JP2005243212A - 光記録方法、光記録装置及び光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低記録線速度から高記録線速度にわたって良好な記録特性が得られ、更に１回または複数回のオーバライト特性を良好に維持することができる光記録方法を提供する。
【解決手段】 光記録媒体Ａの記録層３に対する第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）を満たす。
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
【選択図】 図１
【解決手段】 光記録媒体Ａの記録層３に対する第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）を満たす。
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
【選択図】 図１
Description
本発明は、光（例えばレーザ光）の照射によって情報の記録・再生または消去を行う光記録方法、光記録装置及び光記録媒体に関するものである。特に本発明は、光ディスク、光カードなどの書き換え可能な相変化型記録媒体において、低線速度（低倍速）から高線速度（高倍速）までにわたる複数の線速度のうちから選択した線速度で光記録する際に複数の線速度のいずれにおいても良好なオーバーライト特性が得られる光記録方法、光記録装置及び光記録媒体を提供するものである。
相変化型光記録媒体とは、例えば近年のＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭであり、情報を書換えることを可能とする媒体である。なかでもＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭは主に映像情報のような情報量が大きいものの記録、書換えに使用される。相変化型光記録媒体には、優れた記録特性、優れたオーバーライト特性に加えて高線速度での記録も要求されている。
従来の書換え可能な相変化型光記録媒体の構成及び記録方法は以下の通りである。
相変化型光記録媒体は、記録・再生または消去用の各パワーを有するレーザ光が照射される面を底面とする基板上に、少なくとも誘電体層、記録層、誘電体層、反射層を順次積層した構成である。このように構成される相変化型光記録媒体において、記録時に記録パワーのレーザ光で記録パルスを記録層に印加（照射）して記録層を溶融し、急冷することにより、非結晶の記録マークを形成する。この記録マークの反射率は結晶状態の記録層の反射率より低いので、この記録マークを光学的に記録情報として読み取ることが可能である。この記録マークを消去する場合、記録パワーより小さなパワー（消去パワー）のレーザ光を照射することにより、記録層を結晶化温度以上融点以下の温度にし、非結晶状態から結晶状態にすることによって記録マークを消去し、オーバーライト可能としている。
相変化型光記録媒体は、記録・再生または消去用の各パワーを有するレーザ光が照射される面を底面とする基板上に、少なくとも誘電体層、記録層、誘電体層、反射層を順次積層した構成である。このように構成される相変化型光記録媒体において、記録時に記録パワーのレーザ光で記録パルスを記録層に印加（照射）して記録層を溶融し、急冷することにより、非結晶の記録マークを形成する。この記録マークの反射率は結晶状態の記録層の反射率より低いので、この記録マークを光学的に記録情報として読み取ることが可能である。この記録マークを消去する場合、記録パワーより小さなパワー（消去パワー）のレーザ光を照射することにより、記録層を結晶化温度以上融点以下の温度にし、非結晶状態から結晶状態にすることによって記録マークを消去し、オーバーライト可能としている。
近年、ＤＶＤ１倍速の複数倍（例えば４倍速）に対応した光記録媒体が登場しており、記録情報を複数の線速度のうちから選択した線速度で記録することができるようになってきた。このようなマルチスピード化に対応して、特開２０００−１５５９４５号公報では、低線速度記録における記録パワーＰｗｌと消去パワーＰｅｌとのパワー比（Ｐｅｌ／Ｐｗｌ）を、高線速度記録における記録パワーＰｗｈと消去パワーＰｅｈとのパワー比（Ｐｅｈ／Ｐｗｈ）より小さくするといった記録方法が提案されている。しかしこの方法では高線速度記録において、消去パワーＰｅｈが高くなるために結晶部となるべき部分がアモルファス化して、初回記録から記録特性が悪化する。また、このアモルファス化を防ぐために記録膜組成の結晶化速度を速めるなどの調整を行ったとしても、消去パワーＰｅｈが高いために記録膜の偏析が起こり易くなり１千回以上の繰り返し記録で反射率が低下して、記録特性が悪化し、オーバライトには好ましくないことが本発明者の検討で分かった。
特開２００２−９２８８９号公報では、記録線速度や記録パワーに無関係に消去パワーＰｅを一定にするといった記録方法が提案されている。しかし、低線速度、中線速度及び高線速度での記録において、それぞれの線速度に最適の消去パワー値があるために、幅広い（低〜高）線速度で良好な記録特性が得られないことが、本発明者の検討で分かった。
特開２００１−２９７４８１号公報では、低線速度でのパワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｌと中線速度でのパワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）ｒｅｆと高線速度でのパワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｈにおいて、（Ｐｅ／Ｐｗ）ｒｅｆ＞（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｈ＞（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｌといった関係が提案されている。しかし、この方法では、特に低線速度において消去パワーが小さいために少数回のオーバーライト特性が良くないことが、本発明者の検討で分かった。
特開２０００−１５５９４５号公報
特開２００２−９２８８９号公報
特開２００１−２９７４８１号公報
特開２００１−２９７４８１号公報では、低線速度でのパワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｌと中線速度でのパワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）ｒｅｆと高線速度でのパワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｈにおいて、（Ｐｅ／Ｐｗ）ｒｅｆ＞（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｈ＞（Ｐｅ／Ｐｗ）Ｌといった関係が提案されている。しかし、この方法では、特に低線速度において消去パワーが小さいために少数回のオーバーライト特性が良くないことが、本発明者の検討で分かった。
上記したように、光記録媒体のマルチスピード化に対応する従来の記録方法は、記録線速度を高くするほどパワー比を大きくする、またはパワー比を中線速度で最も大きくし低線速度で最も小さくする、あるいは消去パワーをいずれの線速度でも一定にするといった方法である。しかしこれらの方法では、高記録線速度での消去パワーＰｅｈが大きくなるために初回記録特性またはオーバーライト特性を十分に確保することが難しい、あるいは低記録線速度での消去パワーＰｅＬが低いためにオーバーライト特性を十分に確保することが難しかった。
そこで本発明は、前記した問題を解決するために創案されたものであり、マルチスピードでの記録において各記録線速度での記録条件を規定することによって、低記録線速度から高記録線速度（例えばＤＶＤ１倍速の低線速度からＤＶＤ４倍速（線速度：１４．０ｍ／ｓ）以上の高線速度の記録）にわたって良好な記録特性が得られ、更に１回または複数回のオーバーライト特性を良好に維持することができる光記録方法、光記録装置及び光記録媒体を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明は、次の（ａ）〜（ｉ）の光記録方法、光記録装置及び光記録媒体を提供するものである。
（ａ）相変化型光記録媒体（Ａ）の記録層（３）に記録情報を記録する光記録方法において、前記記録情報を変調して変調データを生成する変調ステップと、前記変調データに基づいて所望のマーク長を生成するマーク長生成ステップと、前記マーク長に基づいて、消去パワー（Ｐｅ）から立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワー（Ｐｗ）と前記消去パワーより小なるボトムパワー（Ｐｂ）との間で形成される記録パルス（Ｔtop，Ｔmp）と、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルス（Ｔcl）とよりなる記録パルスパターンを生成し、前記記録層に対して記録光を前記記録パルスパターンに応じて照射して前記記録情報を示す記録マークを記録する記録ステップとを含み、前記記録ステップは、前記記録層に対する記録線速度を第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）とから選択した記録線速度で記録するものであり、前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録方法。
（ｂ）前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする（ａ）記載の光記録方法。
（ｃ）前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする（ａ）または（ｂ）記載の光記録方法。
（ｄ）相変化型光記録媒体（Ａ）の記録層（３）に記録情報を記録する光記録装置において、前記記録情報を変調して変調データを生成するエンコーダ（４２）と、前記変調データに基づいて所望のマーク長を生成するマーク長生成部（４１）と、前記マーク長に基づいて、消去パワー（Ｐｅ）から立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワー（Ｐｗ）と前記消去パワーより小なるボトムパワー（Ｐｂ）との間で形成される記録パルス（Ｔtop，Ｔmp）と、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルス（Ｔcl）とよりなる記録パルスパターンを生成し、前記記録層に対して記録光を前記記録パルスパターンに応じて照射して前記記録情報を示す記録マークを記録する記録部（４００）とを含み、前記記録部は、前記記録層に対する記録線速度を第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）とから選択した記録線速度で記録するものであり、前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録装置。
（ｅ）前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする（ｄ）記載の光記録装置。
（ｆ）前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする（ｄ）または（ｅ）記載の光記録装置。
（ｇ）相変化型光記録媒体（Ａ）において、消去パワー（Ｐｅ）から立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワー（Ｐｗ）と前記消去パワーより小なるボトムパワー（Ｐｂ）との間で形成される記録パルス（Ｔtop，Ｔmp）と、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルス（Ｔcl）とよりなる記録パルスパターンに応じて記録光を照射することにより記録情報を示す記録マークを記録する記録層（３）を備え、前記記録層の所定の領域には第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）それぞれにおける記録パワーと消去パワーとを示す識別情報が記録されており、前記識別情報は前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌ、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍ、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録媒体。
（ｈ）前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記識別情報は下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする（ｇ）記載の光記録媒体。
（ｉ）前記識別情報は下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする（ｇ）または（ｈ）記載の光記録媒体。
（ａ）相変化型光記録媒体（Ａ）の記録層（３）に記録情報を記録する光記録方法において、前記記録情報を変調して変調データを生成する変調ステップと、前記変調データに基づいて所望のマーク長を生成するマーク長生成ステップと、前記マーク長に基づいて、消去パワー（Ｐｅ）から立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワー（Ｐｗ）と前記消去パワーより小なるボトムパワー（Ｐｂ）との間で形成される記録パルス（Ｔtop，Ｔmp）と、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルス（Ｔcl）とよりなる記録パルスパターンを生成し、前記記録層に対して記録光を前記記録パルスパターンに応じて照射して前記記録情報を示す記録マークを記録する記録ステップとを含み、前記記録ステップは、前記記録層に対する記録線速度を第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）とから選択した記録線速度で記録するものであり、前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録方法。
（ｂ）前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする（ａ）記載の光記録方法。
（ｃ）前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする（ａ）または（ｂ）記載の光記録方法。
（ｄ）相変化型光記録媒体（Ａ）の記録層（３）に記録情報を記録する光記録装置において、前記記録情報を変調して変調データを生成するエンコーダ（４２）と、前記変調データに基づいて所望のマーク長を生成するマーク長生成部（４１）と、前記マーク長に基づいて、消去パワー（Ｐｅ）から立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワー（Ｐｗ）と前記消去パワーより小なるボトムパワー（Ｐｂ）との間で形成される記録パルス（Ｔtop，Ｔmp）と、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルス（Ｔcl）とよりなる記録パルスパターンを生成し、前記記録層に対して記録光を前記記録パルスパターンに応じて照射して前記記録情報を示す記録マークを記録する記録部（４００）とを含み、前記記録部は、前記記録層に対する記録線速度を第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）とから選択した記録線速度で記録するものであり、前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録装置。
（ｅ）前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする（ｄ）記載の光記録装置。
（ｆ）前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする（ｄ）または（ｅ）記載の光記録装置。
（ｇ）相変化型光記録媒体（Ａ）において、消去パワー（Ｐｅ）から立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワー（Ｐｗ）と前記消去パワーより小なるボトムパワー（Ｐｂ）との間で形成される記録パルス（Ｔtop，Ｔmp）と、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルス（Ｔcl）とよりなる記録パルスパターンに応じて記録光を照射することにより記録情報を示す記録マークを記録する記録層（３）を備え、前記記録層の所定の領域には第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）それぞれにおける記録パワーと消去パワーとを示す識別情報が記録されており、前記識別情報は前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌ、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍ、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録媒体。
（ｈ）前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記識別情報は下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする（ｇ）記載の光記録媒体。
（ｉ）前記識別情報は下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする（ｇ）または（ｈ）記載の光記録媒体。
記録線速度のマルチスピード化においても良好な記録特性が得られ、更に１回または複数回のオーバーライトを行ってもその特性を良好に維持することができる。
≪光記録媒体の構成≫
相変化型光記録媒体としては、ＤＶＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク、光カードなどの、情報を繰り返しオーバーライト可能な媒体が挙げられる。なお以下の説明においては相変化型光記録媒体の一実施形態として、相変化型光ディスク（光記録媒体Ａ）を用いるが、これ以外の光カード等の同様な構成を有する相変化型光記録媒体についても本発明を適用可能であることは言うまでもない。
図１は、本発明の一実施形態である光記録媒体Ａを示す拡大断面図である。光記録媒体Ａは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光が入射する入射面１ａを底面とする基板１上に、第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５、第３保護層６を順次積層したものである。
相変化型光記録媒体としては、ＤＶＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク、光カードなどの、情報を繰り返しオーバーライト可能な媒体が挙げられる。なお以下の説明においては相変化型光記録媒体の一実施形態として、相変化型光ディスク（光記録媒体Ａ）を用いるが、これ以外の光カード等の同様な構成を有する相変化型光記録媒体についても本発明を適用可能であることは言うまでもない。
図１は、本発明の一実施形態である光記録媒体Ａを示す拡大断面図である。光記録媒体Ａは、その基本的な構成として、記録・再生または消去用レーザ光が入射する入射面１ａを底面とする基板１上に、第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５、第３保護層６を順次積層したものである。
基板１の材料としては、各種透明な合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。埃の付着や基板１の傷などの影響を避けるために、透明な基板１を用い、集光したレーザ光で基板１の入射面１ａ側から記録層３に情報を記録する。このような基板１の材料として例えば、ガラス、ポリカーボネイト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、光学的複屈折及び吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカーボネイト樹脂が好ましい。
基板１の厚さは、特に限定するものではないが、ＤＶＤとの互換性を考慮すると０．０１ｍｍ〜０．６ｍｍが好ましく、なかでも０．６ｍｍが最も好ましい（ＤＶＤの全厚は１．２ｍｍ）。これは基板１の厚さが０．０１ｍｍ未満であれば、基板１の入射面１ａ側から収束したレーザ光で記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなるからである。また、光記録媒体の全厚に制限がないのであれば、実用的には０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であればよい。５ｍｍ以上であれば対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射レーザ光のスポットサイズが大きくなるため、記録密度をあげることが困難になるからである。
基板１はフレキシブルなものでも良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基板１は、テープ状、シート状、カード状の光記録媒体で使用する。リジッドな基板１は、カード状、あるいはディスク状の光記録媒体で使用する。
第１保護層２及び第２保護層４は、記録時に基板１、記録層３などが熱によって変形して記録特性が劣化することを防止するなど、基板１、記録層３を熱から保護する効果を奏したり、光学的な干渉効果により再生時の信号コントラストを改善する効果を奏する。
第１保護層２及び第２保護層４はそれぞれ、記録・再生または消去用のレーザ光に対して透明であって屈折率ｎが１．９≦ｎ≦２．３の範囲にあることが望ましい。さらに、第１保護層２及び第２保護層４の材料は熱特性の点から、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯなどの酸化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＷＣ、ＴｉＣなどの炭化物の単体及び混合物が好ましい。なかでも、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起こりにくいことから特に好ましい。
また第１保護層２及び第２保護層４は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
また第１保護層２及び第２保護層４は、同一の材料、組成でなくとも良く、異種の材料から構成されていてもかまわない。
第１保護層２の厚さは、およそ５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。さらには、第１保護層２の厚さは、基板１や記録層３から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことから、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましい。２０ｎｍより薄いと、ディスクの光学特性を確保しにくく、３００ｎｍより厚いと生産性に劣る。なお、より好ましくは３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲である。
第２保護層４の厚さは、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性が良く、安定に多数回の書き換えが可能なことから、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲が好ましい。５ｎｍより薄いと記録層３の熱確保が難しくなるため最適記録パワーが上昇し、４０ｎｍより厚いとオーバーライト特性の悪化を招く。より好ましくは、８ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である。
記録層３は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金やＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、またはＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金にＡｇまたはＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｇａのいずれかを少なくとも１種類含んでいる合金層である。また記録層３の層厚は、１０ｎｍ〜２５ｎｍが好ましい。層厚が１０ｎｍより薄いと結晶化速度が低下し高速記録特性が悪くなり、２５ｎｍより厚いと記録時に大きなレーザパワーが必要となる。
記録層３の片面、もしくは両面に接する界面層を設けても良い。界面層の材料としては、硫黄物を含まないことが重要である。硫黄物を含む材料を界面層として用いると、オーバーライトの繰り返しにより界面層に含まれる硫黄が記録層３中に拡散し、記録特性が劣化することがあるので好ましくない。また、消去特性が優れないという点からも好ましくない。
界面層の材料としては、窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰あるいは不足していても良い。このことで界面層が剥離しにくくなり、保存耐久性等が向上するなど、界面層の特性が向上する場合がある。
界面層の材料としては、窒化物、酸化物、炭化物のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましく、具体的には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうち少なくとも１種類を含む材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素が過剰あるいは不足していても良い。このことで界面層が剥離しにくくなり、保存耐久性等が向上するなど、界面層の特性が向上する場合がある。
反射層５の材料としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、これらの金属を主成分とし、１種類以上の金属または半導体からなる添加元素を含む合金、及びこれらの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。
なかでもＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらの金属を主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましい。合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどの少なくとも１種類の元素を混合したもの、あるいは、ＡｕまたはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｎ、Ｃａなどの少なくとも１種類の元素を混合したものなどが一般的である。しかし高線速度記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が、記録特性の点から好ましい。
ただし、反射層５に純銀や銀合金を用いた場合には、ＡｇＳ化合物の生成を抑制するため、反射層５に接する層はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。
なかでもＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらの金属を主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導度を高くできることから好ましい。合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｚｒなどの少なくとも１種類の元素を混合したもの、あるいは、ＡｕまたはＡｇにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｎ、Ｃａなどの少なくとも１種類の元素を混合したものなどが一般的である。しかし高線速度記録を考慮した場合には、とりわけ熱伝導率の高いＡｇを主成分とする金属または合金が、記録特性の点から好ましい。
ただし、反射層５に純銀や銀合金を用いた場合には、ＡｇＳ化合物の生成を抑制するため、反射層５に接する層はＳを含有していない材料を用いることが好ましい。
反射層５の厚さは、反射層５を形成する材料の熱伝導率の大きさによって変化するが、５０ｎｍ〜３００ｎｍであるのが好ましい。反射層５の厚みが５０ｎｍ以上であれば、反射層５は光学的には変化せず反射率の値に影響を与えないが、反射層５の厚みが増すと冷却速度への影響が大きくなる。また、３００ｎｍを超える厚さを形成するのは製造上時間を要する。従って熱伝導率の高い材料を用いることにより、反射層５の層厚をなるべく最適範囲に制御する。
ここで、反射層５にＡｇまたはＡｇ合金を、第２保護層４にＺｎＳとＳｉＯ2の化合物を用いる場合には、第２保護層４と反射層５の間に拡散防止層（図示せず）を挿入することが好ましい。これは第２保護層４中のＳと反射層５中のＡｇとの化学反応により生成されるＡｇＳ化合物による反射率の低下を抑制するためである。
拡散防止層の材料としては、上記した界面層と同様に硫黄物を含まない材料であるのが重要であり、具体的な材料は界面層の材料と同様である。
拡散防止層の材料としては、上記した界面層と同様に硫黄物を含まない材料であるのが重要であり、具体的な材料は界面層の材料と同様である。
≪光記録媒体の製造方法≫
第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５などを基板１上に積層する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法が挙げられる。例えば、真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）であり、特に、組成、層厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５などを基板１上に積層する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法が挙げられる。例えば、真空蒸着法（抵抗加熱型や電子ビーム型）、イオンプレーティング法、スパッタリング法（直流や交流スパッタリング、反応性スパッタリング）であり、特に、組成、層厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
また、真空漕内で複数の基板１を同時に成膜するバッチ法や、基板１を１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置を使用することが好ましい。形成する第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５などの層厚の制御は、スパッタ電源の投入パワーと時間を制御したり、水晶振動型膜厚計で堆積状態をモニタリングしたりすることで容易に行える。
また、第１保護層２、記録層３、第２保護層４、反射層５などの形成は、基板１を固定した状態、あるいは移動、回転した状態のどちらで行っても良い。層厚の面内の均一性に優れることから、基板１を自転させることが好ましく、さらに公転を組み合わせることがより好ましい。必要に応じて基板１の冷却を行うと、基板１の反り量を減少させることができる。
また本発明の効果を著しく損なわない範囲において、反射層５などを形成した後、すでに形成した各層の変形防止等のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ2等を用いた誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂等を用いた樹脂保護層を第３保護層６として必要に応じて設けても良い。
このあと、同様に各層を形成した基板１をもう１枚用意し、２枚の基板１を接着剤などで貼り合わせて、両面の光記録媒体としても良い。
このあと、同様に各層を形成した基板１をもう１枚用意し、２枚の基板１を接着剤などで貼り合わせて、両面の光記録媒体としても良い。
続いて、初期化は記録層３にレーザ光、キセノンフラッシュランプ等の光を照射して加熱し、記録層３の構成材料を結晶化させることである。再生ノイズが少ないことから、レーザ光による初期化が好ましい。
図２に光記録媒体Ａの平面図を示す。光記録媒体Ａはセンターホール５１と、その外周にクランプエリア５２を有する。クランプエリア５２の外周には情報エリア（リードインエリア）５３が同心円上に設けられていて、さらにその外周領域は映像情報や音声情報等の実データを記録するための記録エリア５４となっている。ここで、リードインエリア５３は、ＲＯＭ状態またはＲＡＭ状態のどちらであっても良い。その他に、トラッキング信号を得るためのレーザガイド溝に高周波ウォブルやピットを形成することにより、再生専用の記録情報として格納する方法もある。
リードインエリア５３には、光記録媒体Ａが良好な特性を得られるよう記録されるための記録条件が識別情報として記録されている。識別情報は例えば後述する記録マーク形成時に用いるレーザ光のレーザ強度や、後述する（１）、（２）、（３）式のような関係を示す記録条件である。
リードインエリア５３には、光記録媒体Ａが良好な特性を得られるよう記録されるための記録条件が識別情報として記録されている。識別情報は例えば後述する記録マーク形成時に用いるレーザ光のレーザ強度や、後述する（１）、（２）、（３）式のような関係を示す記録条件である。
≪光記録媒体の記録方法≫
図３に、光記録媒体Ａに情報を記録するときに使用する記録パルスパターンを示す。記録パルスパターンに基づいてレーザ光を３値（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂ）のレーザ強度で変調して、記録信号のマーク長に対応してパルス数を増減させ、所望のマーク長の記録マークを記録層３に形成する。レーザ強度は記録パワーＰｗが一番大きく、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂの順に小さい。
記録パルスパターンは図３に示すように、消去パワーＰｅから立ち上がって最初に記録層３にレーザ光を記録パワーＰｗで印加する先頭パルスＴtopと、先頭パルスＴtopに続くパルスであり、記録パワーＰｗとボトムパワーＰｂとを交互に印加するマルチパルスＴmpと、レーザ光をボトムパワーＰｂから立ち上がって、消去パワーＰｅを印加する終端に位置する消去パルスＴclからなる。先頭パルスＴtopとマルチパルスＴmpとは記録層３に対して記録マークを形成するための記録パルスとなっている。なお、マルチパルスＴmpがなく先頭パルスＴtopのみで記録パルスが形成される場合もある。
図３に、光記録媒体Ａに情報を記録するときに使用する記録パルスパターンを示す。記録パルスパターンに基づいてレーザ光を３値（記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂ）のレーザ強度で変調して、記録信号のマーク長に対応してパルス数を増減させ、所望のマーク長の記録マークを記録層３に形成する。レーザ強度は記録パワーＰｗが一番大きく、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂの順に小さい。
記録パルスパターンは図３に示すように、消去パワーＰｅから立ち上がって最初に記録層３にレーザ光を記録パワーＰｗで印加する先頭パルスＴtopと、先頭パルスＴtopに続くパルスであり、記録パワーＰｗとボトムパワーＰｂとを交互に印加するマルチパルスＴmpと、レーザ光をボトムパワーＰｂから立ち上がって、消去パワーＰｅを印加する終端に位置する消去パルスＴclからなる。先頭パルスＴtopとマルチパルスＴmpとは記録層３に対して記録マークを形成するための記録パルスとなっている。なお、マルチパルスＴmpがなく先頭パルスＴtopのみで記録パルスが形成される場合もある。
例えばＤＶＤ−ＲＷでは、マーク長は３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ、６Ｔ、７Ｔ、８Ｔ、９Ｔ、１０Ｔ、１１Ｔ、１４Ｔの１０種類ある。マーク長をｎＴとした場合、マルチパルスＴmpの数は一般的に（ｎ−１）または（ｎ−２）である。図３では（ｎ−２）の場合を示した。ここで、Ｔとは単位クロックであり、ＤＶＤ−ＲＷでは、ＤＶＤ１倍速時（記録線速度：３．５ｍ／ｓ）で１Ｔ＝３８．２ｎｓ、ＤＶＤ４倍速時（記録線速度：１４．０ｍ／ｓ）で１Ｔ＝９．６ｎｓである。
また、近年の高速化記録に伴い単位クロックＴが数ｎｓオーダーと短くなるため、レーザパルスの立ち上がり・立ち下り応答限界を考慮して、図４に示すような、２Ｔを基準とした記録パルスパターンを用いても良い。図４において記録パルスＡは３Ｔ、記録パルスＢは１１Ｔ、記録パルスＣは１４Ｔのマーク長を有する記録マークを形成するための記録パルスパターンを示す。
また、近年の高速化記録に伴い単位クロックＴが数ｎｓオーダーと短くなるため、レーザパルスの立ち上がり・立ち下り応答限界を考慮して、図４に示すような、２Ｔを基準とした記録パルスパターンを用いても良い。図４において記録パルスＡは３Ｔ、記録パルスＢは１１Ｔ、記録パルスＣは１４Ｔのマーク長を有する記録マークを形成するための記録パルスパターンを示す。
≪光記録装置≫
図５に、所望の記録パルスパターンをもったレーザ光を光記録媒体Ａに照射するための本発明の一実施形態である光記録装置を示す。
図５に、所望の記録パルスパターンをもったレーザ光を光記録媒体Ａに照射するための本発明の一実施形態である光記録装置を示す。
まず、スピンドルモータ３１は光記録媒体Ａを回転させる。スピンドルモータ３１の回転数が目的の記録速度に対応する記録線速度となるよう回転制御部３２が制御する。また光記録媒体Ａの記録・再生または消去に用いる半導体レーザ（ＬＤ）３３や、ＬＤ３３のレーザ光を集光照射させる対物レンズ（図示せず）及び例えば４分割受光素子（図示せず）を備えた光ヘッド３４が、光記録媒体Ａの半径方向に移動自在に設けられている。
なお、本実施形態の光記録装置に用いる記録用の光源としては、レーザ光、ストロボ光のように高強度の光源が好ましい。なかでも半導体レーザ光は光源が小型化できること、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから好ましい。
なお、本実施形態の光記録装置に用いる記録用の光源としては、レーザ光、ストロボ光のように高強度の光源が好ましい。なかでも半導体レーザ光は光源が小型化できること、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから好ましい。
光ヘッド３４の４分割受光素子は、光記録媒体ＡにＬＤ３３から照射したレーザ光の反射光を受光する。４分割受光素子は受光した光に基づいてプッシュプル信号を生成し、ウォブル検出部３６に出力する。また、４分割受光素子は受光した光に基づいてフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号をドライブコントローラ４４に出力する。更に、４分割受光素子の合成信号である再生信号は、反射率検出部４６に出力される。
ドライブコントローラ４４は、供給されたフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号に基づいてアクチュエータ制御部３５を制御する。アクチュエータ制御部３５は光ヘッド３４の光記録媒体Ａへのフォーカス及びトラッキングを制御する。反射率検出部４６は、供給された再生信号に基づいて反射率を検出し、検出結果をシステムコントローラ４５に出力する。
ドライブコントローラ４４は、供給されたフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号に基づいてアクチュエータ制御部３５を制御する。アクチュエータ制御部３５は光ヘッド３４の光記録媒体Ａへのフォーカス及びトラッキングを制御する。反射率検出部４６は、供給された再生信号に基づいて反射率を検出し、検出結果をシステムコントローラ４５に出力する。
ウォブル検出部３６はプログラマブルバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３６１を備え、検出したウォブル信号をアドレス復調回路３７に出力する。アドレス復調回路３７は検出されたウォブル信号からアドレスを復調して出力する。復調されたアドレスが入力される記録クロック生成部３８はＰＬＬシンセサイザ回路３８１を有し、記録チャネルクロックを生成して記録パルス生成部３９及びパルス数制御部４０に出力する。
記録クロック生成部３８はドライブコントローラ４４によって制御される。ドライブコントローラ４４は回転制御部３２，アクチュエータ制御部３５、ウォブル検出部３６、アドレス復調回路３７及びシステムコントローラ４５も制御する。
記録クロック生成部３８はドライブコントローラ４４によって制御される。ドライブコントローラ４４は回転制御部３２，アクチュエータ制御部３５、ウォブル検出部３６、アドレス復調回路３７及びシステムコントローラ４５も制御する。
ドライブコントローラ４４はウォブル検出部３６より供給されたウォブル信号を、記録クロック生成部３８に出力する。また、アドレス復調回路３７より供給されたアドレス情報をシステムコントローラ４５に出力する。
システムコントローラ４５はメモリ４５１を有し、ＥＦＭ＋エンコーダ４２、マーク長カウンタ４１、パルス数制御部４０及びＬＤドライバ部４３を制御する。ＥＦＭ＋エンコーダ４２は入力された記録情報を８−１６変調して変調データとし、記録パルス生成部３９とマーク長カウンタ４１に出力する。マーク長カウンタ４１は変調データに基づいて所定のマーク長をカウントするマーク長生成部として動作し、そのカウント値を記録パルス生成部３９とパルス数制御部４０に出力する。パルス数制御部４０は、供給されたカウント値と記録チャネルクロックに基づいて記録パルスが所定のパルスとなるように記録パルス生成部３９を制御する。
システムコントローラ４５はメモリ４５１を有し、ＥＦＭ＋エンコーダ４２、マーク長カウンタ４１、パルス数制御部４０及びＬＤドライバ部４３を制御する。ＥＦＭ＋エンコーダ４２は入力された記録情報を８−１６変調して変調データとし、記録パルス生成部３９とマーク長カウンタ４１に出力する。マーク長カウンタ４１は変調データに基づいて所定のマーク長をカウントするマーク長生成部として動作し、そのカウント値を記録パルス生成部３９とパルス数制御部４０に出力する。パルス数制御部４０は、供給されたカウント値と記録チャネルクロックに基づいて記録パルスが所定のパルスとなるように記録パルス生成部３９を制御する。
記録パルス生成部３９は先頭パルス制御信号生成部３９ｔとマルチパルス制御信号生成部３９ｍと消去パルス制御信号生成部３９ｃとを備える。先頭パルス制御信号生成部３９ｔは先頭パルス制御信号を、マルチパルス制御信号生成部３９ｍはマルチパルス制御信号を、消去パルス制御信号生成部３９ｃは消去パルス制御信号をそれぞれ生成する。それぞれの制御信号はＬＤドライバ部４３に供給され、スイッチング部４３１は記録パワーＰｗの駆動電流源４３１ｗ、消去パワーＰｅの駆動電流源４３１ｅ、ボトムパワーＰｂの駆動電流源４３１ｂを供給された制御信号に基づいてスイッチングすることで記録パルスパターンを生成する。
Ｐｗ駆動電流源４３１ｗ、Ｐｅ駆動電流源４３１ｅ及びＰｂ駆動電流源４３１ｂは、システムコントローラ４５のメモリ４５１に記憶されている記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ及びボトムパワーＰｂに基づいて光ヘッド３４に電流を供給する。これら３値は光記録媒体Ａの記録特性を良好にするための最適な値であり、この最適な値を示す識別情報は予めメモリ４５１に格納されているか、アップデートにより格納されるか、あるいは反射率検出部４６を利用して求めて格納することもできる。なお、メモリ４５１は例えばＲＯＭ（Read Only Memory）または、記録可能なＲＡＭ（Random Access Memory）である。
Ｐｗ駆動電流源４３１ｗ、Ｐｅ駆動電流源４３１ｅ及びＰｂ駆動電流源４３１ｂは、システムコントローラ４５のメモリ４５１に記憶されている記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ及びボトムパワーＰｂに基づいて光ヘッド３４に電流を供給する。これら３値は光記録媒体Ａの記録特性を良好にするための最適な値であり、この最適な値を示す識別情報は予めメモリ４５１に格納されているか、アップデートにより格納されるか、あるいは反射率検出部４６を利用して求めて格納することもできる。なお、メモリ４５１は例えばＲＯＭ（Read Only Memory）または、記録可能なＲＡＭ（Random Access Memory）である。
ところで、本実施形態の光記録装置は、光記録媒体の高線速度（高倍速）化に対応して複数の記録線速度のうちから選択した記録線速度を設定できる用にしている。システムコントローラ４５は記録線速度（倍速モード）を選択するための指示信号が入力されると、メモリ４５１に記憶されている指示された記録線速度における識別情報に基づいてＰｗ駆動電流源４３１ｗ、Ｐｅ駆動電流源４３１ｅ及びＰｂ駆動電流源４３１ｂを上記同様に制御する。メモリ４５１には複数の記録線速度における識別情報が上述したように格納されている。
なお、後述する（１）式（２）式（３）式で示す識別情報もメモリ４５１に格納されている。
なお、後述する（１）式（２）式（３）式で示す識別情報もメモリ４５１に格納されている。
生成された記録パルスパターンは光ヘッド３４に入力される。光ヘッド３４はＬＤ３３が所望の記録パルスパターン及びパワー比ε（Ｐｗ／Ｐｅ）のＬＤ発光波形を出力するよう制御することにより、記録情報を光記録媒体Ａに記録する。
記録パルス生成部３９とＬＤドライバ部４３と光ヘッド３４とは、マーク長カウンタ４１で生成されたマーク長に基づいて、消去パワーＰｅから立ち上がり、消去パワーＰｅより大なる記録パワーＰｗと消去パワーＰｅより小なるボトムパワーＰｂとの間で形成される記録パルスと、ボトムパワーＰｂから消去パワーＰｅへと立ち上がる消去パルスとよりなる記録パルスパターンを生成し、記録層３に対してＬＤ３３より記録光を記録パルスパターンに応じて照射して記録情報を示す記録マークを記録する記録部４００として動作している。
記録パルス生成部３９とＬＤドライバ部４３と光ヘッド３４とは、マーク長カウンタ４１で生成されたマーク長に基づいて、消去パワーＰｅから立ち上がり、消去パワーＰｅより大なる記録パワーＰｗと消去パワーＰｅより小なるボトムパワーＰｂとの間で形成される記録パルスと、ボトムパワーＰｂから消去パワーＰｅへと立ち上がる消去パルスとよりなる記録パルスパターンを生成し、記録層３に対してＬＤ３３より記録光を記録パルスパターンに応じて照射して記録情報を示す記録マークを記録する記録部４００として動作している。
≪パワー比εの検討≫
なお本実施形態では、各記録線速度における記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ及びパワー比ε（消去／記録：Ｐｅ／Ｐｗ）を次のように設定した。低線速度での記録パワーＰｗｌ、消去パワーＰｅｌ、中線速度での記録パワーＰｗｍ、消去パワーＰｅｍ、高線速度での記録パワーＰｗｈ、消去パワーＰｅｈとし、低線速度、中線速度、高線速度のパワー比をそれぞれεｌ（＝Ｐｅｌ／Ｐｗｌ）、εｍ（＝Ｐｅｍ／Ｐｗｍ）、εｈ（＝Ｐｅｈ／Ｐｗｈ）とした。
なお本実施形態では、各記録線速度における記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ及びパワー比ε（消去／記録：Ｐｅ／Ｐｗ）を次のように設定した。低線速度での記録パワーＰｗｌ、消去パワーＰｅｌ、中線速度での記録パワーＰｗｍ、消去パワーＰｅｍ、高線速度での記録パワーＰｗｈ、消去パワーＰｅｈとし、低線速度、中線速度、高線速度のパワー比をそれぞれεｌ（＝Ｐｅｌ／Ｐｗｌ）、εｍ（＝Ｐｅｍ／Ｐｗｍ）、εｈ（＝Ｐｅｈ／Ｐｗｈ）とした。
ここで高線速度、中線速度、低線速度とは、記録・再生または消去用レーザの光記録媒体への相対走査速度Ｖがそれぞれ高速、中速、低速であることを示し、それぞれの走査速度をＶｈ（高速）、Ｖｍ（中速）、Ｖｌ（低速）とした場合に、Ｖｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈであることとしている。
例えばＣＬＶ（線速度一定）記録の場合では、Ｖｈ＝４倍速、Ｖｍ＝２倍速、Ｖｌ＝１倍速の組み合わせとしたり、Ｖｈ＝６倍速、Ｖｍ＝４倍速、Ｖｌ＝２倍速の組み合わせとしても良い。また、ＣＡＶ（角速度一定）記録の場合には、最内周と最外周との間の径方向の位置の違いによる走査速度Ｖの違いであり、例えば最内周でＶｌ、最外周でＶｈ、その間の半径では任意の位置のＶｍである。
例えばＣＬＶ（線速度一定）記録の場合では、Ｖｈ＝４倍速、Ｖｍ＝２倍速、Ｖｌ＝１倍速の組み合わせとしたり、Ｖｈ＝６倍速、Ｖｍ＝４倍速、Ｖｌ＝２倍速の組み合わせとしても良い。また、ＣＡＶ（角速度一定）記録の場合には、最内周と最外周との間の径方向の位置の違いによる走査速度Ｖの違いであり、例えば最内周でＶｌ、最外周でＶｈ、その間の半径では任意の位置のＶｍである。
本発明者は光記録媒体Ａの記録及びオーバライト特性を良好にするには、各記録線速度におけるパワー比ε（εｌ、εｍ、εｈ）の大小関係を特許文献３とは異なる関係とするほうが好ましいのではないかと推定し、下記の実施例Ｄ−１〜Ｄ−３及び比較例Ｄ−４〜Ｄ−８に基づいてその推定が正しく、記録及びオーバライト特性が最良となるパワー比εの関係を有することを見出した。
以下の各実施例及び各比較例では、波長が６５８ｎｍのレーザダイオード、ＮＡ＝０．６０の光学レンズを搭載したパルステック社製光ディスクドライブテスタ（ＤＤＵ１０００）を用いて記録（１ビーム・オーバーライト）と再生を行った。
記録信号は８−１６（ＥＦＭ＋）変調ランダムパターンを用いて記録再生評価を行った。ビット長は０．２６７μｍ／ビットであり、ＤＶＤ−ＲＯＭと同密度の記録を行い、容量は４．７Ｇバイトに相当する。記録は、隣接トラックも含め１０回オーバーライトした後、その再生信号の振幅の中心でスライスし、クロック・トゥー・データ・ジッタを測定した。なお再生光のレーザパワーＰｒは０．７ｍＷで一定とした。
また、記録ストラテジは、図３に示すようなDVD-RW Version1.1の規定に従った分割パルス系列を用いた。
記録信号は８−１６（ＥＦＭ＋）変調ランダムパターンを用いて記録再生評価を行った。ビット長は０．２６７μｍ／ビットであり、ＤＶＤ−ＲＯＭと同密度の記録を行い、容量は４．７Ｇバイトに相当する。記録は、隣接トラックも含め１０回オーバーライトした後、その再生信号の振幅の中心でスライスし、クロック・トゥー・データ・ジッタを測定した。なお再生光のレーザパワーＰｒは０．７ｍＷで一定とした。
また、記録ストラテジは、図３に示すようなDVD-RW Version1.1の規定に従った分割パルス系列を用いた。
（実施例Ｄ−１）
直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の基板１上に、後述する各層を形成した。基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ４０：６０であった。
直径が１２０ｍｍ、板厚が０．６ｍｍのポリカーボネイト樹脂製の基板１上に、後述する各層を形成した。基板１にはトラックピッチが０．７４μｍで空溝が形成されている。この溝深さは２５ｎｍであり、グルーブ幅とランド幅の比は、およそ４０：６０であった。
まず、真空容器内を３×１０-4Ｐａまで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳターゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により、基板１上に層厚７０ｎｍの第１保護層２を形成した。
続いて、記録層３をＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットで層厚１６ｎｍ、続いて第２保護層４を第１保護層２と同じ材料で層厚１６ｎｍ、反射層５をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕターゲットで層厚１２０ｎｍとして、順次積層した。
基板１を真空容器内より取り出した後、この反射層５上にアクリル系紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル製ＳＫ５１１０）をスピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚が３μｍの第３保護層６を形成して、図１に示す光記録媒体Ａを得た。
続いて、記録層３をＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元素単一合金ターゲットで層厚１６ｎｍ、続いて第２保護層４を第１保護層２と同じ材料で層厚１６ｎｍ、反射層５をＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕターゲットで層厚１２０ｎｍとして、順次積層した。
基板１を真空容器内より取り出した後、この反射層５上にアクリル系紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル製ＳＫ５１１０）をスピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚が３μｍの第３保護層６を形成して、図１に示す光記録媒体Ａを得た。
記録層３の初期化は、初期化装置（日立コンピュータ機器製ＰＯＰ１２０）にて、ラジアル方向レーザ光幅２５０μｍ、走査方向レーザ光幅１．０μｍのレーザを用いて、走査線速度４．５ｍ／ｓ、レーザパワー１６００ｍＷ、送りピッチ２２０μｍの条件で行った。
続いて、光記録媒体Ａに基板１の入射面１ａ側から記録層３の案内溝であるグルーブ部に記録を行った。グルーブは記録・再生または消去用レーザの光の入射方向から見て凸状になっている。
記録線速度は、低線速度記録では３．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格１倍速相当）、中線速度記録では７．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格２倍速相当）、高線速度記録では１４．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格４倍速相当）として、８−１６変調ランダムパターンを用いて評価を行った。単位クロック時間Ｔはそれぞれ、低線速度（１ｘ）で３８．２ｎｓ、中線速度（２ｘ）で１９．１ｎｓ、高線速度（４ｘ）で９．６ｎｓである。
記録線速度は、低線速度記録では３．５ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格１倍速相当）、中線速度記録では７．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格２倍速相当）、高線速度記録では１４．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格４倍速相当）として、８−１６変調ランダムパターンを用いて評価を行った。単位クロック時間Ｔはそれぞれ、低線速度（１ｘ）で３８．２ｎｓ、中線速度（２ｘ）で１９．１ｎｓ、高線速度（４ｘ）で９．６ｎｓである。
記録の条件である記録パルスパターンは、低線速度とした記録線速度３．５ｍ／ｓにおいて、Ｔtop＝０．３［Ｔ］、Ｔmp＝０．４［Ｔ］、Ｔcl＝１．３［Ｔ］とした。また、レーザ光のレーザ強度は記録パワーＰｗ（Ｐｗｌ）＝１４．１［ｍＷ］、消去パワーＰｅ（Ｐｅｌ）＝７．２［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］の３値を用いた（εｌ＝０．５１）。
中線速度とした記録線速度７．０ｍ／ｓにおいては、Ｔtop＝０．４［Ｔ］、Ｔmp＝０．４［Ｔ］、Ｔcl＝０．９［Ｔ］を、記録パワーＰｗ（Ｐｗｍ）＝１６．２［ｍＷ］、消去パワーＰｅ（Ｐｅｍ）＝７．６［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｍ＝０．４７）。
高線速度とした記録線速度１４．０ｍ／ｓにおいては、Ｔtop＝０．６［Ｔ］、Ｔmp＝０．５［Ｔ］、Ｔcl＝０．０［Ｔ］を、記録パワーＰｗ（Ｐｗｈ）＝１７．２［ｍＷ］、消去パワーＰｅ（Ｐｅｈ）＝４．６［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｈ＝０．２７）。
なお、本実施例Ｄ−１のパワー比の関係はεｈ＜εｍ＜εｌである。
中線速度とした記録線速度７．０ｍ／ｓにおいては、Ｔtop＝０．４［Ｔ］、Ｔmp＝０．４［Ｔ］、Ｔcl＝０．９［Ｔ］を、記録パワーＰｗ（Ｐｗｍ）＝１６．２［ｍＷ］、消去パワーＰｅ（Ｐｅｍ）＝７．６［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｍ＝０．４７）。
高線速度とした記録線速度１４．０ｍ／ｓにおいては、Ｔtop＝０．６［Ｔ］、Ｔmp＝０．５［Ｔ］、Ｔcl＝０．０［Ｔ］を、記録パワーＰｗ（Ｐｗｈ）＝１７．２［ｍＷ］、消去パワーＰｅ（Ｐｅｈ）＝４．６［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｈ＝０．２７）。
なお、本実施例Ｄ−１のパワー比の関係はεｈ＜εｍ＜εｌである。
本実施例Ｄ−１の記録特性を表１に示す。なお、以下の各実施例Ｄ及び各比較例Ｄについても表１に示す。また、以下の各実施例Ｄ及び各比較例Ｄ全てにおいて低線速度はＤＶＤ規格１倍速（１ｘ）、中線速度はＤＶＤ規格２倍速（２ｘ）、高線速度はＤＶＤ規格４倍速（４ｘ）である。
オーバライト９回目（Direct Over Write：ＤＯＷ９）のジッタは、低線速度（１ｘ）で７．３％、中線速度（２ｘ）で７．１％、高線速度（４ｘ）で７．８％と全ての記録線速度において１０％を下回って良好であった。オーバーライト特性である１０００回オーバライト後（ＤＯＷ１０００）のジッタは、１ｘで７．５％、２ｘで７．４％、４ｘで８．２％と良好であり、反射率もそれぞれ２１．５％、２１．３％、２０．２％と反射率特性も良好であった（表１には４ｘ（高線速度）のＤＯＷ１０００の反射率のみを示した）。
ここで述べるオーバーライトはワンビームオーバーライトのことであり、１回のレーザ走査で以前に形成された記録マークを消し、新たに記録マークを形成することをいう。そしてＤＯＷ０は初期化した光記録媒体Ａの未記録部へ記録マークを形成する初回記録、ＤＯＷ１は更にそこへ記録マークを形成するオーバライト１回目である。なお、ジッタ特性はエラーレートに悪影響を与えないジッタである１０％を基準とし、それより低い場合に良好、高い場合には良好でないとした。反射率はＤＶＤプレーヤなどのＲＯＭ互換性を考慮して１６％以上の値を良好とした。
ここで述べるオーバーライトはワンビームオーバーライトのことであり、１回のレーザ走査で以前に形成された記録マークを消し、新たに記録マークを形成することをいう。そしてＤＯＷ０は初期化した光記録媒体Ａの未記録部へ記録マークを形成する初回記録、ＤＯＷ１は更にそこへ記録マークを形成するオーバライト１回目である。なお、ジッタ特性はエラーレートに悪影響を与えないジッタである１０％を基準とし、それより低い場合に良好、高い場合には良好でないとした。反射率はＤＶＤプレーヤなどのＲＯＭ互換性を考慮して１６％以上の値を良好とした。
光記録媒体における最適なパワー比ε（εｈ、εｍ、εｌ）は記録層３の組成により多少変動することがある。そのため異なる組成での検証を行い本発明の妥当性を示す。
（実施例Ｄ−２）
本実施例は、記録層３の組成をＧａ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｓｎ４元素単一合金ターゲットに変更した他は全て実施例Ｄ−１と同じ構成の光記録媒体を用いた。また各記録線速度における記録条件は、１ｘで記録パワーＰｗｌ＝１５．５［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝５．０［ｍＷ］（εｌ＝０．３２）、２ｘで記録パワーＰｗｍ＝１７．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝４．３［ｍＷ］（εｍ＝０．２５）、４ｘで記録パワーＰｗｈ＝１８．５［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝３．７［ｍＷ］（εｈ＝０．２０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ）。これ以外の記録条件は実施例Ｄ−１と同じ条件として、記録特性を測定した。
表１に示すように、ＤＯＷ９のジッタは１ｘで７．９％、２ｘで７．６％、４ｘで８．０％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
本実施例は、記録層３の組成をＧａ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｓｎ４元素単一合金ターゲットに変更した他は全て実施例Ｄ−１と同じ構成の光記録媒体を用いた。また各記録線速度における記録条件は、１ｘで記録パワーＰｗｌ＝１５．５［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝５．０［ｍＷ］（εｌ＝０．３２）、２ｘで記録パワーＰｗｍ＝１７．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝４．３［ｍＷ］（εｍ＝０．２５）、４ｘで記録パワーＰｗｈ＝１８．５［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝３．７［ｍＷ］（εｈ＝０．２０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ）。これ以外の記録条件は実施例Ｄ−１と同じ条件として、記録特性を測定した。
表１に示すように、ＤＯＷ９のジッタは１ｘで７．９％、２ｘで７．６％、４ｘで８．０％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
（実施例Ｄ−３）
本実施例は、記録層３の組成をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ４元素単一合金ターゲットに変更した他は、全て実施例Ｄ−１と同じ構成の光記録媒体を用いた。また各記録線速度における記録条件は、１ｘで記録パワーＰｗｌ＝１４．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝９．８［ｍＷ］（εｌ＝０．７０）、２ｘで記録パワーＰｗｍ＝１６．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝９．６［ｍＷ］（εｍ＝０．６０）、４ｘで記録パワーＰｗｈ＝１７．８［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝７．１［ｍＷ］（εｈ＝０．４０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ）。これ以外の記録条件は実施例Ｄ−１と同じ条件として、記録特性を測定した。
表１に示すように、ＤＯＷ９のジッタは１ｘで８．２％、２ｘで８．０％、４ｘで８．０％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
本実施例は、記録層３の組成をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ４元素単一合金ターゲットに変更した他は、全て実施例Ｄ−１と同じ構成の光記録媒体を用いた。また各記録線速度における記録条件は、１ｘで記録パワーＰｗｌ＝１４．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝９．８［ｍＷ］（εｌ＝０．７０）、２ｘで記録パワーＰｗｍ＝１６．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝９．６［ｍＷ］（εｍ＝０．６０）、４ｘで記録パワーＰｗｈ＝１７．８［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝７．１［ｍＷ］（εｈ＝０．４０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ）。これ以外の記録条件は実施例Ｄ−１と同じ条件として、記録特性を測定した。
表１に示すように、ＤＯＷ９のジッタは１ｘで８．２％、２ｘで８．０％、４ｘで８．０％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
（比較例Ｄ−４）
εｍ＝０．２５（Ｐｅｍ＝４．１ｍＷ、εｍ＜εｈ＜εｌ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、１ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、２ｘではジッタが２５．０％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは２ｘ（中線速度）のパワー比εｍ＝０．２５を、４ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２７より小さくしたことで、中線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
εｍ＝０．２５（Ｐｅｍ＝４．１ｍＷ、εｍ＜εｈ＜εｌ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、１ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、２ｘではジッタが２５．０％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは２ｘ（中線速度）のパワー比εｍ＝０．２５を、４ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２７より小さくしたことで、中線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
（比較例Ｄ−５）
εｌ＝０．２５（Ｐｅｌ＝３．５ｍＷ、εｌ＜εｈ＜εｍ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、２ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、１ｘではジッタが２５．５％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは１ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．２５を、４ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２７より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
εｌ＝０．２５（Ｐｅｌ＝３．５ｍＷ、εｌ＜εｈ＜εｍ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、２ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、１ｘではジッタが２５．５％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは１ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．２５を、４ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２７より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
（比較例Ｄ−６）
εｌ＝０．３５（Ｐｅｌ＝４．９ｍＷ、εｈ＜εｌ＜εｍ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、２ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、１ｘでのジッタが１１．１％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは１ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．３５を、２ｘ（中線速度）のεｍ＝０．４７より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
εｌ＝０．３５（Ｐｅｌ＝４．９ｍＷ、εｈ＜εｌ＜εｍ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、２ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、１ｘでのジッタが１１．１％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは１ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．３５を、２ｘ（中線速度）のεｍ＝０．４７より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
（比較例Ｄ−７）
εｈ＝０．６０（Ｐｅｈ＝１０．３ｍＷ、εｍ＜εｌ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、１ｘ、２ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、４ｘでのジッタが１３．８％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。また、４ｘでのＤＯＷ１０００の反射率が１４．３％と非常に低下しており、オーバーライトでも良好な特性が得られなかった。これは、４ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
εｈ＝０．６０（Ｐｅｈ＝１０．３ｍＷ、εｍ＜εｌ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように、１ｘ、２ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、４ｘでのジッタが１３．８％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。また、４ｘでのＤＯＷ１０００の反射率が１４．３％と非常に低下しており、オーバーライトでも良好な特性が得られなかった。これは、４ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
（比較例Ｄ−８）
εｌ＝０．３５、εｈ＝０．５０（Ｐｅｌ＝４．９ｍＷ、Ｐｅｈ＝８．６ｍＷ、εｌ＜εｍ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように２ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、１ｘでは１１．１％、４ｘでは１３．０％と悪化しており、良好な特性が得られなかった。また、４ｘでのＤＯＷ１０００の反射率が１６．８％と低下しており、良好なオーバーライト特性が得られなかった。これは、４ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
εｌ＝０．３５、εｈ＝０．５０（Ｐｅｌ＝４．９ｍＷ、Ｐｅｈ＝８．６ｍＷ、εｌ＜εｍ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｄ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表１に示すように２ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｄ−１と同じであったが、１ｘでは１１．１％、４ｘでは１３．０％と悪化しており、良好な特性が得られなかった。また、４ｘでのＤＯＷ１０００の反射率が１６．８％と低下しており、良好なオーバーライト特性が得られなかった。これは、４ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
以上の結果から図６に実施例Ｄ−１及び比較例Ｄ−４〜Ｄ−８の各記録線速度におけるＤＯＷ９ジッタの関係を示す。なお図示していない残りの実施例Ｄ−２以降も、表１から読み取れるように全ての記録線速度において、ＤＯＷ９ジッタが１０％以下となる。
表１及び図６より、各記録線速度におけるパワー比εが下記（１）式の関係を満たしている場合に、良好な記録及びオーバライト特性が得られることが判明した。
表１及び図６より、各記録線速度におけるパワー比εが下記（１）式の関係を満たしている場合に、良好な記録及びオーバライト特性が得られることが判明した。
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
更に本発明者は、記録線速度が上記実施例Ｄ−１〜Ｄ−３及び比較例Ｄ−４〜Ｄ−８で検討した組み合わせ（１ｘ、２ｘ、４ｘ）と異なる場合にも、上記（１）式に示す各記録線速度におけるパワー比εの関係において光記録媒体の最良な記録及びオーバライト特性が得られることを実施例Ｅ−１〜Ｅ−３及び比較例Ｅ−４〜Ｅ−８に基づいて見出した。なお、記録層３の組成についても上記各実施例Ｄ及び各比較例Ｄと異ならせて検討をした。
以下の各実施例Ｅ及び各比較例Ｅ全てにおいて低線速度はＤＶＤ規格２倍速（２ｘ）、中線速度はＤＶＤ規格４倍速（４ｘ）、高線速度はＤＶＤ規格６倍速（６ｘ）である。
（実施例Ｅ−１）
記録層３のＳｂ量を増加させて結晶化速度が若干向上するように変更した他は、実施例Ｄ−１と同様の光記録媒体を作成した。また、記録線速度は、低線速度記録では７．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格２倍速相当）、中線速度記録では１４．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格４倍速相当）、高線速度記録では２１．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格６倍速相当）とし、８−１６（ＥＦＭ＋）変調ランダムパターンを用いて記録再生評価を行った。単位クロック時間Ｔはそれぞれ、２倍速で１９．１ｎｓ、４倍速で９．６ｎｓ、６倍速で６．４ｎｓである。ビット長、再生パワーＰｒ、及び記録測定方法は上記した通りである。
記録層３のＳｂ量を増加させて結晶化速度が若干向上するように変更した他は、実施例Ｄ−１と同様の光記録媒体を作成した。また、記録線速度は、低線速度記録では７．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格２倍速相当）、中線速度記録では１４．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格４倍速相当）、高線速度記録では２１．０ｍ／ｓ（ＤＶＤ規格６倍速相当）とし、８−１６（ＥＦＭ＋）変調ランダムパターンを用いて記録再生評価を行った。単位クロック時間Ｔはそれぞれ、２倍速で１９．１ｎｓ、４倍速で９．６ｎｓ、６倍速で６．４ｎｓである。ビット長、再生パワーＰｒ、及び記録測定方法は上記した通りである。
また記録ストラテジは、低線速度（２ｘ）と中線速度（４ｘ）の場合は図３の分割パルス系列を用い、高線速度（６ｘ）の場合は図４の分割パルス系列を用いた。なお、光記録装置も上記した実施例Ｄと同じものを用いた。
記録の条件である記録パルスパターンは、低線速度とした記録線速度７．０ｍ／ｓにおいては、記録パワーＰｗｌ＝１６．１［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝８．０［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｌ＝０．５０）。
中線速度とした記録線速度１４．０ｍ／ｓにおいては、記録パワーＰｗｍ＝１７．２［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝７．２［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｍ＝０．４２）。
高線速度とした記録線速度２１．０ｍ／ｓにおいては、記録パワーＰｗｈ＝２０．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝５．８［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｈ＝０．２９）（εｈ＜εｍ＜εｌ：（１）式）。
中線速度とした記録線速度１４．０ｍ／ｓにおいては、記録パワーＰｗｍ＝１７．２［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝７．２［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｍ＝０．４２）。
高線速度とした記録線速度２１．０ｍ／ｓにおいては、記録パワーＰｗｈ＝２０．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝５．８［ｍＷ］、ボトムパワーＰｂ＝０．５［ｍＷ］を用いた（εｈ＝０．２９）（εｈ＜εｍ＜εｌ：（１）式）。
本実施例Ｅ−１の記録特性を表２に示す。なお、以下の実施例Ｅ−２、Ｅ−３及び各比較例Ｅ−４〜Ｅ−８についても同様に表２に示す。
ＤＯＷ９のジッタはそれぞれ、低線速度（２ｘ）で７．５％、中線速度（４ｘ）で７．４％、高線速度（６ｘ）で８．１％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性はＤＯＷ１０００でのジッタがそれぞれ２ｘで７．９％、４ｘで７．９％、６ｘで９．２％と良好であり、反射率もそれぞれ２０．５％、２０．２％、１９．６％と反射率特性も良好であった（表２には６ｘ（高線速度）のＤＯＷ１０００の反射率のみを示した）。
（実施例Ｅ−２）
記録層３のＳｂ量を増加させて結晶化速度が若干向上するように変更した他は、実施例Ｄ−２と同様の光記録媒体を作成した。また各記録線速度における記録条件は、２ｘで記録パワーＰｗｌ＝１８．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝５．４［ｍＷ］（εｌ＝０．３０）、４ｘで記録パワーＰｗｍ＝２０．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝５．０［ｍＷ］（εｍ＝０．２５）、６ｘで記録パワーＰｗｈ＝２２．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝４．４［ｍＷ］（εｈ＝０．２０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ：（１）式）。これ以外の記録条件は実施例Ｅ−１と同じ条件とし、記録特性を測定した。
表２に示すようにＤＯＷ９ジッタは２ｘで８．３％、４ｘで８．０％、６ｘで８．６％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
記録層３のＳｂ量を増加させて結晶化速度が若干向上するように変更した他は、実施例Ｄ−２と同様の光記録媒体を作成した。また各記録線速度における記録条件は、２ｘで記録パワーＰｗｌ＝１８．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝５．４［ｍＷ］（εｌ＝０．３０）、４ｘで記録パワーＰｗｍ＝２０．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝５．０［ｍＷ］（εｍ＝０．２５）、６ｘで記録パワーＰｗｈ＝２２．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝４．４［ｍＷ］（εｈ＝０．２０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ：（１）式）。これ以外の記録条件は実施例Ｅ−１と同じ条件とし、記録特性を測定した。
表２に示すようにＤＯＷ９ジッタは２ｘで８．３％、４ｘで８．０％、６ｘで８．６％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
（実施例Ｅ−３）
記録層のＳｂ量を増加させて結晶化速度が若干向上するように変更した他は、実施例Ｄ−３と同様の光記録媒体を作成した。また各記録線速度における記録条件は、２ｘで記録パワーＰｗｌ＝１８．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝１０．８［ｍＷ］（εｌ＝０．６０）、４ｘで記録パワーＰｗｍ＝２１．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝１０．５［ｍＷ］（εｍ＝０．５０）、６ｘで記録パワーＰｗｈ＝２３．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝９．２［ｍＷ］（εｈ＝０．４０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ：（１）式）。これ以外の記録条件は実施例Ｅ−１と同じ条件とし、記録特性を測定した。
表２に示すようにＤＯＷ９ジッタは２ｘで８．０％、４ｘで７．６％、６ｘで８．６％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
記録層のＳｂ量を増加させて結晶化速度が若干向上するように変更した他は、実施例Ｄ−３と同様の光記録媒体を作成した。また各記録線速度における記録条件は、２ｘで記録パワーＰｗｌ＝１８．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｌ＝１０．８［ｍＷ］（εｌ＝０．６０）、４ｘで記録パワーＰｗｍ＝２１．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｍ＝１０．５［ｍＷ］（εｍ＝０．５０）、６ｘで記録パワーＰｗｈ＝２３．０［ｍＷ］、消去パワーＰｅｈ＝９．２［ｍＷ］（εｈ＝０．４０）を用いた（εｈ＜εｍ＜εｌ：（１）式）。これ以外の記録条件は実施例Ｅ−１と同じ条件とし、記録特性を測定した。
表２に示すようにＤＯＷ９ジッタは２ｘで８．０％、４ｘで７．６％、６ｘで８．６％と全ての線速度において１０％を下回り良好であった。オーバーライト特性も同様に良好であった。
（比較例Ｅ−４）
εｍ＝０．２５（Ｐｅｍ＝４．３ｍＷ、εｍ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、２ｘ、６ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、４ｘではジッタが２５．１％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは４ｘ（中線速度）のパワー比εｍ＝０．２５を、６ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２９より小さくしたことで、中線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
εｍ＝０．２５（Ｐｅｍ＝４．３ｍＷ、εｍ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、２ｘ、６ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、４ｘではジッタが２５．１％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは４ｘ（中線速度）のパワー比εｍ＝０．２５を、６ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２９より小さくしたことで、中線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
（比較例Ｅ−５）
εｌ＝０．２５（Ｐｅｌ＝４．０ｍＷ、εｌ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、４ｘ、６ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、２ｘではジッタが２４．３％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは２ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．２５を、６ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２９より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
εｌ＝０．２５（Ｐｅｌ＝４．０ｍＷ、εｌ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、４ｘ、６ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、２ｘではジッタが２４．３％と非常に悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは２ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．２５を、６ｘ（高線速度）のεｈ＝０．２９より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
（比較例Ｅ−６）
εｌ＝０．３５（Ｐｅｌ＝５．６ｍＷ、εｍ＞εｌ＞εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、４ｘ、６ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、２ｘではジッタが１４．６％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは２ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．３５を、４ｘ（中線速度）のεｍ＝０．４２より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
εｌ＝０．３５（Ｐｅｌ＝５．６ｍＷ、εｍ＞εｌ＞εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、４ｘ、６ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、２ｘではジッタが１４．６％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。これは２ｘ（低線速度）のパワー比εｌ＝０．３５を、４ｘ（中線速度）のεｍ＝０．４２より小さくしたことで、低線速度での消去パワーが十分でなく消え残りが発生したためである。
（比較例Ｅ−７）
εｈ＝０．６０（Ｐｅｈ＝１２．０ｍＷ、εｍ＜εｌ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、２ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、６ｘではジッタが１６．２％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。また、ＤＯＷ１０００の反射率が１４．２％と非常に低下しており、オーバーライトでも良好な特性が得られなかった。これは、６ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
εｈ＝０．６０（Ｐｅｈ＝１２．０ｍＷ、εｍ＜εｌ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、２ｘ、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、６ｘではジッタが１６．２％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。また、ＤＯＷ１０００の反射率が１４．２％と非常に低下しており、オーバーライトでも良好な特性が得られなかった。これは、６ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
（比較例Ｅ−８）
εｌ＝０．３５、εｈ＝０．５０（Ｐｅｌ＝５．６ｍＷ、Ｐｅｈ＝１０．０ｍＷ、εｌ＜εｍ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、２ｘでは１４．６％、６ｘでは１４．１％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。また、６ｘでのＤＯＷ１０００の反射率が１５．３％と低下しており、良好なオーバーライト特性が得られなかった。これは、６ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
εｌ＝０．３５、εｈ＝０．５０（Ｐｅｌ＝５．６ｍＷ、Ｐｅｈ＝１０．０ｍＷ、εｌ＜εｍ＜εｈ）と変更した他は、実施例Ｅ−１と全て同じ条件とした。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表２に示すように、４ｘでのＤＯＷ９ジッタは実施例Ｅ−１と同じであったが、２ｘでは１４．６％、６ｘでは１４．１％と悪化しており、良好なジッタ特性が得られなかった。また、６ｘでのＤＯＷ１０００の反射率が１５．３％と低下しており、良好なオーバーライト特性が得られなかった。これは、６ｘ（高線速度）記録でεｈを大きくしたことで過剰に消去パワーが印加されたために、記録層３の過冷却による結晶状態の悪化が原因である。
実施例Ｅ−１と比較例Ｅ−４〜Ｅ−８の各記録線速度におけるＤＯＷ９ジッタの関係を図７に示す。表２及び図７からも各記録線速度におけるパワー比の関係が（１）式を満たすと記録及びオーバライト特性が最良となることが判明した。なお図示していない残りの実施例Ｅ−２以降も、表２からわかるように全ての記録線速度において、ＤＯＷ９ジッタが１０％以下となる。
以上より、低線速度を１倍速、高線速度を４倍速とした実施例Ｄ−１〜Ｄ−３及び比較例Ｄ−４〜Ｄ−８と、低線速度を２倍速、高線速度を６倍速とした実施例Ｅ−１〜Ｅ−３及び比較例Ｅ−４〜Ｅ−８のいずれにおいても、パワー比εが（１）式の関係を満たすと光記録媒体は最良の記録及びオーバライト特性を得られることが判明した。更に、（１）式の関係は光記録媒体の記録層３の組成や最高記録線速度によって影響を受けるものではないことも判明した。
パワー比εが高線速度εｈ、中線速度εｍ、低線速度εｌの順に大きくなり（１）式の関係を満たす場合には、いずれの記録線速度においてもＤＯＷ９ジッタが良好であることがわかる。
中線速度のパワー比を高線速度のパワー比より小さくした（εｍ＜εｈ）場合には、高線速度記録で消去パワーＰｅｈが過剰に高くなり、結晶化すべき部分にアモルファス化が起き、初回記録特性から特性悪化が引き起こされるので、好ましくない。また、アモルファス化しないように記録層３の組成を調整しても、消去パワーＰｅｈが高いためにＤＯＷ１０００での反射率の低下が起こり、記録特性が悪化するので、好ましくない。
低線速度のパワー比を中線速度のパワー比より小さくした（εｌ＜εｍ）場合には、低線速度で消去パワーＰｅｌが足りないために消し残りが発生し、オーバーライト特性が悪化するので、好ましくない。
以上より、各記録線速度のパワー比εは記録層３の組成や最高記録速度によらず、（１）式の関係が好ましい。
中線速度のパワー比を高線速度のパワー比より小さくした（εｍ＜εｈ）場合には、高線速度記録で消去パワーＰｅｈが過剰に高くなり、結晶化すべき部分にアモルファス化が起き、初回記録特性から特性悪化が引き起こされるので、好ましくない。また、アモルファス化しないように記録層３の組成を調整しても、消去パワーＰｅｈが高いためにＤＯＷ１０００での反射率の低下が起こり、記録特性が悪化するので、好ましくない。
低線速度のパワー比を中線速度のパワー比より小さくした（εｌ＜εｍ）場合には、低線速度で消去パワーＰｅｌが足りないために消し残りが発生し、オーバーライト特性が悪化するので、好ましくない。
以上より、各記録線速度のパワー比εは記録層３の組成や最高記録速度によらず、（１）式の関係が好ましい。
≪パワー比εｌとεｈの関係の検討≫
続いて本発明者は、低線速度のパワー比εｌと高線速度のパワー比εｈとが所定の関係にあることで、光記録媒体は良好な記録及びオーバライト特性が得られると推定し、実施例Ｆ−１〜Ｆ−５及び比較例Ｆ―６〜Ｆ−１１に基づいてその推定が正しく、パワー比εｌとεｈとの関係を有することを見出した。ここでは、εｈ／εｌ＝αである係数αを指標にして関係を求めた。なお、全ての実施例Ｆ及び比較例Ｆにおいてパワー比は（１）式の関係を満たしている。
続いて本発明者は、低線速度のパワー比εｌと高線速度のパワー比εｈとが所定の関係にあることで、光記録媒体は良好な記録及びオーバライト特性が得られると推定し、実施例Ｆ−１〜Ｆ−５及び比較例Ｆ―６〜Ｆ−１１に基づいてその推定が正しく、パワー比εｌとεｈとの関係を有することを見出した。ここでは、εｈ／εｌ＝αである係数αを指標にして関係を求めた。なお、全ての実施例Ｆ及び比較例Ｆにおいてパワー比は（１）式の関係を満たしている。
（実施例Ｆ−１）
本実施例は全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした（εｈ＝０．２７（Ｐｅｈ＝４．６ｍＷ、係数α＝０．５２９））。高線速度である４倍速（４ｘ）における記録特性を実施例Ｄ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で６．２％、ＤＯＷ１で７．８％、ＤＯＷ９で７．８％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００もジッタが８．２％、反射率が２０．２％と低下がなく良好であった（表３には４ｘにおけるＤＯＷ１０００の反射率のみを示す）。
なお、表３には以下の実施例Ｆ−２〜Ｆ−５及び比較例Ｆ―６〜Ｆ−１１も同様に示す。
本実施例は全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした（εｈ＝０．２７（Ｐｅｈ＝４．６ｍＷ、係数α＝０．５２９））。高線速度である４倍速（４ｘ）における記録特性を実施例Ｄ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で６．２％、ＤＯＷ１で７．８％、ＤＯＷ９で７．８％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００もジッタが８．２％、反射率が２０．２％と低下がなく良好であった（表３には４ｘにおけるＤＯＷ１０００の反射率のみを示す）。
なお、表３には以下の実施例Ｆ−２〜Ｆ−５及び比較例Ｆ―６〜Ｆ−１１も同様に示す。
（実施例Ｆ−２）
εｈ＝０．２３（Ｐｅｈ＝４．０ｍＷ、α＝０．４５１）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０からＤＯＷ９までジッタが良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も１９．５％と低下がなく良好であった。
εｈ＝０．２３（Ｐｅｈ＝４．０ｍＷ、α＝０．４５１）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０からＤＯＷ９までジッタが良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も１９．５％と低下がなく良好であった。
（実施例Ｆ−３）
εｈ＝０．４０（Ｐｅｈ＝６．９ｍＷ、α＝０．７８４）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０からＤＯＷ９までジッタ特性が良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も２０．７％と低下がなく良好であった。
εｈ＝０．４０（Ｐｅｈ＝６．９ｍＷ、α＝０．７８４）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０からＤＯＷ９までジッタ特性が良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も２０．７％と低下がなく良好であった。
（実施例Ｆ−４）
光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を５０ｎｍに変更し、εｌ＝０．４０、εｈ＝０．２１（Ｐｅｈ＝３．６ｍＷ、α＝０．５２５）と変更した他は全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｄ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにジッタがＤＯＷ０で７．０％、ＤＯＷ１で９．２％、ＤＯＷ９で８．６％とジッタ特性が良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタは８．９％、反射率も１８．３％と低下がなく良好であった。
光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を５０ｎｍに変更し、εｌ＝０．４０、εｈ＝０．２１（Ｐｅｈ＝３．６ｍＷ、α＝０．５２５）と変更した他は全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｄ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにジッタがＤＯＷ０で７．０％、ＤＯＷ１で９．２％、ＤＯＷ９で８．６％とジッタ特性が良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタは８．９％、反射率も１８．３％と低下がなく良好であった。
（実施例Ｆ−５）
実施例Ｆ−５では、光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を９０ｎｍに変更し、εｌ＝０．７５、εｈ＝０．４０（Ｐｅｈ＝６．９ｍＷ、α＝０．５３３）と変更した他は全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｄ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにジッタがＤＯＷ０で７．２％、ＤＯＷ１で８．８％、ＤＯＷ９で８．４％と良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタが９．３％、反射率も２２．６％と低下がなく良好であった。
実施例Ｆ−５では、光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を９０ｎｍに変更し、εｌ＝０．７５、εｈ＝０．４０（Ｐｅｈ＝６．９ｍＷ、α＝０．５３３）と変更した他は全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｄ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにジッタがＤＯＷ０で７．２％、ＤＯＷ１で８．８％、ＤＯＷ９で８．４％と良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタが９．３％、反射率も２２．６％と低下がなく良好であった。
（比較例Ｆ−６）
εｈ＝０．２０（Ｐｅｈ＝３．４ｍＷ、α＝０．３９２）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ１ジッタが１２．３％、ＤＯＷ９ジッタが１２．１％とジッタ特性が良好でなかった。これは高線速度（４ｘ）の消去パワーＰｅｈが３．４ｍＷと低すぎるために、消し残りによる特性悪化が現れたためである。
εｈ＝０．２０（Ｐｅｈ＝３．４ｍＷ、α＝０．３９２）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ１ジッタが１２．３％、ＤＯＷ９ジッタが１２．１％とジッタ特性が良好でなかった。これは高線速度（４ｘ）の消去パワーＰｅｈが３．４ｍＷと低すぎるために、消し残りによる特性悪化が現れたためである。
（比較例Ｆ−７）
εｈ＝０．４５（Ｐｅｈ＝７．７ｍＷ、α＝０．８８２）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ１ジッタが１１．３％とジッタ特性が良好でなかった。また高線速度（４ｘ）の消去パワーＰｅｈが７．７ｍＷと高いために、高線速度のＤＯＷ１０００の反射率が１７．６％と悪化していた。
εｈ＝０．４５（Ｐｅｈ＝７．７ｍＷ、α＝０．８８２）と変更した他は、実施例Ｆ−１と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−１と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ１ジッタが１１．３％とジッタ特性が良好でなかった。また高線速度（４ｘ）の消去パワーＰｅｈが７．７ｍＷと高いために、高線速度のＤＯＷ１０００の反射率が１７．６％と悪化していた。
（比較例Ｆ−８）
εｈ＝０．１５（Ｐｅｈ＝２．６ｍＷ、α＝０．３７５）と変更した他は、実施例Ｆ−４と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−４と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．１％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１５．６％とジッタ特性が良好でなかった。
εｈ＝０．１５（Ｐｅｈ＝２．６ｍＷ、α＝０．３７５）と変更した他は、実施例Ｆ−４と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−４と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．１％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１５．６％とジッタ特性が良好でなかった。
（比較例Ｆ−９）
εｈ＝０．３４（Ｐｅｈ＝５．８ｍＷ、α＝０．８５０）と変更した他は、実施例Ｆ−４と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−４と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは８．４％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１３．２％とジッタ特性が良好でなかった。
εｈ＝０．３４（Ｐｅｈ＝５．８ｍＷ、α＝０．８５０）と変更した他は、実施例Ｆ−４と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−４と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは８．４％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１３．２％とジッタ特性が良好でなかった。
（比較例Ｆ−１０）
εｈ＝０．２７（Ｐｅｈ＝４．６ｍＷ、α＝０．３６０）と変更した他は、実施例Ｆ−５と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−５と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．２％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１４．８％とジッタ特性が良好でなかった。
εｈ＝０．２７（Ｐｅｈ＝４．６ｍＷ、α＝０．３６０）と変更した他は、実施例Ｆ−５と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−５と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．２％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１４．８％とジッタ特性が良好でなかった。
（比較例Ｆ−１１）
εｈ＝０．６５（Ｐｅｈ＝１１．２ｍＷ、α＝０．８６７）と変更した他は、実施例Ｆ−５と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−５と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは８．８％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１２．２％とジッタ特性が良好でなかった。
εｈ＝０．６５（Ｐｅｈ＝１１．２ｍＷ、α＝０．８６７）と変更した他は、実施例Ｆ−５と同じ条件とした。４ｘにおける記録特性を実施例Ｆ−５と同様に測定したところ、表３に示すようにＤＯＷ０ジッタは８．８％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１２．２％とジッタ特性が良好でなかった。
以上の実施例Ｆ−１〜Ｆ−５及び比較例Ｆ−６〜Ｆ−１１の４ｘにおけるＤＯＷ１ジッタと係数αとの関係を図８に示す。ＤＯＷ１ジッタが１０％以下となるαの範囲は下記（２）式の関係となることが判明した。αの値が（２）式より大きすぎても小さすぎても、すなわち高線速度のパワー比εｈの値が大きすぎても小さすぎても良好なＤＯＷ１ジッタが得られない。
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
更に本発明者は、記録線速度が上記実施例Ｆ−１〜Ｆ−５及び比較例Ｆ−６〜Ｆ−１１で検討した組み合わせ（１ｘ、２ｘ、４ｘ）と異なる場合にも、光記録媒体の記録及びオーバライト特性が最良となる所定の関係を低線速度のパワー比εｌと高線速度のパワー比εｈとが有することを、実施例Ｇ−１〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１に基づいて見出した。上記同様に係数αを指標として求めた。
以下の全ての実施例Ｇ−１〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１において低線速度はＤＶＤ規格２倍速（２ｘ）、中線速度はＤＶＤ規格４倍速（４ｘ）、高線速度はＤＶＤ規格６倍速（６ｘ）である。なお、全ての実施例Ｇ及び比較例Ｇにおいてパワー比は（１）式の関係を満たしている。
以下の全ての実施例Ｇ−１〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１において低線速度はＤＶＤ規格２倍速（２ｘ）、中線速度はＤＶＤ規格４倍速（４ｘ）、高線速度はＤＶＤ規格６倍速（６ｘ）である。なお、全ての実施例Ｇ及び比較例Ｇにおいてパワー比は（１）式の関係を満たしている。
（実施例Ｇ−１）
全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした（εｈ＝０．２９（Ｐｅｈ＝５．８ｍＷ、係数α＝０．５８０））。高線速度である６倍速（６ｘ）における記録特性を実施例Ｅ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で７．１％、ＤＯＷ１で９．２％、ＤＯＷ９で８．１％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタが９．２％、反射率も１９．６％と低下がなく良好であった。
なお、表４には以下の実施例Ｇ−２〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１も同様に示す。
全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした（εｈ＝０．２９（Ｐｅｈ＝５．８ｍＷ、係数α＝０．５８０））。高線速度である６倍速（６ｘ）における記録特性を実施例Ｅ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で７．１％、ＤＯＷ１で９．２％、ＤＯＷ９で８．１％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタが９．２％、反射率も１９．６％と低下がなく良好であった。
なお、表４には以下の実施例Ｇ−２〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１も同様に示す。
（実施例Ｇ−２）
εｈ＝０．２３（Ｐｅｈ＝４．６ｍＷ、α＝０．４６０）と変更した他は、実施例Ｇ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０〜ＤＯＷ９までジッタが良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も１７．８％と大きな低下がなく良好であった。
εｈ＝０．２３（Ｐｅｈ＝４．６ｍＷ、α＝０．４６０）と変更した他は、実施例Ｇ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０〜ＤＯＷ９までジッタが良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も１７．８％と大きな低下がなく良好であった。
（実施例Ｇ−３）
εｈ＝０．３９（Ｐｅｈ＝８．０ｍＷ、α＝０．７８０）と変更した他は、実施例Ｇ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０〜ＤＯＷ９までジッタが良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も１８．１％と大きな低下がなく良好であった。
εｈ＝０．３９（Ｐｅｈ＝８．０ｍＷ、α＝０．７８０）と変更した他は、実施例Ｇ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０〜ＤＯＷ９までジッタが良好であり、さらにＤＯＷ１０００の反射率も１８．１％と大きな低下がなく良好であった。
（実施例Ｇ−４）
光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を５０ｎｍに、εｌ＝０．３８、εｈ＝０．２２（Ｐｅｈ＝４．４ｍＷ、α＝０．５７９）と変更した他は、全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｅ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で７．３％、ＤＯＷ１で９．１％、ＤＯＷ９で８．０％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタが９．１％、反射率も１８．２％と低下がなく良好であった。
光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を５０ｎｍに、εｌ＝０．３８、εｈ＝０．２２（Ｐｅｈ＝４．４ｍＷ、α＝０．５７９）と変更した他は、全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｅ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で７．３％、ＤＯＷ１で９．１％、ＤＯＷ９で８．０％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタが９．１％、反射率も１８．２％と低下がなく良好であった。
（実施例Ｇ−５）
光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を９０ｎｍに、εｌ＝０．７５、εｈ＝０．３８（Ｐｅｈ＝７．６ｍＷ、α＝０．５０７）と変更した他は、全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｅ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で７．４％、ＤＯＷ１で９．１％、ＤＯＷ９で７．９％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタ値が９．９％、反射率も２２．２％と低下がなく良好であった。
光記録媒体Ａを構成する第１保護層２の層厚を９０ｎｍに、εｌ＝０．７５、εｈ＝０．３８（Ｐｅｈ＝７．６ｍＷ、α＝０．５０７）と変更した他は、全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｅ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにジッタが、ＤＯＷ０で７．４％、ＤＯＷ１で９．１％、ＤＯＷ９で７．９％とそれぞれ良好であり、さらにＤＯＷ１０００でもジッタ値が９．９％、反射率も２２．２％と低下がなく良好であった。
（比較例Ｇ−６）
εｈ＝０．２０（Ｐｅｈ＝４．０ｍＷ、α＝０．４００）と変更した他は、実施例Ｅ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ１ジッタが１２．３％、ＤＯＷ９ジッタが１２．２％と良好でなかった。これは高線速度（６ｘ）における消去パワーＰｅｈが４．０ｍＷと低すぎるために、消し残りによる特性悪化が現れたためである。
εｈ＝０．２０（Ｐｅｈ＝４．０ｍＷ、α＝０．４００）と変更した他は、実施例Ｅ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ１ジッタが１２．３％、ＤＯＷ９ジッタが１２．２％と良好でなかった。これは高線速度（６ｘ）における消去パワーＰｅｈが４．０ｍＷと低すぎるために、消し残りによる特性悪化が現れたためである。
（比較例Ｇ−７）
εｈ＝０．４５（Ｐｅｈ＝９．０ｍＷ、α＝０．９００）と変更した他は、実施例Ｇ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ１ジッタが１３．３％、ＤＯＷ９ジッタが１２．１％と良好でなかった。また高線速度（６ｘ）における消去パワーＰｅｈが９．０ｍＷと高いために、ＤＯＷ１０００の反射率が１３．３％と悪化していた。
εｈ＝０．４５（Ｐｅｈ＝９．０ｍＷ、α＝０．９００）と変更した他は、実施例Ｇ−１と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−１と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ１ジッタが１３．３％、ＤＯＷ９ジッタが１２．１％と良好でなかった。また高線速度（６ｘ）における消去パワーＰｅｈが９．０ｍＷと高いために、ＤＯＷ１０００の反射率が１３．３％と悪化していた。
（比較例Ｇ−８）
εｈ＝０．１５（Ｐｅｈ＝３．０ｍＷ、α＝０．３９５）と変更した他は、実施例Ｇ−４と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−４と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．８％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１５．３％とジッタ特性が良好でなかった。
εｈ＝０．１５（Ｐｅｈ＝３．０ｍＷ、α＝０．３９５）と変更した他は、実施例Ｇ−４と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−４と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．８％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１５．３％とジッタ特性が良好でなかった。
（比較例Ｇ−９）
εｈ＝０．３４（Ｐｅｈ＝６．８ｍＷ、α＝０．８９５）とした他は、実施例Ｇ−４と同様である。実施例Ｇ−４と同様に６ｘにおける記録特性を測定したところ、表４に示すように、ＤＯＷ０ジッタは９．５％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１１．１％と良好でなかった。
εｈ＝０．３４（Ｐｅｈ＝６．８ｍＷ、α＝０．８９５）とした他は、実施例Ｇ−４と同様である。実施例Ｇ−４と同様に６ｘにおける記録特性を測定したところ、表４に示すように、ＤＯＷ０ジッタは９．５％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１１．１％と良好でなかった。
（比較例Ｇ−１０）
εｈ＝０．２８（Ｐｅｈ＝５．６ｍＷ、α＝０．３７３）と変更した他は、実施例Ｇ−５と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−５と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．７％と比較的良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１４．２％と良好でなかった。
εｈ＝０．２８（Ｐｅｈ＝５．６ｍＷ、α＝０．３７３）と変更した他は、実施例Ｇ−５と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−５と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．７％と比較的良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１４．２％と良好でなかった。
（比較例Ｇ−１１）
εｈ＝０．６１（Ｐｅｈ＝１２．２ｍＷ、α＝０．８１３）と変更した他は実施例Ｇ−５と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−５と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．８％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１２．３％と良好でなかった。
εｈ＝０．６１（Ｐｅｈ＝１２．２ｍＷ、α＝０．８１３）と変更した他は実施例Ｇ−５と同じ条件とした。６ｘにおける記録特性を実施例Ｇ−５と同様に測定したところ、表４に示すようにＤＯＷ０ジッタは９．８％と良好であったものの、ＤＯＷ１ジッタが１２．３％と良好でなかった。
以上の実施例Ｇ−１〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１の６ｘにおけるＤＯＷ１ジッタとαの関係を図９に示す。ＤＯＷ１ジッタが１０％以下となるαの範囲は、実施例Ｇ−１〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１においても上記（２）式となることが判明した。αの値が（２）式より大きすぎても小さすぎても、すなわち高線速度のパワー比εｈの値が大きすぎても小さすぎても良好なＤＯＷ１ジッタが得られない。
以上より、低線速度を１倍速、高線速度を４倍速とした実施例Ｆ−１〜Ｆ−５及び比較例Ｆ−６〜Ｆ−１１と、低線速度を２倍速、高線速度を６倍速とした各実施例Ｇ−１〜Ｇ−５及び比較例Ｇ−６〜Ｇ−１１のいずれにおいても、光記録媒体が最良の記録及びオーバライト特性、特に良好なＤＯＷ１ジッタを得られる低線速度のパワー比εｌと高線速度のパワー比εｈとの所定の関係があることが判明した。そしてεｌとεｈとの比εｈ／εｌをαで表したときに、係数αが上記（２）式の範囲にあることが好ましいことが判明した。
すなわち、ＤＯＷ１ジッタをより良好にするには、（１）式を満たすことが必要である。更には、（１）式に加えて（２）式も満たすことが好ましい。
すなわち、ＤＯＷ１ジッタをより良好にするには、（１）式を満たすことが必要である。更には、（１）式に加えて（２）式も満たすことが好ましい。
α＜０．４５である場合、高線速度での消去パワーＰｅｈが小さくなりすぎて消去しづらく、消し残りからＤＯＷ１以降のジッタが悪化するので、好ましくない。一方、０．８０＜αである場合、高線速度での消去パワーＰｅｈが比較的高くなり、結晶化すべき部分にアモルファス化が起き、ＤＯＷ１のジッタ特性が悪化するので好ましくない。従って、光記録媒体の記録及びオーバライト特性が良好となるために好ましいαの範囲は（２）式である。
更に、媒体の環境安定性や汎用記録装置のマージンを考慮してジッタ値が９％を下回る、０．５５＜α＜０．６５の範囲がより好ましい。
更に、媒体の環境安定性や汎用記録装置のマージンを考慮してジッタ値が９％を下回る、０．５５＜α＜０．６５の範囲がより好ましい。
≪記録パワーの関係を検討≫
続いて、低線速度の記録パワーＰｗｌと中線速度の記録パワーＰｗｍと高線速度の記録パワーＰｗｈとの大小関係が、光記録媒体の良好な記録及びオーバライト特性に影響を与えるのではないかと推定し、下記の実施例H−１、H−２及び比較例H−３〜H−５に基づいてその推定が正しく、記録パワーが最良な関係を有することを見出した。
続いて、低線速度の記録パワーＰｗｌと中線速度の記録パワーＰｗｍと高線速度の記録パワーＰｗｈとの大小関係が、光記録媒体の良好な記録及びオーバライト特性に影響を与えるのではないかと推定し、下記の実施例H−１、H−２及び比較例H−３〜H−５に基づいてその推定が正しく、記録パワーが最良な関係を有することを見出した。
（実施例H−１）
全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした（Ｐｗｌ＝１４．１ｍＷ、Ｐｗｍ＝１６．２ｍＷ、Ｐｗｈ＝１７．２ｍＷ、Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すようにＤＯＷ９ジッタが、低線速度（１ｘ）で７．３％、中線速度（２ｘ）で７．１％、高線速度（４ｘ）で７．８％とそれぞれ良好であり、さらにそのときの変調度（ＤＯＷ９）はそれぞれ６０．８％、６４．９％、６５．９％と良好であった。
なお、表５には以下の実施例Ｈ−２及び比較例Ｈ−３〜H−５も同様に示す。
ここで、変調度とは信号強度の大きさであり、図１０に示すように、（変調度）＝（Ｉ１４／Ｉ１４Ｈ）で表され、ＤＶＤの規格値である６０％以上を良好の基準とした。
全て実施例Ｄ−１と同じ条件とした（Ｐｗｌ＝１４．１ｍＷ、Ｐｗｍ＝１６．２ｍＷ、Ｐｗｈ＝１７．２ｍＷ、Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）。実施例Ｄ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すようにＤＯＷ９ジッタが、低線速度（１ｘ）で７．３％、中線速度（２ｘ）で７．１％、高線速度（４ｘ）で７．８％とそれぞれ良好であり、さらにそのときの変調度（ＤＯＷ９）はそれぞれ６０．８％、６４．９％、６５．９％と良好であった。
なお、表５には以下の実施例Ｈ−２及び比較例Ｈ−３〜H−５も同様に示す。
ここで、変調度とは信号強度の大きさであり、図１０に示すように、（変調度）＝（Ｉ１４／Ｉ１４Ｈ）で表され、ＤＶＤの規格値である６０％以上を良好の基準とした。
（実施例Ｈ−２）
Ｐｗｌ＝１５．２ｍＷ、Ｐｗｍ＝１５．８ｍＷ、Ｐｗｈ＝１６．２ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すようにＤＯＷ９ジッタが、１ｘで７．７％、２ｘで７．２％、４ｘで８．０％とそれぞれ良好であり、さらにそのときの変調度もそれぞれ６１．１％、６３．９％、６３．２％と良好であった。
Ｐｗｌ＝１５．２ｍＷ、Ｐｗｍ＝１５．８ｍＷ、Ｐｗｈ＝１６．２ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すようにＤＯＷ９ジッタが、１ｘで７．７％、２ｘで７．２％、４ｘで８．０％とそれぞれ良好であり、さらにそのときの変調度もそれぞれ６１．１％、６３．９％、６３．２％と良好であった。
（比較例Ｈ−３）
Ｐｗｈ＝１５．０ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｍ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すように４ｘのＤＯＷ９ジッタが１１．５％と実施例Ｈ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５６．２％と悪化していた。
Ｐｗｈ＝１５．０ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｍ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すように４ｘのＤＯＷ９ジッタが１１．５％と実施例Ｈ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５６．２％と悪化していた。
（比較例Ｈ−４）
Ｐｗｍ＝１３．０ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すように２ｘのＤＯＷ９ジッタが１２．１％と実施例Ｈ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５２．３％と悪化していた。
Ｐｗｍ＝１３．０ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すように２ｘのＤＯＷ９ジッタが１２．１％と実施例Ｈ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５２．３％と悪化していた。
（比較例Ｈ−５）
Ｐｗｌ＝１７．８ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｌ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すように、１ｘのＤＯＷ９ジッタが１０．９％と実施例Ｈ−１と比べて劣っていた。
Ｐｗｌ＝１７．８ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｌ）と変更した他は、実施例Ｈ−１と同じ条件とした。実施例Ｈ−１と同様の測定をしたところ、表５に示すように、１ｘのＤＯＷ９ジッタが１０．９％と実施例Ｈ−１と比べて劣っていた。
以上より、記録線速度の上昇とともに記録パワーを上げないとパワー不足となり、十分な信号強度（＝変調度）が得られずジッタが悪化することが判明した。一方低線速度で高記録パワーを用いて記録すると、過剰なレーザパワー密度によりクロストークが大きくなるのでジッタが悪化する。
従って光記録媒体の良好な記録及びオーバライト特性を得るためには高線速度になるほど記録パワーを大きくする下記（３）式の関係を満たすことが好ましい。
従って光記録媒体の良好な記録及びオーバライト特性を得るためには高線速度になるほど記録パワーを大きくする下記（３）式の関係を満たすことが好ましい。
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
更に本発明者は、記録線速度が上記実施例Ｈ−１、Ｈ−２及び比較例Ｈ−３〜Ｈ−５で検討した組み合わせ（１ｘ、２ｘ、４ｘ）と異なる場合にも、上記（３）式に示す各記録線速度における記録パワーの大小関係において光記録媒体の最良な記録及びオーバライト特性が得られることを実施例Ｉ−１、Ｉ−２及び比較例Ｉ−３〜Ｉ−５に基づいて見出した。
以下の全ての実施例Ｉ及び比較例Ｉにおいて低線速度はＤＶＤ規格２倍速（２ｘ）、中線速度はＤＶＤ規格４倍速（４ｘ）、高線速度はＤＶＤ規格６倍速（６ｘ）である。
以下の全ての実施例Ｉ及び比較例Ｉにおいて低線速度はＤＶＤ規格２倍速（２ｘ）、中線速度はＤＶＤ規格４倍速（４ｘ）、高線速度はＤＶＤ規格６倍速（６ｘ）である。
（実施例Ｉ−１）
全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした（Ｐｗｌ＝１６．１ｍＷ、Ｐｗｍ＝１７．２ｍＷ、Ｐｗｈ＝２０．０ｍＷ、Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すようにＤＯＷ９ジッタが、低線速度（２ｘ）で７．５％、中線速度（４ｘ）で７．４％、高線速度（６ｘ）で８．１％と良好であり、さらにそのとき（ＤＯＷ９）の変調度はそれぞれ６１．２％、６３．５％、６２．２％と良好であった。
なお、表６には以下の実施例Ｉ−２及び比較例Ｉ−３〜Ｉ−５も同様に示す。
全て実施例Ｅ−１と同じ条件とした（Ｐｗｌ＝１６．１ｍＷ、Ｐｗｍ＝１７．２ｍＷ、Ｐｗｈ＝２０．０ｍＷ、Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）。実施例Ｅ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すようにＤＯＷ９ジッタが、低線速度（２ｘ）で７．５％、中線速度（４ｘ）で７．４％、高線速度（６ｘ）で８．１％と良好であり、さらにそのとき（ＤＯＷ９）の変調度はそれぞれ６１．２％、６３．５％、６２．２％と良好であった。
なお、表６には以下の実施例Ｉ−２及び比較例Ｉ−３〜Ｉ−５も同様に示す。
（実施例Ｉ−２）
Ｐｗｌ＝１５．５ｍＷ、Ｐｗｍ＝１６．４ｍＷ、Ｐｗｈ＝１８．６ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すようにＤＯＷ９ジッタが、２ｘで８．３％、４ｘで８．２％、６ｘで９．２％とそれぞれ良好であり、さらにそのときの変調度もそれぞれ６０．３％、６１．９％、６０．１％と良好であった。
Ｐｗｌ＝１５．５ｍＷ、Ｐｗｍ＝１６．４ｍＷ、Ｐｗｈ＝１８．６ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すようにＤＯＷ９ジッタが、２ｘで８．３％、４ｘで８．２％、６ｘで９．２％とそれぞれ良好であり、さらにそのときの変調度もそれぞれ６０．３％、６１．９％、６０．１％と良好であった。
（比較例Ｉ−３）
Ｐｗｈ＝１６．６ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｍ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すように、６ｘのＤＯＷ９ジッタが１３．６％と実施例Ｉ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５２．８％と悪化していた。
Ｐｗｈ＝１６．６ｍＷ（Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｍ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すように、６ｘのＤＯＷ９ジッタが１３．６％と実施例Ｉ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５２．８％と悪化していた。
（比較例Ｉ−４）
Ｐｗｍ＝１４．０ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すように、４ｘのＤＯＷ９ジッタが１２．７％と実施例Ｉ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５２．３％と悪化していた。
Ｐｗｍ＝１４．０ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｌ＜Ｐｗｈ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すように、４ｘのＤＯＷ９ジッタが１２．７％と実施例Ｉ−１と比べて劣っており、さらにそのときの変調度も５２．３％と悪化していた。
（比較例Ｉ−５）
Ｐｗｌ＝２１．０ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｌ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すように、２ｘのＤＯＷ９ジッタが１１．２％と実施例Ｉ−１と比べて劣っていた。
Ｐｗｌ＝２１．０ｍＷ（Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ＜Ｐｗｌ）と変更した他は、実施例Ｉ−１と同じ条件とした。実施例Ｉ−１と同様の測定をしたところ、表６に示すように、２ｘのＤＯＷ９ジッタが１１．２％と実施例Ｉ−１と比べて劣っていた。
以上より、各記録線速度での記録パワーが上記（３）式の関係を満たすと、光記録媒体は良好な記録及びオーバライト特性を得られることが判明した。
以上のように、低線速度を１倍速、高線速度を４倍速とした実施例Ｈ−１、Ｈ−２及び比較例Ｈ−３〜Ｈ−５、または低線速度を２倍速、高線速度を６倍速とした実施例Ｉ−１、Ｉ−２及び比較例Ｉ−３〜Ｉ−５のいずれにおいても、記録速度の上昇とともに記録パワーを上げないと、パワー不足となり十分な信号強度（＝変調度）が得られずジッタが悪化することが判明した。一方低線速度で高記録パワーを用いて記録すると、過剰なレーザパワー密度によりクロストークが大きくなるのでジッタ値が悪化する。このことより、高線速度になるほど記録パワーを大きくする（３）式の関係が好ましい。
以上のように、低線速度を１倍速、高線速度を４倍速とした実施例Ｈ−１、Ｈ−２及び比較例Ｈ−３〜Ｈ−５、または低線速度を２倍速、高線速度を６倍速とした実施例Ｉ−１、Ｉ−２及び比較例Ｉ−３〜Ｉ−５のいずれにおいても、記録速度の上昇とともに記録パワーを上げないと、パワー不足となり十分な信号強度（＝変調度）が得られずジッタが悪化することが判明した。一方低線速度で高記録パワーを用いて記録すると、過剰なレーザパワー密度によりクロストークが大きくなるのでジッタ値が悪化する。このことより、高線速度になるほど記録パワーを大きくする（３）式の関係が好ましい。
記録線速度を高速化していくと、単位面積あたりの記録パワー密度が低下するので、十分な記録信号が得られるマーク幅を大きくするために、記録パワーをＰｗｈ＝Ｐｗｌ×１．２〜Ｐｗｌ×１．４くらいの範囲で記録速度とともに順次大きくすることが好ましい。
上述で述べているＤＶＤ−ＲＷなどの相変化型光記録媒体のみならず、図１１に示すような超高密度の相変化型記録媒体の構成でも同様の効果があるといえる。図１１に示す光記録媒体Ｂは記録・再生または消去用のレーザ光の入射面１７ａを底面とした保護層１７の上に、第１保護層１２、記録層１３、第２保護層１４、反射層１５、及び基板１１を順次積層した構成となっている。
Ａ 光記録媒体
Ｐｅ 消去パワー（Ｐｅｌ、Ｐｅｍ、Ｐｅｈ）
Ｐｗ 記録パワー（Ｐｗｌ、Ｐｗｍ、Ｐｗｈ）
Ｐｂ ボトムパワー
ε パワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）（εｌ、εｍ、εｈ）
Ｖ 記録線速度（Ｖｌ、Ｖｍ、Ｖｈ）
３ 記録層
３４ 光ヘッド３４（記録部）
３９ 記録パルス生成部（記録部）
４１ ＥＦＭ＋エンコーダ（エンコーダ）
４２ マーク長カウンタ（マーク長生成部）
４３ ＬＤドライバ部（記録部）
４００ 記録部（記録パルス生成部３９、ＬＤドライバ部４３、光ヘッド３４）
Ｐｅ 消去パワー（Ｐｅｌ、Ｐｅｍ、Ｐｅｈ）
Ｐｗ 記録パワー（Ｐｗｌ、Ｐｗｍ、Ｐｗｈ）
Ｐｂ ボトムパワー
ε パワー比（Ｐｅ／Ｐｗ）（εｌ、εｍ、εｈ）
Ｖ 記録線速度（Ｖｌ、Ｖｍ、Ｖｈ）
３ 記録層
３４ 光ヘッド３４（記録部）
３９ 記録パルス生成部（記録部）
４１ ＥＦＭ＋エンコーダ（エンコーダ）
４２ マーク長カウンタ（マーク長生成部）
４３ ＬＤドライバ部（記録部）
４００ 記録部（記録パルス生成部３９、ＬＤドライバ部４３、光ヘッド３４）
Claims (9)
- 相変化型光記録媒体の記録層に記録情報を記録する光記録方法において、
前記記録情報を変調して変調データを生成する変調ステップと、
前記変調データに基づいて所望のマーク長を生成するマーク長生成ステップと、
前記マーク長に基づいて、消去パワーから立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワーと前記消去パワーより小なるボトムパワーとの間で形成される記録パルスと、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルスとよりなる記録パルスパターンを生成し、前記記録層に対して記録光を前記記録パルスパターンに応じて照射して前記記録情報を示す記録マークを記録する記録ステップとを含み、
前記記録ステップは、前記記録層に対する記録線速度を第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）とから選択した記録線速度で記録するものであり、
前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録方法。 - 前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする請求項１記載の光記録方法。 - 前記記録ステップにおける前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする請求項１または２記載の光記録方法。 - 相変化型光記録媒体の記録層に記録情報を記録する光記録装置において、
前記記録情報を変調して変調データを生成するエンコーダと、
前記変調データに基づいて所望のマーク長を生成するマーク長生成部と、
前記マーク長に基づいて、消去パワーから立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワーと前記消去パワーより小なるボトムパワーとの間で形成される記録パルスと、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルスとよりなる記録パルスパターンを生成し、前記記録層に対して記録光を前記記録パルスパターンに応じて照射して前記記録情報を示す記録マークを記録する記録部とを含み、
前記記録部は、前記記録層に対する記録線速度を第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）とから選択した記録線速度で記録するものであり、
前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌと、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍと、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録装置。 - 前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする請求項４記載の光記録装置。 - 前記記録部における前記第１の記録線速度Ｖｌによる記録と前記第２の記録線速度Ｖｍによる記録と前記第３の記録線速度Ｖｈによる記録は、下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする請求項４または５記載の光記録装置。 - 相変化型光記録媒体において、
消去パワーから立ち上がり前記消去パワーより大なる記録パワーと前記消去パワーより小なるボトムパワーとの間で形成される記録パルスと、前記ボトムパワーから前記消去パワーへと立ち上がる消去パルスとよりなる記録パルスパターンに応じて記録光を照射することにより記録情報を示す記録マークを記録する記録層を備え、
前記記録層の所定の領域には第１の記録線速度Ｖｌと第２の記録線速度Ｖｍと第３の記録線速度Ｖｈ（ここでＶｌ＜Ｖｍ＜Ｖｈ）それぞれにおける記録パワーと消去パワーとを示す識別情報が記録されており、前記識別情報は前記第１の記録線速度Ｖｌにおける第１の消去パワーＰｅｌを第１の記録パワーＰｗｌで割った第１のパワー比εｌ、前記第２の記録線速度Ｖｍにおける第２の消去パワーＰｅｍを第２の記録パワーＰｗｍで割った第２のパワー比εｍ、前記第３の記録線速度Ｖｈにおける第３の消去パワーＰｅｈを第３の記録パワーＰｗｈで割った第３のパワー比εｈとが下記（１）式なる関係
εｈ＜εｍ＜εｌ …（１）
を満たすことを特徴とする光記録媒体。 - 前記第３のパワー比εｈと前記第１のパワー比εｌとの比εｈ／εｌをαとしたとき、前記識別情報は下記（２）式なる関係
０．４５＜α＜０．８０ …（２）
を満たすことを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。 - 前記識別情報は下記（３）式なる関係
Ｐｗｌ＜Ｐｗｍ＜Ｐｗｈ …（３）
を満たすことを特徴とする請求項７または８記載の光記録媒体。
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