JP2005251176A5 - - Google Patents
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- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 claims 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 3
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
Claims (6)
- アンテナと、
前記アンテナに接続された薄膜トランジスタを含む薄膜集積回路装置と、
前記アンテナの周囲に設けられたフィラーを含む充填層と、
接着剤層と、
セパレータと、を有し、
前記フィラーを含む充填層の熱膨張率は、前記アンテナを構成する導電材料の熱膨張率の２倍以下であり、
前記薄膜集積回路装置の上方及び下方の少なくとも一方には、酸化珪素、窒化珪素又はＳｉＯｘＮｙ若しくはＳｉＮｘＯｙ（ｘ＞ｙ）を含む単層又は積層からなる保護層が形成されていることを特徴とするＩＤラベル。 - 請求項１において、前記フィラーは、酸化珪素を含むことを特徴とするＩＤラベル。
- アンテナと、
前記アンテナに接続された薄膜トランジスタを含む薄膜集積回路装置と、
前記アンテナの周囲に設けられたフィラーを含む充填層と、を有し、
前記フィラーを含む充填層の熱膨張率は、前記アンテナを構成する導電材料の熱膨張率の２倍以下であり、
前記薄膜集積回路装置の上方及び下方の少なくとも一方には、酸化珪素、窒化珪素又はＳｉＯｘＮｙ若しくはＳｉＮｘＯｙ（ｘ＞ｙ）を含む単層又は積層からなる保護層が形成されていることを特徴とするＩＤタグ。 - 請求項３において、前記フィラーは、酸化珪素を含むことを特徴とするＩＤタグ。
- アンテナと、
前記アンテナに接続された薄膜トランジスタを含む薄膜集積回路装置と、
前記アンテナの周囲に設けられたフィラーを含む充填層と、を有し、
前記フィラーを含む充填層の熱膨張率は、前記アンテナを構成する導電材料の熱膨張率の２倍以下であり、
前記薄膜集積回路装置の上方及び下方の少なくとも一方には、酸化珪素、窒化珪素又はＳｉＯｘＮｙ若しくはＳｉＮｘＯｙ（ｘ＞ｙ）を含む単層又は積層からなる保護層が形成されていることを特徴とするＩＤカード。 - 請求項５において、前記フィラーは、酸化珪素を含むことを特徴とするＩＤカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005018817A JP4939757B2 (ja) | 2004-02-04 | 2005-01-26 | Ｉｄラベル、ｉｄタグ及びｉｄカード |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004027699 | 2004-02-04 | ||
| JP2004027699 | 2004-02-04 | ||
| JP2005018817A JP4939757B2 (ja) | 2004-02-04 | 2005-01-26 | Ｉｄラベル、ｉｄタグ及びｉｄカード |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005251176A JP2005251176A (ja) | 2005-09-15 |
| JP2005251176A5 true JP2005251176A5 (ja) | 2008-02-14 |
| JP4939757B2 JP4939757B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=35031549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005018817A Expired - Fee Related JP4939757B2 (ja) | 2004-02-04 | 2005-01-26 | Ｉｄラベル、ｉｄタグ及びｉｄカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4939757B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5127167B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2013-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| US7727859B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4640221B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | インクカートリッジ及びプリンタ |
| JP4661643B2 (ja) | 2006-03-13 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、インクカートリッジ及び電子機器 |
| JP5196389B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2013-05-15 | 大阪シーリング印刷株式会社 | Ｒｆｉｄラベル及びｒｆｉｄラベルの製造方法 |
| JP2008236705A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-10-02 | Daido Steel Co Ltd | 超広帯域通信用アンテナ |
| EP1970951A3 (en) * | 2007-03-13 | 2009-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101596698B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2016-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
| JP5351201B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US10977540B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-04-13 | Composecure, Llc | RFID device |
| US10762412B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-09-01 | Composecure, Llc | DI capacitive embedded metal card |
| CA3079539A1 (en) | 2017-10-18 | 2019-04-25 | Composecure, Llc | Metal, ceramic, or ceramic-coated transaction card with window or window pattern and optional backlighting |
| JP7136448B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-09-13 | パイクリスタル株式会社 | プロセスユニット並びに電子タグ及びその製造方法 |
| BR112021024122A2 (pt) * | 2019-05-31 | 2022-01-11 | Composecure Llc | Dispositivo de rfid |
| CN115427313A (zh) * | 2020-02-26 | 2022-12-02 | 艾利丹尼森零售信息服务有限公司 | 用于包装的射频识别安全标签 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2970411B2 (ja) * | 1993-08-04 | 1999-11-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPH1044655A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-17 | Toppan Printing Co Ltd | Ｉｃカードおよびｉｃカードの製造方法 |
| JP2001175829A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触式データキャリアおよびｉｃチップ |
| JP4620237B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2011-01-26 | 大日本印刷株式会社 | 防湿耐水性仕様非接触データキャリア |
| JP2002366917A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | アンテナを内蔵するｉｃカード |
| JP2003069238A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | 絶縁フィルムおよびこれを用いた多層配線基板 |
-
2005
- 2005-01-26 JP JP2005018817A patent/JP4939757B2/ja not_active Expired - Fee Related
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