JP2005228656A - 高耐熱性アルミニウム合金配線材料及びターゲット材 - Google Patents

Abstract

【課題】 ５００℃以上の高温熱処理を行う低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴに好適な、高耐熱、低抵抗特性に優れたアルミニウム合金配線材料及びターゲット材の提供を目的する。
【解決手段】 ニッケル、コバルト、炭素を含有したアルミニウム合金配線材料及びターゲットにおいて、ニッケル含有量の原子百分率Ｘａｔ％、コバルト含有量の原子百分率Ｙａｔ％、炭素含有量の原子百分率Ｚａｔ％として、０．５ａｔ％≦Ｘ≦３．０ａｔ％、４．０ａｔ％≦Ｘ＋Ｙ≦７．０ａｔ％、０．１ａｔ％≦Ｚ≦０．５ａｔ％の関係を満足し、残部がアルミニウムからなることを特徴とする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、液晶ディスプレイの薄膜配線、電極、半導体集積回路の配線等を構成するアルミニウム合金配線材料に関し、特に、５００℃以上の高温熱処理を行う低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形薄膜トランジスター（Polycrystalline−Silicon Thin Film Transistors）に好適な、高耐熱、低抵抗特性に優れたアルミニウム合金配線材料に関するものである。

近年、液晶ディスプレイは、ノートパソコンや携帯電話のような電子機器を代表的な使用例として、いわゆるブラウン管（ＣＲＴ）の代替表示装置として多く使用されてきており、その液晶ディスプレイの大画面化、高精細化の進展はめざましい。そして、この液晶ディスプレイの分野では薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと略称する）タイプの液晶ディスプレイの需要が急激に増加しており、その液晶ディスプレイに対する要求特性も一段と厳しくなっている。特に、液晶ディスプレイの大画面化、高精細化に伴い、比抵抗の低い配線材料が要求されている。この比抵抗の特性要求は、配線の長線化及び細線化を行った際に生じる信号遅延の発生を防止するためである。

この液晶ディスプレイの駆動構造の一つしてとしてアクティブマトリックス駆動素子があり、そのアクティブ素子としては、いわゆるａ−Ｓｉ形ＴＦＴ（Amorphous Silicon Thin Film Transistors）とｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴと呼ばれるものが知られている。ａ−Ｓｉ形ＴＦＴは、いわゆるＴＡＢ方式(Tape Automatied Bonding)を採用する比較的大画面の液晶ディスプレイに用いられており、非晶質Ｓｉに基づく電子移動度、処理速度の点に限界は有るものの、安価に製造できるというメリットがある。また、ｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴは、いわゆるＣＯＦ（Chip on Film）方式を採用するような比較的な小型画面の液晶ディスプレイに用いられており、多結晶Ｓｉによるためａ−Ｓｉ形と比較して１００倍近くの電子移動度を持たせることができ、高精細・高開口率化、高品質・高画質に好適で、携帯電話やＰＤＡ（Personal Digital(Data) Assistants）などの小型画面に用いられている。

ところで、最近の液晶ディスプレイの表示面積は、その大きさを拡大する傾向は著しく、携帯電話やＰＤＡなどの個人用情報端末となる電子機器においてもその傾向は顕著に見られる。そのため、ｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴにおいても大画面化に対応できる技術が要望されている。

従来より、このｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴでは、１０００℃近くの熱処理を施す石英基板を用いた高温プロセスのものと、４５０℃〜６００℃の熱処理を施すガラス基板を用いた低温プロセスのものとの２種類のタイプが知られている。そして、携帯電話やＰＤＡのような低価格を要求される電子機器には、安価なガラス基板を用いる低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴが採用されることが多く、この低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴについては、それに用いる配線材料に対し、次のような課題が要求されはじめている。

低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴでは、４５０℃〜６００℃の高温度による熱処理が施されるので、その配線材料には高耐熱特性を備えるものでなければならないため、ＭｏやＴａ、Ｃｒなどの高融点配線材料が主に用いられている。このＭｏなどの高融点配線材料は、４５０℃〜６００℃の熱処理に対しても安定した耐熱特性を実現できる（非特許文献１）。

松本 正一著「液晶ディスプレイ技術」 産業図書株式会社発行 2001年6月18日第３刷 Ｐ．１１５−１１８

しかしながら、ＭｏやＴａ、Ｃｒなどの高融点配線材料は、高耐熱特性に優れるものの、配線材料自体が有する抵抗値が比較的大きいという性質を有する。しかし、面積の小さな小型画面では、狭幅の配線で配線距離が短いため、高い抵抗値である高融点配線材料であっても、信号遅延は実用上問題となるレベルではない。ところが、表示画面が大型化すると、配線が長距離化してしまうため、比抵抗の高い配線材料を使用した場合、信号遅延を生じることが懸念され、ｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴによる大画面化への対応の支障になると考えられている。

本発明は、以上のような事情を背景になされたものであり、ｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴのような高温における熱処理に適応でき、低比抵抗特性を満足する配線材料を提供するもので、より具体的には、５００℃以上の高温熱処理を行う低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴに好適な、高耐熱、低比抵抗特性を備えるアルミニウム合金配線材料及びそれを形成するターゲット材の提供を目的する。

上記課題を解決すべく、本発明者等は、従来提案したアルミニウム合金配線材料（特許文献１参照）を鋭意研究した結果、５００℃以上の高温耐熱特性を備え、低比抵抗であるアルミニウム合金組成を見出し、本発明を想到した。

特開２００３−０８９８６４号公報

一般的に、アルミニウム合金を用いた配線材料では、３００℃の熱処理において１０μΩｃｍ以下という優れた比抵抗特性を有するものの、４００℃以上の高温熱処理への使用は非常に難しいものという認識があった。特に５００℃以上の高温熱処理の場合、アルミニウム合金配線材料では、ヒロック（熱処理により配線表面に生じるコブ状の突起）の発生が避けられないということが懸念され、５００℃以上の高温熱処理が施されるＴＦＴ用途の配線材料に、アルミニウム合金を積極的に採用しなかったという背景がある。ところが、本発明者等の提案したアルミニウム合金（特許文献１）の組成を更に研究したところ、ニッケル、コバルト、炭素を含有するアルミニウム合金について、この３種の元素の含有量を調整すると、５００℃以上における高耐熱性を備え、３００℃の熱処理における比抵抗値を１０μΩｃｍ以下に実現できたのである。

本発明は、ニッケル、コバルト、炭素を含有したアルミニウム合金配線材料において、ニッケル含有量の原子百分率Ｘａｔ％、コバルト含有量の原子百分率Ｙａｔ％、炭素含有量の原子百分率Ｚａｔ％として、０．５ａｔ％≦Ｘ≦３．０ａｔ％、４．０ａｔ％≦Ｘ＋Ｙ≦７．０ａｔ％、０．１≦Ｚ≦０．５ａｔ％の関係を満足し、残部がアルミニウムからなることを特徴とするものである。

本発明に係る高耐熱性アルミニウム合金配線材料は、まず、アルミニウムに微量の炭素を含有させることにより、アルミニウム合金中のアルミニウム結晶粒径を全体的に微細にすることで、ヒロックが生成する際の熱プロセス時に配線材料に加えられる圧縮応力を緩和するようにしている。そして、ニッケルとコバルトを含有させることで、更に耐熱特性の向上を図ったものである。

ニッケルは、２００℃付近からアルミニウム合金中にＡｌ_３Ｎｉ相を析出することによりヒロックの原因となる圧縮応力の緩和に寄与し、アルミニウム合金自体の耐熱特性の更なる向上をもたらす。このニッケルによる析出相は、さらに高温、例えば４００℃付近まで温度が上昇すると、Ａｌ_３Ｎｉ相を過度に析出し、Ａｌ_３Ｎｉ相の凝集が生じ始め、この現象によってアルミニウム合金配線材料表面にヒロックと同様の突起を生じることが確認されている。このような４００℃付近におけるＡｌ_３Ｎｉ相の過度の析出を防止するために、本発明係るアルミニウム合金配線材料ではコバルトを含有している。ニッケルと共にコバルトを含有しておくと、４００℃付近で生じ始めるＡｌ_３Ｎｉ相の過度の析出やその凝集を防止でき、さらに高温側での耐熱特性を実現できるのである。このようなニッケルとコバルトとの共働作用により、本発明に係るアルミニウム合金配線材料では、５００℃以上の高温熱処理においてもヒロックが発生しなくなるのである。

本発明に係る高耐熱性アルミニウム合金配線材料では、ニッケル含有量の原子百分率Ｘａｔ％、コバルト含有量の原子百分率Ｙａｔ％、炭素含有量の原子百分率Ｚａｔ％とした場合、ニッケルは０．５ａｔ％≦Ｘ≦３．０ａｔ％で、ニッケルとコバルトとの合計は、４．０ａｔ％≦Ｘ＋Ｙ≦７．０ａｔ％である。ニッケル含有量が０．５ａｔ％未満であると耐熱性の向上が不十分となり、３．０ａｔ％を超えるとコバルト含有量とのバランスが悪くなる傾向となり、比抵抗も大きくなる傾向となる。また、ニッケルとコバルトとの合計含有量が、４．０ａｔ％未満であると、５００℃、１時間の高温熱処理に適応できず、ヒロックを発生する傾向が強くなり、７．０ａｔ％を超えてしまうと比抵抗値が高くなり、１０μΩｃｍ以下の比抵抗特性を満足しなくなるのである。そして、炭素は、０．１ａｔ％未満であると、炭素による結晶粒微細化の効果が低くなり、ヒロックを発生し易くなる傾向となり、０．５ａｔ％を超えると、結晶粒微細化の効果よりも、ニッケル及びコバルトの含有と相まって比抵抗を大きくする影響が強くなる。

また、本発明者らの研究によると、上記組成範囲のうちニッケル、コバルト、炭素の含有量が、１．５ａｔ％≦Ｘ≦２．５ａｔ％、２．０ａｔ％≦Ｙ≦５．０ａｔ％、０．１≦Ｚ≦０．３ａｔ％という条件を更に満足する場合、５５０℃、１時間の高耐熱特性を備え、３００℃熱処理後の比抵抗が約５μΩｃｍとなる高耐熱性アルミニウム合金配線材料となることを確認している。

本発明に係るアルミニウム合金配線材料では、上述したように５００℃以上の耐熱特性を備え、また比抵抗値も低いため、従来では採用されないことのなかった低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴを構成する配線材料として非常に好適なものとなる。特に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴにより、従来よりも大画面の液晶ディスプレイを製造する場合であっても、本発明に係るアルミニウム合金配線材料であれば比抵抗が小さいので、配線の長距離化による信号遅延の懸念も解消される。

上記した本発明に係るアルミニウム合金配線材料を得るためには、ニッケル含有量の原子百分率Ｘａｔ％、コバルト含有量の原子百分率Ｙａｔ％、炭素含有量の原子百分率Ｚａｔ％として、０．５ａｔ％≦Ｘ≦３．０ａｔ％、４．０ａｔ％≦Ｘ＋Ｙ≦７．０ａｔ％、０．１≦Ｚ≦０．５ａｔ％の関係を満足し、残部がアルミニウムからなるターゲット材を用いることが好ましい。さらに、５５０℃、１時間の高耐熱特性を備え、３００℃熱処理後の比抵抗が約５μΩｃｍとなる高耐熱性アルミニウム合金配線材料とする場合、上記組成範囲のうちニッケル、コバルト、炭素の含有量が、１．５ａｔ％≦Ｘ≦２．５ａｔ％、２．０ａｔ％≦Ｙ≦５．０ａｔ％、０．１≦Ｚ≦０．３ａｔ％とすることが望ましいものである。このような組成のターゲット材を用いると、成膜条件に多少左右されることもあるが、ターゲット材とほぼ同じ組成のアルミニウム合金薄膜がスパッタリングにより容易に形成できる。

以上のように、本発明によれば、従来のアルミニウム合金配線材料では実現できなかった５００℃以上の高耐熱特性を備え、低比抵抗特性も実現した、優れたアルミニウム合金配線材料となる。特に、４００℃〜６５０℃の熱処理を行う低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形ＴＦＴにより、比較的大型の液晶ディスプレイを形成する際に、好適なアルミニウム合金配線材料である。

本発明を実施するための最良の形態について、実施例及び比較例に基づき説明する。

まず、最初に本発明に係るアルミニウム合金配線材料の製造法について説明する。本実施形態でのアルミニウム合金配線材料は、以下に説明する製造工程を経て得られたターゲット材により形成したアルミニウム合金薄膜に基づいて評価したものである。

まず、カーボンルツボ（純度９９．９％）に、純度９９．９９％のアルミニウムを投入して、１６００〜２５００℃の温度範囲内に加熱してアルミニウムを溶解した。このカーボンルツボによるアルミニウムの溶解は、アルゴンガス雰囲気（大気圧）中で行った。この溶解温度で約５分間保持し、カーボンルツボ内にアルミニウム−炭素合金を生成した後、その溶湯を炭素鋳型に投入して、放置することにより自然冷却して鋳造した。

この炭素鋳型に鋳造したアルミニウム−炭素合金の鋳塊を取り出し、ニッケルとコバルトを所定量加えて、再溶解用のカーボンルツボに投入して、８００〜９００℃に加熱することで再溶解し、約１分間撹拌を行った。この再溶解も、アルゴンガス雰囲気中で、雰囲気圧力は大気圧にして行った。撹拌後、溶湯を銅水冷鋳型に鋳込むことにより、所定形状のアルミニウム合金鋳塊を得た。そして、この鋳塊を圧延加工して、所定形状の加工を施しターゲット材を得た。最終的なターゲット材の大きさは、φ８ｉｎｃｈ（約２００ｍｍ）×厚さ６ｍｍとした。上述したような製造方法により、各組成のターゲット材を作製し、次のスパッタリング条件により、各実施例、比較例のアルミニウム合金配線材料となるアルミニウム合金薄膜を形成し、その特性を評価した。

薄膜形成するスパッタリング条件は、基板として厚さ０．８ｍｍのコーニング社製♯１７３７ガラス板を用い、投入電力３Ｗａｔｔ／ｃｍ^２、アルゴンガス流量１００ｃｃｍ、アルゴン圧力０．５Ｐａで、枚葉式マグネトロン・スパッタリング装置により、成膜時間約６０ｓｅｃで、該ガラス板上に約２０００Å程度（約０．２μｍ）の厚みの薄膜を形成した。基板温度は１００〜２００℃とした。

比抵抗特性：まず、最初に本発明に係るアルミニウム合金配線材料の比抵抗特性について調査した結果について説明する。表１には、実施例１〜４及び比較例１〜４について、膜組成、比抵抗値を測定した結果を一覧にして示している。

表１に示す各薄膜組成は、ニッケル、コバルトに関してはＩＣＰ発光分析（誘導結合プラズマ発光分光分析法）を利用し、炭素は炭素分析装置により定量した。また、比抵抗値は、４端子抵抗測定装置により測定（測定電流１００ｍＡ）した。この比抵抗値は、スパッタリング直後（以下ａｓ−ｄｏｐｅと略す、表及び図面についても同じ）のものと、各薄膜付きガラス板を真空中で３００℃、１時間熱処理を行った場合のものとを測定した。その結果は表１に示す通りであった。

図１には、表１のコバルト及びニッケルの合計含有量と３００℃熱処理後の比抵抗値とをプロットしたグラフを示している。また、図２には、コバルト含有量とａｓ−ｄｅｐｏ及び３００℃熱処理後の比抵抗値とをプロットしたグラフを示している。図１及び図２の各プロットには、例えば、実施例１の結果を「実１」とグラフ中に記載している。また、図２中の黒塗りプロットはａｓ−ｄｅｐｏの比抵抗値で、白抜きプロットは３００℃熱処理後の比抵抗値を示している。

図１を見ると判るように、ニッケル及びコバルトの合計含有量の増加に比例して、３００℃熱処理後の比抵抗値も増加していることが判明した。この図１から、３００℃熱処理後の比抵抗値を１０μΩｃｍ以下にするためには、ニッケル及びコバルトの合計含有量を７．０ａｔ％以下にする必要があることが判明した。

また、図２中ａｓ−ｄｅｐｏの比抵抗値のプロット結果では、各実施例のニッケル含有量は一定でないものの、コバルト含有量の増加に従いａｓ−ｄｅｐｏの比抵抗値が増加していることが確認された。これはコバルト自体の抵抗値が大きいことに起因していると推測される。一方、３００℃熱処理後の比抵抗値では、各実施例のコバルト含有量に関わらず、１０μΩｃｍ以下の比抵抗特性を実現していることが判った。この結果から、コバルトがニッケル及び炭素とともにアルミニウム合金中に固溶している場合では、コバルトの含有量の増加に伴って比抵抗値は上昇する傾向となるものの、熱処理によりアルミニウム−ニッケル−コバルト合金相が析出し始めると、合金マトリックスがアルミニウムのリッチな相となるため１０μΩｃｍ以下まで比抵抗が低下するものと推測される。

次に比抵抗値と熱処理温度（アニール温度）との関係について調べた結果について説明する。図３には、実施例２〜４について、２００℃〜５００℃までの各温度（５０℃刻み）にて、１時間の熱処理を行った際の比抵抗値を測定した結果を示している。この結果により、実施例２〜４のすべてが３００℃以上の熱処理を行っても１０μΩｃｍ以下の比抵抗値であることが確認された。

耐熱特性：続いて、耐熱特性の評価を行った結果について説明する。
耐熱性評価は、各温度における１時間熱処理後の膜表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ１万倍）にて観察し、ヒロックの発生状態を調べることにより行った。図４〜図１３には、ヒロック観察を行った代表的なＳＥＭ写真を示している。図４〜図８は、Ａｌ−３．０ａｔ％Ｎｉ−０．１ａｔ％Ｃ組成（表２比較例６）の場合で、図９〜図１３は、Ａｌ−２．１ａｔ％Ｎｉ−２．９ａｔ％Ｃｏ−０．２１ａｔ％Ｃ（表２実施例８）の場合を示している。

図４〜図８を見ると判るように、コバルトを含有していないアルミニウム合金薄膜では、４５０℃、５００℃の熱処理を行った場合、白い突起物が表面に発生していることが確認された。３５０℃（図５）及び４００℃（図６）の熱処理の場合、表面に白い斑点状のものが確認されたが、突起物までに成長していなかった。図５及び図６に見られる白い斑点状のものはＡｌ_３Ｎｉの析出相であり、図７及び図８に見られる白い突起物は、析出したＡｌ_３Ｎｉ相が凝集した結果、表面に形成されたものである。尚、図８の表面をみると、白い突起物と逆にディンプルのような凹部が確認されたが、これは、Ａｌ_３Ｎｉ相が凝集した際にその周辺に体積減少が発生して形成されたものと推測している。一方、実施例８では、３５０℃（図１０）、４００℃（図１１）の熱処理では何ら変化が認められなかった。また、４５０℃（図１２）、５００℃（図１３）の熱処理では、白い斑点状のＡｌ_３Ｎｉ相は確認できたものの、突起物は形成されていないことが判明した。

表２には、各組成における薄膜について、各温度の熱処理を行い、その表面のＳＥＭ観察を行い、ヒロックの発生の有無を調べた結果を示している。表２中ヒロックの発生したものを×、全くヒロックが発生していなかったものを○として記載している。さらに、ヒロックの発生は認められなかったものの、Ａｌ_３Ｎｉ相の凝集によりディンプルのような凹部が表面に認められたものを△として記載している。尚、この評価でヒロックとしたものは、アルミニウム自体の突起に加え、図７及び図８に示す凝集したＡｌ_３Ｎｉ相の突起物も含めている。

表２を見ると判るように、比較例５、６のようにコバルトを含有していないアルミニウム合金薄膜では、４５０℃以上の熱処理によってヒロック発生が認められた。また、比較例７〜１１のように、本発明係るアルミニウム合金配線材料の組成範囲を外れたものに関しては、５００℃以上の熱処理に対してヒロックの発生若しくは、Ａｌ_３Ｎｉ相の凝集によるディンプルが表面に認められた。一方、実施例５〜１４に関しては、４００〜５００℃の熱処理によってもヒロックの発生がなかった。そして、５００℃の熱処理でヒロックの発生が認められなかった各実施例について、さらに５５０℃１時間の熱処理を施し、耐熱特性評価を行ったところ、実施例７〜１０の組成では、ヒロックの発生が全く観察されなかった。尚、この耐熱特性評価において、ニッケル及びコバルトの合計含有量が７．０ａｔ％以上となる組成に関しては、図１で示した結果より１０μΩｃｍ以上の比抵抗値となることを考慮し、実用的な配線材料でないと判断し、評価に含めていない。

以上で示した表１及び表２の結果に基づき、１０μΩｃｍ以下の比抵抗値で、且つ５００℃以上の熱処理に対する高耐熱性特性を備えるニッケルとコバルトとの含有量範囲を検討したところ、図１４に示すような斜線部分の含有量範囲になることが考えられた。また、５５０℃の熱処理においても、高耐熱性を維持する含有量範囲は網掛部分の領域が該当するものと考えられた。

自然電位測定：最後に、本実施例に係るアルミニウム合金配線材料の自然電位を測定した結果について説明する。実施例８の組成の薄膜（０．２μｍ）を、ガラス基板上に形成し、そのガラス基板を切り出すことで電位測定サンプルとした。また比較の為に比較例６の組成の薄膜も同様に電位測定サンプルを形成した。そして、１ｃｍ^２に相当する面積を露出するように電位測定サンプル表面をマスキングして、測定用電極を形成した。自然電位は、３．５％塩化ナトリウム水溶液（液温２７℃）を用い、参照電極は銀／塩化銀を使用して測定した。また、オーミック接合の相手方となるＩＴＯ膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３−１０ｗｔ％ＳｎＯ_２の組成のものを使用した。

その結果、ＩＴＯ膜の自然電位は−８２０ｍＶ程度であった。そして、実施例８では約−９６０ｍＶで、ＩＴＯ膜に近い自然電位であることが確認された。一方、比較例６では、−１０８０ｍＶ程度で、実施例８に比べてＩＴＯ膜の自然電位より離れていることが確認された。

ニッケル及びコバルトの合計含有量と比抵抗値との関係を示すグラフ。 コバルトの含有量と比抵抗値との関係を示すグラフ。 実施例３，５，６による熱処理温度と比抵抗値の関係を示すグラフ。 比較例６のａｓ−ｄｅｐｏ状態のＳＥＭ観察写真。 比較例６の３５０℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 比較例６の４００℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 比較例６の４５０℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 比較例６の５００℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 実施例８のａｓ−ｄｅｐｏ状態のＳＥＭ観察写真。 実施例８の３５０℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 実施例８の４００℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 実施例８の４５０℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 実施例８の５００℃×１時間熱処理後のＳＥＭ観察写真。 ニッケル及びコバルトの有効含有量範囲を示すグラフ。

Claims (3)

1. ニッケル、コバルト、炭素を含有したアルミニウム合金配線材料において、
   ニッケル含有量の原子百分率Ｘａｔ％、コバルト含有量の原子百分率Ｙａｔ％、炭素含有量の原子百分率Ｚａｔ％として、
   ０．５ａｔ％≦Ｘ≦３．０ａｔ％
   ４．０ａｔ％≦Ｘ＋Ｙ≦７．０ａｔ％
   ０．１ａｔ％≦Ｚ≦０．５ａｔ％
   の関係を満足し、残部がアルミニウムからなることを特徴とする高耐熱性アルミニウム合金配線材料。
2. 低温プロセスのｐｏｌｙ−Ｓｉ形薄膜トランジスターに用いられる請求項１に記載の高耐熱性アルミニウム合金配線材料。
3. ニッケル、コバルト、炭素を含有したアルミニウム合金配線材料形成用のターゲット材において、
   ニッケル含有量の原子百分率Ｘａｔ％、コバルト含有量の原子百分率Ｙａｔ％、炭素含有量の原子百分率Ｚａｔ％として、
   ０．５ａｔ％≦Ｘ≦３．０ａｔ％
   ４．０ａｔ％≦Ｘ＋Ｙ≦７．０ａｔ％
   ０．１ａｔ％≦Ｚ≦０．５ａｔ％
   の関係を満足し、残部がアルミニウムからなることを特徴とする高耐熱性アルミニウム合金配線材料形成用のターゲット材。