TWI312011B - High-heat-resistant aluminum alloy wiring material and target material - Google Patents

Description

Γ312011 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用以構成液晶顯示器的薄膜配線、電 極、半導體積體電路之配線等的鋁合金配線材肖。尤其是 適用於需進行攝氏5〇〇度以 曰 工及间，皿熱處理的低溫製程多 日日夕形薄膜電晶體㈣yerystalllne_ SllieQn Thm Fiim

Tra咖。吟1具有較佳之高耐熱、低阻抗特 配線材料。 j 口工 【先前技術】 近年來，液晶顯示器代表性之使用例為筆記型個 腦或行動電話等的電子機器，大多是用以作為代替所謂的 陰極射線管（CRT)的代替顯示裝置 、 ,* ^ ^ 直立此液晶顯示器的 大旦面化、南精細化的進展係為相當驚人的。還有在此 液晶顯示器的領域中’不僅薄膜電晶體min’ Flll Transmor ’以下簡稱TFT)型的液晶顯示器的需 加’而且對於此液晶顯示器所要求的特性也越來越嚴厲。曰 特別是隨著液晶顯示器的大晝面化'高精細化， 阻抗較低的配線材料。此比阻抗之特性要求係為了： 進行配線的長線化及細線化之際所產 生。 就延遲的發 作為此液晶顯示器的驅動構造之—β 疋王動式矩卩車 動凡件，此主動元件熟知者是稱為所謂 " 巧J井日日矽形薄膜雷 晶體（Amorphous Silicon Thin Film 多曰、 薄膜電晶體。非晶矽形薄膜電晶體係應 开乂 休用所謂之捲 2169-6854-PF 5 1312011 气自 工 動接合（tape automated bonding)方式的比較大型晝 面的液晶顯示器’雖然以非晶矽為基礎的電子移動度、處 理速声古品士 又 面有界限，但是其碎可以便宜地製造。而且，多 晶升多壤胺啼 符联电晶體係應用於採用所謂的晶粒軟膜接合（cMp )方式的比較小型晝面的液晶顯示器，由於多晶石夕形

tf" ^{= Q 曰曰石夕形多將近1 00倍的電子移動速度，而可適用 需車六 γ去 丄 ㊉而乂 之高精細•高開口率化、高品質·高晝質的行動 έ 或個人數位助理（pers〇nal (da ⑷ assistants)等 的小型晝面。 、可疋，取近的液晶顯示器顯示面積，尺寸有明顯地擴 、 ' 在構成行動電話或個人數位助理等個人用資料 少、端的電子機器中’前述傾向更可明顯地發現。為此，對 夕晶：形薄膜電晶體也期望有可以對應大晝面化的技術。 “對此夕晶矽形薄膜電晶體所公知的兩種型式分別 為’使用施加攝氏10⑽痒士丄 f nm r ^ ^ 又右之熱處理的石英基板的高溫

表柱所传之多晶石夕形蓮贈 戶至摄& α 形厚馭電日日體，以及使用施加攝氏450 又至攝氏600度之熱 晶侧膜電晶體。還有1;板的低溫製程所得之多 要求低價格的電子機* ^ 7或個人數位助理中， 低溫製程所得M 夕採用使用便宜的破璃基板的 得的多晶矽形薄膜電晶 低，皿衣耘所 亦被之後的課題所要求。δ Μ所使用之配線材料， 低溫製程所得的多 度至攝氏600度的高溫 日日矽形薄脱電晶體， 度下施加熱處理， 由於在攝氏450 因而此多晶矽形

2169-6854-PF 6 1312011 薄膜電晶體的配線材料必須具有高耐熱特性，而主要使用 鉬、钽或鉻等高熔點配線材料。此鉬等的高熔點配線材料 也可以對攝氏450度至攝氏600度的熱處理展現出穩定的 耐熱特性（非專利文獻1 )。 [非專利文獻1] 產業圖書股份 第1 1 5頁至第 不僅高耐熱特 松本正一所著之「液晶顯示器技術 有限公司發行，2001年6月18曰第3版 118頁 然而，鉬、鈕或鉻等高熔點配線材料 性較佳，而且配線材料本身也具有阻抗值比較大的性^ 但是，在面積較小的小型晝面中，雖然狹窄寬度之配線下， 配線距離較短，然使用具有高阻抗值的高溶點配線材料， 也會有信號延遲所產生之實用上問題，而不合標準。缺而， :於，示畫面大型化且配線長距離化，故在使用比阻抗高 的配線材料之際，會栌连 ° s擔心產生歧遲，甚至0多晶石夕形 4電晶體而成為朝向大晝面化的對應障礙。 【發明内容】 [發明所欲解決的課題] 本發明基於上述事情為背 高溫熱處理的多曰石種適合於需進行 性的配線材料θ 電晶體’且可滿足低比阻抗特 線#枓，具體^，本發明之目的係提# " 合於需進行攝氏5〇η危、- 刃保扛供種較適 Ψ %B 又以上尚溫熱處理的低溫製程多晶矽 形溥膜電晶體，且I 夕日日矽 線材料及藉此所=@、、、、低比阻抗特性的鋁合金配 精此所形成之標靶材料。 2169-6854-pp 7 1312011 [用以解決課題的手段] 為了完全解決上述問題，本發明者等對原先 銘合金配線材料（請參照專利文㉟υ進行〜研^ 果，而想到本發明，進而得到具有攝氏5 、 久μ上之支、，田 耐熱性且低比阻抗的鋁合金組成。 …皿 [專利文獻1 j 曰本專利特開2003-089864號公報 一般而言，使用鋁合金作為配線材料，於攝氏3〇〇产 的熱處理中，具有10微歐姆公分以下的較佳比阻抗特性： 且對於攝氏400度以上之高溫熱處理的使用眾所皆知是相 當困難的。特別是在攝氏5〇。度以上之高溫熱處理的：形 下’銘合金配線材料會;^無法避免小纟（因熱處理而於配 線表面產^結塊狀突起）發生的疑慮，故在施加攝氏5〇〇 度以上之高溫熱處理的薄膜電晶體用途之配線材料中，不 會積極採用鋁合金。然而，更進一步研究本發明者所提出 :鋁合金（專利文g η的組成，對含有鎳、鈷、碳的鋁 η金而σ，，、要調整此二種凡素的含量，即可具有攝氏$⑽ 度以上的高耐熱性，並可獲得攝氏3〇〇度熱處理時之丨〇微 區人姆公分以下之比阻抗值。 本發明之特徵為在含有鎳、銘、碳的紹合金配線材料 中’以鎳含量的原子百分率（娜）為χ原子百分率、鉢含量 的原子百分率為Υ原子百分率、碳的原子百分率為Ζ原子 百分率時’滿足0.5原子百分率…3.0原子百分率、4〇 原子百分率SX + Yp.〇原子百分率、〇1原子百分率^ 2169-6854-PF 8 1312011 S0.5原子百分率的關係，且其餘為銘所構成的銘合金配線 材料。 本發明之高耐熱性呂合金配現材料係先使鋁含有微量 的碳，並將銘合金中之铭結晶粒徑全部微細化，再於生= J之際的熱製程下，添加配現材料以緩和壓縮應力。還 有，設含有錄及#日夺，更有助於耐熱特性之提昇。 鎳係從攝氏200度左右，藉由析出銘合金中之錄化三 鋁(Α13Νι)相，以給予構成小丘原因之壓縮應力的緩和，進 而更進-步提高鋁合金本身的耐熱特性。此鎳的析出相在 更高溫下，例如溫度上昇到攝氏_度左纟，鎳化三銘相 曰過度析出’而開始產生鎳化三鋁相的凝集，依據此現象， 確〜3產生與銘合金配線材料上之小丘同樣的突起。為 防止此種攝氏400度左右所發生之鎳化三紹相的過度析 出’本發明在紹合金配線材料中含有鈷。在含有鎳的同時 也含有銘者，即可防止攝氏彻度左右開始產生W化三 銘相的過度析出及鎳化三|g相的凝集.，而進—步實現在古 溫側的耐熱特性。#由此種鎳與鉛的共同作用，本發明: 在呂合金配線材料不合^；滿& ς Λ Λ +

寸小a在攝氏500度以上之高溫熱處理發生 小丘。 X 本發明之高耐埶性钮入 Γ7』…庇姑α金配線材料中，以鎳含 子百分率為X原子百分率、姑入旦 ’、 手銘3里的原子百分率為γ原子 百分率、竣的原子百分率為ζ原子百分率時，錄是、 原子百分率U㈣原子百分率、銻與钻的總和含· 原子百WY心原子百分率。設鎳含量不足〇5原 2169-6854-ΡΡ 9 i3l201i 百分率時’耐熱性的蔣4 丁。 子百分率± 明顯’而鎳含量超過3.0原 刀羊知，則鎳與鈷含量間 有比阻抗變大的傾… 衡會有不良的傾向，也 子百分率# ^ Λ 果〃、鈷的總和含量不足4.0原 刀丰％，於適應於攝氏 後，發生小i 又、1小時的高溫熱處理 生j丘的傾向會轡借％而丨 i§ 7 〇 ® v '、、、，而鎳與鈷的總和含量超 .〇原子百分比時，比阻抗值會 歐姆公分-T Μ 而無法滿足1 0微 子百分:：下:性。而且，設碳含量不… 有易發生小丘的二 晶教微細化的效果變低，且 雖有結晶n Μ含量超過G·5原子百分比時， 而致比阻抗變A。 …強烈衫響含有鎳及始的相 還有’由本發明者的 .、 叙、# AA A ’上述 '，且成範圍中，镇、 銘碳的含量進_步滿足15原圍中錄 分率、2.0原子π 2_5原子百 原子百=5·0原子百分率、0·1原子百分 —^原子百分率等條件時，確認 鋁合金配線材料 獲付同耐熱性 度、1小時的高耐熱特性，且攝“”:；有攝氏550 抗約為5微歐姆公分左右。 “、處理後的比阻 由於本發…合金配線材料具有攝氏 度以上的耐熱特性，且比阻抗值也比 攝氏 常適用於構成習4㈤土 Λ 氏因此，非 所未採用之低溫製程多晶矽形薄肢+ 體的配線材料。特別是，不論是利用多晶石夕 ^氣晶 或是利用習知的方4 ^ β ^膜電晶體 式，I匕大晝面的液晶顯示器，比 用本發明之|呂八泰献治丄丄 ° 自可使 。配線材料’ α解決低比阻抗時，因配線

2169-6854-PF 10 1312011 的長距離化而發生信號延遲的疑慮。 為了得到上述本發明之鋁合金配線材料，較 具下述組成所構成之標靶材料，此標靶 ：：用 子百分率為X原子百分率、録含量的原子百分率3里的原 百分率、π AA K 刀手為Υ原子 子百八座 分率為Ζ原子百分率時，滿足0.5原 刀：原子百分率、4 〇原子百分率$ 7,0原子百分率、〇 1 $子$八# < 7 ^ ' 丁 u.·1屌卞白为率$ Zg 0.5原子百八办 係，且其餘為紹。更甚之’設具有攝氏550产；；的關 高耐熱特性，且攝氏度熱處理後的比阻時的 …左右的高耐熱性銘合金為配線材料之=微歐 4録&的含！較佳是L5原、子百分率^ ’、 分率、2.0原子百分率SYS5.0原子百八 — 子百分率山〇·3原子百分率。使用此：：'°，1原 無論是成膜條件在多少左右，均可_易萨、靶材料， 與標革巴材料同一組成的I呂合金薄I …^方式形成 [發明效果] 在上述中’本發明之較佳的銘合金 知紹合金配線材料無法實現的攝氏5〇〇度 \具有習 I·生且可以實現低比阻抗特性。特別二、：耐熱特 度至攝氏⑽度熱處理的低溫 曰由進行攝氏400 可t形成比較大型液晶顯示器之際，成為較適=體， 配線材料。 私週合的鋁合金 【實施方式】 接著以實施例及比較例說明用以 本發明之最佳實 2169-6854-Pf 11 1312011 施例。 首先’在石反掛鋼（純度999%、击 , nx 又y.y/〇 )中’投入純度99.99 /的紹，並加熱至攝氏16〇〇产 ^ 、 至攝氏2500度的溫度範圍 内’洛解在呂。在此碳掛抱φ紐沾、—a 〜、 堆錦中銘的洛解係在氮氣氣氛氣（大 軋壓）中進行。保持此滚鰛 ，合解/皿度約5分鐘左右，於碳坩鍋 内生成銘-碳合金後，將此、，交、.县士Λ λ山士 竹此办两投入碳鑄模具中，以放置方 式進行自然冷卻鑄造。 從此碳鑄模具中取出鋁_碳合 厌口隻~塊’於添加既定量之 鎳與鈷後，投入再溶解用的砝 阱用的奴坩鍋中，加熱至攝氏8〇〇度 至攝氏900度再溶解之，並谱拙的Ί χ ^ 撹拌、，，勺1分在里。此再溶解也於 氮氣氣氛氣中且氣氛氣懕六> 、. 讥札&力為大軋壓下進行。攪拌後，將 溶湯鎔鑄於銅水冷锖模呈中 g ”甲即付到既定形狀之鋁合金鑄 塊。還有’對此鑄塊壓延加工， P 了侍到施加有既定形狀 加工的標乾材料。最終的標革 7知祀材枓尺寸約為内徑Ψ8吋（inch) (約200公釐（mm) X厚声6八越 予度6公釐。利用上述製造方法，製 作各組成的標革巴材料，再以之後的 傻的濺鍍條件，形成由各實 施例、比較例之銘合金酡雄飪极& w , 隹配線材枓所構成的鋁合金薄膜，ϋ 評估前述鋁合金薄膜的特性。 形成薄膜的滅鍍條件，係使用基板厚為0.8公羞的康 道寧公司製標號為# 1737號玻璃板，輸人電力為3瓦特/ 平方公分，氬氣流量為刚平方公分/分鐘，氬氣I $ 帕（Pa)，使用單晶片型磁電管.：賤 … 、， 电吕濺鍍裝置，於成膜時間約 60秒下，在可述玻璃板上形成厚度約2〇〇〇埃左右（約〇 2 微采）的薄膜.基板溫度為攝氏1〇〇度至攝氏2⑼度。. 2169-6854-PF 12 1312011 比阻抗知·性：首先，對關於太 、本發明之鋁合金配線材料 之比阻抗特性調查的結果進行^日日 — 丁也明。在表1中，係一覽表 不對貫施例1至實施例4及比較例 + 、 议例1至比較例4所量測之 膜組成、比阻抗值的結果。 表1 __組成（原子百分率） 撰比阻抗(微歐姆公分、 ~~~" I —

表1所示之各薄膜組成是利用感應偶合電漿發光分析 (感應偶合電聚發光分光分析法）定量鎳、钻，利用碳分

析裝置定量碳。還右，+ Bs ρ 3 P 定有比阻抗值疋利用4端子阻抗測量裝 置測量（測量電流為丨〇〇毫安） 宅女^) 此阻抗值係將濺鍍後 (以下簡稱as_dope’表與圖面皆同）的物質與各薄膜貼附 玻璃板丄在真空中，進行攝&則度、1小時的熱處理， 再測量_處理後的產物。此結果顯示於表卜 在第1圖中’係為由表1的鈷及鎳的總和含量與攝氏 3 0 0度熱處理後之土 p p ^古仏谢 段心比阻抗值所繪製的圖形。還有，在第2 圖中’係為由钻含量盘濟辦德i摄吒+ 里/、源:銀後且攝氏3〇〇度熱處理後的比 阻板值所繪製的圖形。帛1圖及第2圖各點例如是將實施 例1的結果以『實1』記載於圖示中。還有，帛2圖中塗

2169-6854-PF 13 1312011 空白的點表示攝氏 黑的點係表示濺鍍後的比阻抗值 度熱處理後的比阻抗值。

依第1圖所見進行士 -丄 鈷的總和含量增加的比 值也會增加。從此第1 度熱處理後的比阻抗值在1 〇微歐姆公分以下，錄 和含量必須在7_0原子百分比以下。

鍍後的比阻抗值也會增加。由此推測是鈷本身的阻抗值較 大的緣故。另一方面，攝氏300度熱處理後的比阻抗值判 斷為由於各實施例之鈷含量的關係，而實現i 0微歐姆公分 以下的比阻抗特性。由此結果可知，鈷與鎳、碳同時固溶 於鋁合金中之際，隨著鈷含量的增加，比阻抗值成為上昇 的傾向’推測為經熱處理開始析出銘-錄-銘合金相，且合 金基質為富含銘的相，而可使比阻抗降低至1 〇微歐姆公分 以下。 接著’對比阻抗值與熱處理溫度（退火溫度）之關係 調查的結果進行說明。於第3圖中，係顯示測量實施例2 至實施例4於攝氏2〇〇度至攝氏5〇〇度的各溫度（以攝氏 5 0度為一刻度）下，進行1小時之熱處理之際的比阻抗值 的結果。由此結果可知，確認實施例2至實施例4全部在 進行攝氏300度以上之熱處理後，仍具有〗〇微歐姆公分以 下的比阻抗值。 2169-6854-PF 14 1312011 ^^ ··接著，斟、隹， 明。耐熱性評估係以掃：熱特性評估的結果進行說 察各溫度下】小=子顯微鏡（SEM —萬倍)觀 Ί周查。在第4圖至第 …丁小丘之發生狀 表性掃描式電子頻 "㈣不進行小丘觀察之代 _3_0原子百分比的鉾…工 圖至弟8圖係顯示在鋁 螺〇·ΐ原子百分比的碳 較例0)之情形， 火之、，且成（表2比 矛y圖至弟13圖係顯 比的鎳-2·9原子石八L 頌下鋁·2· 1原子百分 (刀的鈷·〇·21原子百分比的碳之组成 (表2貫施例8)之情形。 』灭之組成 由第4圖至第8圖 在進行攝氏450度、攝氏s ， 3有鈷的鋁合金薄膜， . 又 氏0 0度熱處理之情形下，破π备 在表面發生白的突昶舳 確⑽s 起物。在攝氏350度（第5圖） 400度（第6圖）孰虛又I第5圖）及攝氏 狀物體，内… 下’確認表面有白的班點 狀物m，尚未成長成突起物。 班點狀物體係為鎳化=鋁 〃弟6圖所見之白的 ^ ^ —鋁的析出相，第7圖及第8圖所見 之白的犬起物係析出的鎳化三鋁 表面的物體。還有，從第80之矣是集社果’而形成於 圖之表面可知，確認有與白的 犬起物相反漣漪的凹部，此 、 、 推/則為鎳化三鋁相凝集之際， 凝集部位周邊發生體積減少而 成。另一方面，於實施例 8中，認定攝氏350度（第1〇 V弟10圖）、攝氏4〇〇度（第^ 圖）之熱處理沒有任何變化。品从 7交化而於攝氏450度（第12圖）、 攝氏500度（苐13圖）的敎考+ …、處理中’僅確認有白的班點狀 錄化三則目，且明確判斷出沒有形成突起物。 在表2中’係表示各組成薄膜進行各溫度之熱處理

2169-6854-PF 15 1312011 後，進行薄膜表面掃描式恭 生之有無的結果。表2 顧微鏡觀察，以調查小丘發 沒有小丘發生的物體：丘發生的物體記載為X，全然 發生，但認Μ因鎳化甚之，無法料有小丘 凹部的物體記载為△目之’旋集而於表面上產生漣漪 物體传加上= 在此評估中’判定為小丘的 物體係加上銘本身的突起，也含有第7 凝集而成之鎳化三銘相突起物。 圖所不之

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比較例Π 比較例10 比較例9 比較例8 --1 比較例7 比較例6 比較例5 實施例14 實施例13 實施例12 實施例11 實施例10 實施例9 實施例8 實施例7 實施例6 實施例5 2.80 2.50 2.00 0.51 0.50 3.00 2.00 3.00 3.10 3.00 3.⑻ 2.00 i 2.10 2.10 2.00 )-- 〇 0.50 驅 4.20 2.00 2.90 4.00 3.20 1 1 4.00 3.00 2.10 t—» 〇 4.90 4.20 2.90 2.10 4.10 4.10 \5H> ΓΗ- 漠組成(原子百分率） 1 0.05 0.05 0.05 0.05 Ο s 0.10 0.30 0.21 ' 0.21 s 1-1 〇 bo 0.21 0.21 ·—> δ δ h—* 0.21 薤 7.00 4.50 4.90 4.51 3.70 (3.0 鎳） (2.0 m 7.00 6.10 5.10 4.00 6.90 6.30 5.00 4.10 5.10 4.60 鎳+鈷 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 濺鍍後 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏3⑻度 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏350度 〇 〇 〇 〇 > 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏400度 〇 〇 〇 〇 X X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏450度 D> 0 D> 0 X X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏500度 X X D> X 1 1 1 0 > 0 〇 〇 〇 〇 D> D> 攝氏550度 02 1312011 由表2所見判斷，比較例5及比較例6中未含有鈷的 銘合金薄膜在攝氏450度以上之熱處理中被認定小丘發 生。還有，比較例7至比較例U中，係為關於本發明鋁合 金配線材料組成範圍以外的物體，對攝氏5〇〇度以上之熱 處理，被認定為在表面上有小丘發生或有因鎳化三鋁相： 凝集而產生之漣漪。另一方面’關於實施你j 5至實施例Μ， 也沒有因攝氏400度至攝氏5〇〇度熱處理的小丘發生。接 著，對攝氏500度熱處理中被認為沒有小丘發生的各實施 例，進一步施加攝氏550度、！小時的熱處理，再進二二 熱特性評估，結果發現實施例7至實施例10的組成完全沒 有觀察到小丘的發生。還有，對於此耐熱特性評估，關： 鎳及鈷的總和含量為7.〇原子百分比以上的組成，由於考 慮到第1圖所示之結果為1〇微歐姆公分以上的比阻抗值， 判斷不適合作為實用上的配線材料，故在評估中没有含在 内。 基於以上所示之表1及表2的結果，研究具有1〇微歐 姆公分以下的比阻抗值且可適應攝氏5〇〇度以上之熱處理 的高耐熱特性的鎳與鈷之含量範圍時’發現第14圖所示之 斜線部分之含量範圍即可符合要求。再者，對於攝氏5刈 度的熱處王里’用卩乡食持高耐熱性的含量li圍’車交佳是考慮 網狀部分的區域。 t j^J'J t,:最後’對本實施例鋁合金配線材料之 自然電侧量的結果進行說明。於玻璃基板上形成實爽例 8、、且成的4膜（〇.2祕米），再切割此玻璃基板，以作為電

2169-6854-PF 18 1312011 樣。還有，也將比較例 方式形成電位測量的試Γ 例6組成的薄膜以同樣的 測量試樣表面並露出相:以作為比較。接著，遮蔽電位 署用垂 相虽於1平方公分的面積，以祀士 用電極。自然電位係使用 ' 形成測 溫為攝氏27产）、， 刀3.5虱化鈉水溶液（液 量。還有，作二I使用銀’氯化銀作為參考電極進行測 组成為三氧化:的對手方的氧化购，係使用 一 ’M〇重量百分比的二氧化錫的物質。

還右 化銦職之自然電位為似毫伏左右 還有，實施例8夕ό扯心 笔仇左右。 位自w電位為·960毫伏左右，確認自声電 毫化，另一方面，比較例6之自然電位為·〇 4 土 確吻比較例6之自然電位比實施例8之自铁電 位遷遠離氧化料膜的自然f位。 自…、电 【圖式簡單說明】 2 1圖係繪不鎳及鈷總和含量與比阻抗值的關係圖。 f 2圖係繪示鈷含量與比阻抗值的關係圖。 ^圖係繪不實施例3、5、ό之熱處理溫度與比阻抗 值的關係圖。 第4圖係為比較例6之濺鍍後狀態的掃描式電子顯微 鏡觀察照片。 第5圖係為比較例6之攝氏35〇度X 1小時熱處理後的 掃描式電子顯微鏡觀察照片。 第6圖係為比較例6之攝氏400度X 1小時熱處理後的 婦描式電子顯微鏡觀察照片。 第7圖係為比較例6之攝氏450度X 1小時熱處理後的 19 2169-6854-pp 1312〇h 知福式督 子访微鏡觀察 氏5 00度XI小時熱處 浐+第8圖係為比較例6之攝 式電子顯微鏡觀察照片。 鏡觀：：係為實施例8之濺鍍後狀態的掃插式電子顯微 小時熱處理後 小時熱處理後 小時熱處理後 小時熱處理後 第1 0圖係為實施例8之攝氏3 5 0度X 1 、掃榀式電子顯微鏡觀察照片。

第11圖係為實施例8之攝氏400度x i 的择描式電子顯微鏡觀察照片。 第12圖係為實施例8之攝氏45〇度x i 的知描式電子顯微鏡觀察照片。 第13圖係為實施例8之攝氏5〇〇度^ 的掃描式電子顯微鏡觀察照片。 第14圖係繪示鎳及鈷之有致含量範圍的關係圖 【主要元件符號說明】 、 無 2169-6854-PF 20

Claims (1)

1312011 十、申請專利範圍： ’含有鎳、鈷及碳， 1 -—種高耐熱性鋁合金配線材 其特徵在於： =含量的原子百分率為χ原子百分率、钻含量的原 ^為¥料百分率、碳的原子百分率為ζ原子百分 二V 原子百分率说3.〇原子百分率简子 百刀率客X十γ幺7〇为早百八变 -_〇原子百刀率、原子百分率山0.5 原子百刀率的關係’且其餘為鋁。 材料I:/請專利範圍第1項所述的高耐熱性銘合金配線 的多晶:形銘合金配線材料係使用於低溫製程 料：有:種=…金配線材料形成用嶋材 其特徵在於： 以錄含量的原子 子百分率為子百八/原子百分率、钻含量的原 '、 刀率、石反的原子百分率為子百八 率時，滿足0.5原子百分 〈 ^原子百刀 百分率伽旬… 原子百分率、4.〇原子 一 原子百分率、〇] 房子百八手原子百分率SZS0.5 原子百刀率的關係，且其餘為铭。 2169-6854-PF 22