発光ダイオード、面発光型の半導体レーザダイオード又は面発光型の発光ダイオード等が用いられる。

マウント部１１ｂは所定の軸ＡＸ１に交差する平面に沿って延びる延出部１１ｄを有しており、モニタ用フォトダイオード１９は、この延出部１１ｄ上に搭載されている。モニタ用フォトダイオード１９は半導体発光素子１７から出射された信号光を受けて半導体発光素子１７をモニタする素子である。モニタ用フォトダイオード１９は、上記信号光を受ける光入射面１９ｔを半導体発光素子１７に向けて延出部１１ｄ上に固定されている。延出部１１ｄには光入射面１９ｔに対応する位置に開口１１ｅが形成され、光入射面１９ｔはこの開口１１ｅから露出している。モニタ用フォトダイオード１９は、光入射面１９ｔが半導体発光素子１７からの信号光を受けるように位置合わせされている。また、延出部１１ｄは、開口１１ｅを有する形状の他、光入射面１９ｔを露出させる切欠部を有する形状に設けられてもよい。

ここで、図２〜図４を参照し、モニタ用フォトダイオード１９として用いられるフォトダイオードの例について詳細に説明する。

図２（ａ）は、フォトダイオード１９Ａの側断面図、図２（ｂ）はその平面図を示している。フォトダイオード１９Ａは、ＩｎＰから成る基板１９１を有し、基板１９１の主面１９１ａ上に順に積層された、ＩｎＰから成るバッファ層１９２と、ＩｎＧａＡｓから成る受光層１９３と、ＩｎＰから成る窓層１９４と、を有している。

フォトダイオード１９Ａの主面１９１ａは第１エリアＳ１及び第１エリアＳ１を囲む第２エリアＳ２を有している。フォトダイオード１９Ａは、受けた信号光の一部を吸収し電気信号に変換する吸収領域１９ｒと受けた信号光を透過させる透過領域１９ｓとを有している。吸収領域１９ｒは、第１エリアＳ１上に位置しており、透過領域１９ｓは、第２エリアＳ２上に位置している。第１エリアＳ１は例えばフォトダイオード１９Ａと中心を共有する円形状を成している。

第１エリアＳ１上には窓層１９４、受光層１９３に不純物拡散された拡散層１９５が設けられ、ｐｎ接合１９６が形成されている。拡散層１９５は吸収領域１９ｒに位置している。拡散層１９５の周縁部に環状にアノード電極１９７が設けられ、ｐ電極１９７の周囲はパッシベーション膜１９８が設けられている。また、基板１９１の周縁部にカソード電極１９９が設けられている。また、基板１９１の裏面及び拡散層１９５の表面には反射防止膜２００が設けられている。

ここで、吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの光透過率について説明する。吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの光透過率は共に受光層１９３の厚さに依存し、受光層１９３の厚さｄを調製することによって所望の値に設定することができる。ＩｎＧａＡｓの吸収係数をαとすれば、光透過率Ｔと受光層１９３の厚さｄとの関係は式（１）で表される。
ｄ＝−{ｌｎ（Ｔ）}／α …（１）
ここでＩｎＧａＡｓの吸収係数αはα＝１．３×１０^３ｃｍ^−３であるので、
ｄ（マイクロメートル）＝−{ｌｎ（Ｔ）}／１．３ …（２）
である。例えば吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの光透過率Ｔを９０％に設定したい場合には、式（２）より、ｄが０．０８１マイクロメートルになるように調製すればよい。また、吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの光透過率Ｔを９８％に設定したい場合には、式（２）より、ｄが０．０１５５マイクロメートルになるように調製すればよい。

図３（ａ）は、フォトダイオード１９Ｂの側断面図を示している。フォトダイオード１９Ｂのフォトダイオード１９Ａとの相違点として、基板２０１の裏面は凸部２０３を有している。凸部２０３はフォトダイオード１９Ｂに入射する信号光を集光するモノリシックレンズを構成している。凸部２０３は半導体発光素子１７からの信号光を集光する集光手段として機能する。このため、フォトダイオード１９Ｂによれば、半導体発光素子１７からの信号光を集光し効率よく光伝送媒体５へ入射させることが可能である。

図３（ｂ）は、フォトダイオード１９Ｃの側断面図を示している。フォトダイオード１９としては、いわゆるメサ型のフォトダイオード１９ｃを用いても良い。

図４（ａ）は、フォトダイオード１９Ｄの吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの形状を示す平面図である。このフォトダイオード１９Ｄでは、第１エリアＳ１は例えば円環形状である（帯状の閉じた）領域として設けられており、第１エリアＳ１上に吸収領域１９ｒが設けられ、第２エリアＳ２上に透過領域１９ｓが設けられる。半導体発光素子１７からの信号光は図に示す領域Ｌ１に入射し、吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの双方に入射する。

図４（ｂ）は、フォトダイオード１９Ｅの吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの形状を示す平面図である。このフォトダイオード１９Ｅでは、主面１９１ａが中心を通る直線（光伝送媒体５及び半導体発光素子１７を通過する平面と主面１９１ａとの交差線）で二分割され、一方が第１エリアＳ１、他方が第２エリアＳ２とされている。第１エリアＳ１上に吸収領域１９ｒが設けられ、第２エリアＳ２上に透過領域１９ｓが設けられている。半導体発光素子１７からの信号光は図に示す領域Ｌ１に入射し、吸収領域１９ｒ及び透過領域１９ｓの双方に入射する。

上述のように、光送信モジュール１００では、光伝送媒体５と、モニタ用フォトダイオード１９と、半導体発光素子１７と、がこの順に所定の軸ＡＸ１に沿って位置している。半導体発光素子１７の前端面１７ａからの信号光はモニタ用フォトダイオード１９に向けて出射される。この信号光がモニタ用フォトダイオード１９に入射し、入射光の一部は電気信号へ変換され、他の一部はモニタ用フォトダイオード１９を透過して光出射面１９ｈから出射される。光出射面１９ｈから出射された信号光は、窓部材２３を透過して光伝送媒体５へと入射する。このため、光送信モジュール１００を備えた光送信器にあっては、モニタ用フォトダイオード１９によって半導体発光素子１７の前面光がモニタされ、モニタ用フォトダイオード１９で変換された電気信号に基づいて半導体発光素子１７の出力を制御することが可能となる。

図５は、光送信モジュール１００を備えた送信器１０３における半導体発光素子１７の出力制御を説明するブロック図である。半導体発光素子１７及びモニタ用フォトダイオード１９は共にリードピン２１を介して制御回路４１に接続されている。モニタ用フォトダイオード１９は、半導体発光素子１７の前端面１７ａからの信号光Ｌを受け、信号光Ｌの一部を透過させて光伝送媒体５へ出射すると共に、信号光Ｌに対応したモニタ信号ｓｇ１を発生し制御回路４１へ提供する。制御回路４１はモニタ用フォトダイオード１９から受けたモニタ信号ｓｇ１に応じて駆動信号ｓｇ２を発生し、半導体発光素子１７へ提供する。例えば、モニタ用フォトダイオード１９が受けた光の光量が所定の値よりも高いことをモニタ信号ｓｇ１が示している場合には、半導体発光素子１７のパワーを低くする駆動信号ｓｇ２を発生し、所定の値よりも低いことをモニタ信号ｓｇ１が示している場合には、半導体発光素子１７のパワーを高くする駆動信号ｓｇ２を発生する。なお、制御回路４１としては、ＡＰＣ（Auto Power Control）制御回路を用いることができる。このようにして、半導体発光素子１７の出力がフィードバック制御される。

また、光送信モジュール１００によれば、半導体発光素子１７の前面光をモニタすることにより信号光のパワーが制御されるので、背面光をモニタして制御される場合に比して、前面光と背面光との出力比バラツキの影響がなく適正な制御することが可能とされる。また、温度による前面光と背面光との出力比バラツキの影響を受けることも防止されるので、使用温度の影響が少ない一定の制御が可能とされ、トラッキングエラーが抑制される。

また、光送信モジュール１００によれば、モニタ用フォトダイオード１９Ａ、１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄにおいて、これらの吸収領域１９ｒが円形状又は円環形状であることにより、半導体発光素子１７の光軸との位置合わせが容易になり、半導体発光素子１７からの信号光を吸収領域１９ｒの中心付近で受けることが可能になる。また、この場合、吸収領域１９ｒの形状に対称性があるので吸収領域１９ｒと半導体発光素子１７との位置合わせが容易とされる。また、モニタ用フォトダイオード１９Ｄ，１９Ｅを用いることにより、信号光のうち透過領域１９ｓに入射する光が多くなり十分な信号光が透過するので、吸収領域１９ｒに設けられる拡散層１９５の厚さを厚くすることができ、拡散層１９５の成長工程が容易とされる。

また、光送信モジュール１００によれば、モニタ用フォトダイオード１９Ｂを用いることにより、モノリシックレンズで信号光が集光されるので、モニタ用フォトダイオード１９Ｂと光伝送媒体５との間に集光レンズを設ける必要がなくなる。結果、この集光レンズの位置合わせ工程が不要とされる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、光送信モジュール１００では、出射モジュール３に代えて以下に挙げる出射モジュール３Ｂ，３Ｃ，３Ｄを用いても良い。

図６，図７，図８は、それぞれ出射モジュール３Ｂ，３Ｃ，３Ｄを示す断面図である。出射モジュール３ＢはＣＡＮキャップ１３に代えて、集光レンズ２４を有するＣＡＮキャップ１３Ｂを備えている。集光レンズ２４はモニタ用フォトダイオード１９からの信号光を集光するので、信号光が光伝送媒体５へ効率よく入射する。

出射モジュール３Ｃは、出射モジュール３の構成に加えて延出部１１ｄ上に設けられた増幅器２０を更に有している。出射モジュール３Ｃにおいては、増幅器２０及びモニタ用フォトダイオード１９の両方がＣＡＮケース１３内に設けられるので、配線の浮遊容量が低減され、応答の速いモニタ信号が生成される。

出射モジュール３Ｄは、出射モジュール３の構成に加えて光学レンズ１８を更に有している。光学レンズ１８は例えば凸レンズであり、半導体発光素子からの光を集光する集光手段として機能する。

また、光送信モジュール１００では、光ファイバ３１とフェルール３３を含む光伝送媒体５に代えて他の光導波路を備えた光伝送媒体を用いてもよい。他の光導波路としては、例えば、Ｓｉ基板上に形成され、光分岐機能等を有し、外部の光ファイバと結合できる端面を有する光導波路等が挙げられる。このような光導波路を備えた光伝送媒体を用いれば、光分岐機能の他、光導波路に様々の機能を持たせることができる。

また、光送信モジュール１００では、モニタ用フォトダイオードとして裏面入射型のフォトダイオード１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄ，１９Ｅを用いることができるが、モニタ用フォトダイオードとして表面入射型のフォトダイオードを用いることも可能である。

また、上記実施形態では、本発明をピグテール型の光送信モジュール１００に適用した。本発明は、図９に示すようないわゆるレセプタクル型の光送信モジュール１１０にも適用が可能である。光送信モジュール１１０は、光伝送媒体として光ファイバを用いる場合に、光送信器に実装する際の光ファイバの引き回しが不要であるので、光送信モジュール１１０を備える光送信器は組み立てが容易とされる。

（第２実施形態）
続いて、本発明の第２実施形態に係る光送信モジュール３００について図１０の断面図を参照して説明する。光送信モジュール３００は、半導体発光素子１７と、搭載部材３１８と、モニタ用フォトダイオード１９と、光ファイバ３０６を含むファイバスタブ３０５と、ヒートシンク３０４と、プラスチックスリーブ３０７と、フレキシブルプリント基板３０３と、を備えている。プラスチックスリーブ３０７はファイバスタブ３０５を保持すると共にフレキシブルプリント基板３０３上に搭載され、半導体発光素子１７、搭載部材３１８及びモニタ用フォトダイオード１９を覆っている。

図１１は、半導体発光素子１７、搭載部材３１８、モニタ用フォトダイオード１９、ヒートシンク３０４及びフレキシブルプリント基板３０３を示す分解斜視図である。搭載部材３１８はヒートシンク３０４上に固定されている。搭載部材３１８は傾斜面３１８ａを有している。半導体発光素子１７、搭載部材３１８及びモニタ用フォトダイオード１９は搭載部材３１８上に搭載されている。半導体発光素子１７は前端面１７ａを傾斜面３１８ａへ向けて搭載部材３１８上に固定されている。傾斜面３１８ａは、半導体発光素子１７の前端面１７ａからの信号光をモニタ用フォトダイオード１９へ向けて反射する。モニタ用フォトダイオード１９は搭載部材３１８上に固定されており、光入射面１９ｔが傾斜面３１８ａに対応するように位置合わせされている。

半導体発光素子１７から傾斜面３１８ａへ向けて出射された信号光は傾斜面３１８ａで反射され、モニタ用フォトダイオード１９の光入射面１９ｔに入射し、一部が電気信号へ変換され、他の一部は透過して光出射面１９ｈから出射され光伝送媒体３０５へと入射する。このため、光送信モジュール３００を備えた光送信器にあっては、モニタ用フォトダイオード１９によって半導体発光素子１７の前面光がモニタされ、モニタ用フォトダイオード１９で変換された電気信号に応じて半導体発光素子１７からの信号光のパワーを制御することが可能となる。

本発明の第１実施形態に係る光送信モジュールを示す断面図である。 （ａ）はモニタ用フォトダイオードの例を示す断面図、（ｂ）はその平面図である。 （ａ），（ｂ）はモニタ用フォトダイオードの例を示す断面図である。 （ａ），（ｂ）はモニタ用フォトダイオードの例を示す平面図である。 光送信モジュールを備えた送信器における半導体発光素子の出力制御を説明するブロック図である。 出射モジュールの変形例を示す断面図である。 出射モジュールの変形例を示す断面図である。 出射モジュールの変形例を示す断面図である。 光送信モジュールの適用例を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る光送信モジュールを示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る光送信モジュールを説明するための斜視図である。 従来の光送信モジュールを示す断面図である。

符号の説明

３，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…出射モジュール、５…光伝送媒体、７…パッケージ、１１…ステム、１３，１３Ｂ…ＣＡＮキャップ、１７…半導体発光素子、１８…凸レンズ（集光手段）、１９，１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄ，１９Ｅ…フォトダイオード、１９ｔ…光入射面、１９ｈ…光出射面、１９ｒ…吸収領域、１９ｓ…透過領域、２４…集光レンズ、３１…光ファイバ、３３…フェルール、３５…フェルールホルダ、３７…ベンドリミッタ、４１…制御回路、１００，１１０，３００…光送信モジュール、１０３…送信器、１９５…拡散層、１９６…ｐｎ接合、２０１…基板、２０３…凸部（集光手段）、３０３…フレキシブルプリント基板、３０５…ファイバスタブ、３０６…光ファイバ、３０７…プラスチックスリーブ、３１８…搭載部材、３１８ａ…傾斜面、Ｓ１…第１エリア、Ｓ２…第２エリア、ｓｇ１…モニタ信号、ｓｇ２…駆動信号。

Claims (11)

1. 信号光を発生する半導体発光素子と、
   前記信号光を受ける光入射面と該信号光の一部を出射する光出射面とを有しており前記半導体発光素子をモニタするモニタ用フォトダイオードと、
   前記モニタ用フォトダイオードの前記光出射面からの前記信号光を受ける光伝送媒体と、
   前記光伝送媒体、前記モニタ用フォトダイオード及び前記半導体発光素子を所定の軸に沿ってこの順に保持しステムを含むパッケージと、
   を備え、
   前記半導体発光素子及び前記モニタ用フォトダイオードは前記ステム上に設けられている、光送信モジュール。
2. 信号光を発生する半導体発光素子と、
   前記信号光を受ける光入射面と該信号光の一部を出射する光出射面とを有しており前記半導体発光素子をモニタするモニタ用フォトダイオードと、
   前記モニタ用フォトダイオードの前記光出射面からの前記信号光を受ける光ファイバを含むファイバスタブと、
   前記半導体発光素子及び前記モニタ用フォトダイオードを搭載する搭載部材と、
   前記ファイバスタブを保持する保持部材と、
   前記搭載部材及び前記保持部材を搭載するフレキシブルプリント基板と、
   を備えた光送信モジュール。
3. 前記パッケージは、前記ステムに搭載されたキャップを更に含み、
   前記モニタ用フォトダイオードと前記光伝送媒体との間に位置し前記キャップに保持されたレンズを有することを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
4. 前記モニタ用フォトダイオードは、
   第１及び第２の領域を含む主面を有する基板と、
   前記基板の前記第１の領域上に設けられ前記信号光を吸収する半導体吸収領域と、
   前記基板の前記第２の領域上に設けられ前記信号光を透過させる半導体透過領域と、を含んでおり、
   前記半導体発光素子からの信号光は、前記半導体吸収領域及び前記半導体透過領域に入射することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光送信モジュール。
5. 前記第１の領域は、前記第２の領域に囲まれていることを特徴とする請求項４に記載の光送信モジュール。
6. 前記第１の領域は、帯状の閉じた領域であることを特徴とする請求項４に記載の光送信モジュール。
7. 前記基板の前記主面は、前記光伝送媒体及び前記半導体発光素子を通過する平面と前記主面との交差線によって、前記第１及び第２の領域に分割されていることを特徴とする請求項４に記載の光送信モジュール。
8. 前記半導体発光素子と前記モニタ用フォトダイオードとの間に設けられ前記半導体発光素子からの前記信号光を集光する集光手段を更に備えたことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の光送信モジュール。
9. 前記半導体発光素子は、
   端面出射型の半導体レーザダイオード、端面出射型の発光ダイオード、面発光型の半導体レーザダイオード又は面発光型の発光ダイオードの何れかを含むことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の光送信モジュール。
10. 前記光伝送媒体は、光ファイバ又は光導波路を含むことを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の光送信モジュール。
11. 請求項１〜１０の何れか１項に記載の光送信モジュールと、
    前記モニタ用フォトダイオードからの信号に応じて前記半導体発光素子を制御するための信号を発生するＡＰＣ制御回路と、を備えた光送信器。

Images