JP2005213576A - 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物 - Google Patents

無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物 Download PDF

Info

Publication number
JP2005213576A
JP2005213576A JP2004021127A JP2004021127A JP2005213576A JP 2005213576 A JP2005213576 A JP 2005213576A JP 2004021127 A JP2004021127 A JP 2004021127A JP 2004021127 A JP2004021127 A JP 2004021127A JP 2005213576 A JP2005213576 A JP 2005213576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electroless plating
electroless
pretreatment agent
palladium
silane coupling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004021127A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisafumi Kawamura
寿文 河村
Jun Suzuki
準 鈴木
Toru Imori
徹 伊森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Mining Holdings Inc
Original Assignee
Nikko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikko Materials Co Ltd filed Critical Nikko Materials Co Ltd
Priority to JP2004021127A priority Critical patent/JP2005213576A/ja
Publication of JP2005213576A publication Critical patent/JP2005213576A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

【課題】 有機溶媒に可溶で、安定な無電解めっき前処理剤(無電解めっき触媒)、それを使用する密着性に優れた無電解めっき方法及び無電解めっき物を提供すること。
【解決手段】 炭素原子数3〜10を有するアセチルアセトン等のβ−ジケトンとパラジウム等の貴金属とのキレート(パラジウムアセチルアセトナート等)を含む、さらに好ましくはこれにイミダゾール系シランカップリング剤などの金属捕捉能を有するシランカップリング剤を含む無電解めっき前処理剤を使用し、次いで無電解めっきする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、有機溶剤に可溶で安定な無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法及び無電解めっき物に関する。
従来、無電解めっきの触媒としては、スズ、パラジウムのコロイド溶液や塩化パラジウム等のパラジウム化合物の水溶液が用いられている。これらの触媒は、無機のパラジウムを用いているために、水よりも濡れ性が良好な塗布塗工性に優れ、かつ、樹脂などの他の有機化合物を溶解することが可能な有機溶媒に溶解させようとすると溶解性が低く、パラジウムが沈降し均一な溶液が得られないという問題点があった。また、低級脂肪酸を有する酢酸パラジウムはメタノールには濃度によっては可溶であるが、すぐにパラジウムが沈殿するという問題があった。
本発明は、有機溶媒に可溶で、しかも安定な無電解めっき前処理剤、それを使用する密着性に優れた無電解めっき方法及び無電解めっき物を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、鋭意検討した結果、パラジウム等貴金属触媒をβ−ジケトンによりキレート化することにより、無電解めっき液から金属を析出させる際の触媒効果を保持しつつ、有機溶媒に可溶でかつその溶媒中で安定であることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、
(1) 炭素原子数5以上を有するβ−ジケトンと貴金属とのキレートを含む無電解めっき前処理剤、
(2) さらに分子内に金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤を含む前記(1)記載の無電解めっき前処理剤、
(3) シランカップリング剤がアゾール系化合物またはアミン化合物とエポキシシラン系化合物との反応により得られたシランカップリング剤である前記(2)記載の無電解めっき前処理剤、
(4) 金属捕捉能を持つ官能基がイミダゾール基である前記(2)または(3)記載の無電解めっき前処理剤、
(5) キレートがパラジウムアセチルアセトナートである前記(1)〜(4)のいずれか(1)項記載の無電解めっき前処理剤、
組成物。
(6) 前記(1)〜(5)のいずれか1項記載の無電解めっき前処理剤を含むインク組成物、
(7) 前記(1)〜(6)のいずれか1項記載の無電解めっき前処理剤またはインク組成物により被めっき物を前処理し、次いで無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき方法。
(8) インク組成物による前処理がインクジェットによる描画である前記(7)記載の無電解めっき方法。
(9) 前記(7)または(8)記載の無電解めっき方法により得られためっき物に関する。
本発明によれば、無電解めっき前処理剤が有機溶媒に可溶性であり、かつその溶液中での安定性にも優れている。そして、その溶液は被めっき物に対する塗布塗工性に優れており、また、インクとしてインクジェットにより描画することも可能となる。そのため、従来めっきが困難であったものに対しても無電解めっきが可能となる。しかも均一に優れた密着性でめっき膜を形成することができる。
本発明に使用する前記キレート化合物は、β−ジケトンと貴金属とのキレートである。
前記β−ジケトンは、β位にカルボニルが2個必要であるため、炭素原子数として少なくとも3個必要であり、また炭素原子数が10を超えるとβ−ジケトンの配位能力が弱くなり不安定である。このため炭素原子数は3から10が好ましい。より好ましくは5〜7である。特に好ましい具体例としては、例えば、アセチルアセトン、2,4−ジオキサンジオン、2,4−ヘキサンジオン、3,5−ヘプタンジオンを挙げることができる。また、前記の貴金属としては無電解めっき液から被めっき物表面に銅やニッケルなどを析出させる際の触媒効果を示すパラジウム、銀、白金、金等を挙げることができるが、特にパラジウムが好ましい。
通常、β−ジケトンは、貴金属に対して二座配位子となり、例えばアセチルアセトンは、パラジウムに対して下記のように配位して、パラジウムアセチルアセトネートを形成する。
これらのキレート化合物自体は、公知の化合物であり、市販品あるいは合成品を利用することができる。
Figure 2005213576
本発明に使用する前記貴金属キレート化合物は、有機溶剤に可溶性であり、また溶液として安定である。このような有機溶剤としては、例えば、ブタノール、2−エチルへキサノール、オクチルアルコール等のアルコール、キシレン等の芳香族炭化水素、エチレングリコール、ジオキサン等を挙げることができる。
貴金属キレート化合物は、前処理剤の溶液中において、1〜10000mg/l、好ましくは30〜3000mg/lの濃度で使用することができる。
本発明の無電解めっき前処理液には、前記キレート化合物に加えて、好ましくは、分子内に金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤を添加する。このシランカップリング剤を添加することにより、被めっき面に対してこのシランカップリング剤を介してキレート化した貴金属触媒をより均一に、より確実に固着することができる。
前記シランカップリング剤による処理は、キレート化合物を含む前処理剤溶液にシランカップリング剤を添加してこの前処理剤により被めっき物を処理することによって行うこともできるが、また、キレート化合物による処理に先立ち、別途シランカップリング剤を含む溶液により処理することにより行うこともできる。
前記シランカップリング剤として、好ましいものはアゾール系化合物またはアミン化合物とエポキシ系化合物との反応により得られるものである。
アゾール化合物としては、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、セレナゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、オキサトリアゾール、チアトリアゾール、ベンダゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。これらに制限されるものではないが、イミダゾールが特に好ましい。
また、アミン化合物としては、例えばプロピルアミン等の飽和炭化水素アミン、ビニルアミン等の不飽和炭化水素アミン、フェニルアミン等の芳香族アミン等を挙げることができる。
また前記シランカップリング剤とは、前記アゾール系化合物またはアミン化合物由来の貴金属捕捉基の他に、−SiX基を有する化合物であり、X、X、Xはアルキル基、ハロゲンやアルコキシ基などを意味し、被めっき物への固定が可能な官能基であれば良い。X、X、Xは同一でもまた異なっていても良い。
前記シランカップリング剤は、前記アゾール系化合物またはアミン化合物とエポキシシラン化合物と反応させることにより得ることができる。
このようなエポキシシラン化合物としては、
Figure 2005213576
(式中、R1、R2は水素または炭素数が1〜3のアルキル基、nは0〜3)で示されるエポキシカップリング剤が好ましい。
前記アゾール系化合物と前記エポキシ基含有シラン化合物との反応は、例えば特開平6−256358号公報に記載されている条件で行うことができる。
例えば、80〜200℃でアゾール系化合物1モルに対して0.1〜10モルのエポキシ基含有シラン化合物を滴下して5分〜2時間反応させることにより得ることができる。その際、溶媒は特に不要であるが、クロロホルム、ジオキサン、メタノール、エタノール等の有機溶媒を用いてもよい。
特に好ましい例としてイミダゾールとエポキシシラン系化合物の反応を下記に示す。
Figure 2005213576
(式中、R1,R2は水素または炭素数が1〜3のアルキル基、R3は水素、または炭素数1〜20のアルキル基、R4はビニル基、または炭素数1〜5のアルキル基、nは0〜3を示す)
本発明に使用する金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤のその他の例として、γ−アミノプロピルメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン,N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
本発明においては、前処理剤がキレート化合物を含むことが重要であるが、塩化スズなどの従来から使用されている触媒も本発明の目的の範囲内において含有させることができる。
また、本発明の無電解めっき前処理剤には、これをインク組成物としてインクジェット方式により被めっき物に塗布することもできる。この場合にインクとしての要求を満足させるために必要な粘度調整剤、表面張力剤等の添加剤を添加することが好ましい。
本発明の金属めっき方法によれば、被めっき物はその性状に制限されない。例えばガラス、セラミックなどの無機材料、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、フッ素樹脂などのプラスチック材料、そのフィルム、シート、繊維、必要によりガラス布基材などで補強されたエポキシ樹脂などの絶縁板などの絶縁物やSiウェハーなどの半導体などの導電性の低い被めっき物に適用されるが、被めっき物は透明ガラス板、Siウェハー、その他半導体基板のような鏡面物であっても、また粉体であっても本発明の方法を好ましく適用することができる。このような粉体としては、例えばガラスビーズ、二硫化モリブデン粉末、酸化マグネシウム粉末、黒鉛粉末、SiC粉末、酸化ジルコニウム粉末、アルミナ粉末、酸化ケイ素粉末、マイカフレーク、ガラス繊維、窒化ケイ素、テフロン(登録商標)粉末などがあげられる。
布状や板状の下地に対しては、浸漬処理や刷毛塗り等で表面コートした後に溶媒を揮発させる方法が一般的であるが、これに限定されるものではなく表面に均一にシランカップリング剤を付着させる方法であればよい。また、粉体に対しては、浸漬処理後溶媒を揮発させて強制的に溶液中に含まれるシランカップリング剤を下地表面に付着させる方法の他にこのシランカップリング剤の均一な成膜性により浸漬処理状態で下地表面に吸着が可能であることから、処理後溶媒を瀘過分離して湿った粉体を乾燥させる方法も可能である。付着状態によっては水洗のみで、乾燥工程を省略できる場合もある。
処理する溶液中の金属捕捉能を有するシランカップリング剤の濃度はこれに限ったものではないが、0.001〜10重量%が好ましい。0.001重量%未満の場合、基材の表面に付着する化合物量が低くなりやすく、効果が得にくい。また、10重量%を超えると付着量が多すぎて乾燥しにくかったり、粉末の凝集を起こしやすくなる。
表面処理後に使用した溶剤を揮発させるにはこの溶媒の揮発温度以上に加熱し
て表面を乾燥すれば十分であるが、さらに60−120℃で3−60分間加熱す
ることが好ましい。
本発明の無電解めっき方法は、これまで述べてきた前処理を施した被めっき物に対して常法の無電解めっき法を適用することができる。こうして、本発明により、均一で密着性に優れた例えば銅、ニッケル、スズ、銀等の無電解めっき皮膜を有する無電解めっき物を得ることができる。
実施例
以下に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例1
塩化スズ500ml/Lと(3,5−オクタンジオナト)パラジウム800mg/L(パラジウム換算220mg/L)でブタノール系めっき前処理剤を調製した。この溶液にガラス基板を60℃で10分間浸漬し流水で水洗後、大気雰囲気中100℃で15分間加熱処理をした。室温まで冷却した後、無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を70℃に加熱して5分間めっきを行った。さらに無電解銅めっき液KC500(日鉱メタルプレーティング(株)製)を1μm厚つけた。銅皮膜の密着性をテストした結果、ピール強度は0.9kgf/cmと高い密着度であった。
実施例2
イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの等モル反応生成物であるシランカップリング剤を300mg/L、パラジウムアセチルアセトナート300mg/L(パラジウム換算105mg/L)含んだ2−エチルヘキサノール系めっき前処理剤を調製した。この液にガラスエポキシ基板を60℃で10分間浸漬し流水で水洗後、大気雰囲気中100℃で15分間加熱処理をした。室温まで冷却した後、無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を70℃に加熱して5分間めっきを行った。さらに無電解銅めっき液KC500(日鉱メタルプレーティング(株)製)を1μm厚つけた。銅皮膜の密着性をテストした結果、ピール強度は1.3kgf/cmと高い密着度であった。
実施例3
γ−アミノプロピルトリメトキシシランを600mg/Lと(2,4−ヘキサジオナト)パラジウムを400mg/L(パラジウム換算128mg/L)になるように添加して、オクチルアルコール系めっき前処理剤を調製した。
この液にガラス板を60℃で30分間浸漬し流水で水洗後、窒素雰囲気中150℃で20分間加熱処理をした。無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を70℃に加熱して10分間めっきし、1μmの膜厚とした。そのピール強度は1.2kgf/cmと高い密着度であった。
実施例4
イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの等モル反応生成物であるシランカップリング剤を500mg/L含んだ水溶液に室温でイミドフィルムを浸漬した。流水水洗後、(3,5−ヘプタンジオナト)パラジウム200mg/L(パラジウム換算60mg/L)含んだキシレン溶液に浸漬した。流水水洗後、大気雰囲気中100℃で15分間加熱処理をした。室温まで冷却した後、無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を70℃に加熱して5分間めっきを行った。さらに無電解めっき液KC500(日鉱メタルプレーティング(株)製)を1μm厚つけた。銅皮膜の密着性をテストした結果、ピール強度は、1.3kgf/cmと高い密着度であった。
実施例5
イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの等モル反応生成物であるシランカップリング剤を300mg/L、(3,5−オクタンジオナト)パラジウムを300mg/L(パラジウム換算89mg/L)含んだブタノール系めっき前処理剤を調製した。この液にガラス基板を60℃で10分間浸漬し流水で水洗後、大気雰囲気中100℃で15分間加熱処理した。室温まで冷却した後、無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を70℃に加熱して5分間めっきを行った。さらに無電解銅めっき液KC500(日鉱メタルプレーティング(株)製)を1μm厚つけた。銅皮膜の密着性をテストした結果、ピール強度は1.5kgf/cmと高い密着度であった。
実施例6
イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの等モル反応生成物であるシランカップリング剤(a)とパラジウムアセチルアセトナート(b)を混合して2−エチルヘキシサノール溶液を調製した。その溶液に、粘度調整剤、表面張力剤を加えて、(a)が400mg/L、(b)が400mg/L(パラジウム換算139mg/L)となるようにインク化した。それをインクジェットノズルより吐出し、ポリイミドフィルム基板に配線回路を描画した。風乾後、無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を施した。さらに無電解めっき液KC500(日鉱メタルプレーティング(株)製)を1μm厚つけた。SEMでの断面観察の結果、パターン外析出がなく、めっき界面の明瞭な配線が形成された。
実施例7
イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの等モル反応生成物3g/Lへパラジウムアセチルアセトナート3g/L(パラジウム換算1g/L)を添加してオクチルアルコール溶液を調製した。この溶液は室温で1ヶ月以上安定であった。
比較例1
塩化スズ500mg/Lと塩化パラジウム500mg/L(パラジウム換算300mg/L)でブタノール系めっき前処理剤を調製した。この液にガラス板を60℃で10分間浸漬し流水で水洗後、大気雰囲気中100℃で15分間加熱処理をした。室温まで冷却した後、無電解ニッケルめっき液ニコム7N−0(日鉱メタルプレーティング(株)製)を70℃に加熱して5分間めっきを行った。さらに無電解めっき液KC500(日鉱メタルプレーティング(株)製)を1μm厚つけた。銅皮膜の密着性をテストした結果、ピール強度は0.3kgf/cmであった。また、前記前処理剤は、室温中5時間でパラジウムが析出沈殿した。
比較例2
イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの等モル反応生成物1g/Lへ酢酸パラジウム1g/L(パラジウム換算0.5g/L)を添加してオクチルアルコール溶液を調製した。この溶液は室温で5分間ほどでパラジウムが析出沈殿し、前処理剤として使えなかった。

Claims (9)

  1. 炭素原子数3〜10を有するβ−ジケトンと貴金属とのキレートを含む無電解めっき前処理剤。
  2. さらに分子内に金属捕捉能を持つ官能基を有するシランカップリング剤を含む請求項1記載の無電解めっき前処理剤。
  3. シランカップリング剤がアゾール系化合物またはアミン化合物とエポキシシラン系化合物との反応により得られたシランカップリング剤である請求項2記載の無電解めっき前処理剤。
  4. 金属捕捉能を持つ官能基がイミダゾール基である請求項2または3記載の無電解めっき前処理剤。
  5. キレートがパラジウムアセチルアセトナートである請求項1〜4のいずれか1項記載の無電解めっき前処理剤。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項記載の無電解めっき前処理剤を含むインク組成物。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項記載の無電解めっき前処理剤またはインク組成物により被めっき物を前処理し、次いで無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき方法。
  8. インク組成物による前処理がインクジェットによる描画である請求項7記載の無電解めっき方法。
  9. 請求項7または8記載の無電解めっき方法により得られためっき物。
JP2004021127A 2004-01-29 2004-01-29 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物 Pending JP2005213576A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004021127A JP2005213576A (ja) 2004-01-29 2004-01-29 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004021127A JP2005213576A (ja) 2004-01-29 2004-01-29 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005213576A true JP2005213576A (ja) 2005-08-11

Family

ID=34904859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004021127A Pending JP2005213576A (ja) 2004-01-29 2004-01-29 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005213576A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007032222A1 (ja) * 2005-09-15 2007-03-22 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. スルーホールを有するプリント配線基板への無電解めっき用触媒、及びその触媒を用いて処理されたスルーホールを有するプリント配線基板
WO2007102577A1 (ja) * 2006-03-09 2007-09-13 Bridgestone Corporation 光透過性電磁波シールド材の製造方法、光透過性電磁波シールド材、およびディスプレイ用フィルタ
WO2008108400A1 (ja) * 2007-03-05 2008-09-12 Bridgestone Corporation 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法、並びに貴金属の極薄膜を有する微粒子
WO2008111234A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Kazufumi Ogawa Shaped plastic member with a metal film, a manufacturing method thereof and articles made therefrom
JP2008311463A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Sony Corp 金属薄膜の形成方法
JP2010251684A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi 複合材料構造、複合材料を含む回路基板構造、及び複合材料回路基板構造を形成する方法
JP2011509344A (ja) * 2007-12-21 2011-03-24 ラム リサーチ コーポレーション 誘電体層の無電解メッキ用活性化溶液
US9382627B2 (en) 2012-02-24 2016-07-05 Lam Research Corporation Methods and materials for anchoring gapfill metals
JPWO2018147205A1 (ja) * 2017-02-13 2019-02-14 東洋炭素株式会社 めっきの前処理方法、めっき方法、めっき前処理物及びめっき物
JP2020023734A (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 株式会社豊光社 めっき処理されたガラス基材の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4889045B2 (ja) * 2005-09-15 2012-02-29 Jx日鉱日石金属株式会社 スルーホールを有するプリント配線基板への無電解めっき用触媒、及びその触媒を用いて処理されたスルーホールを有するプリント配線基板
WO2007032222A1 (ja) * 2005-09-15 2007-03-22 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. スルーホールを有するプリント配線基板への無電解めっき用触媒、及びその触媒を用いて処理されたスルーホールを有するプリント配線基板
JPWO2007032222A1 (ja) * 2005-09-15 2009-03-19 日鉱金属株式会社 スルーホールを有するプリント配線基板への無電解めっき用触媒、及びその触媒を用いて処理されたスルーホールを有するプリント配線基板
WO2007102577A1 (ja) * 2006-03-09 2007-09-13 Bridgestone Corporation 光透過性電磁波シールド材の製造方法、光透過性電磁波シールド材、およびディスプレイ用フィルタ
WO2008108400A1 (ja) * 2007-03-05 2008-09-12 Bridgestone Corporation 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法、並びに貴金属の極薄膜を有する微粒子
WO2008111234A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Kazufumi Ogawa Shaped plastic member with a metal film, a manufacturing method thereof and articles made therefrom
US8943968B2 (en) 2007-06-15 2015-02-03 Sony Corporation Method for producing metal thin film
JP2008311463A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Sony Corp 金属薄膜の形成方法
US8943963B2 (en) 2007-06-15 2015-02-03 Sony Corporation Method for producing metal thin film
JP2011509344A (ja) * 2007-12-21 2011-03-24 ラム リサーチ コーポレーション 誘電体層の無電解メッキ用活性化溶液
JP2010251684A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi 複合材料構造、複合材料を含む回路基板構造、及び複合材料回路基板構造を形成する方法
US9382627B2 (en) 2012-02-24 2016-07-05 Lam Research Corporation Methods and materials for anchoring gapfill metals
JPWO2018147205A1 (ja) * 2017-02-13 2019-02-14 東洋炭素株式会社 めっきの前処理方法、めっき方法、めっき前処理物及びめっき物
JP2020023734A (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 株式会社豊光社 めっき処理されたガラス基材の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4711415B2 (ja) 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物
EP1279750B1 (en) Pretreating agent for metal plating
JP3849946B2 (ja) 金属めっき方法および前処理剤
WO1998038351A1 (en) Direct deposition of palladium
JP2005213576A (ja) 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法、及び無電解めっき物
US8182873B2 (en) Method for electroless plating and metal-plated article
JP5518998B2 (ja) 無電解めっき前処理剤、それを用いる無電解めっき方法及び無電解めっき物
US20120207917A1 (en) Conductive pattern-forming composition and method
JP2000349417A (ja) 配線基板の製造方法
JP3758532B2 (ja) 銅あるいは銅合金上への無電解ニッケルめっき用前処理液及び無電解ニッケルめっき方法
EP1681321A1 (en) Inkjet ink composition
JP2003193245A (ja) めっき前処理剤、及びそれを用いた無電解めっき方法
KR20040014928A (ko) 표면처리제, 그것을 사용한 표면처리물 및 무전해니켈도금방법
KR100970067B1 (ko) 스루홀을 가진 프린트 배선 기판에의 무전해 도금용 촉매,및 그 촉매를 이용하여 처리된 스루홀을 가진 프린트 배선기판
JP2003041374A (ja) 表面処理剤、およびそれを用いた表面処理物
JP6493911B2 (ja) 無電解めっきの下地皮膜形成用組成物
JP2011184728A (ja) 無電解めっき前処理剤

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070118

A977 Report on retrieval

Effective date: 20090127

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090313

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090407

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100823