JP4528239B2

JP4528239B2 - 無線ｉｃタグ

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Publication number: JP4528239B2
Application number: JP2005289641A
Authority: JP
Inventors: 光雄宇佐美
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2005-10-03
Filing date: 2005-10-03
Publication date: 2010-08-18
Anticipated expiration: 2025-10-03
Also published as: US20070075148A1; US7503507B2; JP2007101285A

Description

本発明は、無線ＩＣタグおよびその製造技術に関し、特に無線ＩＣタグのＩＣチップ内に圧力センサを設けた無線ＩＣタグに適用して有効な技術に関するものである。

特開平０９−１２８１１８号公報（特許文献１）には、無線によって開閉状態を伝えるスイッチ技術が開示されている。特開２０００−３０６１８８号公報（特許文献２）には、抵抗膜によるブリッジ回路が圧力により特性が変化することを利用して圧力を検出し、その変化をデジタル化して無線で送信するセンサ技術が示されている。特開２００３−０１４５７２号公報（特許文献３）には、ピエゾ素子により圧力を検出し、その値を無線で送信するセンサ技術が示されている。特開平０５−１５０７７１号公報（特許文献４）には、グローブの先に圧力センサを装着し、信号線により無線装置に送り、そこから各指の圧力値を無線により送信する技術が示されている。特開２００１−２２８０４２号公報（特許文献５）には、圧力センサモジュールからの信号を無線で送信する技術が示されている。
特開平０９−１２８１１８号公報特開２０００−３０６１８８号公報特開２００３−０１４５７２号公報特開平０５−１５０７７１号公報特開２００１−２２８０４２号公報

特開平０９−１２８１１８号公報（特許文献１）は、無線スイッチ技術であり、圧力値をセンシングしてバッテリレスで無線で信号を送信するための小型化技術については述べられていない。

特開２０００−３０６１８８号公報（特許文献２）に記載された抵抗膜は、半導体チップの外部に形成されており、抵抗膜を半導体チップ内に形成して小型化を図る技術については述べられていない。

特開２００３−０１４５７２号公報（特許文献３）に記載されたピエゾ素子は、半導体チップの外部に形成されており、ピエゾ素子を半導体チップ内に形成して小型化を図る技術については述べられていない。

特開平０５−１５０７７１号公報（特許文献４）の圧力センサは、グローブの指先に信号線が接続されているので、取り扱いが不便であり、小型化を図る技術についても述べられていない。

特開２００１−２２８０４２号公報（特許文献５）には、個別部品を用いて形成した圧力センサの出力を無線で送信する技術が開示されているが、バッテリレスで小型化するための技術については述べられていない。

このように、上記従来技術は、半導体チップの内部に圧力センサを形成してワンチップ化、小型化を図る技術については、開示されていない。

本発明は、ＩＣチップ内に圧力センサを内蔵した小型無線ＩＣタグを提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明の無線ＩＣタグは、支持基板と、前記支持基板の一面に形成されたアンテナと、前記支持基板に搭載されたＩＣチップと、前記ＩＣチップに内蔵された圧力センサを備えており、前記ＩＣチップは、シリコン基板層とシリコンデバイス層との間に酸化シリコン層を形成したＳＯＩ構造を有し、前記ＳＯＩ構造には、前記シリコン基板層に、前記酸化シリコン層に達する開口部が形成され、前記圧力センサは、前記酸化シリコン層に接触する第１配線と、前記第１配線と空隙を介して設けられた第２配線とで形成された容量素子を前記開口部の近傍に備え、外部から前記ＩＣチップに加わる圧力に応じて変化する前記容量素子の容量変化を検出するものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

ＳＯＩ構造のＩＣチップに形成された薄い酸化シリコン層を利用することにより、ＩＣチップに加わるわずかな圧力変動を検出することができるので、外形寸法が０．５ｍｍ角以下のＩＣチップに圧力センサを組み込むことが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１は、本実施の形態の無線ＩＣタグの全体平面図、図２は、図１に示す無線ＩＣタグのＩＣチップを示す主要部平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線に沿ったＩＣチップの主要部を示す断面図、図４は、ＩＣチップに形成された回路のブロック図である。

図１に示すように、無線ＩＣタグ１００は、支持基板１０１と、支持基板１０１の一面に形成された小型アンテナ１０２と、支持基板１０１上に搭載されたＩＣチップ１０３とで構成されている。ＩＣチップ１０３は、単結晶シリコンからなり、その主面には、図４に示すような容量素子２０１、容量検出回路２０２、ディジタル変換回路２０３、ＲＯＭ２０４および送信回路２０５が形成されている。

ＩＣチップ１０３のＲＯＭ２０４には、無線ＩＣタグ１００に固有の認識番号が書き込まれている。容量素子２０１の容量値は、容量検出回路２０２によって検出され、電圧、電流、周波数などにアナログ変換された後、ディジタル変換回路２０３によってディジタル変換される。ＲＯＭ２０４に書き込まれた認識番号およびディジタル変換された容量値は、送信回路２０５に送信され、小型アンテナ１０２によって外部に無線で送信される。

図３に示すように、ＩＣチップ１０３は、シリコン基板層１１０とその上部のシリコンデバイス層１１１との間に、膜厚が０．０１μｍ〜５μｍ程度の薄い酸化シリコン層１１２を形成したＳＯＩ(Silicon On Insulator)構造を有している。ＳＯＩ構造のＩＣチップ１０３は、例えば２枚のシリコンウエハを酸化シリコン膜を挟んで接合する周知の貼り合わせ法によって形成される。

図示は省略するが、ＩＣチップ１０３のシリコンデバイス層１１１には、前述した容量検出回路２０２、ディジタル変換回路２０３、ＲＯＭ２０４および送信回路２０５を構成するＭＯＳトランジスタおよび抵抗素子などが形成されている。また、シリコンデバイス層１１１の上部には、これらのトランジスタおよび抵抗素子を電気的に接続する配線および層間絶縁膜からなる配線層１１３が形成されている。ＳＯＩ構造のＩＣチップ１０３は、通常のシリコンチップに比べてトランジスタの寄生容量を小さくできるので、トランジスタ同士の間隔を縮小し、ひいてはチップサイズを０．５ｍｍ角以下に縮小することができる。

図２および図３に示すように、ＩＣチップ１０３のシリコンデバイス層１１１には、第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５が形成されている。第１メタル配線１１４は、その一部が酸化シリコン層１１２と接するように形成されており、第２メタル配線１１５は、その一部が第１メタル配線１１４の一部と重なるように配置されている。また、第１メタル配線１１４と第２メタル配線１１５との間には空隙１１６が形成されており、この空隙１１６と、その上下に配置された第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５とによって、容量素子２０１が形成されている。

上記容量素子２０１の下部のシリコン基板層１１０には、酸化シリコン層１１２に達する１μｍ角〜３００μｍ角程度の開口部１１７が形成されており、開口部１１７の内部にはゴム状弾性体１１８が充填されている。開口部１１７に充填されたゴム状弾性体１１８は、外部からＩＣチップ１０３に加わる圧力を酸化シリコン層１１２に伝える媒体として機能する。

すなわち、ゴム状弾性体１１８に外部から圧力が加わると、この圧力がゴム状弾性体１１８の内部を伝って酸化シリコン層１１２に達する。前述したように、酸化シリコン層１１２は、その膜厚が極めて薄い（０．０１μｍ〜５μｍ程度）ので、僅かな圧力が加わっただけでも容易に変形する。そして、酸化シリコン層１１２が変形すると、酸化シリコン層１１２と接する第１メタル配線１１４が変位するので空隙１１６の容積が変化し、これに伴って容量素子２０１の容量値が変化する。前述したように、容量値の変化は、容量素子２０１に接続された容量検出回路２０２によって検出され、ディジタル変換回路２０３によってディジタル変換された後、送信回路２０５に伝達される。このように、容量素子２０１、酸化シリコン層１１２およびゴム状弾性体１１８は、ＩＣチップ１０３に加わる圧力を検出する圧力センサを構成している。ゴム状弾性体１１８が充填された開口部１１７は、この圧力センサの構造を強固にする支持体として機能する。

図５に示すように、ＩＣチップ１０３のＲＯＭ２０４に書き込まれた認識番号を読み取る際には、無線ＩＣタグ１００にリーダ３００を近接させる。このリーダ３００には、無線ＬＡＮ、ブルーツース、携帯電話など、５ｍ〜１０ｋｍ以上離れた遠方とのマイクロ波通信に利用されている高誘電体セラミックアンテナが内蔵されている。この高誘電体セラミックアンテナを通じて無線ＩＣタグ１００のＩＣチップ１０３に電磁波エネルギーを供給すると、ＩＣチップ１０３が動作を開始し、ＲＯＭ２０４に書き込まれた認識番号が小型アンテナ１０２を通じてリーダ３００に無線送信される。

一方、図６に示すように、リーダ３００を無線ＩＣタグ１００に密着させ、ＩＣチップ１０３のゴム状弾性体１１８に圧力を加えると、前述したように、容量素子２０１の容量値が変化する。この容量値の変化は、容量検出回路２０２、ディジタル変換回路２０３を経て送信回路２０５に送信され、小型アンテナ１０２を通じてリーダ３００に無線送信される。これにより、ＩＣチップ１０３に加わる圧力値がリーダ３００によって読み取られる。

無線ＩＣタグ１００のＩＣチップ１０３に圧力センサを形成するには、図７に示すように、シリコン基板層１１０とシリコンデバイス層１１１との間に酸化シリコン層１１２を形成したＳＯＩ構造の半導体ウエハ１２０を用意する。そして、まずシリコンデバイス層１１１に図示しないＭＯＳトランジスタおよび抵抗素子などの半導体素子を形成した後、シリコンデバイス層１１１の一部をエッチングして溝１２１を形成し、溝１２１の底部に酸化シリコン層１１２を露出させる。

次に、図８に示すように、一端が溝１２１の底部の酸化シリコン層１１２に接するような第１メタル配線１１４を形成する。第１メタル配線１１４を形成するには、シリコンデバイス層１１１の上部にアルミニウムなどのメタル膜を堆積した後、周知のフォトリソグラフィ技術を用いてこのメタル膜をパターニングする。

次に、図９に示すように、溝１２１の内部にシリコン層１２２を埋め込む。溝１２１の内部にシリコン層１２２を埋め込むには、例えばシリコンデバイス層１１１の上部に多結晶シリコン膜を堆積した後、溝１２１の外部の多結晶シリコン膜をエッチバックして除去する。

次に、図１０に示すように、一端が溝１２１の上部に延在するような第２メタル配線１１５を形成する。第２メタル配線１１５を形成するには、シリコンデバイス層１１１の上部にアルミニウムなどのメタル膜を堆積した後、周知のフォトリソグラフィ技術を用いてこのメタル膜をパターニングする。

次に、図１１に示すように、溝１２１の内部に埋め込んだシリコン層１２２をウェットエッチングで除去する。シリコン層１２２をウェットエッチングするには、例えばヒドラジン、アンモニア、水酸化カリウムなどの水溶液を使用する。なお、溝１２１の内部に埋め込む材料は多結晶シリコン膜に限定されるものではなく、シリコンデバイス層１１１および酸化シリコン層１１２に対して充分なエッチング選択比を持った絶縁材料などを使用してもよい。

次に、図１２に示すように、シリコンデバイス層１１１の上部に配線層１１３を形成すると、溝１２１の内部に空隙１１６が形成され、この空隙１１６と、その上下に配置された第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５とによって、容量素子２０１が形成される。なお、第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５は、配線層１１３に配線を形成する工程を利用して形成することもできる。

次に、図１３に示すように、シリコン基板層１１０をエッチングして酸化シリコン層１１２に達する開口部１１７を形成した後、図１４に示すように、開口部１１７の内部にゴム状弾性体１１８を充填する。開口部１１７の内部に充填する材料は、外部からＩＣチップ１０３に加わる圧力を酸化シリコン層１１２に伝える媒体として機能できるものであれば、ゴム状弾性体１１８に限定されない。

このように、本実施の形態によれば、無線ＩＣタグ１００の内部に小型で高感度の圧力センサを組み込むことが可能となる。

（実施の形態２）
図１５は、本実施の形態の無線ＩＣタグに搭載されたＩＣチップを示す主要部平面図、図１６は、図１５のＢ−Ｂ線に沿ったＩＣチップの主要部を示す断面図である。

ＩＣチップ１０３のシリコンデバイス層１１１には、第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５が形成されている。第１メタル配線１２４と第２メタル配線１２５とは対向して配置され、それぞれの一部が酸化シリコン層１１２と接するように形成されている。第１メタル配線１２４と第２メタル配線１２５との間には空隙１２６が形成されており、この空隙１２６と、その左右に配置された第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５とによって、容量素子２１１が形成されている。

容量素子２１１の下部のシリコン基板層１１０には、酸化シリコン層１１２に達する１μｍ角〜３００μｍ角程度の開口部１１７が形成されており、開口部１１７の内部には、外部からＩＣチップ１０３に加わる圧力を酸化シリコン層１１２に伝えるゴム状弾性体１１８が充填されている。

ゴム状弾性体１１８に外部から圧力が加わると、この圧力がゴム状弾性体１１８の内部を伝って酸化シリコン層１１２に達する。前述したように、酸化シリコン層１１２は、その膜厚が極めて薄いので、僅かな圧力が加わっただけでも容易に変形する。そして、酸化シリコン層１１２が変形すると、酸化シリコン層１１２と接する第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５が変位するので空隙１２６の容積が変化し、これに伴って容量素子２１１の容量値が変化する。すなわち、容量素子２１１、酸化シリコン層１１２およびゴム状弾性体１１８は、ＩＣチップ１０３に加わる圧力を検出する圧力センサを構成している。ＩＣチップ１０３の上記した以外の構造は、前記実施の形態１と同じである。

本実施の形態の圧力センサを形成するには、図１７に示すように、ＳＯＩ構造を有する半導体ウエハ１２０のシリコンデバイス層１１１に図示しないＭＯＳトランジスタおよび抵抗素子などの半導体素子を形成した後、シリコンデバイス層１１１の一部をエッチングして溝１３１を形成し、溝１３１の底部に酸化シリコン層１１２を露出させる。

次に、図１８に示すように、それぞれの一端が溝１３１の底部の酸化シリコン層１１２に接するような第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５を対向して形成する。第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５を形成するには、シリコンデバイス層１１１の上部にアルミニウムなどのメタル膜を堆積した後、周知のフォトリソグラフィ技術を用いてこのメタル膜をパターニングする。

次に、図１９に示すように、シリコンデバイス層１１１の上部に配線層１１３を形成した後、配線層１１３をエッチングして空隙１２６を形成することにより、この空隙１２６と、その左右に配置された第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５とによって、容量素子２１１が形成される。なお、第１メタル配線１２４および第２メタル配線１２５は、配線層１１３に配線を形成する工程を利用して形成することもできる。

次に、図２０に示すように、シリコン基板層１１０をエッチングして酸化シリコン層１１２に達する開口部１１７を形成した後、開口部１１７の内部にゴム状弾性体１１８を充填する。

（実施の形態３）
図２１は、本実施の形態の無線ＩＣタグに搭載されたＩＣチップの主要部を示す断面図である。

ＩＣチップ１０３のシリコンデバイス層１１１には、第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５が形成されている。前記実施の形態１と同じように、第１メタル配線１１４は、その一部が酸化シリコン層１１２と接するように形成されており、第２メタル配線１１５は、その一部が第１メタル配線１１４の一部と重なるように配置されている。

また、第１メタル配線１１４と第２メタル配線１１５との間には空隙１２７が形成されており、この空隙１２７と、第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５とによって、容量素子２２１が形成されている。前記実施の形態２と同じように、空隙１２７は、シリコンデバイス層１１１とその上部の配線層１１３とに形成されている。

本実施の形態の容量素子２２１は、前記実施の形態１の容量素子２０１および前記実施の形態２の容量素子２１１に比べて、第１メタル配線１１４と第２メタル配線１１５とが重なる領域の面積が大きいので、容量値を大きくすることができる。また、空隙１２７の容積も大きいので、圧力変動による容量値の変動を大きくすることができる。容量素子２２１は、前記実施の形態１の容量素子２０１の製造方法および前記実施の形態２の容量素子２１１の製造方法に準じて製造することができる。

（実施の形態４）
図２２は、前記無線ＩＣタグ１００の一使用例を示す説明図である。ここでは、無線ＩＣタグ１００を人の指４００の先端に取り付けた例を示している。

例えば１０本の指のそれぞれに無線ＩＣタグ１００を取り付けて楽器の鍵盤を叩く。鍵盤には、前記図６に示すようなリーダ３００を取り付けておく。このようにすると、それぞれの鍵盤に取り付けたリーダ３００からの電磁エネルギーによって指先の無線ＩＣタグ１００が動作し、ＲＯＭ２０４の認識番号と、圧力センサによって検知された圧力値とをリーダ３００に送信するので、どの指がどんな圧力で鍵盤を叩いたかを検出することができる。

（実施の形態５）
図２３は、前記無線ＩＣタグ１００の他の使用例を示す説明図である。ここでは、無線ＩＣタグ１００を可撓性の媒体４０１に貼り付けた例を示している。

可撓性の媒体４０１の一部に無線ＩＣタグ１００を取り付けておくと、外部圧力によって媒体４０１が湾曲した場合、ＩＣチップ１０３に内蔵された容量素子２０１の容量値が変化する。そこで、容量値の変化をリーダ３００に送信することにより、媒体４０１に印加された外部圧力の大きさや、媒体４０１の湾曲量を検出することができる。

（実施の形態６）
図２４は、前記無線ＩＣタグ１００の他の使用例を示す説明図である。ここでは、無線ＩＣタグ１００を手袋４０２の先端に貼り付けた例を示している。

手袋４０２の先端に貼り付けた無線ＩＣタグ１００は、固有の認識番号と圧力センサを備えているので、この手袋４０２を装着した指でリーダ３００が内蔵された物体を接触すると、どの指がどんな圧力で物体に触れたかを検出することができる。これにより、ゲーム、音楽、痴ほう防止訓練、リハビリ訓練などに応用することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明は、圧力センサを備えた小型無線ＩＣタグに適用することができる。

本発明の一実施の形態である無線ＩＣタグの全体平面図である。図１に示す無線ＩＣタグのＩＣチップの主要部を示す平面図である。図２のＡ−Ａ線に沿ったＩＣチップの主要部を示す断面図である。ＩＣチップに形成された回路のブロック図である。ＩＣチップのＲＯＭに書き込まれた認識番号の読み取り方法を説明する図である。ＩＣチップに加わる圧力の検出方法を説明する図である。本発明の一実施の形態である無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図７に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図８に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図９に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１０に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１１に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１２に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１３に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。本発明の他の実施の形態である無線ＩＣタグに搭載されたＩＣチップの主要部を示す平面図である。図１５のＢ−Ｂ線に沿ったＩＣチップの主要部を示す断面図である。本発明の他の実施の形態である無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１７に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１８に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。図１９に続く無線ＩＣタグの製造方法を示す半導体ウエハの断面図である。本発明の他の実施の形態である無線ＩＣタグに搭載されたＩＣチップの主要部を示す断面図である。本発明の無線ＩＣタグの一使用例を示す説明図である。本発明の無線ＩＣタグの他の使用例を示す説明図である。本発明の無線ＩＣタグの他の使用例を示す説明図である。

符号の説明

１００無線ＩＣタグ
１０１支持基板
１０２小型アンテナ
１０３ＩＣチップ
１１０シリコン基板層
１１１シリコンデバイス層
１１２酸化シリコン層
１１３配線層
１１４第１メタル配線
１１５第２メタル配線
１１６空隙
１１７開口部
１１８ゴム状弾性体
１２０半導体ウエハ
１２１溝
１２２シリコン層
１２４第１メタル配線
１２５第２メタル配線
１２６、１２７空隙
１３１溝
２０１容量素子
２０２容量検出回路
２０３ディジタル変換回路
２０４ＲＯＭ
２０５送信回路
２１１容量素子
２２１容量素子
３００リーダ
４００指
４０１媒体
４０２手袋

Claims

支持基板と、前記支持基板の一面に形成されたアンテナと、前記支持基板に搭載されたＩＣチップと、前記ＩＣチップに内蔵された圧力センサを備えた無線ＩＣタグであって、
前記ＩＣチップは、シリコン基板層とシリコンデバイス層との間に酸化シリコン層を形成したＳＯＩ構造を有し、
前記ＳＯＩ構造には、前記シリコン基板層に、前記酸化シリコン層に達する開口部が形成され、
前記圧力センサは、前記酸化シリコン層に接触する第１配線と、前記第１配線と空隙を介して設けられた第２配線とで形成された容量素子を前記開口部の近傍に備え、外部から前記ＩＣチップに加わる圧力に応じて変化する前記容量素子の容量変化を検出することを特徴とする無線ＩＣタグ。
前記開口部の内部には、外部から前記ＩＣチップに加わる圧力を前記酸化シリコン層に伝える媒体が充填されていることを特徴とする請求項１記載の無線ＩＣタグ。
前記媒体は、ゴム状弾性体からなることを特徴とする請求項２記載の無線ＩＣタグ。
前記ＩＣチップの前記シリコンデバイス層には、前記無線ＩＣタグに固有の認識番号が書き込まれたＲＯＭが形成されていることを特徴とする請求項１記載の無線ＩＣタグ。
支持基板と、前記支持基板の一面に形成されたアンテナと、前記支持基板に搭載されたＩＣチップとを備えた無線ＩＣタグであって、
前記ＩＣチップは、シリコン基板層とシリコンデバイス層との間に酸化シリコン層を形成したＳＯＩ構造を有し、
前記ＳＯＩ構造には、前記シリコン基板層に、前記酸化シリコン層に達する開口部が形成され、
前記ＩＣチップには、外部から前記ＩＣチップに加わる圧力を感知する圧力センサと、前記無線ＩＣタグに固有の認識番号が書き込まれたＲＯＭとが形成され、
前記圧力センサは、前記酸化シリコン層に接触する第１配線と、前記第１配線と空隙を介して設けられた第２配線とで形成された容量素子を前記開口部の近傍に備え、外部から前記ＩＣチップに加わる圧力に応じて変化する前記容量素子の容量変化を検出し、
前記圧力センサの検出結果をデジタル化して、前記ＲＯＭに書き込まれた前記認識番号と共に、外部に無線送信することを特徴とする無線ＩＣタグ。
前記ＩＣチップの外形寸法は、０．５ｍｍ角以下であることを特徴とする請求項５記載の無線ＩＣタグ。
前記開口部の内部には、外部から前記ＩＣチップに加わる圧力を前記酸化シリコン層に伝えるゴム状弾性体からなる媒体が充填されていることを特徴とする請求項５記載の無線ＩＣタグ。