JP2005235766A - 有機電界発光表示素子及びその製造方法 - Google Patents

有機電界発光表示素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005235766A
JP2005235766A JP2005039392A JP2005039392A JP2005235766A JP 2005235766 A JP2005235766 A JP 2005235766A JP 2005039392 A JP2005039392 A JP 2005039392A JP 2005039392 A JP2005039392 A JP 2005039392A JP 2005235766 A JP2005235766 A JP 2005235766A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
organic electroluminescent
organic
light emitting
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005039392A
Other languages
English (en)
Inventor
Ki Hong Kim
ホン キム キ
Hyo Dae Bae
ダ バ ヒョ
Jae Cheol Kwon
チョル カン ヨー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020040011583A external-priority patent/KR100717327B1/ko
Priority claimed from KR1020040074579A external-priority patent/KR100631121B1/ko
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of JP2005235766A publication Critical patent/JP2005235766A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Abstract

【課題】 パッド部不良を防止することができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 有機電界発光アレイ１５０の第１電極１０４及び第２電極１１２の少なくとも一つと電気的に接続された第１導電層１３６と、前記第１導電層１３６上に形成された第２導電層１３４と、前記第１導電層１３６及び第２導電層１３４を覆うように形成されて前記第２導電層１３４の一部を露出させるホールを有したダミー絶縁パターン１７５とを具備するパッド部を有機電界発光表示素子に設ける。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電界発光表示（ＥＬＤ）に関するもの、特に、パッド部不良を防止することができる有機電界発光表示素子及びその製造方法に関するものである。
最近、陰極線管(Cathode Ray Tube)の短所である重さと大きさを減らすことができる各種フラットパネル表示装置が開発されている。このようなフラットパネル表示装置には、液晶表示装置(Liquid Crystal Display : 以下 LCD という)、電界放出表示装置(Field Emission Display : 以下 FED という)、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel : 以下 PDP という)、及びエレクトロルミネセンス(Electro-luminescence:以下 EL という)表示装置などがある。このようなフラットパネル表示装置の表示品質を高めて大画面化を試みる研究が活発に進められている。
この中でPDPは、構造と製造工程が単純であることから軽量化、小型化を図るとともに、大画面化に一番有利な表示装置として注目されているが、発光效率と輝度が低く、消費電力の大きいという短所がある。一方、スイッチング素子で薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor : 以下 TFT という)が適用されたアクティブマトリックスLCDは、半導体工程を利用するため大画面化が困難であり、バックライトユニットによる消費電力が大きく、偏光フィルター、プリズムシート、拡散板などの光学素子による光損失が多く、視野角が狭い特性を有するという欠点があった。
また、EL表示素子は、自ら発光する自発光素子であり、発光層の材料によって無機EL素子と有機EL素子に大別される。EL表示素子は、前述した表示素子と比較して、応答速度が早く、発光效率がよく、高輝度で、視野角が大きいという長所を有する。無機EL素子は、有機EL素子に比べて消費電力が大きく、高輝度を得ることができず、R、G、Bによる多様な色を発光させることができない。これに対して、有機EL素子は、数十ボルトの低い直流電圧で駆動でき、応答速度が速く、高輝度を得ることができ、R、G、Bによるの多様な色を発光させることができるため次世代フラットディスプレイ素子として適している。
図７は従来の有機EL表示素子を概略的に示す断面図で、図８は図７に示された有機ELアレイのＩ−Ｉ' 線を切断して示す断面図である。
図７及び図８に図示された有機ELアレイ（有機電界発光アレイ）５０は、基板２上に第１電極(またはアノード電極)４と第２電極(またはカソード電極)１２が互いに交差する方向に形成されている。第１電極４は基板２上に所定の間隔をおいて多数個形成されている。このような第１電極４が形成された基板２上には、個々のEL領域ごとに開口部を有する絶縁膜６が形成される。絶縁膜６上には、その上に形成される有機発光層１０及び第２電極１２を分離するための隔壁８が設けられている。隔壁８は第１電極４を横切る方向に形成され、上段部が下段部より広い幅を有するオーバーハング(Overhang)構造を備えている。隔壁８が形成された絶縁膜６上には、順次、有機化合物から構成される有機発光層１０と第２電極１２が全面蒸着される。有機発光層１０は、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーを表し、一般的には、各画素(P)ごとに赤、緑、青色を発光する個別の有機物質をパターニングすることによって形成される。
有機発光層１０は、図８に示されるように、第１電極４上に順次に形成された正孔注入層(１０e)、正孔輸送層(１０d)、発光層(１０c)、電子輸送層(１０b)及び電子注入層(１０a)を含む。 このような、有機EL表示素子は、第１電極４と第２電極１２の間に電圧が印加されると、第２電極１２から発生した電子(またはカソード)が、電子注入層(１０a)及び電子輸送層(１０b)を通じて発光層(１０c)の方向に移動する。また、第１電極４から発生した正孔(またはアノード)は、正孔注入層(１０e)及び正孔輸送層(１０d)を通じて発光層(１０c)の方向に移動する。これによって、発光層(１０c)では、電子輸送層(１０b)と正孔輸送層(１０d)から供給された電子と正孔の再結合によってエキシトン(EXCITON)が形成され、エキシトンは、再び基底状態に励起されながら一定のエネルギーの光を第１電極４を通じて外部に放出し、その結果、画像が表示されるようになる。
このような有機ELアレイ５０は、湿気及び酸素により容易に劣化する特性を有している。このような問題を解決するために、有機ELアレイ５０を封止(Encapsulation)する工程が実施されている。これにより有機ELアレイ５０が形成された基板２とキャップ２８は、密封材、封止材（Sealant）２６によって接合される。
図９は従来の有機EL素子のパッド部を示す図面である。
図９に示された有機EL素子のパッド部のパッド３７は、外部から駆動信号を受けるために、導電性フィルム(ACF : Antisotropic Conductive Film)３０を間に介してCOF(Chip On Film)、TCP(Tape Carrier Package)などの信号供給フィルム３２と電気的に接続されている。パッド３７は、有機ELアレイ５０の第１電極４または第２電極１２と接続される透明導電層３６と、透明導電層３６の導電性を高めるための不透明導電層３４とが積層された構造を有している。ここで、透明導電層３６にはITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)などが使用され、不透明導電層３４にはモリブデン(Mo)などが使用される。また、不透明導電層３４上には湿気及び酸素などにより不透明導電層３４の酸化を防止するためのシリコン膜３８が形成される。
ところで、このような従来の有機EL表示素子のパッド部に形成された不透明導電層３４は、水(H2O)及び酸素(O2)などによって腐蝕され、信号供給フィルム３２を通じて印加されるはずの駆動信号が印加されないなどのパッド不良問題が頻繁に発生する。これをより詳しく説明すると次のようになる。
一般的にモリブデン(Mo)などから形成された不透明導電層３４は、露出していると、湿気及び酸素などにより酸化または腐蝕される性質がある。このような不透明導電層３４は、有機ELアレイ５０が形成された基板２とキャップ２８の接合工程、及びACF３０を間に介してパッド３７と信号供給フィルム３２との接続工程などが実施される間、図１０に示されるように、大気中の湿気及び酸素にさらされる。このように露出した不透明導電層３４は酸化される。また、シリコン膜３８を形成した後にもシリコン膜３８と透明導電層３６及び不透明導電層３４の間の界面で酸素及び湿気が浸透することによって不透明導電層３４は酸化される。このような酸化は、各パッド３７に印加された電圧差によって生じるガルヴァーニ電気腐蝕を促進させ、その結果、外部駆動信号が有機ELアレイ５０に印加されなくなるなどパッド部の不良問題をもたらすようになる。
したがって、本発明の目的は、パッド部の不良の発生を防止することができる有機電界発光表示素子及びその製造方法に関するものである。
上記目的を達成するために、本願請求項１に係る有機電界発光表示素子の発明は、前記有機電界発光アレイの第１及び第２電極の中の少なくともいずれか一つと電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第１及び第２導電層を覆うように形成されて前記第２導電層の一部を露出させるホールを有したダミー絶縁パターンとを備えたパッド部を具備することを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の有機電界発光表示素子において、さらに、前記有機電界発光アレイをパッケージングするキャップと、前記第２導電層を露出させるホールを介して前記パッドと電気的に接続される信号供給フィルムとを具備することを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、請求項２の有機電界発光表示素子において、さらに、前記ダミー絶縁パターンと基板の界面領域に形成されたシリコン膜を具備することを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項２の有機電界発光表示素子において、前記有機電界発光アレイは、前記第１電極を部分的に露出させることによって発光領域を形成する絶縁膜を具備し、該絶縁膜は前記ダミー絶縁パターンと同一物質であることを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、有機電界発光アレイに駆動信号を伝達するためのパッド部を形成する工程を有した有機電界発光表示素子の製造方法において、前記パッド部を形成する工程は、基板上に前記有機電界発光アレイの第１及び第２電極の中の少なくともいずれか一つと電気的に接続される第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層上に第２導電層を形成する工程と、前記第１及び第２導電層を覆うように形成されて、前記第２導電層の一部を露出させるホールを有したダミー絶縁パターンを形成する工程とを有することを特徴とするものである。
また、請求項６の発明は、請求項５の有機電界発光表示素子の製造方法において、さらに、前記有機電界発光アレイをパッケージングするためにキャップを前記基板に接合させる工程と、前記第２導電層を露出させるホールを介して前記パッドに信号供給フィルムを接続させる工程とを有することを特徴とするものである。
また、請求項７の発明は、請求項５の有機電界発光表示素子の製造方法において、さらに、前記ダミー絶縁パターンと基板の界面領域にシリコン膜を形成する工程を具備することを特徴とするものである。
また、請求項８の発明は、請求項７の有機電界発光表示素子の製造方法において、前記有機電界発光アレイは、前記第１電極を部分的に露出させることによって発光領域を形成する絶縁膜を具備し、該絶縁膜は、前記ダミー絶縁パターンと同一物質であることを特徴とするものである。
また、請求項９に係る有機電界発光表示素子の発明は、有機電界発光アレイと、該有機電界発光アレイに駆動信号を供給すると共に、第１導電層及び該第１導電層の一部を露出させる第２導電層が積層されているパッドとを具備することを特徴とするものである。
また、請求項１０の発明は、請求項９の有機電界発光表示素子において、さらに、前記有機電界発光アレイを覆うパッケージング板と、前記パッドと電気的に接続される信号供給フィルムと、前記第１導電層上に形成されたシリコン層とを具備することを特徴とするものである。
また、請求項１１の発明は、請求項１０の有機電界発光表示素子において、前記第２導電層は、前記パッケージング板及び前記信号供給フィルムが設けられている領域以外の領域で一部除去されていることを特徴とするものである。
また、請求項１２の発明は、請求項９の有機電界発光表示素子において、前記第１導電層は酸化物を含み、前記第２導電層はモリブデン(Mo)を含むことを特徴とするものである。
また、請求項１３の発明は、請求項９の有機電界発光表示素子において、前記有機電界発光アレイはアノード電極及びカソード電極を含み、前記第１導電層は前記アノード電極及びカソード電極の中の少なくともいずれか一つと同一物質であることを特徴とするものである。
また、請求項１４に係る有機電界発光表示素子の製造方法の発明は、有機電界発光アレイを形成する工程と、前記有機電界発光アレイから伸びる第１導電層及び該第１導電層の一部を露出させる第２導電層が積層されたパッドを形成する工程とを有することを特徴とする。
また、請求項１５の発明は、請求項１４の有機電界発光表示素子の製造方法において、さらに、前記有機電界発光アレイを覆うようにパッケージング板を前記基板に接合させる工程と、外部駆動信号を前記有機電界発光アレイに供給するために前記パッドに信号供給フィルムを接続させる工程と、前記第１導電層上にシリコン層を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
また、請求項１６の発明は、請求項１５の有機電界発光表示素子の製造方法において、前記第２導電層は、前記パッケージング板及び前記信号供給フィルムが設けられている領域以外の領域で一部除去されていることを特徴とするものである。
また、請求項１７の発明は、請求項１４の有機電界発光表示素子の製造方法において、前記第１導電層は酸化物を含み、前記第２導電層はモリブデン(Mo)を含むことを特徴とするものである。
また、請求項１８の発明は、請求項１４の有機電界発光表示素子の製造方法において、前記有機電界発光アレイはアノード電極及びカソード電極を有し、前記第１導電層は前記アノード電極及びカソード電極の中の少なくともいずれか一つと同一物質であることを特徴とするものである。
本発明に係る有機電界発光表示素子及びその製造方法でのパッド部は、透明導電層及び不透明導電層と、透明導電層及び不透明導電層を覆うように形成されて湿気及び酸素などから不透明導電層を保護するダミー絶縁パターンが具備されている。これによって、不透明導電層の酸化および腐蝕等を回避することができ、パッド部の不良を防止することができる。
また、本発明に係る有機電界発光表示素子及びその製造方法は、有機ELアレイから伸張された透明導電層上に、該透明導電層の一部を露出させると共に、パッケージング板及び接続フィルムと重畳するように不透明導電層を形成する。これによって、不透明導電層の露出をなくし、水(H2O)及び酸素(O2)などによる不透明導電層の酸化を防止することができ、パッド部の不良を防止することができる。
以下、添付された図面を参照して本発明に係る有機電界発光表示素子について詳しく説明する。
以下、図１乃至図６を参照して本発明の望ましい実施例について説明する。
図１は、本発明の第１実施例に係る有機EL表示素子の一部を示す図であり、図２は、図１に示されたパッド部(A)のパッドを具体的に示す図であり、図３は、図１に示されたII−II' 線における断面図である。
図１乃至図３に示された本発明に係る有機EL表示素子の有機ELアレイ１５０の構造は、図７乃至図９に示される従来の構造と同一である。基板１０２上には、第１電極(またはアノード電極)１０４と第２電極(またはカソード電極)１１２が、互いに交差する方向に形成されている。第１電極１０４は、基板１０２上に所定の間隔をおいて多数個形成されている。このような第１電極１０４が形成された基板１０２上には、個々のEL領域ごとに開口部を有する絶縁膜１０６が形成されている。絶縁膜１０６上には、その上に形成される有機発光層１１０及び第２電極１１２を分離するための隔壁８が設けられている。隔壁１０８は第１電極１０４を横切る方向に形成され、上段部が下段部より広い幅を有するオーバーハング(Overhang)構造を有している。隔壁１０８が形成された絶縁膜１０６上には、順次、有機化合物から構成される有機発光層１１０と第２電極１１２が全面蒸着されている。
有機EL表示素子のパッド部のパッド１３７は、外部から駆動信号を受けるために、導電性フィルム(ACF : Antisotropic Conductive Film)１３０を間に介して、COF(Chip On Film)、TCP(Tape Carrier Package)などの信号供給フィルム１３２と電気的に接続されている。パッド１３７は、有機ELアレイ１５０の第１電極１０４または第２電極１１２と接続される透明導電層（第１導電層）１３６と、透明導電層１３６の導電性を高めるための不透明導電層（第２導電層）１３４と、透明導電層１３６及び不透明導電層１３４を覆うように形成されるダミー絶縁パターン１７５とを具備している。
ダミー絶縁パターン１７５は、不透明導電層３４の酸化及び腐蝕を防止する機能を有している。言い替えれば、水(H2O)及び酸素(O2)などに弱いモリブデン(Mo)などから形成されている不透明導電層１３４を覆うようにダミー絶縁パターン１７５が設けられ、不透明導電層１３４が水(H2O)及び酸素(O2)などにさらされるのを回避している。これによりパッド１３７が酸化及び腐蝕されるなどのパッド部の不良を防止することができる。 また、ダミー絶縁パターン１７５には、不透明導電層１３４を一部露出させる接触ホール１８０が形成されており、信号供給フィルム１３２が接触ホール１８０を介して露出する不透明導電層１３４と接続されて、パッド１３７と電気的に接続できるようになっている。
ここで、透明導電層１３６には、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)などが使用され、不透明導電層１３４には、モリブデン(Mo)などが使用されている。ダミー絶縁パターン１７５は、有機ELアレイ１５０の絶縁パターン１０６と同一物質からなっている。
さらに、ダミー絶縁パターン１７５上、または基板１０２とダミー絶縁パターン１７５の界面領域にシリコン膜１３８を設けることによって不透明導電層１３４を万全に保護している。
このように本発明に係る有機EL表示素子のパッド部は、有機ELアレイ１５０の第１及び第２電極(１０４,１１２)の中の少なくともいずれか一つと電気的に接続された透明導電層１３６と、不透明導電層１３４と、透明導電層１３６及び不透明導電層１３４を覆うように形成されて不透明導電層（第２導電層）１３４を一部露出させる接触ホール１８０を有したダミー絶縁パターン１７５を具備している。これによって、湿気及び酸素などから不透明導電層１３４を保護することができ、パッド部の不良を防止することができる。
図４は、本発明に係る有機EL表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
先ず、ステップ２において、基板１０２上に、有機ELアレイ１５０の第１電極１０４及び第２電極１１２とそれぞれ接続される透明導電層１３６が形成される。ここで、透明導電層１３６には、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)などが使用されている。
ステップ４において、透明導電層１３６上にスパッタリングなどの蒸着方法を利用して不透明導電物質が全面蒸着された後、マスクを利用したフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により不透明導電物質がパターニングされ不透明導電層１３４が形成される。
次に、ステップ６において、第１電極１０４、透明導電層１３６及び不透明導電層１３４が形成された基板１０２上に感光性絶縁物質が蒸着された後、フォトリソグラフィ工程により感光性絶縁物質がパターニングされ、有機ELアレイ１５０の絶縁膜１０６と、不透明導電層１３４上のダミー絶縁パターン１７５が形成される。絶縁膜１０６は、第１電極１０４を部分的に露出することにより、発光領域を形成しており、ダミー絶縁膜１７５は、透明導電層１３６及び不透明導電層１３４を覆うように形成されると共に、不透明導電層１３４の一部を露出させる接触ホール１８０を有している。これで、透明導電層１３６、不透明導電層１３４及びダミー絶縁パターン１７５が積層された構造のパッド１３７が形成される。
次に、ステップ８において、封止(Encapsulation)工程によりキャップ１２８が基板１０２と接合される。また、ステップ１０において、ACF１３０を介してパッド１３７と信号供給フィルム１３２が電気的に接続される。即ち、ACF１３０は、ダミー絶縁パターン１７５の接触ホール１８０を介してパッド１３７の不透明導電層１３４と接続される。そして最後に、ステップ１２において、ダミー絶縁パターン１７５上、またはダミー絶縁パターン１７５と基板１０２の界面領域にシリコン膜１３８が形成される。
図５は、本発明の第２実施例に係る有機EL表示素子の一部を示す図である。
図５に示された有機EL装置のパッド領域のパッド１３７は、外部から駆動信号を受けるために導電性フィルム(ACF : Anisotropic Conductive Film)１３０を間に介して信号供給フィルム１３２、例えば、TCP(Tape Carrier Package)１３２などのような接続フィルムと電気的に接続されている。パッド１３７は、有機ELアレイ１５０の第１電極１０４または第２電極１１２と接続される透明導電層１３６と、透明導電層１３６の導電性を高めるための不透明導電層１３４が積層された構造を有している。ここで、不透明導電層１３４は、透明導電層１３６上に形成されると共に、透明導電層１３６の一部が露出するように形成されている。さらに具体的には、パッケージング板１２８及びTCP１３２と重畳される領域以外の領域では、透明導電層１３６が露出するように形成されている。不透明導電層１３４及び透明導電層１３６上には、湿気及び酸素などにより不透明導電層１３４の酸化を防止するためのシリコン層１３８が形成されている。
このように本発明の第２実施例に係る有機EL表示装置のパッド領域には、第１及び第２電極(４,１２)の中のいずれか一つと接続される透明導電層１３６上に、パッケージング板１２８及びTCP１３２と重畳される領域に不透明導電層１３４が形成されている。これによって、パッド領域の中のパッケージング板１２８及びTCP１３２と重畳しない領域で透明導電層１３６が露出する態様に形成され、従来と比べて水(H2O)及び酸素(O2)などによる不透明導電層１３４の酸化を防止することができる。
これをより詳しく説明すると次のようになる。
一般的にモリブデン(Mo)などによって形成された不透明導電層１３４は、湿気及び酸素などにさらされると、酸化される性質がある。これに比べて、透明導電層１３６は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)などによって形成されるているので酸素及び湿気などにより酸化されない。すなわち、透明導電層１３６は、酸化物(Oxide)を含むことによって不透明導電層１３４に比べて相対的に酸に強い性質を有している。
これによって、有機ELアレイ１５０が形成された基板１０２とパッケージング板１２８の接合工程、及びACF１３０を間に介してパッド１３７と TCP１３２との接続工程などが実施される間、透明導電層１３６は大気中の湿気及び酸素にさらされても酸化されず、不透明導電層１３４はパッケージング板１２８及びTCP１３２により湿気及び酸素にさらされないので、どの導電層も酸化されなくなり、各パッド１３７に印加される電圧差によるガルヴァーニ電気腐蝕も発生しなくなる。よって、パッド不良を防止することができる。
図６は、本発明に係る有機EL表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
先ず、ステップ３２において、基板１０２上に有機ELアレイ１５０が形成されると共に、有機ELアレイ１５０の第１電極１０４及び第２電極１１２とそれぞれ接続される透明導電層１３６が形成される。ここで、透明導電層１３６には、 ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)などが使用されている。
次に、ステップ３４において、透明導電層１３６上にスパッタリングなどの蒸着方法を利用して不透明導電物質が全面蒸着された後、マスクを利用したフォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程により不透明導電物質がパターニングされ不透明導電層１３４が形成される。ここで、不透明導電層１３４は、後に実施される封止工程により基板１０２と接合されるパッケージング板１２８及びパッド１３７と電気的に接続されたTCP１３２と重畳する領域に形成される。これによってパッケージング板１２８及びTCP１３２と重畳しない領域の透明導電層１３６が露出するようになる。これで、透明導電層１３６及び不透明導電層１３４が積層された構造のパッド１３７が形成される。
次に、ステップ３６において、封止工程によりパッケージング板１２８が基板１０２と接合され、ステップ３８において、ACF１３０を介してパッド１３７と TCP１３２が電気的に接続される。そして最後に、ステップ４０において、露出した透明導電層１３６上にシリコン層１３８が形成される。
このように本発明に係る有機EL表示装置及びその製造方法は、有機ELアレイに駆動信号を供給する透明導電層１３６上に透明導電層１３６を一部露出させると共に、パッケージング板１２８及びTCP１３２と重畳する領域に不透明導電層１３４が形成される。これによって、不透明導電層１３４が露出しなくなるので、水(H2O)及び酸素(O2)などによる不透明導電層１３４の酸化を防止することができる。これで、各パッド１３７に印加される電圧差によるガルヴァーニ電気腐蝕も発生しなくなり、パッド不良を防止することができる。
本発明の第１実施例に係る有機電界発光表示素子の一部を示す面である。 図１に示されたパッド部(A)を具体的に示す斜視図である。 図１のII−II' 線における断面図である。 本発明の第１実施例に係る有機電界発光表示素子の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の第２実施例に係る有機電界発光表示素子の一部を示す図である。 本発明の第２実施例に係る有機電界発光表示素子の製造方法を示すフローチャートである。 従来の有機電界発光表示素子を概略的に示す断面図である。 図７に示された有機電界発光アレイのＩ−Ｉ' 線における断面図である。 従来の有機電界発光表示素子のパッド部を示す図である。 従来のパッド部の不良を示す図である。
符号の説明
１０２ 基板
１０４ 第１電極
１０６ 絶縁膜
１０８ 隔壁
１１０ 有機発光層
１１２ 第２電極
１２６ 封止材
１２８ パッケージング板
１３０ ACF
１３２ 信号供給フィルム
１３４ 不透明導電層（第２導電層）
１３６ 透明導電層（第１導電層）
１３７ パッド
１３８ シリコン膜
１５０ 有機ELアレイ
１７５ ダミー絶縁パターン
１８０ 接触ホール

Claims (18)

  1. 有機電界発光アレイに駆動信号を伝達するパッド部を備えた有機電界発光表示素子において、
    前記パッド部は、前記有機電界発光アレイの第１及び第２電極の中の少なくともいずれか一つと電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第１及び第２導電層を覆うように形成されて前記第２導電層の一部を露出させるホールを有したダミー絶縁パターンとを具備することを特徴とする有機電界発光表示素子。
  2. 前記有機電界発光アレイをパッケージングするキャップと、前記第２導電層を露出させるホールを介して前記パッドと電気的に接続される信号供給フィルムとをさらに具備することを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示素子。
  3. 前記ダミー絶縁パターンと基板の界面領域に形成されたシリコン膜をさらに具備することを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示素子。
  4. 前記有機電界発光アレイは、前記第１電極を部分的に露出させて発光領域を形成する絶縁膜を具備し、該絶縁膜は、前記ダミー絶縁パターンと同一物質であることを特徴とする請求項２記載の有機電界発光表示素子。
  5. 有機電界発光アレイに駆動信号を伝達するためのパッド部を形成する工程を有した有機電界発光表示素子の製造方法において、前記パッド部を形成する工程は、基板上に前記有機電界発光アレイの第１及び第２電極の中の少なくともいずれか一つと電気的に接続される第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層上に第２導電層を形成する工程と、前記第１及び第２導電層を覆うように形成されて前記第２導電層を一部露出させるホールを持つダミー絶縁パターンを形成する工程とを有することを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
  6. 前記有機電界発光アレイをパッケージングするためにキャップを前記基板に接合させる工程と、前記第２導電層を露出させるホールを介して前記パッドに信号供給フィルムを接続させる工程とをさらに有することを特徴とする請求項５記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  7. 前記ダミー絶縁パターンと基板の界面領域にシリコン膜を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項５記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  8. 前記有機電界発光アレイは、前記第１電極を部分的に露出させて発光領域を形成する絶縁膜を具備し、前記絶縁膜は、前記ダミー絶縁パターンと同一物質であることを特徴とする請求項７記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  9. 有機電界発光アレイと、該有機電界発光アレイに駆動信号を供給すると共に、第１導電層及び該第１導電層の一部を露出させる第２導電層が積層されているパッドとを具備することを特徴とする有機電界発光表示素子。
  10. 前記有機電界発光アレイを覆うパッケージング板と、前記パッドと電気的に接続される信号供給フィルムと、前記第１導電層上に形成されたシリコン層とをさらに具備することを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示素子。
  11. 前記第２導電層は、前記パッケージング板及び前記信号供給フィルムが設けられている領域以外の領域で一部除去されていることを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示素子。
  12. 前記第１導電層は酸化物を含み、前記第２導電層はモリブデン(Mo)を含むことを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示素子。
  13. 前記有機電界発光アレイはアノード電極及びカソード電極を含み、前記第１導電層は前記アノード電極及びカソード電極の中の少なくともいずれか一つと同一物質であることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光表示素子。
  14. 有機電界発光アレイを形成する工程と、前記有機電界発光アレイから伸びる第１導電層及び該第１導電層の一部を露出させる第２導電層が積層されたパッドを形成する工程とを有することを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
  15. 前記有機電界発光アレイを覆うようにパッケージング板を前記基板に接合させる工程と、外部駆動信号を前記有機電界発光アレイに供給するために前記パッドに信号供給フィルムを接続させる工程と、前記第１導電層上にシリコン層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１４記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  16. 前記第２導電層は、前記パッケージング板及び前記信号供給フィルムが設けられている領域以外の領域で一部除去されていることを特徴とする請求項１５記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
  17. 前記第１導電層は酸化物を含み、前記第２導電層はモリブデン(Mo)を含むことを特徴とする請求項１４記載の有機電界発光表示素子。
  18. 前記有機電界発光アレイはアノード電極及びカソード電極を有し、前記第１導電層は前記アノード電極及びカソード電極の中の少なくともいずれか一つと同一物質であることを特徴とする請求項１４記載の有機電界発光表示素子。
JP2005039392A 2004-02-20 2005-02-16 有機電界発光表示素子及びその製造方法 Pending JP2005235766A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040011583A KR100717327B1 (ko) 2004-02-20 2004-02-20 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR1020040074579A KR100631121B1 (ko) 2004-09-17 2004-09-17 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010292313A Division JP2011066017A (ja) 2004-02-20 2010-12-28 有機電界発光表示素子及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005235766A true JP2005235766A (ja) 2005-09-02

Family

ID=34713060

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005039392A Pending JP2005235766A (ja) 2004-02-20 2005-02-16 有機電界発光表示素子及びその製造方法
JP2010292313A Pending JP2011066017A (ja) 2004-02-20 2010-12-28 有機電界発光表示素子及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010292313A Pending JP2011066017A (ja) 2004-02-20 2010-12-28 有機電界発光表示素子及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7358664B2 (ja)
EP (1) EP1566838A3 (ja)
JP (2) JP2005235766A (ja)
CN (1) CN100539245C (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101570530B1 (ko) 2008-10-09 2015-11-19 엘지디스플레이 주식회사 연성회로기판과 이를 이용한 유기전계발광표시장치
KR20160108720A (ko) * 2015-03-05 2016-09-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100822204B1 (ko) * 2006-06-07 2008-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR100713227B1 (ko) * 2006-06-30 2007-05-02 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR100812001B1 (ko) * 2006-11-10 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101815255B1 (ko) * 2010-12-16 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이에 적용되는 입력패드
US8755154B2 (en) 2011-09-13 2014-06-17 Seagate Technology Llc Tuned angled uniaxial anisotropy in trilayer magnetic sensors
TW201405905A (zh) * 2012-07-24 2014-02-01 Ultimate Image Corp 發光二極體平面照明單元的製法、其製品及其製品所構成的裝置
CN103681765B (zh) * 2013-12-05 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
JP6341692B2 (ja) * 2014-02-26 2018-06-13 パイオニア株式会社 発光装置
KR102511413B1 (ko) * 2015-12-15 2023-03-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2018129313A (ja) * 2018-05-15 2018-08-16 パイオニア株式会社 発光装置
JP2020038846A (ja) * 2019-12-02 2020-03-12 パイオニア株式会社 発光装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021567A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Futaba Corp 有機ｅｌ表示素子
JP2000021566A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Seiki Co Ltd エレクトロルミネセンス
JP2000347636A (ja) * 1999-03-31 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2002203673A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Katsufumi Takahashi Ｅｌ電極の導線接続方法
WO2003005773A1 (en) * 2001-05-25 2003-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof
JP2003100450A (ja) * 2001-06-20 2003-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2005183209A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Asahi Glass Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0752668B2 (ja) * 1988-11-16 1995-06-05 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPH11144877A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子
EP1022931A4 (en) 1998-06-30 2004-04-07 Nippon Seiki Co Ltd ELECTROLUMINESCENT SCREEN
JP2000021564A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Seiki Co Ltd エレクトロルミネセンス
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
JP2000357585A (ja) 1999-06-14 2000-12-26 Futaba Corp 有機ｅｌ素子
JP2001102169A (ja) * 1999-10-01 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
US6624572B1 (en) * 2000-02-17 2003-09-23 Lg Electronics, Inc. Organic electroluminescence display panel and method for sealing the same
JP2001351778A (ja) * 2000-06-08 2001-12-21 Tohoku Pioneer Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法
JP2002008871A (ja) 2000-06-27 2002-01-11 Tohoku Pioneer Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2002033188A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Stanley Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR100672622B1 (ko) * 2000-07-26 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 패드 및 그 제조방법
KR100768182B1 (ko) * 2001-10-26 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자와 그 제조방법
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP2003217835A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Nippon Seiki Co Ltd 電界発光素子
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP2003272834A (ja) 2002-03-20 2003-09-26 Denso Corp 表示装置
JP4271915B2 (ja) * 2002-04-11 2009-06-03 オプトレックス株式会社 有機エレクトロルミネセンス表示素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置
FR2841724A1 (fr) * 2002-06-28 2004-01-02 Thomson Licensing Sa Systeme et procede de synchronisation pour programmes audiovisuels, dispositifs et procedes associes
JP2004119304A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US6936407B2 (en) * 2003-02-28 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
US7026660B2 (en) * 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
KR100692850B1 (ko) * 2003-07-31 2007-03-13 엘지전자 주식회사 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021566A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Seiki Co Ltd エレクトロルミネセンス
JP2000021567A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Futaba Corp 有機ｅｌ表示素子
JP2000347636A (ja) * 1999-03-31 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2002203673A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Katsufumi Takahashi Ｅｌ電極の導線接続方法
WO2003005773A1 (en) * 2001-05-25 2003-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof
JP2003100450A (ja) * 2001-06-20 2003-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2005183209A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Asahi Glass Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101570530B1 (ko) 2008-10-09 2015-11-19 엘지디스플레이 주식회사 연성회로기판과 이를 이용한 유기전계발광표시장치
KR20160108720A (ko) * 2015-03-05 2016-09-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102479019B1 (ko) * 2015-03-05 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US11588122B2 (en) 2015-03-05 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1566838A2 (en) 2005-08-24
US7358664B2 (en) 2008-04-15
US7919919B2 (en) 2011-04-05
US20050184656A1 (en) 2005-08-25
CN100539245C (zh) 2009-09-09
US20070262711A1 (en) 2007-11-15
JP2011066017A (ja) 2011-03-31
EP1566838A3 (en) 2010-09-01
CN1658715A (zh) 2005-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005235766A (ja) 有機電界発光表示素子及びその製造方法
US7615924B2 (en) Organic electroluminescence device panel
JP2005340198A (ja) 有機電界発光表示素子およびその製造方法
JP2004111369A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
EP3021363A1 (en) Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
WO2006064715A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP5181226B2 (ja) 有機電界発光表示素子
KR20130093187A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2005100685A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100717327B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20020043324A (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100631121B1 (ko) 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
JP2010092665A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR20160038174A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100638139B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
JP2006172940A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR20070038312A (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100623450B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100692873B1 (ko) 마스크 장치 및 이를 이용한 유기전계발광표시소자의제조방법
KR100740134B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100726954B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100749490B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100641733B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100726943B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2007227293A (ja) 有機ｅｌ表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100519

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101006

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110309