JP2002190212A - 電子部品用薄膜配線 - Google Patents
電子部品用薄膜配線Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜配線に要求される耐食性、耐熱性、基板
との密着性に優れた高融点金属膜において、より低抵抗
な薄膜配線を提供する。 【解決手段】 基板上に形成した金属膜からなる薄膜配
線においてその組成が、Ｍｏを主体とする合金からなり
ＶとＮｂから選ばれるの１種または２種以上を含有する
電子部品用薄膜配線。またその構造が体心立方晶の結晶
構造を有し、該配線をＸ線回折で測定した（１１０）回
折強度と（２００）回折強度の比（１１０）／（２０
０）が４以下である電子部品用薄膜配線である。
との密着性に優れた高融点金属膜において、より低抵抗
な薄膜配線を提供する。 【解決手段】 基板上に形成した金属膜からなる薄膜配
線においてその組成が、Ｍｏを主体とする合金からなり
ＶとＮｂから選ばれるの１種または２種以上を含有する
電子部品用薄膜配線。またその構造が体心立方晶の結晶
構造を有し、該配線をＸ線回折で測定した（１１０）回
折強度と（２００）回折強度の比（１１０）／（２０
０）が４以下である電子部品用薄膜配線である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレ
イ、薄膜センサ−、磁気ヘッド等の薄膜電子部品の電気
配線、電極等に用いられる電子部品用薄膜配線に関する
ものである。
イ、薄膜センサ−、磁気ヘッド等の薄膜電子部品の電気
配線、電極等に用いられる電子部品用薄膜配線に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板上に薄膜デバイスを作成する
ＴＦＴ−ＬＣＤ、薄膜センサ−等や、セラミック基板上
に素子を形成するに用いる電気配線膜、電極等には、従
来から耐食性、耐熱性、基板との密着性に優れる高融点
金属である純Ｃｒ膜、純Ｔａ膜、純Ｔｉ膜等の純金属膜
またはそれらの合金膜が用いられている。現在、ＬＣＤ
分野においては、大型化、高精細化に伴い配線膜、電極
膜には信号の遅延を防止するために低抵抗化の要求があ
る。たとえば、１２インチ以上の大型カラーＬＣＤに用
いられる配線では比抵抗を３０μΩｃｍ以下にすること
が要求されている。
ＴＦＴ−ＬＣＤ、薄膜センサ−等や、セラミック基板上
に素子を形成するに用いる電気配線膜、電極等には、従
来から耐食性、耐熱性、基板との密着性に優れる高融点
金属である純Ｃｒ膜、純Ｔａ膜、純Ｔｉ膜等の純金属膜
またはそれらの合金膜が用いられている。現在、ＬＣＤ
分野においては、大型化、高精細化に伴い配線膜、電極
膜には信号の遅延を防止するために低抵抗化の要求があ
る。たとえば、１２インチ以上の大型カラーＬＣＤに用
いられる配線では比抵抗を３０μΩｃｍ以下にすること
が要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、純Ｔａ膜やＴ
ａ合金膜は耐食性に優れるが、薄膜にした場合β−Ｔａ
となり、比抵抗は１８０μΩｃｍと非常に高い膜となる
という問題がある。また、純Ｔｉ膜やＴｉ合金膜では六
方最密構造（ｈｃｐ）を有しており、５０μΩｃｍと高
い抵抗値しか得られない。さらに、純Ｃｒ膜やＣｒ合金
膜は３０μΩｃｍ以下の比抵抗を得られるが、配線膜や
電極膜とする場合にエッチングを行うとそのエッチング
液中に有害なＣｒイオンが生成することが問題となって
いる。
ａ合金膜は耐食性に優れるが、薄膜にした場合β−Ｔａ
となり、比抵抗は１８０μΩｃｍと非常に高い膜となる
という問題がある。また、純Ｔｉ膜やＴｉ合金膜では六
方最密構造（ｈｃｐ）を有しており、５０μΩｃｍと高
い抵抗値しか得られない。さらに、純Ｃｒ膜やＣｒ合金
膜は３０μΩｃｍ以下の比抵抗を得られるが、配線膜や
電極膜とする場合にエッチングを行うとそのエッチング
液中に有害なＣｒイオンが生成することが問題となって
いる。
【０００４】上記した純ＣｒおよびＣｒ合金膜、純Ｔａ
およびＴａ合金膜、純ＴｉおよびＴｉ合金膜以外では、
純Ｍｏ膜，純Ｗ膜，純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜について
の検討もされている。しかし、純Ｍｏ膜、純Ｗ膜では比
抵抗は低いが耐食性に問題があることが知られている。
また、純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜では、上述の高融点金
属膜より比抵抗は低いが耐食性や薄膜デバイスを製造す
る際の工程での加熱によりヒロックが発生したり、断線
する等の耐熱性や信頼性に問題がある。上述のように、
高融点な材質で低比抵抗と耐食性、耐熱性を有する配線
材料が望まれるため、最近では高融点金属の合金による
配線材質も提案されてきている。たとえば、特開平７−
３０１８２２号に提案されるＭｏ−Ｃｒ合金を用いるこ
とで耐熱性と耐食性を兼ね備えた導電性のある膜が得ら
れるとされている。また、ＷＯ９５／１６７９７ではＭ
ｏ−Ｗ合金で耐食性を改善する事が可能であると述べら
れている。
およびＴａ合金膜、純ＴｉおよびＴｉ合金膜以外では、
純Ｍｏ膜，純Ｗ膜，純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜について
の検討もされている。しかし、純Ｍｏ膜、純Ｗ膜では比
抵抗は低いが耐食性に問題があることが知られている。
また、純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜では、上述の高融点金
属膜より比抵抗は低いが耐食性や薄膜デバイスを製造す
る際の工程での加熱によりヒロックが発生したり、断線
する等の耐熱性や信頼性に問題がある。上述のように、
高融点な材質で低比抵抗と耐食性、耐熱性を有する配線
材料が望まれるため、最近では高融点金属の合金による
配線材質も提案されてきている。たとえば、特開平７−
３０１８２２号に提案されるＭｏ−Ｃｒ合金を用いるこ
とで耐熱性と耐食性を兼ね備えた導電性のある膜が得ら
れるとされている。また、ＷＯ９５／１６７９７ではＭ
ｏ−Ｗ合金で耐食性を改善する事が可能であると述べら
れている。
【０００５】しかし、特開平７−３０１８２２号のよう
なＭｏ−Ｃｒ合金膜では、エッチング時に有害なＣｒ化
合物が発生するという問題がある。また、ＷＯ９５／１
６７９７のようなＭｏ−Ｗ合金膜では、低抵抗な膜が得
にくく、また、エッチング時に残さやむらが発生しやす
い問題がある。本発明は、上記問題点に鑑み薄膜配線に
要求される耐食性、耐熱性、基板との密着性に優れた高
融点金属膜において、より低抵抗な電子部品用薄膜配線
を提供することを目的とする。
なＭｏ−Ｃｒ合金膜では、エッチング時に有害なＣｒ化
合物が発生するという問題がある。また、ＷＯ９５／１
６７９７のようなＭｏ−Ｗ合金膜では、低抵抗な膜が得
にくく、また、エッチング時に残さやむらが発生しやす
い問題がある。本発明は、上記問題点に鑑み薄膜配線に
要求される耐食性、耐熱性、基板との密着性に優れた高
融点金属膜において、より低抵抗な電子部品用薄膜配線
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、高融点金属
膜、特に低抵抗なＭｏに種々添加元素を加えたＭｏ合金
膜を検討し、その中でも、ＮｂやＶを含有する合金膜
は、有害なＣｒを含有せず、低抵抗で高い耐食性を有す
ることを見出した。
膜、特に低抵抗なＭｏに種々添加元素を加えたＭｏ合金
膜を検討し、その中でも、ＮｂやＶを含有する合金膜
は、有害なＣｒを含有せず、低抵抗で高い耐食性を有す
ることを見出した。
【０００７】すなわち、本発明は、基板上に金属膜を形
成した薄膜配線において、前記金属膜はＭｏを主体とし
て、さらにＶ，Ｎｂから選ばれるの１種以上を含有する
合金からなる電子部品用薄膜配線である。
成した薄膜配線において、前記金属膜はＭｏを主体とし
て、さらにＶ，Ｎｂから選ばれるの１種以上を含有する
合金からなる電子部品用薄膜配線である。
【０００８】さらに、本発明の電子部品用薄膜配線は、
体心立方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比（１１
０）／（２００）が４以下であることが好ましい。さら
に望ましくは前記回折強度の比は２以下が良い。また、
本発明の電子部品用薄膜配線は、上記のような組成、組
織とすることで、比抵抗を３０μΩｃｍ以下とすること
ができる。
体心立方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比（１１
０）／（２００）が４以下であることが好ましい。さら
に望ましくは前記回折強度の比は２以下が良い。また、
本発明の電子部品用薄膜配線は、上記のような組成、組
織とすることで、比抵抗を３０μΩｃｍ以下とすること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の電子部品用薄膜配線で最
も重要とするところは、Ｍｏを主体とし、Ｖ，Ｎｂの１
種以上を含むとしたことである。本発明でＭｏを主体と
した理由は、耐食性や低抵抗性を実用上兼ね備えた元素
であり、さらにＣｒに比較し、エッチング等によるプロ
セス上で発生する生成物が有毒でない等、今後の地球環
境等に配慮した電子部品用薄膜配線に最も適した元素で
あるためである。通常、電子部品用薄膜配線を形成させ
る元素としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗが考えられる。しか
し、Ｃｒは耐食性やエッチング等のプロセスの安定性等
で優れた元素であるが、上述したようにエッチング液中
に有毒な六価Ｃｒが生成する。また、Ｗは、低抵抗が得
にくいのと、基板への密着性が低いといった問題が提起
されている。
も重要とするところは、Ｍｏを主体とし、Ｖ，Ｎｂの１
種以上を含むとしたことである。本発明でＭｏを主体と
した理由は、耐食性や低抵抗性を実用上兼ね備えた元素
であり、さらにＣｒに比較し、エッチング等によるプロ
セス上で発生する生成物が有毒でない等、今後の地球環
境等に配慮した電子部品用薄膜配線に最も適した元素で
あるためである。通常、電子部品用薄膜配線を形成させ
る元素としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗが考えられる。しか
し、Ｃｒは耐食性やエッチング等のプロセスの安定性等
で優れた元素であるが、上述したようにエッチング液中
に有毒な六価Ｃｒが生成する。また、Ｗは、低抵抗が得
にくいのと、基板への密着性が低いといった問題が提起
されている。
【００１０】また、Ｍｏに添加する合金としてはＣｒ、
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等が考えられる。これらはＭｏに添
加しても大幅な抵抗値の増加はなく、耐食性の向上に効
果がある。しかし、Ｃｒを加えた場合、エッチング時に
有毒なＣｒ化合物が発生し、また、Ｗ、Ｔａではエッチ
ング時に残さやむらが生じやすい。このため、本発明で
Ｍｏに添加する元素はＶ、Ｎｂとした。これらの元素を
１種以上含む合金膜とすることで、低抵抗で高い耐食性
を有し、エッチング残さが生じにくいＭｏ合金膜とな
る。Ｖ、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の添加量は３
〜５０原子％が望ましい。５原子％以下では耐食性向上
の効果が低く、５０原子％を超えると抵抗値が増加して
しまうためである。上述のＶやＮｂを添加しても大きく
抵抗値が増加しない理由は定かではないが、２元系金属
に平衡相状態図から判断すると高温域で全率固溶であ
り、化合物相等が形成されないことと関与していると考
えられる。
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等が考えられる。これらはＭｏに添
加しても大幅な抵抗値の増加はなく、耐食性の向上に効
果がある。しかし、Ｃｒを加えた場合、エッチング時に
有毒なＣｒ化合物が発生し、また、Ｗ、Ｔａではエッチ
ング時に残さやむらが生じやすい。このため、本発明で
Ｍｏに添加する元素はＶ、Ｎｂとした。これらの元素を
１種以上含む合金膜とすることで、低抵抗で高い耐食性
を有し、エッチング残さが生じにくいＭｏ合金膜とな
る。Ｖ、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の添加量は３
〜５０原子％が望ましい。５原子％以下では耐食性向上
の効果が低く、５０原子％を超えると抵抗値が増加して
しまうためである。上述のＶやＮｂを添加しても大きく
抵抗値が増加しない理由は定かではないが、２元系金属
に平衡相状態図から判断すると高温域で全率固溶であ
り、化合物相等が形成されないことと関与していると考
えられる。
【００１１】また、本発明の電子部品用薄膜配線は、体
心立方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比（１１０）
／（２００）が４以下となっていることが好ましい。こ
のような結晶構造、Ｘ線回折強度比とすることにより、
低い比抵抗を安定して得ることが可能となる。通常、薄
膜形成においては結晶の最密面で成長することが知られ
ており、Ｃｒ、Ｍｏ等の立方晶の場合(１１０)に強く配
向した膜が得られる。しかし、本発明者が詳細に配向性
と抵抗値の関係を調べた結果、低抵抗な膜では（２０
０）の回折線が強くなっていることを見いだした。つま
り、（２００）の回折線を強くすれば、より低抵抗な薄
膜配線とすることができるのである。
心立方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比（１１０）
／（２００）が４以下となっていることが好ましい。こ
のような結晶構造、Ｘ線回折強度比とすることにより、
低い比抵抗を安定して得ることが可能となる。通常、薄
膜形成においては結晶の最密面で成長することが知られ
ており、Ｃｒ、Ｍｏ等の立方晶の場合(１１０)に強く配
向した膜が得られる。しかし、本発明者が詳細に配向性
と抵抗値の関係を調べた結果、低抵抗な膜では（２０
０）の回折線が強くなっていることを見いだした。つま
り、（２００）の回折線を強くすれば、より低抵抗な薄
膜配線とすることができるのである。
【００１２】さらに詳細に調べてみると、（１１０）と
（２００）のＸ線回折での強度比である（１１０）／
（２００）としては４以下で安定して低い比抵抗が得ら
れていることが明らかとなった。この理由は不詳ではあ
るが、（２００）となることで膜中の欠陥が減少するた
めか、膜表面形態の変化により電子の表面散乱が抑制さ
れていることが考えられる。本発明によれば、上述した
ように、ＭｏにＶ、Ｎｂ添加したＭｏ合金膜とし、さら
にその膜の結晶構造を制御することで、電子部品用薄膜
配線において、信号遅延を起こし、性能低下に影響を及
ぼす比抵抗を３０μΩｃｍ以下、さらに好ましくは２０
μΩｃｍ以下の薄膜金属配線を得ることが可能となる。
このような本発明の薄膜は、組成調整したターゲットを
スパッタリングして得ることができる。
（２００）のＸ線回折での強度比である（１１０）／
（２００）としては４以下で安定して低い比抵抗が得ら
れていることが明らかとなった。この理由は不詳ではあ
るが、（２００）となることで膜中の欠陥が減少するた
めか、膜表面形態の変化により電子の表面散乱が抑制さ
れていることが考えられる。本発明によれば、上述した
ように、ＭｏにＶ、Ｎｂ添加したＭｏ合金膜とし、さら
にその膜の結晶構造を制御することで、電子部品用薄膜
配線において、信号遅延を起こし、性能低下に影響を及
ぼす比抵抗を３０μΩｃｍ以下、さらに好ましくは２０
μΩｃｍ以下の薄膜金属配線を得ることが可能となる。
このような本発明の薄膜は、組成調整したターゲットを
スパッタリングして得ることができる。
【００１３】
【実施例】（実施例１）以下に検討した薄膜配線の製造
工程およびその膜の測定方法を示す。まず、１５０℃に
加熱したガラス基板上に表１に示す組成の膜をＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で２００ｎｍ形成した。形成したス
パッタリング薄膜の比抵抗を４端子法で測定し、リン酸
と塩酸を含有したエッチング液を用いてエッチングした
際の残さの有無を確認した。その結果を表１に示す。
工程およびその膜の測定方法を示す。まず、１５０℃に
加熱したガラス基板上に表１に示す組成の膜をＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で２００ｎｍ形成した。形成したス
パッタリング薄膜の比抵抗を４端子法で測定し、リン酸
と塩酸を含有したエッチング液を用いてエッチングした
際の残さの有無を確認した。その結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１に示したようにＭｏにＣｒ、Ｗ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａを添加したＭｏ合金膜は比抵抗の増加は少な
いが、Ｔｉ、Ｚｒを添加した場合は大幅に比抵抗が増大
していることがわかる。エッチング残さは、Ｗ、Ｔａ、
Ｔｉを添加したＭｏ合金膜で発生した。Ｎｂも添加量が
５０原子％を超えると残さが発生するが、Ｍｏが主体の
Ｍｏ合金では残さはほとんど発生しなかった。以上のよ
うに、ＭｏにＶ，Ｎｂ、Ｃｒを添加したＭｏ合金膜で低
抵抗と良好なエッチング性を有したＭｏ合金膜が得られ
ることがわかる。しかし、Ｃｒを添加した場合、エッチ
ング液中に有毒な六価クロム化合物が生成することが確
認され、その廃液処理方法が問題となった。
Ｎｂ、Ｔａを添加したＭｏ合金膜は比抵抗の増加は少な
いが、Ｔｉ、Ｚｒを添加した場合は大幅に比抵抗が増大
していることがわかる。エッチング残さは、Ｗ、Ｔａ、
Ｔｉを添加したＭｏ合金膜で発生した。Ｎｂも添加量が
５０原子％を超えると残さが発生するが、Ｍｏが主体の
Ｍｏ合金では残さはほとんど発生しなかった。以上のよ
うに、ＭｏにＶ，Ｎｂ、Ｃｒを添加したＭｏ合金膜で低
抵抗と良好なエッチング性を有したＭｏ合金膜が得られ
ることがわかる。しかし、Ｃｒを添加した場合、エッチ
ング液中に有毒な六価クロム化合物が生成することが確
認され、その廃液処理方法が問題となった。
【００１６】（実施例２）次にガラス基板上にＭｏに各
種の添加元素を加えたＭｏ合金膜をＤＣマグネトロンス
パッタ法で２００ｎｍ形成した。その際にスパッタ条件
であるターゲットへの投入電力、基板加熱温度を種々変
化させたスパッタリング薄膜を形成した。得られた膜の
比抵抗を４端子法で測定した。また、Ｘ線回折法によ
り、各回折線の強度を測定し、（１１０）と（２００）
との回折強度比を求めて配向比とした。それぞれの結果
を表２に示す。なお、得られた膜はすべて体心立方晶で
あった。
種の添加元素を加えたＭｏ合金膜をＤＣマグネトロンス
パッタ法で２００ｎｍ形成した。その際にスパッタ条件
であるターゲットへの投入電力、基板加熱温度を種々変
化させたスパッタリング薄膜を形成した。得られた膜の
比抵抗を４端子法で測定した。また、Ｘ線回折法によ
り、各回折線の強度を測定し、（１１０）と（２００）
との回折強度比を求めて配向比とした。それぞれの結果
を表２に示す。なお、得られた膜はすべて体心立方晶で
あった。
【００１７】
【表２】
【００１８】表２に示すように、スパッタ条件により、
金属膜の比抵抗は大きく変化しているが、抵抗値の低い
膜で（１１０）／（２００）の回折強度比が小さくなっ
ていることがわかる。特にＭｏ−Ｖ系で比抵抗が小さい
ことがわかる。このように上記回折強度比の小さな膜で
比抵抗が小さいことがわかる。また、合金元素としては
ＭｏにＴｉ、Ｚｒを添加した場合、比抵抗は大きく増大
してしまうが、Ｖ、Ｎｂでは比抵抗の増大は小さい。
金属膜の比抵抗は大きく変化しているが、抵抗値の低い
膜で（１１０）／（２００）の回折強度比が小さくなっ
ていることがわかる。特にＭｏ−Ｖ系で比抵抗が小さい
ことがわかる。このように上記回折強度比の小さな膜で
比抵抗が小さいことがわかる。また、合金元素としては
ＭｏにＴｉ、Ｚｒを添加した場合、比抵抗は大きく増大
してしまうが、Ｖ、Ｎｂでは比抵抗の増大は小さい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明はＭｏにＶ、Ｎｂ
を含有させたＭｏ−Ｖ、Ｍｏ−Ｎｂ、Ｍｏ−Ｖ−Ｎｂ合
金膜としたＭｏ合金膜とすることで、低抵抗と高耐食性
と良好なエッチング性を有する電子部品用薄膜配線を得
ることが可能となる。さらに、これらのＭｏ合金膜にお
いて、体心立方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折で測定し
た（１１０）回折強度と（２００）回折強度の比（１１
０）／（２００）を４以下とすることで、薄膜配線にお
いて求められる低い抵抗値可能な電子部品用薄膜配線を
安定に得ることができるものである。
を含有させたＭｏ−Ｖ、Ｍｏ−Ｎｂ、Ｍｏ−Ｖ−Ｎｂ合
金膜としたＭｏ合金膜とすることで、低抵抗と高耐食性
と良好なエッチング性を有する電子部品用薄膜配線を得
ることが可能となる。さらに、これらのＭｏ合金膜にお
いて、体心立方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折で測定し
た（１１０）回折強度と（２００）回折強度の比（１１
０）／（２００）を４以下とすることで、薄膜配線にお
いて求められる低い抵抗値可能な電子部品用薄膜配線を
安定に得ることができるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｒ ５Ｇ３０１ 21/3205 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｂ // Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｍ Ｆターム(参考） 2H092 KB04 MA05 MA12 MA35 MA55 NA28 4E351 AA13 BB01 BB32 CC03 DD14 DD17 EE03 GG06 GG13 4K029 AA09 BA21 BB07 BC05 BD02 CA05 DC39 4M104 AA10 BB16 CC01 DD37 DD40 DD64 HH16 HH20 5F033 LL07 PP15 QQ08 QQ19 XX00 XX10 XX18 XX21 5G301 AA30 AB08 AB13 AB20 AD10 AE10
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に金属膜を形成した薄膜配線にお
いて、前記金属膜はＭｏを主体として、さらにＶ，Ｎｂ
から選ばれる１種以上を含有する合金からなることを特
徴とする電子部品用薄膜配線。 - 【請求項２】 前記電子部品用薄膜配線は、体心立方晶
の結晶構造を有し、Ｘ線回折強度比（１１０）／（２０
０）が４以下であることを特徴とする請求項１に記載の
電子部品用薄膜配線。 - 【請求項３】 前記電子部品用薄膜配線は、比抵抗が３
０μΩｃｍ以下であることを特徴とする請求項１または
２に記載の電子部品用薄膜配線。 - 【請求項４】 スパッタリング薄膜でなることを特徴と
する請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品用薄
膜配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000390064A JP3859119B2 (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 電子部品用薄膜配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000390064A JP3859119B2 (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 電子部品用薄膜配線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190212A true JP2002190212A (ja) | 2002-07-05 |
| JP3859119B2 JP3859119B2 (ja) | 2006-12-20 |
Family
ID=18856495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000390064A Expired - Lifetime JP3859119B2 (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | 電子部品用薄膜配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3859119B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004140319A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-05-13 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜配線 |
| WO2006051608A1 (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Advanced Display Inc. | エッチング液及びエッチング方法 |
| JP2007074709A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電圧制御発振回路、電圧制御発振回路を用いたフェーズ・ロックド・ループ回路、及びそれを備えた半導体装置 |
| US7301170B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-11-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same |
| CN100421014C (zh) * | 2003-10-16 | 2008-09-24 | 三菱电机株式会社 | 反射型和半透过型液晶显示装置的制造方法 |
| CN102956158A (zh) * | 2011-08-19 | 2013-03-06 | 日立金属株式会社 | 电子部件用层叠布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材 |
| US8502611B2 (en) | 2005-08-11 | 2013-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator circuit, phase-locked loop circuit using the voltage controlled oscillator circuit, and semiconductor device provided with the same |
| KR20140104358A (ko) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 금속 박막 및 금속 박막 형성용 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 |
| KR20140119796A (ko) | 2012-02-01 | 2014-10-10 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 금속 산화물 피막용 도포액 및 금속 산화물 피막 |
| KR20170039582A (ko) | 2015-10-01 | 2017-04-11 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재 |
| JP2020104224A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆切削工具 |
-
2000
- 2000-12-22 JP JP2000390064A patent/JP3859119B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4496518B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2010-07-07 | 日立金属株式会社 | 薄膜配線 |
| JP2004140319A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-05-13 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜配線 |
| CN100421014C (zh) * | 2003-10-16 | 2008-09-24 | 三菱电机株式会社 | 反射型和半透过型液晶显示装置的制造方法 |
| US7301170B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-11-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same |
| US7550768B2 (en) | 2004-09-08 | 2009-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same |
| US7662715B2 (en) | 2004-09-08 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same |
| WO2006051608A1 (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-18 | Advanced Display Inc. | エッチング液及びエッチング方法 |
| US8502611B2 (en) | 2005-08-11 | 2013-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator circuit, phase-locked loop circuit using the voltage controlled oscillator circuit, and semiconductor device provided with the same |
| JP2007074709A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電圧制御発振回路、電圧制御発振回路を用いたフェーズ・ロックド・ループ回路、及びそれを備えた半導体装置 |
| CN102956158A (zh) * | 2011-08-19 | 2013-03-06 | 日立金属株式会社 | 电子部件用层叠布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材 |
| KR20140119796A (ko) | 2012-02-01 | 2014-10-10 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 금속 산화물 피막용 도포액 및 금속 산화물 피막 |
| KR20140104358A (ko) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 금속 박막 및 금속 박막 형성용 Mo 합금 스퍼터링 타깃재 |
| KR20170039582A (ko) | 2015-10-01 | 2017-04-11 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 전자 부품용 적층 배선막 및 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재 |
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| JP2020104224A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆切削工具 |
| JP7121909B2 (ja) | 2018-12-27 | 2022-08-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆切削工具 |
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