JP2005236144A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 遷移金属元素を含む被エッチング材料1をカルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質4にさらし、少なくとも被エッチング材料1の露出表面をカルボン酸塩5に変換したのち、被エッチング材料1の露出表面にエネルギービーム6を照射して変換したカルボン酸塩5を揮発除去する。
【選択図】 図1
Description
この場合、遷移金属とハロゲンの反応生成物が室温で高い蒸気圧をもっているとはいえないため、基板温度を高温にしてエッチングする方法が知られている。
しかし、それでもなお、側壁付着物によるショートや、イオン衝撃による材料への物理的損傷が生じるという問題があり、垂直加工が困難であるいった点は解消されていない。
なお、図における符号2はマスクである。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、ドライエッチング方法において、遷移金属元素を含む被エッチング材料1をカルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質4にさらし、少なくとも被エッチング材料1の露出表面をカルボン酸塩5に変換する工程、及び、被エッチング材料1の露出表面にエネルギービーム6を照射して変換したカルボン酸塩5を揮発除去する工程とを有することを特徴とする。
なお、この様な酸化工程とは、酸化を主目的としない洗浄工程等に伴う酸化も含むものである。
但し、遷移金属を主要構成元素として含む酸窒化物材料或いは窒化物材料等への適用を妨げるものではない。
図2参照
図2は本発明の実施例1に用いるドライエッチング装置の概念的構成を示す断面図であり、プラズマ15を発生させる放電室10と、被処理試料21をエッチング処理する処理室20によって構成される。
まず、シリコン基板31上に厚さが、例えば、200nmのCoFe層32を成膜した被処理試料21を準備し、CoFe層32上に通常のフォトリソグラフィー工程でレジストパターン33を形成する。
なお、CoFe層32の露出表面にはレジスト残渣の除去に伴う工程等により厚さが、例えば、10nm以下の自然酸化膜34が形成されている。
なお、レジストパターン33には酢酸が物理吸着するが、レジストパターン33を侵食することはなく、また、処理室20は真空排気装置によって排気しているので、レジストパターン33に吸着していた酢酸分子は揮発してしまう。
この時、O+ イオン37の作用によって、酢酸塩層36が除去された清浄なCoFe層32の表面には新たな自然酸化膜38が形成される。
なお、エッチング速度は、遮蔽板17に印加する電圧の間欠時間とデューティー、負電圧値に依存するが、5nm/分程度のエッチング速度が得られる。
この様な酢酸塩層の形成工程−O+ イオン照射による蒸発工程をCoFe層32の膜厚に応じて繰り返したのち、最後に、被処理試料21を80〜300℃、例えば、200℃に加熱してエッチング工程に伴って凹部の側壁に残存する酢酸塩層36を除去することによってドライエッチング工程が終了する。
即ち、イオンミリング等の物理的エッチングのようなエッチング加工に必要なエネルギーではなく、酢酸塩の蒸発に必要な加熱温度を得るための加速エネルギーで良いため、より低電圧となる。
図5参照
図5は本発明の実施例2に用いるドライエッチング装置の概念的構成を示す断面図であり、電子線51を発生させる電子線源50と、被処理試料21をエッチング処理する処理室20によって構成される。
まず、シリコン基板31上に厚さが、例えば、200nmのCoFe層32を成膜した被処理試料21を準備し、このCoFe層32上にSiO2 膜39を形成する。
なお、CoFe層32の露出表面にはレジストパターン40の除去に伴う工程等により厚さが、例えば、10nm以下の自然酸化膜34が形成されている。
次いで、電子線源50で発生させた電子線51をAu薄膜52を透過させて処理室20に導入して被処理試料21に照射し、被処理試料21の露出表面において酢酸塩層36を加熱・蒸発することによって脱離させて除去する。
この時、電子線51の照射工程でCoFe層32の露出表面に吸着サイトが形成されることによって酢酸塩層36の形成が促進される。
図8参照
図8は本発明の実施例3に用いるドライエッチング装置の概念的構成を示す断面図であり、紫外線61を発生させる紫外線源60と、被処理試料21をエッチング処理する処理室20によって構成され、紫外線源60と処理室20との境界には両者を分離するとともに紫外線61を透過することが可能な石英製の紫外線透過窓62が設けられている。
図9参照
まず、シリコン基板31上に厚さが、例えば、200nmのCoFe層32を成膜した被処理試料21を準備し、このCoFe層32上に150nm以下の波長の紫外線の遮断が可能なSiN膜42を形成する。
なお、この場合にも、CoFe層32の露出表面にはレジストパターン44の除去に伴う工程等により厚さが、例えば、10nm以下の自然酸化膜34が形成されている。
次いで、紫外線源60で発生させた紫外線61を紫外線透過窓62を透過させて処理室20に導入して被処理試料21に照射し、被処理試料21の露出表面において酢酸塩層36を加熱・蒸発することによって脱離させて除去する。
この時、紫外線61の照射工程でCoFe層32の露出表面に吸着サイトが形成されることによって酢酸塩層36の形成が促進される。
まず、シリコン基板31上に厚さが、例えば、200nmのCoFe層32を成膜した被処理試料21を準備し、CoFe層32上に通常のフォトリソグラフィー工程でレジストパターン33を形成する。
なお、CoFe層32の露出表面にはレジスト残渣の除去に伴う工程等により厚さが、例えば、10nm以下の自然酸化膜34が形成されている。
この時、イオンミリングにより除去されたCo及びFeを含むエッチング残渣72が、レジストパターン33及びCoFe層32の側壁等に付着する。
この場合、エッチング残渣72には、自然酸化膜34等に由来する酸素が取り込まれているので、酢酸蒸気35との反応で容易に酢酸塩に変換される。
この工程を付着したエッチング残渣72の厚さに応じて繰り返すことによって、エッチング残渣72は完全に除去されて工程が終了する。
特に、ハフニア( HfO2 )やジルコニア(ZrO2 )或いはHfSiONなどは、高誘電率特性を利用してMOSFETのゲート絶縁膜として用いられるので、本発明はこの様なゲート絶縁膜のエッチング工程も対象とするものである。
再び、図1参照
(付記1) 遷移金属元素を含む被エッチング材料1をカルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質4にさらし、少なくとも前記被エッチング材料1の露出表面をカルボン酸塩5に変換する工程、及び、前記被エッチング材料1の露出表面にエネルギービーム6を照射して前記変換したカルボン酸塩5を揮発除去する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
(付記2) 上記被エッチング材料1を上記カルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質4に曝す前に、前記被エッチング材料1の少なくとも露出表面を酸化する工程を有することを特徴とする付記1記載のドライエッチング方法。
(付記3) 上記エネルギービーム6の照射工程が、酸素イオンを500eV以下の加速エネルギーで照射する工程であることを特徴とする付記1または2に記載のドライエッチング方法。
(付記4) 上記エネルギービーム6の照射工程が、電子線照射工程、紫外線照射工程、或いは、赤外線照射工程のいずれかであることを特徴とする付記1または2に記載のドライエッチング方法。
(付記5) 上記遷移金属元素を含む被エッチング材料1が、遷移金属材料、遷移金属を主要構成元素として含む合金材料、或いは、遷移金属を主要構成元素として含む酸化物材料のいずれかであることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1に記載のドライエッチング方法。
(付記6) 上記カルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、n−吉草酸、2−エチルヘキサン酸、或いは、アセチルアセトンのいずれかからなることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載のドライエッチング方法。
(付記7) 上記カルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質4が、フルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、或いは、トリフルオロ酢酸のいずれかからなることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載のドライエッチング方法。
(付記8) 上記被エッチング材料1の除去工程が、物理的エッチングに伴う側壁付着物の除去工程であることを特徴とする付記1乃至7のいずれか1に記載のドライエッチング方法。
2 マスク
3 酸化物層
4 カルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質
5 カルボン酸塩
6 エネルギービーム
10 放電室
11 ガス導入口
12 放電ガス
13 コイル
14 高周波電源
15 プラズマ
16 正イオン
17 遮蔽板
18 電源
20 処理室
21 被処理試料
22 ステージ
23 温度制御手段
24 ガス導入管
25 有機酸蒸気発生手段
26 有機蒸気ガス
31 シリコン基板
32 CoFe層
33 レジストパターン
34 自然酸化膜
35 酢酸蒸気
36 酢酸塩層
37 O+ イオン
38 自然酸化膜
39 SiO2 膜
40 レジストパターン
41 SiO2 パターン
42 SiN膜
43 レジストパターン
44 SiNパターン
50 電子線源
51 電子線
52 Au薄膜
60 紫外線源
61 紫外線
62 紫外線透過窓
71 Arイオン
72 エッチング残渣
73 酢酸塩層
74 赤外線
Claims (5)
- 遷移金属元素を含む被エッチング材料をカルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質にさらし、少なくとも前記被エッチング材料の露出表面をカルボン酸塩に変換する工程、及び、前記被エッチング材料の露出表面にエネルギービームを照射して前記変換したカルボン酸塩を揮発除去する工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
- 上記被エッチング材料を上記カルボキシル基を少なくとも一つ有するガス状物質に曝す前に、前記被エッチング材料の少なくとも露出表面を酸化する工程を有することを特徴とする請求項1記載のドライエッチング方法。
- 上記エネルギービームの照射工程が、酸素イオンを500eV以下の加速エネルギーで照射する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載のドライエッチング方法。
- 上記エネルギービームの照射工程が、電子線照射工程、紫外線照射工程、或いは、赤外線照射工程のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載のドライエッチング方法。
- 上記遷移金属元素を含む被エッチング材料が、遷移金属材料、遷移金属を主要構成元素として含む合金材料、或いは、遷移金属を主要構成元素として含む酸化物材料のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。
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