JP2005236059A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 処理液供給手段のスリット状吐出口の全体の高さを検出することにより、処理液供給手段と被処理基板との隙間調整の精度の向上を図れるようにすると共に、均一な膜厚を形成する基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板Ｇを保持する基板保持台２２と、基板Ｇの幅方向に延びるスリット状吐出口３１を有するレジスト供給ノズル３０と、レジスト供給ノズル３０を着脱及び調整可能に保持する保持体４０と、基板保持台２２と保持体４０とを相対的に移動する移動機構２３と、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さを検出する高さ検出手段５０とを設ける。高さ検出手段５０を、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部と対向する位置を走査しつつスリット状吐出口３１部の高さを検出するセンサによって形成する。
【選択図】 図２

Description

この発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に処理液例えばレジスト液を供給して処理を施す基板処理装置に関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としてのＬＣＤ用ガラス基板等（以下に基板という）にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜に転写し、これを現像処理し、その後、基板からレジスト膜を除去する一連の処理が施されている。

例えば、レジスト膜の形成方法として、溶剤に感光性樹脂を溶解してなるレジスト液を帯状に吐出するレジスト供給ノズルと、矩形状の基板とを、レジストの吐出方向と直交する方向に相対的に平行移動させて塗布処理する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、従来のこの種の基板処理装置は、例えば、図６に示すように、処理液供給手段であるレジスト供給ノズル３０を門形の保持体４０に取り付け、移動機構２３によって保持体４０を移動させることによって基板保持台２２に保持された基板Ｇとレジスト供給ノズル３０を相対移動させて、レジスト供給ノズル３０に設けられたスリット状吐出口３１（図７参照）からレジスト液を基板Ｇの表面に帯状に供給してレジスト膜を均一に形成している。
特開平１０−１５６２５５号公報（特許請求の範囲、図１）

ところで、レジスト膜を均一にするには、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さすなわち基板Ｇの表面との隙間を一定に維持する必要がある。そのため、従来では、図６に示すように、保持体４０にレジスト供給ノズル３０を取り付けた後、スリット状吐出口３１部の両端に高さ検出手段例えばマイクロメータ８０を接触させてレジスト供給ノズル３０の高さを検出し、水平度が許容寸法精度以外の場合にはレジスト供給ノズル３０の取付ボルト４７の締結の調整を行っている。

しかしながら、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の両端部の高さのみが一定であっても、両端部の間のいずれのところでもスリット状吐出口３１部と基板Ｇとの間隔が一定とは限らず、また、レジスト供給ノズル３０の取付面への異物付着や混入や取付ボルト４７の締結が不十分な場合、また、２部材を接合して形成されるレジスト供給ノズル３０自体の精度上の問題又は経時的，温度的変化や衝撃等により、スリット状吐出口３１部の全体の高さが均一でない場合があり、レジスト膜厚が不均一となって製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理液供給手段のスリット状吐出口の全体の高さを検出することにより、処理液供給手段と被処理基板との隙間調整の精度の向上を図れるようにすると共に、均一な膜厚を形成する基板処理装置を提供することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、この発明の基板処理装置は、被処理基板を保持する基板保持台と、 上記被処理基板の幅方向に延びるスリット状吐出口を有する処理液供給手段と、 上記処理液供給手段を着脱及び調整可能に保持する保持体と、 上記基板保持台と保持体とを相対的に移動する移動機構と、 上記処理液供給手段のスリット状吐出口部の高さを検出する高さ検出手段と、を具備してなり、 上記高さ検出手段を、上記処理液供給手段のスリット状吐出口部と対向する位置を走査しつつスリット状吐出口部の高さを検出するセンサによって形成してなる、ことを特徴とする（請求項１）。

この発明において、上記高さ検出手段は、上記処理液供給手段のスリット状吐出口部と対向する位置を走査しつつスリット状吐出口部の高さを検出するセンサであれば任意のものでよく、例えば、処理液供給手段のスリット状吐出口部の高さを連続して検出するセンサ（請求項２）、あるいは、処理液供給手段のスリット状吐出口部の少なくとも両端部と中央部付近を含む３箇所以上の高さを断続的に検出するセンサ（請求項３）にて形成してもよい。

また、上記高さ検出手段によって検出された検出データと予め記憶された高さ誤差許容データとを比較処理する制御手段と、この制御手段からの制御信号を表示する表示手段とを更に具備する方が好ましい（請求項４）。

また、上記制御手段を、予め被処理基板に形成される処理液の膜厚に応じた検出点数を記憶し、処理する膜厚の設定に基づいて、高さ検出手段が膜厚に対応した検出点数を検出するように制御可能に形成してもよい（請求項５）。

請求項１，２，３記載の発明によれば、保持体に取り付けられた処理液供給手段のスリット状吐出口部と対向する位置に、高さ検出手段のセンサを走査させつつ処理液供給手段のスリット状吐出口部の高さを検出することで、処理液供給手段のスリット状吐出口部の全体の高さを検出することができ、その検出結果に基づいて保持体に対する処理液供給手段の取付状態を確認し、補正することができる。

請求項４記載の発明によれば、高さ検出手段によって検出された検出データと予め記憶された高さ誤差許容データとを制御手段によって比較処理し、制御手段からの制御信号を表示手段に伝達して、検出情報を表示することができる。

請求項５記載の発明によれば、制御手段が、予め被処理基板に形成される処理液の膜厚に応じた検出点数を記憶し、処理する膜厚の設定に基づいて、高さ検出手段が膜厚に対応した検出点数を検出するように制御可能に形成されるので、処理が施される処理液の膜厚に応じた処理液供給手段のスリット状吐出口部の必要最小限の高さを検出することができる。

（１）請求項１，２，３記載の発明によれば、保持体に取り付けられた処理液供給手段のスリット状吐出口部の全体の高さを高さ検出手段のセンサで検出して、保持体に対する処理液供給手段の取付状態を確認し、補正することができるので、処理液供給手段と被処理基板との隙間調整の精度の向上が図れると共に、均一な膜厚を形成することができる。

また、被処理基板上のトラブル、例えばムラやスジ等を含む処理液の膜厚不良と処理液供給手段の高さの関係の確認が早急に行えるので、短時間でトラブルを解決することができる。

（２）請求項４記載の発明によれば、高さ検出手段によって検出された検出データと予め記憶された高さ誤差許容データとを制御手段によって比較処理し、制御手段からの制御信号を表示手段に伝達して、検出情報を表示するので、上記（１）に加えて更に処理液供給手段と被処理基板との隙間調整を容易にすると共に、精度の向上が図れる。

（３）請求項５記載の発明によれば、処理が施される処理液の膜厚に応じた処理液供給手段のスリット状吐出口部の必要最小限の高さを検出することができるので、処理液供給手段と被処理基板との隙間調整を効率よく行うことができる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置をＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。

上記レジスト塗布現像処理装置は、図１に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置の長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。

上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。

また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット１４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。

また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。

なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。

このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。

上記レジスト処理ユニット１３は、この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０と、このレジスト塗布処理装置２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２１とを具備している。

次に、この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布処理装置２０について説明する。ここでは、従来の基板処理装置と同じ部分には同一の符号を付して説明する。

図２は、上記レジスト塗布処理装置２０の一例を示す概略平面図、図３は、レジスト塗布処理装置の要部断面図である。

上記レジスト塗布処理装置２０は、被処理基板であるＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を保持する基板保持台２２と、基板Ｇの幅方向に延びるスリット状吐出口３１を有する処理液供給手段であるレジスト供給ノズル３０と、このレジスト供給ノズル３０を着脱及び調整可能に保持する保持体４０と、基板保持台２２と保持体４０とを相対的に移動する移動機構２３と、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さを検出する高さ検出手段５０とで主に構成されている。なお、基板保持台２２の一方の外方側（図２における左方側）には、レジスト供給ノズル３０のレジスト液の乾燥を防止するプラテンローラ２４と待機槽２５を具備する待機部２６が設けられている。

上記レジスト供給ノズル３０は、図３に示すように、互いに共働してスリット状吐出口３１とレジスト液Ｒの貯留部３２とレジスト液供給口３３とを形成する２つのノズル半体３４を接合した構造となっている。また、レジスト供給ノズル３０の上端には平坦面３５が形成されている。

なお、レジスト供給ノズル３０の進行方向の前方側には、基板Ｇの表面の隆起部（例えば、異物の付着あるいは基板Ｇのうねり，そり，厚みむら等の変形）を検出するスキャンバー２７が装着されている。このスキャンバー２７は、上端部がレジスト供給ノズル３０の上端部に設けられた取付ブラケット２８に枢支ピン（図示せず）を介して垂直方向に揺動可能に枢着され、下端部が隆起部に衝突した際に、スキャンバー２７が揺動することによって取付ブラケット２８に設けられたセンサ(図示せず)が検知して隆起部の存在を知らせるように構成されている。

上記保持体４０は、一対の支柱部４１，４２の上端部を連結する梁部４３とからなる略門形に形成されており、梁部４３の側方にレジスト供給ノズル３０を着脱及び調整可能に保持する取付ブロック４４が突設されている。この場合、取付ブロック４４の下面には取付平坦面４５が形成されている。この取付平坦面４５に、スペーサ（図示せず）を介してレジスト供給ノズル３０の平坦面３５を当接し、取付ブロック４４に設けられた複数（図面では４個の場合を示す）の貫通孔４６を貫通する取付ボルト４７をレジスト供給ノズル３０にねじ結合により締結することによって、レジスト供給ノズル３０が保持体４０に着脱及び調整可能に取り付けられる。

上記移動機構２３は、保持体４０の一方の支柱部４１に設けられたナット部２３ａと、このナット部２３ａに図示しない多数のボールを介して螺合するねじ軸２３ｂと、このねじ軸２３ｂを正逆回転するモータ２３ｃとを具備するボールねじ機構によって形成されている。なお、他方の支柱部４２は、ねじ軸２３ｂと平行に配設されたガイド軸２３ｄに摺動自在に嵌合されている。

一方、上記高さ検出手段５０は、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部と対向する位置を走査しつつ非接触でスリット状吐出口３１部の高さを連続して検出するセンサ例えば光センサによって形成されている。この場合、高さ検出手段すなわち光センサ５０は、図４（ｂ）に示すように、例えば、一側方に配置される発光素子５１と、上方に配置される受光素子５２と、発光素子５１から発光されたビームを垂直上方に反射し、上方に位置するレジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部からの反射ビームを透過するハーフミラ５３とを具備する反射型光センサによって形成されている。

上記のように構成される光センサ５０は、待機部２６と基板保持台２２との間に配設されるセンサ移動機構５４によって、上方に位置するレジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の一端から他端に沿って移動可能に配設されている。この場合、センサ移動機構５４は、例えばボールねじ機構によって形成されている。なお、センサ移動機構５４を必ずしもボールねじ機構で形成する必要はなく、例えばモータによって正逆方向に駆動される無端状のタイミングベルトやエアシリンダあるいはリニアモータ等によって光センサ５０を走査（移動）してもよい。

また、高さ検出手段すなわち光センサ５０は、制御手段例えば中央演算処理装置６０（以下にＣＰＵ６０という）に電気的に接続されており、ＣＰＵ６０に予め記憶された高さ誤差許容データと、光センサ５０によって検出された検出データとを比較処理し、ＣＰＵ６０からの制御信号を表示手段例えばモニタ７０に伝達して、モニタ７０に表示された検出情報に基づいてレジスト供給ノズル３０の取付状態を確認することができる。したがって、レジスト供給ノズル３０の取付状態が高さ誤差許容範囲外のときには、補正（調整）してレジスト供給ノズル３０の取付状態を適正にすることができる。なお、表示手段をモニタ７０と表示ランプとで形成してもよい。なお、表示手段に検出データの傾向に応じて処置できる対策を表示できるようにしてもよい。例えば、検出データがレジスト供給ノズル３０の一端から他端までほぼ直線的に増加又は減少しているのであれば、これはレジスト供給ノズル３０の取付不良であるので、レジスト供給ノズル３０の取付の調整を促す表示をすればよい。また、検出データが許容値を越えた上に分布がばらばらであれば、レジスト供給ノズル３０自身の不良であるので、レジスト供給ノズル３０の交換を促す表示をすればよい。

また、検出データを図示しない格納部に格納しておき、膜厚不良やムラ、スジ等が発生した際に、レジスト供給ノズル３０に対する不良発生位置と検出結果を照らし合わせることにより、短時間でトラブルシューティングを行うことも可能である。

なお、基板保持台２２の他方の外方側にも、光センサ５０と同様の機構を有するスキャンバー２７の高さ検出手段５０Ａが設けられている。この高さ検出手段５０Ａによってスキャンバー２７の下端部の全体の高さを検出することができ、スキャンバー２７の高さが誤差許容範囲外のときは、スキャンバー２７の取付を補正（調整）することができる。

また、高さ検出手段５０Ａを設けずに、センサ５０でスキャンバー２７の高さを検出してもよい。例えば、センサ５０の往動時にスキャンバー２７の高さを検出し、スキャンバー２７及びレジスト供給ノズル３０を移動させてレジスト供給ノズル３０をセンサ５０の上方に位置させ、センサ５０の復動時にスリット状吐出口３１部の高さを検出するようにしてもよい。

上記のように構成されるレジスト塗布処理装置２０において、レジスト供給ノズル３０の取付状態を確認するには、まず、移動機構２３を駆動しレジスト供給ノズル３０を光センサ５０の配設位置の上方まで移動して停止する。次に、光センサ５０の移動機構２３を駆動して、光センサ５０を走査させつつレジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さを連続して検出し、光センサ５０によって検出された検出データと予め記憶された高さ誤差許容データとをＣＰＵ６０によって比較処理し、ＣＰＵ６０からの制御信号をモニタ７０に伝達して、検出情報を表示することで確認することができる。レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さが誤差許容範囲内であれば、再び移動機構２３を駆動して、レジスト供給ノズル３０を移動しつつスリット状吐出口３１から基板表面にレジスト液Ｒを帯状に供給して均一なレジスト膜を形成する。

上記高さ検出の結果、レジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さが誤差許容範囲外の場合は、検出情報に基づいてレジスト供給ノズル３０の取付を補正（調整）した後、再び、レジスト供給ノズル３０を光センサ５０の配設位置の上方まで移動して停止した状態で、上述と同様に光センサ５０を走査させつつレジスト供給ノズル３０のスリット状吐出口３１部の高さを連続して検出する。その後、上記と同様の動作を繰り返す。

＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、センサ５０でスリット状吐出口３１部の高さを連続して検出する場合について説明したが、センサ５０でスリット状吐出口３１部の高さを連続して検出する代わりに、断続的に検出してもよい。この場合、少なくともスリット状吐出口３１部の両端部と中央部付近の３箇所を検出する方がよく、許容できる限り検出点を増やす方がよい。また、断続的に検出する場合は、塗布する膜厚に応じて検出点の数を自動的に変える構成としてもよい。塗布する膜厚が厚い程膜厚の許容誤差は大きくなるので、膜厚が大きくなるほど検出点数を減らすことが可能である。例えば、予め膜厚の範囲に応じて検出点数をＣＰＵ６０に記憶させておき、塗布する膜厚の設定に基づいて、ＣＰＵ６０からの制御信号をセンサ５０に伝達して、膜厚に応じた検出点数で自動的に検出するようにしてもよい。これにより、膜厚に応じた必要最小限の高さを検出することができるので、レジスト供給ノズル３０と基板Ｇとの隙間調整を効率よく行うことができる。

上記実施形態では、移動機構２３によってレジスト供給ノズル３０を移動させる場合について説明したが、レジスト供給ノズル３０を固定させて、基板保持台２２を移動機構によって移動させてもよく、あるいは、レジスト供給ノズル３０と基板保持台２２の双方を相対的に移動させるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理装置以外の装置、例えば現像処理装置にも適用できることは勿論である。

この発明に係る基板処理装置を適用したＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す概略平面図である。 上記基板処理装置を適用したレジスト塗布処理装置の一例を示す概略平面図である。 上記レジスト塗布処理装置の要部断面図である。 この発明におけるセンサによる高さ検出状態を示す概略側面図（ａ）及びセンサの一例を示す概略断面図（ｂ）である。 この発明におけるレジスト供給ノズルとセンサを示す概略斜視図である。 従来の基板処理装置の一例を示す概略平面図である。 従来の基板処理装置におけるレジスト供給ノズルの高さ検出状態を示す概略側面図（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う拡大断面図である。

符号の説明

Ｇ ＬＣＤ用ガラス基板（被処理基板）
２２ 基板保持台
２３ 移動機構
３０ レジスト供給ノズル（処理液供給手段）
３１ スリット状吐出口
４０ 保持体
４４ 取付ブロック
４７ 取付ボルト
５０ 光センサ（高さ検出手段）
５４ センサ移動機構
６０ ＣＰＵ（制御手段）
７０ モニタ（表示手段）

Claims (5)

1. 被処理基板を保持する基板保持台と、
   上記被処理基板の幅方向に延びるスリット状吐出口を有する処理液供給手段と、
   上記処理液供給手段を着脱及び調整可能に保持する保持体と、
   上記基板保持台と保持体とを相対的に移動する移動機構と、
   上記処理液供給手段のスリット状吐出口部の高さを検出する高さ検出手段と、を具備してなり、
   上記高さ検出手段を、上記処理液供給手段のスリット状吐出口部と対向する位置を走査しつつスリット状吐出口部の高さを検出するセンサによって形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   上記高さ検出手段が、処理液供給手段のスリット状吐出口部の高さを連続して検出するセンサである、ことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１記載の基板処理装置において、
   上記高さ検出手段が、処理液供給手段のスリット状吐出口部の少なくとも両端部と中央部付近を含む３箇所以上の高さを断続的に検出するセンサである、ことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   上記高さ検出手段によって検出された検出データと予め記憶された高さ誤差許容データとを比較処理する制御手段と、この制御手段からの制御信号を表示する表示手段とを更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４記載の基板処理装置において、
   上記制御手段は、予め被処理基板に形成される処理液の膜厚に応じた検出点数を記憶し、処理する膜厚の設定に基づいて、高さ検出手段が膜厚に対応した検出点数を検出するように制御可能に形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
   

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