JP2005215003A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上の各画素にTFT2が設けられた駆動基板を有する表示装置であり、TFT2を覆う状態で基板1上に形成された第2層間絶縁膜(下層絶縁膜)5と、さらにその上部に形成された第3層間絶縁膜(上層絶縁膜)7を有し、それぞれに形成された第2接続孔(下部接続孔)5aと第3接続孔(上部接続孔)7aとが平面的に重なる位置に配置され、第3接続孔(上部接続孔)7aの底面形状における第1方向の幅は、第2接続孔(下部接続孔)5aの開口形状における第1方向の幅よりも大きい。
【選択図】図1
Description
したがって、上部接続孔の深さは、下層絶縁膜の上部に形成された中継電極部分に達する深さで良く、上部接続孔のアスペクト比が小さく抑えられる。つまり、下部接続孔内の中継電極部分が下部接続孔の内壁に沿った形状となっていても、このような中継電極部分に接続させて画素電極を設ける必要がない。このため、下部接続孔内の中継電極分部上に上層絶縁膜を残した状態としても良く、これにより上部接続孔のアスペクト比が小さく抑えられるのである。
図1(a)は本発明の表示装置における駆動基板部分の要部断面図であり、図1(b)は図1(a)におけるA部の拡大図である。尚、図5を用いて説明した従来の構成と同一の要素には同一の符号を付している。
次に、表示装置の製造方法の実施形態として、図1を用いて説明した構成の表示装置の製造方法を図4の断面工程図に基づいて詳細に説明する。
Claims (6)
- 基板上に設けられた画素電極駆動用のトランジスタを覆うと共に当該トランジスタに接続された下部接続孔を有する下層絶縁膜と、前記下部接続孔を介して前記トランジスタに接続された状態で前記下層絶縁膜上にパターン形成された中継電極と、当該中継電極を覆うと共に当該中継電極に達する上部接続孔を有する上層絶縁膜と、前記上部接続孔を介して前記中継電極に接続された状態で当該上層絶縁膜上にパターン形成された画素電極とを有する駆動基板を備えた表示装置において、
前記下部接続孔と上部接続孔とは、平面的に重なる位置に配置され、
前記上部接続孔の底面形状における第1方向の幅が、前記下部接続孔の開口形状における第1方向の幅よりも大きく設定されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記下部接続孔の内壁に沿って設けられている前記中継電極部分上には、前記上層絶縁膜の構成材料が残されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記第1方向が、前記トランジスタに接続された走査線の延設方向に設定されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1記載の表示装置において、
前記上部接続孔の平面形状は、前記第1方向の幅が当該第1方向と直交する第2方向の幅よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。 - 基板上に設けられた画素電極駆動用のトランジスタを覆う状態で下層絶縁膜を形成する工程と、
前記下層絶縁膜に当該トランジスタに接続される下部接続孔を形成する工程と、
前記下部接続孔を介して前記トランジスタに接続された状態で前記下層絶縁膜上に中継電極をパターン形成する工程と、
前記中継電極を覆う状態で上層絶縁膜を形成する工程と、
前記上層絶縁膜に前記中継電極に達する上部接続孔を形成する工程と、
前記上部接続孔を介して前記中継電極に接続された状態で当該上層絶縁膜上に画素電極をパターン形成する工程とを行う表示装置の製造方法において、
前記上部接続孔を形成する際には、底面形状における第1方向の幅を前記下部接続孔の開口形状における第1方向の幅よりも大きく設定し、かつ前記下層絶縁膜上における前記中継電極部分が露出した状態で前記上層絶縁膜のエッチングを停止させる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項5記載の表示装置の製造方法において、
前記上部接続孔を形成する際のエッチングは、前記下部接続孔の内壁に沿って設けられている前記中継電極部分上に前記上層絶縁膜の構成材料を残した状態で終了する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
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KR20150060195A (ko) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법 |
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2004
- 2004-01-27 JP JP2004017909A patent/JP2005215003A/ja active Pending
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