JP2005255440A - Iii族窒化物半導体の作製方法、及びiii族窒化物半導体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 c軸より傾斜した方位において配向した主面を有する基板を準備する。次いで、Bを含む雰囲気において成膜処理を実行し、前記基板上にAlxGa1-x-yInyN(0≦x,y、1-x-y≦1)なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を、そのc軸より傾斜した方位において配向するようにして形成する。
【選択図】 図3
Description
c軸より傾斜した方位において配向した主面を有する基板を準備する工程と、
Bを含む雰囲気において成膜処理を実行し、前記基板上にAlxGa1-x-yInyN(0≦x,y、1-x-y≦1)なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を、そのc軸より傾斜した方位において配向するようにして形成する工程と、
を具えることを特徴とする、III族窒化物半導体の作製方法に関する。
本実施例では、図3に示すような作製装置を用いてIII族窒化物半導体の作製を実施した。最初に、(10-12)面サファイア基板を準備し、このサファイア基板上に450℃で厚さ25nmのAlNを形成し、さらに前記AlN上に1050℃で厚さ2.0μmのGaNを形成した。なお、B供給源として、単結晶のZrB2をサファイア基板上流側に近接して、配置した。
B供給源を使用しなかった以外は、実施例1と同様にして、(10-12)面サファイア基板
上に厚さ2.5nmのAlN及び2.0μmnmのGaNを形成した。
本実施例では、図3に示すような作製装置を用いてIII族窒化物半導体の作製を実施した。最初に、(30-38)面に配向した主面を有する4H-SiC基板を準備し、このSiC基板上に、実施例1と同じ条件で、厚さ300nmのAlN及び厚さ2.0μmのGaNを形成した。
B供給源を使用しなかった以外は、実施例2と同様にして、(30-38)面に配向した主面を有する4H-SiC基板上に厚さ300nmのAlN及び2.0μmのGaNを形成した。
302 B供給源
303 サセプタ
304 成膜容器
Claims (16)
- c軸より傾斜した方位において配向した主面を有する基板を準備する工程と、
Bを含む雰囲気において成膜処理を実行し、前記基板上にAlxGa1-x-yInyN(0≦x,y、1-x-y≦1)なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を、そのc軸より傾斜した方位において配向するようにして形成する工程と、
を具えることを特徴とする、III族窒化物半導体の作製方法。 - 前記III族窒化物半導体中における前記Bの含有量が1原子%未満であることを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- 前記成膜処理は、前記Bを含む物質を前記基板の近傍に配置して行うことを特徴とする、請求項1又は2に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- 前記成膜処理は、前記Bを含むガス物質を成膜雰囲気中に供給した状態で行うことを特徴とする、請求項1又は2に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- 前記成膜処理は、前記Bを含む物質を前記基板上に予め蒸着した状態で行うことを特徴とする、請求項1又は2に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- 前記成膜処理は、前記Bを含む物質からなる装置部材を含む装置を用いて行うことを特徴とする、請求項1又は2に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- 前記III族窒化物半導体は、そのc軸より8°以上傾斜したことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- 前記基板は、サファイア、スピネル、SiC、Si、GaAs、GaP、ZrB2、GaN、AlN 、AlGaN、ZnO、LiAlO2、及びLiGaO2から選ばれる少なくとも一種から構成することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一に記載のIII族窒化物半導体の作製方法。
- c軸より傾斜した方位において配向し、AlxGa1-x-yInyN(0≦x,y、1-x-y≦1)なる組成成分を主成分として含むことを特徴とする、III族窒化物半導体。
- c軸より8°以上傾斜した方向に配向したことを特徴とする、請求項9に記載のIII族窒化物半導体。
- Bを含むことを特徴とする、請求項9又は10に記載のIII族窒化物半導体。
- 前記Bの含有量が1原子%未満であることを特徴とする、請求項3に記載のIII族窒化物半導体。
- 前記III族窒化物半導体は、c軸より傾斜した方位において配向した主面を有する基板上に形成されたことを特徴とする、請求項9〜12のいずれか一に記載のIII族窒化物半導体。
- 前記基板は、サファイア、スピネル、SiC、Si、GaAs、GaP、ZrB2、GaN、AlN 、AlGaN、ZnO、LiAlO2、及びLiGaO2から選ばれる少なくとも一種から構成したことを特徴とする、請求項13に記載のIII族窒化物半導体。
- 請求項9〜14のいずれか一に記載のIII族窒化物半導体を含むことを特徴とする、半導体発光素子。
- 請求項9〜14のいずれか一に記載のIII族窒化物半導体を含むことを特徴とする、電界効果トランジスタ。
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