JP2005250256A - 半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 エッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、金属反射層（金属層）のエッチャントに対して耐性のある透明導電層を備える半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及び、その半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と電気的に接続する金属反射層と、を具備してなることを特徴とする半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置である。この半透過・半反射電極基板は、エッチング時の残渣の発生がほとんどなく、加工性に優れ、歩留りも向上する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板に関する。また、本発明は、その半透過・半反射電極基板を製造する方法に関し、製造した半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置に関する。

半透過半反射型液晶表示装置は、反射電極及び透明電極のいずれも備えた液晶表示装置である。このため、この装置は、透過型液晶表示装置の機能と、反射型液晶表示装置の機能と、を同時に備えている。従来から、この半透過半反射型液晶表示装置は、以下に示す理由などから鋭意研究開発されている。

（１）液晶表示装置が半透過半反射型であるため、比較的外光の強い屋外では、外光を利用して液晶表示を行う反射型として使用でき、比較的外光の弱い屋内では、バックライトを利用して液晶表示を行う透過型として使用できる。このため、屋外、屋内を問わず高い明度で表示できる。
（２）明るい場所（外光の強い場所）で使用する場合、液晶表示装置を反射型として使用できるので消費電力を節約できる。
（３）屋外では反射型として使用できるため、低消費電力で作動可能である。このため、携帯用ディスプレイに好適である。
（４）フルカラー化も容易である。

しかしながら、半透過半反射型液晶では、液晶駆動用の電極部において、反射電極と透明電極を同一画素内に設置する必要があり、製造工程が煩雑で、歩留りの低下や高価格化が生じてしまう問題や、反射型と、透過型とでは、液晶表示の見え方が異なるために見えにくいなどの問題があった。

そこで、下記特許文献１及び下記特許文献２には、銀反射膜を形成後、この銀反射膜を保護膜で覆い、その上に液晶駆動用の透明電極を設けた構造を有する半透過半反射液晶駆動用電極が開示されている。これらの銀反射層と液晶駆動用の透明電極が、互い違いに配置されることにより、半透過半反射機能を発揮する半透過半反射液晶駆動電極が形成されている。
また、下記特許文献３には、金属系半透過反射層の下に、さらに補助的な反射機能を持つＳｉ薄膜などを設置した半透過反射膜が開示されている。

特開２００２−４９０３４号公報 特開２００２−４９０３３号公報 特開２００１−３０５５２９号公報

しかしながら、上記特許文献１〜３などによると、透明電極部分と、反射電極部分と、が別々にエッチングされている。このため、透明電極部分となる層と、反射電極部分となる層と、を形成するために、「成膜−フォトリソグラフィーによるエッチング−成膜−フォトリソグラフィーによるエッチング」という繰り返し工程を行う必要がある。この時、透明電極部分となる層と、反射電極部分となる層と、は電気的に接続されており、これら電極層をエッチングする際に使用する現像液や、エッチャント、剥離剤により電池反応が発生し、局所的に反射基板（反射電極部分）が腐食される場合がある。

また、透明電極の上に反射電極を具備する場合、反射電極をエッチングする際に、透明電極にダメージを与える恐れがあった。特に、一般的に、透明電極に使用されている材料として、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）が挙げられ、反射電極に使用される材料として、Ａｌが挙げられるが、ＩＴＯはＡｌと接触している場合、電池反応を起こしやすいという問題があった。

また、結晶質のＩＴＯの場合には、王水や塩酸などの強酸でなければエッチングできず、例えばＴＦＴの配線材料などを腐食してしまう問題が生じることもあった。一方、非晶質のＩＴＯの場合には、下地基板との密着性の低下がしばしば見られたり、ＴＦＴ配線材料との接触抵抗の増大を招く場合もあった。また、エッチング時に残渣を発生し、電極間のショートや液晶駆動のトラブルを発生する恐れもあった。一方、非晶質系の材料としてＩＺＯ（登録商標：出光興産株式会社、インジウム−亜鉛酸化物）が考案されているが、この材料は、透明電極上に、Ａｌを含む反射電極を具備する場合には、Ａｌのエッチャントでも溶解する性質があるため、使用が困難であった。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、エッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、反射電極のエッチャントに対して耐性のある透明電極を備える半透過・半反射電極基板を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、上記半透過・半反射電極基板を効率よく得られる製造方法を提供することである。
また、本発明のさらに他の目的は、上記半透過・半反射電極基板を利用した液晶表示装置を提供することである。

（１）そこで、上記課題を解決するために、本発明の第１の半透過・半反射電極基板は、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と電気的に接続する金属反射層と、を具備してなることを特徴とする半透過・半反射電極基板である。

尚、本特許で「酸化インジウムを主成分として含む」とは、酸化インジウムを主要な成分として含むことを意味し、概ね重量組成比率で５０％以上の場合を意味する。
ランタノイド系金属酸化物を添加することにより、透明導電層を成膜後、成膜した透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは、８０℃〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由としては、基板温度を室温以下に制御するためには、冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度を２００℃以上とすると、透明導電層の結晶化などにより、蓚酸を含むエッチャントでのエッチングができなくなる場合があるからである。

また、成膜中の雰囲気ガス中に、水や水素を添加することもできる。これにより、成膜された透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングしやすくなり、より残渣を低減することができる。雰囲気ガス中の水や水素の濃度は、０．１〜１０％であることが好ましい。水や水素の濃度が０．１％未満では、添加効果が小さくなり過ぎる場合があり、一方、水や水素の濃度が１０％以上では、成膜した透明導電層の抵抗値が大きくなりすぎる場合があるからである。

また、上記金属酸化物の添加により、成膜した上記透明導電層をエッチングした後、基板の温度を２００℃以上に加熱することにより、基板上の透明導電層を簡単に結晶化することができる。この結晶化温度は、好適には２２０℃以上であり、より好ましくは２３０℃以上である。
透明導電層を結晶化させることにより、金属反射層のエッチャントである燐酸・酢酸・硝酸の混酸でのエッチャントによる透明導電層のダメージを回避することができる。また、透明導電層中に、ランタノイド系金属酸化物を添加することにより電池反応を抑えることができる。

透明導電層の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電層の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電層の表面抵抗が上昇する場合があり、一方、透明導電層の膜厚が５００ｎｍ超では、透過率が低下したり、加工精度に問題が生じる場合がある。

金属反射層の反射率は、８０％以上であることが好ましい。なお、本発明に係る反射率は、縦軸（Ｙ軸）に反射率を表し、横軸（Ｘ軸）に波長を表したグラフを用いて測定している。すなわち、反射率は、このグラフ中の波長４００〜７００ｎｍにおける測定範囲において、各波長での反射率を１００％とした場合の面積を１００とし、この面積に対して、金属反射層（または金属層）についての実測データの面積の割合を％で表示した値と定義する。
ここで、上記面積とは、上記グラフ中の波長４００〜７００ｎｍの測定範囲において、Ｘ軸と、反射率のスペクトルと、に囲まれた面積のことである。この面積は、反射率のスペクトルについて、４００〜７００ｎｍまで、積分した値に等しいことはいうまでもない。

金属反射層の膜厚は、好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍである。金属反射層の膜厚が１０ｎｍ未満では、反射率が８０％以上にならない場合があり、一方、１０００ｎｍ超では、加工精度に問題が生じる場合がある。
また、透明導電層は、光をほぼ透過する機能を備え、一方、金属反射層は光をほぼ反射する機能を備えている。このような機能を備えた透明導電層と、この透明導電層と電気的に接続された上記金属反射層と、を同時に備えることにより、半透過・半反射電極基板となる。

（２）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む前記透明導電層中の酸化インジウムの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８から０．９９であることを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板である。

透明導電層中の組成は、重量比として酸化インジウムの組成比率（以下、単に、重量比と記載することもある）が、［Ｉｎ］／［全メタル］＝０．８から０．９９である。酸化インジウムの組成比率が０．８未満では、透明導電層の抵抗値が増大したり、透明導電層が成膜した基板を２００℃以上に加熱しても、透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。また、酸化インジウムの組成比率が０．９９超では、透明導電層の成膜時に、透明導電層が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントでエッチングできなかったり、残渣が大量に発生してしまう場合があるからである。ここで、［Ｉｎ］は、透明導電層中の単位体積当たりの酸化インジウムの重量を表し、［全メタル］は、透明導電層中の単位体積当たりの全金属酸化物の重量を表す。

また、第３の原子として、上記透明導電層中に、Ｓｎ、Ｚｎを添加することができる。なお、第１の原子とは、酸化インジウム中のインジウム原子であり、第２の原子とは、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物中のランタノイド系金属原子である。
Ｓｎを添加する場合には、重量比としてＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。透明導電層中の［Ｓｎ］／［全メタル］の値が、０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生する場合がある。ここで、［Ｓｎ］は、透明導電層中の単位体積当たりの酸化スズの重量を表す。

また、Ｚｎを添加する場合には、重量比としてＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。透明導電層中の［Ｚｎ］／［全メタル］の値が、０．１以上になると、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、金属反射層をエッチングする時に、透明導電層にダメージを与えることがある。ここで、［Ｚｎ］は、透明導電層中の単位体積当たりの酸化亜鉛の重量を表す。

（３）また、本発明は、前記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを主成分として含む層を有することを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板である。
上記金属反射層に含まれる層（ＡｌまたはＡｇを主成分とする層）は、ＡｌまたはＡｇを第１の金属として主成分とする他に、第２の金属が添加されることも好ましい。第２の金属としては、Ｎｄなどのランタノイド系金属、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕなどの重金属が添加できる。
尚、本特許で「ＡｌまたはＡｇを主成分とする層」とは、ＡｌまたはＡｇを主要な成分として含む層を意味し、ＡｌまたはＡｇを概ね重量組成比率で５０％以上含む層を意味する。

添加したランタノイド系金属及び重金属の含有量は、好ましくは０．１〜５ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜３ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。ランタノイド系金属及び重金属の含有量が０．１ｗｔ％未満では、添加効果がほとんど現れない場合があり、一方、ランタノイド系金属及び重金属の含有量が５ｗｔ％以上となると、金属反射層の反射率が低下する場合がある。

（４）また、本発明の半透過・半反射電極基板は、前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、及び酸化ホルミウムであることを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板である。

（５）また、本発明の第２の半透過・半反射電極基板は、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられたＴＦＴ素子と、前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と、前記ＴＦＴ素子と、を電気的に接続する金属層と、を含み、且つ前記金属層の反射率が８０％以上であることを特徴とする半透過・半反射電極基板である。

なお、上記ＴＦＴ素子とは、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（薄膜トランジスタ）である。ランタノイド系金属酸化物を添加することにより、透明導電層を成膜後、成膜した透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは８０℃〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由としては、基板温度を室温以下に制御するためには、冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度を２００℃以上とすると、透明導電層の結晶化などにより、蓚酸を含むエッチャントでのエッチングが、できなくなる場合があるからである。

また、成膜中の雰囲気ガス中に、水や水素を添加することもできる。これにより、成膜された透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いて、エッチングしやすくなり、より残渣を低減することができる。雰囲気ガス中の水や水素の濃度は、０．１〜１０％であることが好ましい。水や水素の濃度が０．１％未満では、添加効果が小さくなり過ぎる場合があり、一方、水や水素の濃度が１０％以上では、成膜した透明導電層の抵抗値が大きくなりすぎる場合があるからである。

また、上記金属酸化物の添加により、成膜した上記透明導電層をエッチングした後、基板の温度を２００℃以上に加熱することにより、基板上の透明導電層を簡単に結晶化することができる。この結晶化温度は、好適には２２０℃以上であり、より好ましくは２３０℃以上である。透明導電層を結晶化させることにより、金属反射層のエッチャントである燐酸・酢酸・硝酸の混酸でのエッチャントによる透明導電層のダメージを回避することができる。

透明導電層の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電層の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電層の表面抵抗が上昇する場合があり、一方、透明導電層の膜厚が、５００ｎｍ超では、透過率が低下したり、加工精度に問題が生じる場合がある。
金属反射層の膜厚は、好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍである。金属反射層の膜厚が１０ｎｍ未満では、反射率が８０％以上にならない場合があり、一方、１０００ｎｍ超では、加工精度に問題が生じる場合がある。

また、透明導電層は、光をほぼ透過する機能を備え、一方、金属層は光をほぼ反射する機能を備えている。当該透明導電層と、ＴＦＴ素子と、を金属層により電気的に接続させることにより、透明導電層及び金属層が、液晶表示装置に用いられる電極として機能するようになり、且つ、当該金属層の反射率が８０％以上であることから、当該金属層は反射電極として機能するようになる。このように、反射電極として機能する金属層と、透明導電層と、を同時に備えることにより、目的とする半透過・半反射電極基板となるのである。

（６）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む前記透明導電層中の酸化インジウムの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８から０．９９であることを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板である。

透明導電層中の組成は、重量比として酸化インジウムの組成比率が、［Ｉｎ］／［全メタル］＝０．８から０．９９である。酸化インジウムの組成比率が０．８未満では、透明導電層の抵抗値が増大したり、透明導電層が成膜した基板を２００℃以上に加熱しても、透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。また、酸化インジウムの組成比率が０．９９超では、透明導電層の成膜時に、透明導電層が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントでエッチングできなかったり、残渣が大量に発生してしまう場合があるからである。

また、第３の原子として、上記透明導電層中に、Ｓｎ、Ｚｎを添加することができる。なお、第１の原子とは、酸化インジウム中のインジウム原子であり、第２の原子とは、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物中のランタノイド系金属原子である。
Ｓｎを添加する場合には、重量比としてＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。透明導電層中の［Ｓｎ］／［全メタル］の値が、０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生する場合がある。
また、Ｚｎを添加する場合には、重量比としてＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。透明導電層中の［Ｚｎ］／［全メタル］の値が、０．１以上になると、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、金属反射層をエッチングする時に、透明導電層にダメージを与えることがある。

（７）また、本発明は、前記反射率が８０％以上である金属層が、ＡｌまたはＡｇを主成分として含む層を有することを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板である。

金属層の反射率が８０％以上でない場合には、外光の反射率が低くなることがあり、液晶表示が見えにくくなったりすることがある。
上記金属層に含まれる層（ＡｌまたはＡｇを主成分とする層）は、ＡｌまたはＡｇを第１の金属として主成分とする他に、第２の金属が添加されることも好ましい。第２の金属としては、Ｎｄなどのランタノイド系金属、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕなどの重金属が添加できる。

添加したランタノイド系金属及び重金属の含有量は、好ましくは０．１〜５ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜３ｗｔ％であり、さらに好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。ランタノイド系金属及び重金属の含有量が０．１ｗｔ％未満では、添加効果がほとんど現れない場合があり、一方、ランタノイド系金属及び重金属の含有量が５ｗｔ％以上となると、金属層の反射率が低下する場合がある。

（８）また、本発明は、前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、及び酸化ホルミウムであることを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板である。
（９）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含み、且つ前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、前記透明導電層と電気的に接続した金属層をエッチングし、前記金属反射層を形成するステップと、を含むことを特徴とする上記第１の半透過・半反射電極基板の製造方法である。

蓚酸を含むエッチャントの蓚酸濃度は、１〜１０ｗｔ％であることが好ましく、より好ましくは、１〜５ｗｔ％である。蓚酸濃度が１ｗｔ％未満では、透明導電層のエッチング速度が遅くなる場合があり、１０ｗｔ％超では、蓚酸の結晶が、蓚酸を含むエッチャントの水溶液中に析出する場合があるからである。
金属層のエッチングに用いる上記混酸中の燐酸・酢酸・硝酸の濃度は適宜選択できるが、燐酸濃度としては、４０〜９５ｗｔ％であることが好ましく、酢酸濃度としては、５〜６０ｗｔ％であることが好ましく、硝酸濃度としては、０．５〜５ｗｔ％であることが好ましい。この混酸は、適宜水で希釈することもできる。
金属層を成膜する前もしくは、成膜した後、透明導電層が成膜した基板を２００℃以上、好ましくは、２２０℃以上、より好ましくは、２３０℃以上に加熱して、透明導電層を結晶化させることが望ましい。透明導電層を結晶化させておくことにより、燐酸・酢酸・硝酸の混酸により、金属層をエッチングする時の透明導電層へのダメージを低減できる。

（１０）また、本発明は、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含み、且つ前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、前記透明導電層と、ＴＦＴ素子と、を電気的に接続し、かつその反射率が８０％以上である前記金属層を、燐酸・蓚酸・硝酸を含む混酸により、エッチングするステップと、を含むことを特徴とする上記第２の半透過・半反射電極基板の製造方法である。

透明導電層と、ＴＦＴ素子と、を金属層により電気的に接続させることにより、透明導電層及び金属層は、ＴＦＴ駆動方式の液晶駆動電極として機能することができる。また、上述したように、透明導電層は、光をほぼ透過する機能を備え、金属層は光をほぼ反射する機能を備えている。当該金属層が反射電極として機能することにより、半透過・半反射電極基板となる。

（１１）また、本発明は、前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、及び酸化ホルミウムであることを特徴とする上記第１または第２の半透過・半反射電極基板の製造方法である。
（１２）また、本発明は、上記第１または第２の半透過・半反射電極基板と、前記半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層と、を含む液晶表示装置である。

液晶表示装置は、第１または第２の半透過・半反射電極基板を備えるため、反射型液晶表示装置としての機能と、透過型液晶表示装置としての機能と、を同時に備えるのである。

上記の通り、本発明の半透過・半反射電極基板は、製造時に、弱酸（有機酸など、特に蓚酸）を用いた透明導電層のエッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、その上部の金属反射層（金属層）をエッチングする際に、当該金属反射層（金属層）のエッチャント（混酸）に対して耐性のある透明導電層を備えている。このため、本発明の半透過・半反射電極基板は、加工性に優れる。

また、本発明の半透過・半反射電極基板の製造方法によれば、弱酸（有機酸など、特に蓚酸）を用いた透明導電層のエッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、その上部の金属反射層（金属層）をエッチングする際に、当該金属反射層（金属層）のエッチャント（混酸）に対して耐性のある透明導電層を備える半透過・半反射電極基板を提供することが可能となる。このため、この半透過・半反射電極基板の製造工程における歩留りが向上する。
また、本発明の液晶表示装置は、上記半透過・半反射電極基板を備えることにより、製造効率が向上する。

以下、図面を用いて、本実施の形態の好適な例について説明する。

図１には、本実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の部分断面図が示されている。透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。

次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。

この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ_４−ＮＨ_３−Ｎ_２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ_４−Ｎ_２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。

続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ_４−Ｈ_２−ＰＨ_３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ_２ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。

このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化ジスプロシウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３とＤｙ_２Ｏ_３の重量比である［Ｉｎ_２Ｏ_３］／（［Ｉｎ_２Ｏ_３］＋［Ｄｙ_２Ｏ_３］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３焼結体である。ここで、［Ｉｎ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化インジウムの重量を表し、［Ｄｙ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化ジスプロシウムの重量を表す。

スパッタリングは、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ_２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。

前記ジスプロシウムがターゲット内に含まれる形態は、Ｄｙ_２Ｏ_３などの酸化ジスプロシウムの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、ＤｙＩｎＯ_３などの酸化インジウム−酸化ジスプロシウム間の複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ジスプロシウム原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ジスプロシウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、ジスプロシウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。

上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９の比抵抗は、５．２×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることを確認した。

このＩｎ_２Ｏ_３−Ｄｙ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。

次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、透明樹脂レジスト１０上に、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、上記金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。

なお、薄膜トランジスタであるＴＦＴ素子は、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるゲート電極２、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４、ドレイン電極７、及びソース電極８、等から構成される。
また、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。

実施例２におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１と同様である。したがって、実施例２のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。

図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。

次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。

この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ_４−ＮＨ_３−Ｎ_２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ_４−Ｎ_２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。

続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ_４−Ｈ_２−ＰＨ_３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ_２ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。

このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化ホルミウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３とＨｏ_２Ｏ_３の重量比である［Ｉｎ_２Ｏ_３］／（［Ｉｎ_２Ｏ_３］＋［Ｈｏ_２Ｏ_３］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ_２Ｏ_３−Ｈｏ_２Ｏ_３焼結体である。ここで、［Ｉｎ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化インジウムの重量を表し、［Ｈｏ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化ホルミウムの重量を表す。

スパッタリングは、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｈｏ_２Ｏ_３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ_２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。

前記ホルミウムがターゲット内に含まれる形態は、Ｈｏ_２Ｏ_３などの酸化ホルミウムの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、ＨｏＩｎＯ_３、（Ｈｏ_０．５Ｉｎ_０．５）_２Ｏ_３などの酸化インジウム−酸化ホルミウム間の複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ホルミウム原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ホルミウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、ホルミウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。

上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ_２Ｏ_３−Ｈｏ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｈｏ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９の比抵抗は、５．４×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることを確認した。

このＩｎ_２Ｏ_３−Ｈｏ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。

次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、透明樹脂レジスト１０上に、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、上記金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。

なお、薄膜トランジスタであるＴＦＴ素子は、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるゲート電極２、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４、ドレイン電極７、及びソース電極８、等から構成される。
また、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、上記実施例１と同様に、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。

実施例３におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１及び２におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１と同様である。したがって、実施例３のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。

図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。

次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。

この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ_４−ＮＨ_３−Ｎ_２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ_４−Ｎ_２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。

続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ_４−Ｈ_２−ＰＨ_３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ_２ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。

このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化ガドリニウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３とＧｄ_２Ｏ_３の重量比である［Ｉｎ_２Ｏ_３］／（［Ｉｎ_２Ｏ_３］＋［Ｇｄ_２Ｏ_３］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ_２Ｏ_３−Ｇｄ_２Ｏ_３焼結体である。ここで、［Ｉｎ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化インジウムの重量を表し、［Ｇｄ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化ガドリニウムの重量を表す。

スパッタリングは、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｇｄ_２Ｏ_３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ_２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。

前記ガドリニウムがターゲット内に含まれる形態は、Ｇｄ_２Ｏ_３などの酸化ガドリニウムの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、ＧｄＩｎＯ_３などの酸化インジウム−酸化ガドリニウム間の複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ガドリニウム原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ガドリニウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、ガドリニウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。

上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ_２Ｏ_３−Ｇｄ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｇｄ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９の比抵抗は、７．４×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることを確認した。

このＩｎ_２Ｏ_３−Ｇｄ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。

次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、透明樹脂レジスト１０上に、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、上記金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。

なお、薄膜トランジスタであるＴＦＴ素子は、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるゲート電極２、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４、ドレイン電極７、及びソース電極８、等から構成される。
また、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、上記実施例１及び２と同様に、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。

実施例４におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１〜３におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１と同様である。したがって、実施例４のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。

図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。

次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。

この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ_４−ＮＨ_３−Ｎ_２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ_４−Ｎ_２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。

続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ_４−Ｈ_２−ＰＨ_３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ_２ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。

このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化エルビウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３とＥｒ_２Ｏ_３の重量比である［Ｉｎ_２Ｏ_３］／（［Ｉｎ_２Ｏ_３］＋［Ｅｒ_２Ｏ_３］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ_２Ｏ_３−Ｅｒ_２Ｏ_３焼結体である。ここで、［Ｉｎ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化インジウムの重量を表し、［Ｅｒ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化エルビウムの重量を表す。

スパッタリングは、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｅｒ_２Ｏ_３焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ_２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。

前記エルビウムがターゲット内に含まれる形態は、Ｅｒ_２Ｏ_３などの酸化エルビウムの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、（Ｅｒ_０．５Ｉｎ_０．５）_２Ｏ_３などの酸化インジウム−酸化エルビウム間の複合酸化物の形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、エルビウム原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、エルビウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、エルビウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。

上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ_２Ｏ_３−Ｅｒ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ_２Ｏ_３−Ｅｒ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９の比抵抗は、８．０×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることを確認した。

このＩｎ_２Ｏ_３−Ｅｒ_２Ｏ_３膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。

次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、透明樹脂レジスト１０上に、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、上記金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。

なお、薄膜トランジスタであるＴＦＴ素子は、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるゲート電極２、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４、ドレイン電極７、及びソース電極８、等から構成される。
また、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、上記実施例１〜３と同様に、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。

実施例５におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記実施例１〜４におけるα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００の透明導電膜９の組成が異なるのみで、その構造は図１と同様である。したがって、実施例５のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００についても、図１を用いて説明する。

図１に示すように、透光性のガラス基板１上に、高周波スパッタリングにより、その膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上に、その膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。なお、このガラス基板１は、特許請求の範囲に記載の透明基板の一例に相当する。

次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記堆積した金属Ａｌ及び金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２及びゲート電極配線１２を形成した。
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、上記ガラス基板１、上記ゲート電極２、及び上記ゲート電極配線１２上に、ゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）を、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。続いて、このゲート絶縁膜３上に、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を、その膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、さらに、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。

この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３及びチャンネル保護層５については、ＳｉＨ_４−ＮＨ_３−Ｎ_２系混合ガスを用い、一方、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４については、ＳｉＨ_４−Ｎ_２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより、図１に示す形状にエッチングした。

続いて、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ_４−Ｈ_２−ＰＨ_３系の混合ガスを用いて、上記α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及び上記チャンネル保護層５上に、その膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
次に、堆積したこのα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、さらに、金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなり、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍとなり、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるように、順にスパッタリング法により堆積した。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、図１に示す形状にエッチングし、ドレイン電極７のパターン及びソース電極８のパターンとした。さらに、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、及びヒドラジン（ＮＨ_２ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、α−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。また、図１に示すように、透明樹脂レジスト１０を用いて、保護膜を形成し、スルーホール１０ａなどのパターンを形成した。

このゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化セリウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法で堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３とＣｅＯ_２の重量比である［Ｉｎ_２Ｏ_３］／（［Ｉｎ_２Ｏ_３］＋［ＣｅＯ_２］）の値が、０．９７となるように調製したＩｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２焼結体である。ここで、［Ｉｎ_２Ｏ_３］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化インジウムの重量を表し、［ＣｅＯ_２］は、透明導電膜９中の単位体積当たりの酸化セリウムの重量を表す。

スパッタリングは、このＩｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように、透明導電膜９を堆積した。この時、スパッタリング時の放電ガスとして、純アルゴンガス、または１ｖｏｌ％程度の微量のＯ_２ガスが混合したアルゴンガスを用いた。なお、この透明導電膜９は、特許請求の範囲に記載の透明導電層の一例に相当する。

前記セリウムがターゲット内に含まれる形態は、ＣｅＯ、ＣｅＯ_２、Ｃｅ_２Ｏ_３などの酸化セリウムの形で、酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、好ましくは、セリウム原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、セリウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。このように、セリウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。

上記スパッタリングにより、成膜されたＩｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると、ピークは観察されず非晶質膜であることが判明した。また、このＩｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２膜である透明導電膜９の比抵抗は、５．５×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜であることを確認した。

このＩｎ_２Ｏ_３−ＣｅＯ_２膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により、透過画素電極のパターンになるように、エッチングを行った。これにより、図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンを形成した。なお、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、特許請求の範囲に記載の蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。

次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより、透明樹脂レジスト１０上に、金属Ｍｏを、その膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌを、その膜厚が２０００オングストロームとなるように、それぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。なお、これらの金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる層は、特許請求の範囲に記載の金属層の一例に相当する。

燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、この金属Ｍｏ及び金属Ａｌをエッチングし、図１に示す反射電極１１のパターンを形成した。この時、上記金属Ｍｏ及び金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すように、ソース電極８のパターンと、透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンと、が電気的に接触するようなパターンに形成した。この時、金属Ａｌを含むドレイン電極７及びソース電極８が、エッチング液で溶出することはなかった。この反射電極１１の反射率を測定したところ、その反射率は８０％以上であった。

なお、薄膜トランジスタであるＴＦＴ素子は、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００におけるゲート電極２、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４、ドレイン電極７、及びソース電極８、等から構成される。
また、この反射電極１１は、特許請求の範囲に記載の金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、特許請求の範囲に記載の燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）及び遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００上に、液晶層を設けることにより、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。なお、上記実施例１〜４と同様に、このα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、特許請求の範囲に記載の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、特許請求の範囲に記載の液晶表示装置の一例に相当する。

上記実施例１〜５においては、透明導電膜９が、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウム、酸化エルビウム、または酸化セリウムのランタノイド系金属酸化物を含む例について示した。しかし、上記透明導電膜９は、上述したランタノイド系金属酸化物の代わりに、酸化ランタン、または酸化サマリウムを含むことも好ましい。このように、透明導電膜９が、酸化ランタンまたは酸化サマリウムを含む場合にも、本実施例６の透明導電膜９は、上記実施例１〜５の透明導電膜９と同様の作用効果を奏する。

上記実施例１〜５においては、反射電極１１が、金属Ｍｏ層及び金属Ａｌ層から構成される例について示したが、本実施例の反射電極１１は、上記金属Ａｌ層の代わりに、金属Ａｇ層から構成されることも好ましい。すなわち、本実例の反射電極１１は、金属Ｍｏ及び金属Ａｇから構成されることも好ましい。このように、金属Ａｌ層の代わりに、金属Ａｇ層を含む場合にも、実施例７の反射電極１１は、上記実施例１〜５の反射電極１１と同様の作用効果を奏する。

本実施例のα−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板の部分断面図である。

符号の説明

１ ガラス基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
５ チャンネル保護膜
６ α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜
７ ドレイン電極
８ ソース電極
９ 透明導電膜
１０ 透明樹脂レジスト
１０ａ スルーホール
１１ 反射電極
１２ ゲート電極配線
１００ α−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板

Claims (12)

1. 透明基板と、
   前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、
   前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と電気的に接続する金属反射層と、
   を具備してなることを特徴とする半透過・半反射電極基板。
2. 酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む前記透明導電層中の酸化インジウムの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８から０．９９であることを特徴とする請求項１に記載の半透過・半反射電極基板。
3. 前記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを主成分として含む層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半透過・半反射電極基板。
4. 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、及び酸化ホルミウムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板。
5. 透明基板と、
   前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、
   前記透明基板上に設けられたＴＦＴ素子と、
   前記透明基板上に設けられ、且つ前記透明導電層と、前記ＴＦＴ素子と、を電気的に接続する金属層と、
   を含み、且つ前記金属層の反射率が８０％以上であることを特徴とする半透過・半反射電極基板。
6. 酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む前記透明導電層中の酸化インジウムの組成比率である［Ｉｎ］／［全メタル］の値が、０．８から０．９９であることを特徴とする請求項５に記載の半透過・半反射電極基板。
7. 前記反射率が８０％以上である金属層が、ＡｌまたはＡｇを主成分として含む層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の半透過・半反射電極基板。
8. 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、及び酸化ホルミウムであることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板。
9. 酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含み、且つ前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、
   燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により、前記透明導電層と電気的に接続した金属層をエッチングし、前記金属反射層を形成するステップと、
   を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法。
10. 酸化インジウムを主成分として含み、さらに、ランタノイド系金属酸化物から選ばれた一種または二種以上の酸化物を含み、且つ前記透明基板上に成膜された前記透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントにより、エッチングするステップと、
    前記透明導電層と、ＴＦＴ素子と、を電気的に接続し、かつその反射率が８０％以上である前記金属層を、燐酸・蓚酸・硝酸を含む混酸により、エッチングするステップと、
    を含むことを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法。
11. 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化エルビウム、及び酸化ホルミウムであることを特徴とする請求項９または１０に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法。
12. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の半透過・半反射電極基板と、
    前記半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層と、
    を含む液晶表示装置。
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    

Images