JP2005235955A - 光学素子の位置検査方法および位置検査装置ならびにダイボンド方法およびダイボンド装置 - Google Patents

光学素子の位置検査方法および位置検査装置ならびにダイボンド方法およびダイボンド装置 Download PDF

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Abstract


【課題】 低コストで位置検出精度の高い光学素子の位置検査装置を提供する。
【解決手段】 位置検査装置20は、通電手段23によって光学素子21である発光素子に電力供給して発光させ、発光状態にある発光素子21の画像を撮像手段22で撮影する。位置検査装置20に備わる画像処理手段24は、発光素子21の画像上に予め定める位置を原点として構成される2次元座標系を設定し、発光素子21の画像上で選択される位置、たとえば発光位置の2次元座標系における座標を抽出する。さらに、位置検査装置20に備わる演算手段である制御部25は、画像処理手段24によって抽出される発光位置の座標に基づいて、2次元座標軸に対する発光軸の傾斜角度を演算する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光学素子の位置検査方法および位置検査装置ならびにダイボンド方法およびダイボンド装置に関する。
半導体装置の製造においては、チップを基板またはパッケージに接合するダイボンディングと呼ばれる処理が行われる。チップを基板またはパッケージに対してダイボンディングするに際しては、チップと基板またはパッケージとの相対的な位置が重要なので、位置検出が行われる。特に、コンパクトディスク(略称CD)、デジタルバーサタイルディスク(略称DVD)などの光記録媒体に対して情報を記録/再生する光情報記録再生装置の光源として用いられるレーザチップを、基板またはパッケージに対してダイボンディングするに際しては、レーザチップから発せられるレーザ光を微細な光ビームスポットとして、光記録媒体の情報記録面の所定位置に集光しなければならないので、高い精度の位置検出が要求されている。
位置検出に係る先行技術の一つに、位置検査の被検体である基板に第1および第2の位置合せマークを付し、所定位置に固定されたカメラによって、第1の位置合せマークを検出し、さらに第2の位置合せマークがカメラの視野内に位置するように基板を所定角度回転させて第2の位置合せマークを検出し、第1の位置合せマークの位置と第2の位置合せマークの位置とに基づいて基板の位置を算出するというものがある(特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に開示される技術では、被検体である基板の位置を求めるために、基板の回転移動および水平移動を複数回繰返さなければならないので、生産における工数増加、いわゆるタクトアップになるという問題がある。
また図11は、レーザチップ2の位置検出に係る従来の位置検査装置1の構成を示す図である。図11に示すような位置検査装置1は、レーザチップ2をたとえばパッケージにダイボンディングするダイボンド装置に設けられて、レーザチップ2の位置検出に用いられる。位置検査装置1は、概略、レーザチップ2の上方に設けられる第1顕微鏡3および第1顕微鏡3に付設される第1カメラ4と、レーザチップ2の発光面を臨んで設けられる第2顕微鏡5および第2顕微鏡5に付設される第2カメラ6と、レーザチップ2に通電するためのコンタクト7と、第1および第2カメラ4,6によって撮影されるレーザチップ2の画像情報に基づいてレーザチップ2の位置検出を行う画像処理部8と、第1および第2カメラ4,6によって撮影されるレーザチップ2の画像を表示する画像表示部9と、上記各部の動作を制御する制御部10と、制御部10およびコンタクト7に電力を供給する電源部11とを含んで構成される。
従来の位置検査装置1においては、まずレーザチップ2の上方に設けられる第1カメラ4による画像情報に基づいて、画像処理部8がレーザチップ2の外形のみの認識および位置補正を行う。次に、コンタクト7をレーザチップ2に接触させて通電し、レーザチップ2の発光面を臨んで設けられる第2カメラ6によって、ジャストピントで発光点の画像を撮影して画像処理部8において位置検出するとともに、発光点からピントをずらせて発光パターンを撮影し発光軸として画像処理部8において位置検出する。さらに、コンタクト7をレーザチップ2から離反させ、検出した数値量の補正を行い、レーザチップ2を不図示のコレットによって定点搬送を行い基板またはパッケージにダイボンディングする。
しかしながら、従来の位置検査装置1には、以下のような問題がある。1つのレーザチップ2の位置検出に、2方向から画像を撮影しなければならないので、2台の第1および第2カメラ4,6が必要であり装置のコストアップになる。また第1カメラ4によってレーザチップ2の外形位置検出しその補正後に、再度発光点およびピントをずらせてぼかした画像を第2カメラ6で撮影し、発光軸として位置検出を行わなければならないので、タクトアップになる。またコンタクト7によってレーザチップ2に通電し検出した位置を補正後、コンタクト7をレーザチップ2から離反させたとき、レーザチップ2が動いたとしても、その位置変化を確認することができない。さらに、ピントをずらしたボケ画像を撮影して発光軸の位置を検出しダイボンディングする場合、撮影した画像が不安定なので、繰返し測定誤差が約±0.1°にも及び、位置決め精度が悪い。
このような問題点に対処する位置検出精度向上に係る先行技術に、ステムのポスト上に直接またはヒートシンクを介して、レーザチップを搭載し、ダイボンディングするに際し、ダイボンディングの前段階で中間ステージ上にレーザチップを載置し、粗い位置決めを行った後、レーザチップを発光させて、その発光方向のうち角度θ方向をレーザ光強度分布の遠視野画像観測用カメラで、たがいに直角方向のXおよびY方向をレーザ光強度分布の近視野画像観測用カメラで各々とらえて、計測を行い、その計測値に応じて発光方向を補正するというものがある(特許文献2参照)。
特許文献2に開示される技術によれば、レーザチップの位置検出に必要な遠視野画像観測用カメラと近視野画像観測用カメラとによる光強度波形を同時に得ることができるので、タクトアップの問題を生じることなく、また位置検出にピントをずらしたボケ画像を用いないので、画像の不安定さに起因する精度低下もない。しかしながら、レーザチップの位置検出に、遠視野画像観測用カメラと、近視野画像観測用カメラとの2台のカメラを必要とするので、装置のコストアップが不可避という問題がある。
また光情報記録再生装置には、1台の装置でたとえばCDとDVDとの両方の光記録媒体に対して記録/再生が可能な機種がある。このような装置では、光源として用いられる半導体レーザとして、異なる波長のレーザ光をそれぞれ出射することのできる2つのレーザチップが設けられる。近年、光情報記録再生装置は、据置型にとどまらずモバイルへの用途展開に伴う装置の小型化要請に対応して、各部品が小さくかつ集約される傾向にある。したがって、半導体レーザに2つのレーザチップが設けられる場合、2つのレーザチップは、近接して配置すなわち近接してパッケージにダイボンディングされる。2つのレーザチップを近接して配置する場合、高精度に位置決めされないと、レーザチップ同士が接触したり、光ピックアップに組込んだときに充分な光学特性を発揮することができないという問題がある。
このような問題に対処する先行技術に、2つのレーザチップをサブマウントにダイボンディングするに際し、加熱直前のヒータヘッド上でレーザチップを発光させ、発光点の近視野像を観測し、その位置を測定し、位置決め調整後に加熱することによって、位置決め後の搬送動作を無くして、2つのレーザチップの位置を高精度に保持したまま熱接合するというものがある(特許文献3参照)。
しかしながら、特許文献3には、レーザチップを吸着搬送するためのコレットにプローブ電極としての機能を付与することによって、レーザチップを吸着したまま発光させることを可能にし、通電発光と吸着保持とを一体化することによって位置誤差を低減する技術が開示されているけれども、レーザチップの位置検出そのものに関する技術については開示されていない。
2つのレーザチップを備える半導体レーザにおいて、位置精度向上に係るもう一つの先行技術として、2つのレーザチップそれぞれの発光軸を測定し、測定結果に基づいてそれぞれの発光軸が所定の角度範囲になるように位置補正し、その後ダイボンディングするというものがある(特許文献4参照)。
しかしながら、特許文献4には、2つのレーザチップそれぞれにおける発光軸の角度を測定する際に通電するための2対のコンタクトプローブを備える構成が開示されるけれども、レーザチップの発光軸の角度検出そのものに関する技術については開示されていない。
また光情報記録再生装置には、レーザ光を出射するレーザチップと、レーザチップから出射されて光記録媒体の表面で反射された反射光を受光する受光素子とが、一体的にパッケージに装着されたレーザホログラムと呼ばれる装置を備えるものがある。従来、このレーザホログラムにおいて、レーザチップと受光素子とを1つのパッケージに装着するに際し、パッケージに対するレーザチップの位置および発光軸の位置検出と、レーザチップに対する受光素子の相対位置検出とは、それぞれ異なる検査装置で行われている。
たとえば、レーザチップの発光軸位置の検査は、電荷結合素子(Charge Coupled
Device:略称CCD)カメラ付顕微鏡で発光面からピントをずらして発光パターンを観測することによって行われる。またレーザチップと受光素子との相対位置の検査は、電気的なスケールを備えるX−Yテーブル上に、相対位置を検査するべき試験体である被検体をセットし、検査作業者が、顕微鏡で被検体の予め定める測定点を目視観測しながらX−Yテーブルを移動させ、測定点を所定位置まで移動させたときのX−Yテーブル位置を測定値として求め、該測定値に基づいて数値計算することによって行われる。
このようにレーザホログラム作製における従来のレーザチップおよび受光素子の位置検査では、2台の検査装置を必要とするので、設備投資コストが高騰するという問題がある。またレーザチップの発光軸の位置を測定する検査では、ピントをずらしたボケ画像を観測しているので、撮影画像が不安定であり、繰返し測定誤差が約±0.1°程度発生する。またレーザチップと受光素子との相対位置の検査における被検体の予め定める測定点は、検査作業者の目視によって指定されるので、検査作業者間の測定のバラツキが大きく、同一の検査作業者においても検査機会によって測定値に差異が生じるという問題がある。特に、レーザチップの発光点位置およびレーザチップの活性層位置は、レーザチップに通電されておらず発光していない場合、目視では見えにくいので測定誤差の原因になっている。さらに被検体を顕微鏡の下で移動させるので、テーブルの移動誤差およびテーブルの機械精度による測定精度への影響があり、テーブル移動精度を向上するべくテーブルの剛性を上げる等の改善を行うと、設備コストの高騰を招くという問題がある。
特開平8−122018号公報 特開平6−283819号公報 特開2003−188451号公報 特開2003−152260号公報
本発明の目的は、低コストで位置検出精度の高い光学素子の位置検査方法および光学素子の位置検査装置を提供することである。
また本発明のもう一つの目的は、低コストかつ高い位置決め精度で光学素子を基板またはパッケージにダイボンディングすることのできるダイボンド方法およびダイボンド装置を提供することである。
本発明は、光を発することのできる光学素子である発光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における発光素子の位置を検出する光学素子の位置検査方法において、
発光素子から光が発せられる発光位置であって発光素子の一方の端面における発光位置を検出するステップと、
発光素子から光が発せられる発光位置であって発光素子の他方の端面における発光位置を検出するステップと、
一方の端面における発光位置と他方の端面における発光位置とから、一方の端面における発光位置と他方の端面における発光位置とを結ぶ軸である発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする光学素子の位置検査方法である。
また本発明は、発光素子の一方または他方の端面の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップをさらに含むことを特徴とする。
また本発明は、発光素子が、2つの発光軸を有し、2つの発光軸について2次元座標軸に対する傾斜角度をそれぞれ検出することを特徴とする。
また本発明は、光学素子が2つの第1および第2発光素子であり、
第1および第2発光素子がそれぞれ有する第1および第2発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップと、
第1発光素子が有する第1発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度と、第2発光素子が有する第2発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度とから第1発光軸と第2発光軸との相対的な傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする。
また本発明は、電子と正孔とが再結合する領域である活性層を有し、活性層から光を発することのできる光学素子である発光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における発光素子の位置を検出する光学素子の位置検査方法において、
発光素子に備わる活性層の一端部の位置を検出するステップと、
発光素子に備わる活性層の他端部の位置を検出するステップと、
活性層の一端部の位置と他端部の位置とから、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする光学素子の位置検査方法である。
また本発明は、電子と正孔とが再結合する領域である活性層を有し、活性層から光を発することのできる光学素子である発光素子、および光を受光して光電変換することのできる光学素子である受光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における発光素子および受光素子の位置を検出する光学素子の位置検査方法において、
発光素子に備わる活性層の一端部の位置を検出するステップと、
発光素子に備わる活性層の他端部の位置を検出するステップと、
発光素子に備わる活性層の発光位置を検出するステップと、
活性層の一端部の位置と他端部の位置とから、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップと、
受光素子が光を受光する領域の2次元座標系における形状である受光パターンの中心位置を検出するステップと、
受光パターンの境界上に選択して定める第1地点の位置を検出するステップと、
受光パターンの境界上に選択して定める第2地点の位置を検出するステップと、
第1および第2地点の位置から受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップと、
活性層の中央位置と受光パターンの中心位置とから発光素子と受光素子との相対的な位置を検出するステップと、
活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度と、受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度とから活性層と受光素子との相対的な傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする光学素子の位置検査方法である。
また本発明は、発光素子の画像の撮影と、受光素子の画像の撮影とが、同時に行われることを特徴とする。
また本発明は、前記いずれか1つに記載の位置検査方法によって光学素子の位置を検出するステップと、
光学素子の位置検査結果に基づいて光学素子を基板またはパッケージの所定位置に搬送するステップと、
光学素子を基板またはパッケージに対してダイボンディングするステップとを含むことを特徴とするダイボンド方法である。
また本発明は、光学素子である光を発することのできる発光素子および/または光を受光して光電変換することのできる受光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における光学素子の位置を検出する光学素子の位置検査装置において、
光学素子の画像を撮影する撮像手段と、
光学素子に電力を供給する通電手段と、
撮像手段によって撮影される光学素子の画像上に予め定める位置を原点として構成される2次元座標系を設定し、光学素子の画像上で選択される位置の2次元座標系における座標を抽出する画像処理手段と、
画像処理手段によって抽出される座標に基づいて、2次元座標軸に対する光学素子の位置および傾斜を演算する演算手段とを含むことを特徴とする光学素子の位置検査装置である。
また本発明は、撮像手段は、
2つの第1および第2カメラと、
第1および第2カメラに対してそれぞれ異なる部位の画像を結像させることのできる2軸顕微鏡とを含むことを特徴とする。
また本発明は、光学素子が発光素子であり、発光素子の画像上で選択される位置が、
通電手段から電力供給されることによって光を発する発光素子の一方の端面における発光位置と、他方の端面における発光位置とであり、
演算手段が、
発光素子の一方の端面における発光位置の座標と、他方の端面における発光位置の座標とに基づいて、一方の端面における発光位置と他方の端面における発光位置とを結ぶ軸である発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算することを特徴とする。
また本発明は、発光素子から発せられる光の進路を折曲げる光路折曲部材が設けられることを特徴とする。
また本発明は、光学素子が発光素子であり、発光素子の画像上で選択される位置が、
通電手段から電力供給されることによって光を発する発光素子の活性層における一端部の位置と他端部の位置とであり、
演算手段が、
活性層の一端部の座標と他端部の座標とに基づいて、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算することを特徴とする。
また本発明は、光学素子の画像上で選択される位置が、
通電手段から電力供給されることによって光を発する発光素子の活性層における一端部の位置および他端部の位置ならびに活性層の発光位置であり、また受光素子が光を受光する領域の2次元座標系における形状である受光パターンの中心位置と、受光パターンの境界上に選択して定める第1および第2地点の位置とであり、
演算手段が、
活性層の一端部の座標と他端部の座標とに基づいて活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算し、
第1および第2地点の座標に基づいて受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算し、
さらに活性層の発光位置と受光パターンの中心位置とに基づいて発光素子と受光素子との相対的な位置を演算し、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度と受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度とに基づいて活性層と受光素子との相対的な傾斜角度を演算することを特徴とする。
また本発明は、前記いずれか1つに記載の光学素子の位置検査装置を備え、
光学素子を供給する光学素子供給手段と、
基板またはパッケージを供給する接合基材供給手段と、
位置検査装置による光学素子の位置検査結果に基づいて光学素子を基板またはパッケージの所定位置に搬送する搬送手段と、
光学素子を基板またはパッケージに対してダイボンディングする接合手段とを含むことを特徴とするダイボンド装置である。
本発明によれば、光学素子である発光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点とする2次元座標系における発光素子の両端面それぞれの発光位置を検出し、両発光位置を結ぶ発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度が求められる。このように、発光素子に通電し、発光状態で発光位置を定め、該発光位置の検出結果に基づいて発光軸の傾斜角度を求めるので、位置検査精度を向上することができる。また発光位置の検出を、検査作業者の目視によることなく、たとえば画像処理装置を用いた画像認識に基づいて行うことによって、検査作業者間の測定のばらつきおよび同一検査作業者による検査機会毎の測定のばらつきをなくすことができる。
また本発明によれば、発光素子の一方または他方の端面の2次元座標軸に対する傾斜角度が求められる。このことによって、発光素子の位置検出精度を一層向上することができる。
また本発明によれば、2つの発光軸を有する発光素子についても、それぞれの発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度が求められるので、発光素子の基板またはパッケージに対する装着に際し、発光方向を最適な角度に設定することができる。
また本発明によれば、2つの第1および第2発光素子がそれぞれ有する第1および第2発光軸ついて2次元座標軸に対する傾斜角度を求め、さらに第1および第2発光軸のそれぞれの傾斜角度に基づいて相対的な傾斜角度を求めることができる。このことによって、2つの第1および第2発光素子が、基板またはパッケージに近接して装着される場合においても、高い位置決め精度で装着される。したがって、発光素子同士の接触または光学特性不良などの発生が防止されるので、製品歩留の向上が実現される。
また本発明によれば、発光素子の活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度が求められるので、発光素子の発光端面についても高精度で位置検出することができる。
また本発明によれば、発光素子の活性層の位置と、受光素子の位置とが検出され、さらに両者の位置検出結果に基づいて、発光素子と受光素子との相対的な位置が求められる。これらの位置検出のための発光素子の画像撮影と受光素子の画像撮影とは、同時に行われる。すなわち、発光素子および受光素子の位置ならびに両者の相対位置の検出は、1台の装置によって同時に達成されるので、設備コストの低減が実現される。
また本発明によれば、前述の位置検査方法を用いて光学素子の位置決めを行い、次いで光学素子を基板またはパッケージにダイボンディングするので、コストが低く位置決め精度の高いダイボンド方法が実現される。
また本発明によれば、光学素子の位置検査装置は、光学素子の画像を撮影する撮像手段と、光学素子に電力を供給する通電手段と、撮像手段によって撮影される光学素子の画像上に予め定める位置を原点として構成される2次元座標系を設定し、光学素子の画像上で選択される位置の2次元座標系における座標を抽出する画像処理手段と、画像処理手段によって抽出される座標に基づいて、2次元座標軸に対する光学素子の位置および傾斜を演算する演算手段とを含んで構成される。このことによって、光学素子の位置検査精度が向上するとともに、2次元座標系における位置抽出を、検査作業者の目視によることなく、画像処理手段による画像認識に基づいて行うので、検査作業者間の測定のばらつきおよび同一検査作業者による検査機会毎の測定のばらつきをなくすことができる光学素子の位置検査装置が実現される。
また本発明によれば、撮像手段は、第1および第2カメラと、第1および第2カメラに対してそれぞれ異なる部位の画像を結像させることのできる2軸顕微鏡とを含むので、たとえば、発光素子と受光素子とのように、異なる2つの光学素子の画像を同時に撮影し、それぞれの位置を検出するとともに、両者の相対位置をも求めることが可能である。このように1台の検査装置で、発光素子および受光素子の位置ならびに両者の相対位置が求められるので、光学素子の位置検査における設備コストの低減が実現される。
また本発明によれば、発光素子から発せられる光の進路を折曲げる光路折曲部材が設けられることによって、位置検出するべき部位が他の部材で隠されるような場合であっても、位置検出するべき部位から発せられる光の進路を折曲げて撮像手段へ導くことができるので、位置検出することが可能になる。
また本発明によれば、演算手段は、以下の光学素子の位置、すなわち発光素子の発光軸の傾斜角度、発光素子の活性層の傾斜角度、活性層の位置および受光素子の位置ならびに活性層と受光素子との相対位置および相対傾斜角度の演算をすることができるので、多種の位置検出に対応可能な光学素子の位置検査装置が実現される。
また本発明によれば、ダイボンド装置は、前述の位置検査装置を備えるので、設備コストが低く、基板またはパッケージに対する光学素子の高い位置決め精度を発現することのできるダイボンド装置が実現される。
図1は、本発明の実施の一形態である光学素子の位置検査装置20の構成を簡略化して示す図である。光学素子の位置検査装置20(以後、位置検査装置と略称する)は、大略、光学素子21が載置されるステージ27と、光学素子21の画像を撮影する撮像手段22と、光学素子21に電力を供給する通電手段23と、撮像手段22によって撮影される光学素子21の画像上に予め定める位置を原点として構成される2次元座標系を設定し、光学素子21の画像上で選択される位置の2次元座標系における座標を抽出する画像処理手段24と、画像処理手段24によって抽出される座標に基づいて、2次元座標軸に対する光学素子21の位置および傾斜を演算する演算手段25と、撮像手段22によって撮影され画像処理手段24によって画像処理された光学素子21の画像を表示する画像表示手段26とを含んで構成される。
位置検査装置20は、光学素子21の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における光学素子21の位置を検出することに用いられる。ここで、光学素子21は、たとえばレーザ光を発することのできるレーザチップなどの発光素子と、光を受光して光電変換することのできるたとえばフォトダイオードなどからなる受光素子との両方を含めた意味に用いる。
ステージ27は、不図示の電動機を備える2軸方向に移動可能なX−Yテーブルであり、載置された状態の発光素子21を、水平面内において矢符31,32で示す各方向に移動させることができる。
通電手段23は、第1および第2コンタクトプローブ33,34と、第1および第2コンタクトプローブ33,34に電力を供給する電源部35と、第1および第2コンタクトプローブ33,34と電源部35とを接続する通電回路36a,36bとを含む。第1および第2コンタクトプローブ33,34は、電極であり、光電素子21である発光素子に形成される回路に接触することによって、電源部35からの電力を発光素子へ供給することができる。発光素子は、第1および第2コンタクトプローブ33,34を介して供給される電力によって光を発することができる。
撮像手段22は、2つの第1および第2カメラ37,38と、第1および第2カメラ37,38に対してそれぞれ異なる部位の画像を結像させることのできる2軸顕微鏡39とを含む。第1および第2カメラ37,38は、それぞれCCDを備えるいわゆるCCDカメラである。
図2は、撮像手段22の構成を簡略化して示す図である。2軸顕微鏡39は、対物レンズ40と、反射鏡41と、エクステンションレンズ42とを含む。2軸顕微鏡39は、後述する発光素子21aと受光素子21bとの両方について位置検査を必要とする場合、両方の画像を同時に撮影することを可能にするものである。ここで、光学素子21が、発光素子の場合の参照符号を21aで表し、受光素子の場合の参照符号を21bで表す。本実施の形態の2軸顕微鏡39では、発光素子21aと受光素子21bとの素子間距離L1が1.1mm、素子間段差L2が0.735mmの位置で撮像のピントが合うように設計されている。2軸顕微鏡39を備える撮像手段22では、発光素子21aは、対物レンズ40によって第2カメラ38でピントの合った画像が撮影され、受光素子21bは、対物レンズ40、反射鏡41およびエクステンションレンズ42によって第1カメラ37でピントの合った画像が撮影される。
再び図1に戻って、第1および第2カメラ37,38で撮影された画像の情報は、画像処理手段24に入力される。画像処理手段24は、たとえばイメージアナライザなどによって実現される画像処理装置であり、前述のように、撮像手段22によって撮影される光学素子21の画像上に予め定める位置を原点として構成される2次元座標系を設定することができ、また光学素子21の画像上で選択される位置の2次元座標系における座標を抽出することができる。
撮影された画像上に2次元座標系を設定するための原点は、後述する演算部25である制御部25に備えられる入力手段から検査作業者が入力して設定するようにしてもよく、また撮影された画像視野の中心位置になるように予め設定しておくようにしてもよい。座標抽出するべき画像上の位置は、制御部25に備えられる入力手段から検査作業者が入力して指定するようにしてもよく、また撮影された画像の濃度差、コントラストまたは濃度分布、輝度分布の微分演算処理結果に基づいて、画像処理手段24が動作制御プログラムに従って特定するようにしてもよい。座標抽出位置指定に対する人為的要素を排除する観点からは、画像処理手段24によって特定されるように構成されることが望ましい。
画像表示部26は、たとえば液晶ディスプレイ(略称LCD)によって実現される表示画面である。画像表示部26には、撮像手段22によって撮影された光学素子21の画像が、画像処理手段24によって表示に適した様式に処理されて表示される。
演算手段25は、演算回路によって実現される。この演算手段25は、制御部25に備わる一つの機能であることから、演算手段25をも含めて以後制御部25として表す。制御部25は、中央処理装置(略称CPU)を備えるたとえばパーソナルコンピュータによって実現される。制御部25には、たとえばハードディスクドライブ(略称HDD)などのメモリ、キーボードなどの入力手段が備えられる。制御部25のメモリには、制御部25が、前述の画像処理手段24、ステージ27などの動作制御も含め、位置検査装置20の全体動作を制御するためのプログラムが予めストアされる。
なお、本実施の形態では、前述の通電手段23に含まれる電源部35は、発光素子21aに対する電力供給だけでなく、制御部25およびステージ27の電動機へ電力供給する電源を兼ねる。
以下、位置検査装置20を用いる光学素子21の位置検査方法について説明する。図3は、発光素子21aの発光軸43の傾斜角度θを求める方法を説明する図である。図3(a)は発光軸43の傾斜角度を求める方法を模式的に示す図であり、図3(b)は発光素子21aを撮像手段22によって撮影した上面(平面)画像を示す図である。
図3に示す発光素子21aは、第1および第2コンタクトプローブ33,34を介して電源部35から電力供給されて発光している状態である。撮影された発光素子21aの画像上には、図3(a)に示すように画像処理手段24によって2次元座標系が設定される。
次いで、画像処理手段24は、発光素子21aから光が発せられる発光位置Aであって発光素子21aの一方の端面44における発光位置Aを検出してその座標A(X1,Y1)を抽出し、発光素子21aから光が発せられる発光位置Bであって発光素子21aの他方の端面45における発光位置Bを検出してその座標B(X2,Y2)を抽出する。演算手段である制御部25は、一方の端面44の発光位置Aと他方の端面45の発光位置Bとの座標から、式(1)に従って両方の発光位置A,Bを結ぶ軸である発光軸43の2次元座標軸に対する傾斜角度θを演算し検出する。
θ=tan−1{(X2−X1)/(Y2−Y1)} …(1)
図4は、2つの第1および第2発光素子21a1,21a2についてそれぞれの第1および第2発光軸46,47の傾斜角度θ1,θ2を求める方法を説明する図である。位置検査装置20は、光学素子21として2つの第1および第2発光素子21a1,21a2が与えられる場合においても、第1および第2発光素子21a1,21a2それぞれの第1および第2発光軸46,47についての傾斜角度θ1,θ2と、両発光軸の相対的な傾斜角度θ3とを検出することができる。
まず画像処理手段24は、第1発光素子21a1の一方の端面48における発光位置Iおよび他方の端面49における発光位置Jを検出してそれぞれの座標I(X9,Y9),J(X10,Y10)を抽出し、第2発光素子21a2の一方の端面50における発光位置Kおよび他方の端面51における発光位置Lを検出してそれぞれの座標K(X11,Y11),L(X12,Y12)を抽出する。
次いで、制御部25が、第1発光素子21a1の第1発光軸46について、一方の端面48の発光位置Iと他方の端面49の発光位置Jとから、式(2)に従って第1発光軸46の傾斜角度θ1を演算し、第2発光素子21a2の第2発光軸47について、一方の端面50の発光位置Kと他方の端面51の発光位置Lとから、式(3)に従って第2発光軸47の傾斜角度θ2を演算し検出する。さらに制御部25は、第1発光軸46の傾斜角度θ1と第2発光軸47の傾斜角度θ2とから、式(4)に従って第1発光軸46と第2発光軸47との相対的な傾斜角度θ3を演算し検出する。
θ1=tan−1{(X10−X9)/(Y10−Y9)} …(2)
θ2=tan−1{(X12−X11)/(Y12−Y11)} …(3)
θ3=θ2−θ1 …(4)
位置検査装置20は、前述の2軸顕微鏡39を備えるので、相異なる光学素子21である発光素子21aと受光素子21bとを、たとえば一体的にパッケージにダイボンディングするに際して、それぞれの位置検出と相対的な位置検出とを同時に行うことができる。
図5は、発光素子21aと受光素子21bとの相対的な位置を検出する方法を説明する図である。図5(a)には、発光素子21aの端面と受光素子21bの上面(平面)とを2軸顕微鏡39を用いて同時に撮影した場合の配置を模式的に示す。また図5(b)には、受光素子21bが光を受光する領域の2次元座標系における形状である受光パターンの一例と、発光状態にある発光素子21aの端面の画像を例示する。
本実施の形態における発光素子21aは、より具体的にはレーザチップであり、n型半導体とp型半導体との接合層であって、電子と正孔とが再結合する領域である活性層52を有する。位置検査装置20は、発光素子21aの活性層52の位置を検出し、活性層52の位置検出に基づく発光素子21aの位置と、受光素子21bの位置との相対位置を検出することができる。
まず発光素子21aの活性層52の位置検出について説明する。画像処理手段24は、発光状態にある発光素子21aの端面画像から、発光点の位置C(以後、発光位置Cと呼ぶ)を検出してその座標C(X3,Y3)を抽出するとともに、活性層52における一端部の位置Eおよび他端部の位置Dをそれぞれ検出して座標E(X5,Y5),座標D(X4,Y4)を抽出する。
制御部25は、位置Dおよび位置Eについて抽出された座標を用いて式(5)に従い、活性層52の勾配LKを演算する。制御部25は、この勾配LKの逆正接(tan−1)を演算することによって、2次元座標軸に対する活性層52の傾斜角度を得ることができる。
LK={(Y5−Y3)−(Y4−Y3)}/{(X5−X3)−(X4−X3)}
=(Y5−Y4)/(X5−X4) …(5)
なお、発光素子21aの上面(平面)画像からは、前述のように発光軸の傾斜角度θを検出することができるので、活性層52の位置および発光軸の傾斜角度θを検出することによって、高い精度で発光素子21aの位置決めを行うことが可能になる。
次に受光素子21bの位置検出について説明する。画像処理手段24は、受光素子21bの上面(平面)画像から、受光素子21bが受光する領域の2次元座標系における形状である受光パターンの中心位置Fを検出してその座標F(X6,Y6)を抽出し、受光パターンの境界上に選択して定める第1地点の位置Gを検出してその座標G(X7,Y7)を抽出し、受光パターンの境界上に選択して定める第2地点の位置Hを検出してその座標H(X8,Y8)を抽出する。ここで第1地点Gおよび第2地点Hは、受光パターンの平面画像における一辺(エッジ)上に選定される。
制御部25は、第1地点位置Gおよび第2地点位置Hについて抽出された座標を用いて式(6)に従い、受光パターンの勾配PKを演算する。制御部25は、この勾配PKの逆正接(tan−1)を演算することによって、2次元座標軸に対する受光パターンの傾斜角度を得ることができる。
PK=(Y7−Y8)/(X7−X8) …(6)
さらに、制御部25は、前述した抽出座標と、式(5)および式(6)の演算結果を用いて、下記式(7)〜(12)の演算を行うことによって、発光素子21aの活性層52と受光素子21bの受光パターンとの相対位置(Xd,Yd)および相対傾斜角度θdを検出することができる。
SK=(X6−X3)/(Y6−Y3) …(7)
YD1=√{(X6−X3)+(Y6−Y3) …(8)
θGL=tan−1{(K−LK)/(1+K×LK)} …(9)
Xd=YD1×sinθGL …(10)
Yd=YD1×cosθGL… …(11)
θd=tan−1{(PK−LK)/(1+LK×PK)} …(12)
ここで、SKは活性層52の発光位置Cと受光パターンの中心位置Fとを結ぶ線分の勾配であり、YD1は活性層52の発光位置Cと受光パターンの中心位置Fとを結ぶ線分の距離であり、θGLは活性層52の発光位置Cと受光パターンの中心位置Fとを結ぶ線分の2次元座標軸に対する傾斜角度である。
本実施の形態の位置検査装置20では、2軸顕微鏡39を備えるので、発光素子21aの画像の撮影と、受光素子21bの画像の撮影とが、同時に行われることを特徴とする。したがって、発光素子21aおよび受光素子21bそれぞれの位置検出および相対的な位置検出に要する時間を著しく短縮することができる。
図6は、本発明の実施の第2形態である位置検査装置60の構成を簡略化して示す図である。本実施の形態の位置検査装置60は、実施の第1形態の位置検査装置20に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
位置検査装置60では、撮像手段61が、顕微鏡62と顕微鏡62に付設される一つのカメラ63とを含んで構成され、発光素子21aに通電するコンタクトプローブ64が1本であり、発光素子21aが載置されるステージ65を他方の電極とすることを特徴とする。
撮像手段61は、ステージ27の上方に設けられる。カメラ63は、CCDカメラであり、顕微鏡62は1軸顕微鏡でよいけれども、実施の第1形態と同様に2軸顕微鏡39が用いられてもよい。
図7は、図6に示す位置検査装置60における発光素子21aの位置検出を説明する図である。図7(a)には位置検出時の状態を示し、図7(b)には発光点認識補正後の状態を示す。
位置検査装置60においても実施の第1形態の場合と同様にして、コンタクトプローブ64を介する通電によって発光状態にある発光素子21aの上面(平面)画像から、一方の端面44における発光位置Aおよび他方の端面45における発光位置Bの座標を抽出し、各座標値を用いて発光軸43の2次元座標軸に対する傾斜角度θを検出することができる。また実施の第1形態の位置検査装置20においては触れなかったけれども、位置検査装置20および本実施の形態の位置検査装置60は、発光素子21aの外形を認識することができる。
画像処理手段24によって、発光素子21aの一方の端面44の平面画像上における両端部M,Nの各座標M(X21,Y21),N(X22,Y22)を抽出し、制御部25が各座標を用いて、前述の発光軸43または活性層52の場合と同様にして演算処理し、一方の端面44の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出することができる。図7(a)では、図示を省くけれども、他方の端面45についても両端部の位置を検出し、該位置の座標を用いて2次元座標軸に対する傾斜角度を検出することができるので、発光素子21aの外形を検出、すなわち認識することが可能である。
発光素子21aであるレーザチップは、固有の屈折率nを有し、この屈折率nは、予め計測することによって求めることができる。したがって、発光素子21aの外形と発光軸43の傾斜角度θとを検出することによって、屈折率nを用いて実際の出射光を計算して求めることができる。
次に、発光素子21aからコンタクトプローブ64を離反させ、位置検出結果に基づいて発光素子21aのX−Y座標位置および傾斜角度θについて位置補正を行い、その後発光素子21aに通電することなく、発光素子21aの画像を撮影し、撮影した画像から外形を再度認識する。このように発光素子21aにコンタクトプローブ64を接触させて通電している状態と、通電後、発光素子21aからコンタクトプローブ64を離反させた状態との両方において、発光素子21aの外形認識を行うことによって、コンタクトプローブ64の接触通電に起因する発光素子21aの移動の有無を確認することができる。
位置検査装置60によれば、発光素子21aの発光位置および発光軸43の傾斜角度θの位置検出を一つのカメラ64で行うことができるとともに、コンタクトプローブ64を発光素子21aから離反させた補正後の最終位置を確認することができる。したがって、装置コストを低減することができ、また位置決め精度のフィードバック確認を行うことが可能になる。また発光素子21aの外形に対して、どの位置に発光点があるかをデータとして取込みその特性を把握することができるとともに、外形に対する発光位置のずれ量を検出することができるので、前工程へのフィードバック等に役立てることができる。
図8は、本発明の実施の第3形態である位置検査装置に設けられる光路折曲部材71の構成を示す図である。本実施の形態の位置検査装置は、実施の第2形態の位置検査装置60に類似するので、装置の全体構成を示す図および説明を省略する。
本実施の形態の位置検査装置は、発光素子21aから発せられる光の進路を折曲げる光路折曲部材71が設けられることを特徴とする。本実施の形態では、光路折曲部材71としてプリズムが用いられる。発光素子21aであるレーザチップから発光させるには、コンタクトプローブ64を発光素子21aに接触させて電力供給しなければならない。しかしながら、発光素子21aが小さいので、通電のために接触されるコンタクトプローブ64に、位置検出するべき、たとえば発光位置Bが隠されて、位置検出できなくなることがある。このような場合、発光位置Bから発せられる光の進路を折曲げて撮像手段61へ導くことができる位置にプリズム71を設けることによって、発光位置Bの位置を演算処理して検出することが可能になる。なお、本実施の形態では、光路折曲部材71としてプリズムが用いられるけれども、これに限定されることなく、光路折曲部材71は反射鏡などであってもよい。
図9は、本発明の実施の第4形態である位置検査装置における発光素子21a3に対する通電部分を示す図である。本実施の形態の位置検査装置は、実施の第2形態の位置検査装置60に類似するので、装置の全体構成を示す図および説明を省略する。本実施の形態の位置検査装置は、実施の第2形態の位置検査装置60に加えてもう一つのコンタクトプローブ73が設けられ、2つのコンタクトプローブ64,73を有する。
位置検査装置に2つのコンタクトプローブ64,73を設けることによって、2つの第1および第2発光軸74,75を有する発光素子21a3について、各発光軸74,75の2次元座標軸に対する傾斜角度をそれぞれ検出することが可能になる。
第1および第2発光軸74,75それぞれの傾斜角度は、実施の第1形態の位置検査装置20を用いる場合と同様にして検出される。もう一つのコンタクトプローブ73とステージ65との間で発光素子21a3の一方の発光回路76に通電して発光させ、またコンタクトプローブ64とステージ65との間で発光素子21a3の他方の発光回路77に通電して発光させる。発光素子21a3を発光させた状態で、撮像手段61によって発光素子21a3の平面画像を撮影する。
撮影した画像から、画像処理手段24が、一方の発光回路76の通電によって発せられる光の両端面における発光位置Pおよび発光位置Qを検出し、それぞれの座標P(X31,Y31),Q(X32,Y32)を抽出し、他方の発光回路77の通電によって発せられる光の両端面における発光位置Rおよび発光位置Sを検出し、それぞれの座標R(X33,Y33),S(X34,Y34)を抽出する。制御部25が、発光位置PおよびQの座標に基づいて第1発光軸74の傾斜角度を演算して検出し、発光位置RおよびSの座標に基づいて第2発光軸75の傾斜角度を演算して検出する。
図10は、本発明の実施の他の形態であるダイボンド装置80の構成を概略的に示す図である。ダイボンド装置80は、基板またはパッケージなどの接合基材にダイボンディングされる光学素子21の位置検出のために本発明の実施の第1形態である位置検査装置20を備えることを特徴とする。本実施の形態のダイボンド装置80では、光学素子21のうち発光素子21aであるレーザチップを、サブマウント91と呼ぶパッケージにダイボンディングする場合について例示する。
ダイボンド装置80は、大略、レーザチップ21aを供給する光学素子供給手段81と、位置検査装置20と、サブマウント91を供給する接合基材供給手段82と、位置検査装置20によるレーザチップ21aの位置検査結果に基づいてレーザチップ21aをサブマウント91の所定位置に搬送する不図示の搬送手段と、レーザチップ21aをサブマウント91に対してダイボンディングする接合手段83と、接合後のレーザチップ21aとサブマウント91とを収納する収納部84とを含む。
光学素子供給手段81は、サブマウント91にダイボンディングされるべきレーザチップ21aが、1つまたは複数で予め定められる位置に載置されているレーザチップ供給シートである。レーザチップ供給シート81に載置されるレーザチップ21aは、搬送手段によって位置検査装置20へ定点搬送される。ここで、搬送手段には、吸引治具であるコレットを用いてレーザチップ21aを吸着保持し、レーザチップ21aを吸着保持した状態で、コレットを予め定められる搬送経路上に敷設される軌道上を移動させ、所定位置まで搬送する公知の搬送装置を用いることができる。なお、この方式の搬送装置は、レーザチップ21aの搬送に用いられるとともに、サブマウント91を所定位置へ搬送することにも用いられ、また接合後のレーザチップ21aとサブマウント91とを収納部84へ搬送することにも用いられる。
接合基材供給手段82は、サブマウント91が、1つまたは複数で予め定められる位置に載置されているサブマウント供給シートである。サブマウント供給シート82に載置されるサブマウント91は、搬送手段によって接合手段83を構成するダイボンドヘッド92へ搬送され、ダイボンドヘッド92によって吸着保持される。
位置検査装置20のステージ27上へ搬送されたレーザチップ21aは、前述の位置検査装置20における位置検査方法に従って位置検出される。位置検出されたレーザチップ21aは、位置検査結果に基づいて、ダイボンドヘッド92に吸着保持されるサブマウント91の所定位置まで搬送手段によって搬送される。サブマウント91上の所定位置に搭載されたレーザチップ21aおよびサブマウント91は、接合手段83を構成するヒータヘッド93によって加熱され、サブマウント91に予め設けられるろう材が溶融することによってダイボンディングされる。ダイボンディングされて一体化された後のレーザチップ21aとサブマウント91とは、搬送手段によって収納部84へ搬送されて一旦収納される。この収納部84に収納されたレーザチップ21aとサブマウント91とは、その後、次の加工工程へ搬送される。
このように、ダイボンド装置80は、レーザチップ21aの位置検査のために位置検査装置20を備えるので、設備コストが低く、サブマウント91に対してレーザチップ21aを高い位置決め精度でダイボンディングすることが可能である。
以上に述べたように、本実施の形態では、ダイボンド装置80は、実施の第1形態の位置検査装置20を備える構成であるけれども、位置検査装置20に代えて実施の第2形態の位置検査装置60を備える構成にしてもよく、その場合も同一の効果を奏することができる。
また位置検査装置20,60における被検体である光学素子21は、ステージ27,65上に載置された状態で位置検出されるけれども、これに限定されることなく、被検体である光学素子21が基板またはパッケージ上に載置された状態で位置検出されるように構成されてもよい。このように構成される場合、被検体を移動させることなく位置検出するので、検査および位置決め精度を上げることができる。
本発明の実施の一形態である光学素子の位置検査装置20の構成を簡略化して示す図である。 撮像手段22の構成を簡略化して示す図である。 発光素子21aの発光軸43の傾斜角度θを求める方法を説明する図である。 2つの第1および第2発光素子21a1,21a2についてそれぞれの第1および第2発光軸46,47の傾斜角度θ1,θ2を求める方法を説明する図である。 発光素子21aと受光素子21bとの相対的な位置を検出する方法を説明する図である。 本発明の実施の第2形態である位置検査装置60の構成を簡略化して示す図である。 図6に示す位置検査装置60における発光素子21aの位置検出を説明する図である。 本発明の実施の第3形態である位置検査装置に設けられる光路折曲部材71の構成を示す図である。 本発明の実施の第4形態である位置検査装置における発光素子21a3に対する通電部分を示す図である。 本発明の実施の他の形態であるダイボンド装置80の構成を概略的に示す図である。 レーザチップ2の位置検出に係る従来の位置検査装置1の構成を示す図である。
符号の説明
20,60 位置検査装置
21 光学素子
22,61 撮像手段
23 通電手段
24 画像処理手段
25 制御部
26 画像表示部
27,65 ステージ
33,34,64,73 コンタクトプローブ
35 電源部
37,38,63 カメラ
39 2軸顕微鏡
43,46,47,74,75 発光軸
52 活性層
62 顕微鏡
71 光路折曲部材
80 ダイボンド装置
81 光学素子供給手段
82 接合基材供給手段
83 接合手段
84 収納部
91 サブマウント
92 ダイボンドヘッド
93 ヒータヘッド

Claims (15)

  1. 光を発することのできる光学素子である発光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における発光素子の位置を検出する光学素子の位置検査方法において、
    発光素子から光が発せられる発光位置であって発光素子の一方の端面における発光位置を検出するステップと、
    発光素子から光が発せられる発光位置であって発光素子の他方の端面における発光位置を検出するステップと、
    一方の端面における発光位置と他方の端面における発光位置とから、一方の端面における発光位置と他方の端面における発光位置とを結ぶ軸である発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする光学素子の位置検査方法。
  2. 発光素子の一方または他方の端面の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の光学素子の位置検査方法。
  3. 発光素子が、2つの発光軸を有し、2つの発光軸について2次元座標軸に対する傾斜角度をそれぞれ検出することを特徴とする請求項1記載の光学素子の位置検査方法。
  4. 光学素子が2つの第1および第2発光素子であり、
    第1および第2発光素子がそれぞれ有する第1および第2発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップと、
    第1発光素子が有する第1発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度と、第2発光素子が有する第2発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度とから第1発光軸と第2発光軸との相対的な傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする請求項1記載の光学素子の位置検査方法。
  5. 電子と正孔とが再結合する領域である活性層を有し、活性層から光を発することのできる光学素子である発光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における発光素子の位置を検出する光学素子の位置検査方法において、
    発光素子に備わる活性層の一端部の位置を検出するステップと、
    発光素子に備わる活性層の他端部の位置を検出するステップと、
    活性層の一端部の位置と他端部の位置とから、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする光学素子の位置検査方法。
  6. 電子と正孔とが再結合する領域である活性層を有し、活性層から光を発することのできる光学素子である発光素子、および光を受光して光電変換することのできる光学素子である受光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における発光素子および受光素子の位置を検出する光学素子の位置検査方法において、
    発光素子に備わる活性層の一端部の位置を検出するステップと、
    発光素子に備わる活性層の他端部の位置を検出するステップと、
    発光素子に備わる活性層の発光位置を検出するステップと、
    活性層の一端部の位置と他端部の位置とから、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップと、
    受光素子が光を受光する領域の2次元座標系における形状である受光パターンの中心位置を検出するステップと、
    受光パターンの境界上に選択して定める第1地点の位置を検出するステップと、
    受光パターンの境界上に選択して定める第2地点の位置を検出するステップと、
    第1および第2地点の位置から受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度を検出するステップと、
    活性層の発光位置と受光パターンの中心位置とから発光素子と受光素子との相対的な位置を検出するステップと、
    活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度と、受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度とから活性層と受光素子との相対的な傾斜角度を検出するステップとを含むことを特徴とする光学素子の位置検査方法。
  7. 発光素子の画像の撮影と、受光素子の画像の撮影とが、同時に行われることを特徴とする請求項6記載の光学素子の位置検査方法。
  8. 前記請求項1〜7のいずれか1つに記載の位置検査方法によって光学素子の位置を検出するステップと、
    光学素子の位置検査結果に基づいて光学素子を基板またはパッケージの所定位置に搬送するステップと、
    光学素子を基板またはパッケージに対してダイボンディングするステップとを含むことを特徴とするダイボンド方法。
  9. 光学素子である光を発することのできる発光素子および/または光を受光して光電変換することのできる受光素子の画像を撮影し、撮影された画像上で予め定める位置を原点として構成される2次元座標系における光学素子の位置を検出する光学素子の位置検査装置において、
    光学素子の画像を撮影する撮像手段と、
    光学素子に電力を供給する通電手段と、
    撮像手段によって撮影される光学素子の画像上に予め定める位置を原点として構成される2次元座標系を設定し、光学素子の画像上で選択される位置の2次元座標系における座標を抽出する画像処理手段と、
    画像処理手段によって抽出される座標に基づいて、2次元座標軸に対する光学素子の位置および傾斜を演算する演算手段とを含むことを特徴とする光学素子の位置検査装置。
  10. 撮像手段は、
    2つの第1および第2カメラと、
    第1および第2カメラに対してそれぞれ異なる部位の画像を結像させることのできる2軸顕微鏡とを含むことを特徴とする請求項9記載の光学素子の位置検査装置。
  11. 光学素子が発光素子であり、発光素子の画像上で選択される位置が、
    通電手段から電力供給されることによって光を発する発光素子の一方の端面における発光位置と、他方の端面における発光位置とであり、
    演算手段が、
    発光素子の一方の端面における発光位置の座標と、他方の端面における発光位置の座標とに基づいて、一方の端面における発光位置と他方の端面における発光位置とを結ぶ軸である発光軸の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算することを特徴とする請求項9または10記載の光学素子の位置検査装置。
  12. 発光素子から発せられる光の進路を折曲げる光路折曲部材が設けられることを特徴とする請求項11記載の光学素子の位置検査装置。
  13. 光学素子が発光素子であり、発光素子の画像上で選択される位置が、
    通電手段から電力供給されることによって光を発する発光素子の活性層における一端部の位置と他端部の位置とであり、
    演算手段が、
    活性層の一端部の座標と他端部の座標とに基づいて、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算することを特徴とする請求項9または10記載の光学素子の位置検査装置。
  14. 光学素子の画像上で選択される位置が、
    通電手段から電力供給されることによって光を発する発光素子の活性層における一端部の位置および他端部の位置ならびに活性層の発光位置であり、また受光素子が光を受光する領域の2次元座標系における形状である受光パターンの中心位置と、受光パターンの境界上に選択して定める第1および第2地点の位置とであり、
    演算手段が、
    活性層の一端部の座標と他端部の座標とに基づいて活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算し、
    第1および第2地点の座標に基づいて受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度を演算し、
    さらに活性層の発光位置と受光パターンの中心位置とに基づいて発光素子と受光素子との相対的な位置を演算し、活性層の2次元座標軸に対する傾斜角度と受光素子の2次元座標軸に対する傾斜角度とに基づいて活性層と受光素子との相対的な傾斜角度を演算することを特徴とする請求項9または10記載の光学素子の位置検査装置。
  15. 前記請求項9〜14のいずれか1つに記載の光学素子の位置検査装置を備え、
    光学素子を供給する光学素子供給手段と、
    基板またはパッケージを供給する接合基材供給手段と、
    位置検査装置による光学素子の位置検査結果に基づいて光学素子を基板またはパッケージの所定位置に搬送する搬送手段と、
    光学素子を基板またはパッケージに対してダイボンディングする接合手段とを含むことを特徴とするダイボンド装置。
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