JP2005213423A - 液晶組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
C1及びC2はそれぞれ独立して、
(ii) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は窒素原子に置き換えられてもよい)及び、
(iii) 1,4-シクロヘキセニレン基、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン基、ピペリジン-1,4-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基及びデカヒドロナフタレン-2,6-ジイル基
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(i)、基(ii)又は基(iii)はそれぞれシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
K1及びK2はそれぞれ独立的に単結合、−CH2CH2−、−(CH2)4−、−OCH2−、−CH2O−、−COO−、−OCO−又は−C≡C−を表し、
X3、X4及びX6はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、
pは0、1又は2を表し、
X5は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は2,2,2-トリフルオロエチル基を表す。)で表される化合物を含有する、高周波線路を構成する導体線路とグランド導体との間に液晶層を配置してなる可変機能デバイス用液晶組成物、及び当該液晶組成物を構成部材とする可変機能デバイスを提供する。
X5はシアノ基、フッ素原子、炭素原子数1〜15のアルキル基、炭素原子数1〜15のアルコキシ基又は炭素原子数2〜15のアルケニル基が好ましいが、フッ素原子、シアノ基、炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニル基がより好ましく、炭素原子数1〜5アルキル基が特に好ましい。
一般式(III−a)又は一般式(III−b)で表される化合物を含有する場合、その含有量は5〜30質量%が好ましいが、10〜20質量%が特に好ましい。
一般式(II)においてR3は、炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニル基が好ましく、炭素原子数1〜5アルキル基がより好ましい。
一般式(IV−a)又は一般式(IV−b)で表される化合物を含有する場合、その含有量は、10〜40質量%が好ましいが、15〜30質量%がより好ましく、20〜30質量%が特に好ましい。
R5は炭素原子数1〜8のアルキル基、炭素原子数1〜8のアルコキシ基又は炭素原子数2〜8のアルケニル基がより好ましく、炭素原子数1〜5アルキル基が特に好ましい。
一般式(V−a)又は一般式(V−b)で表される化合物を含有する場合、その含有量は10〜30質量%が好ましく、15〜25質量%がより好ましい。
実施例中、測定した特性は以下の通りである。
TN-I :ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃)
Δn :複屈折(20℃及び589nm)
Vth :しきい値電圧(V)(25℃)
化合物の記載に下記の略号を使用する。
-末端の n(数字) : -CnH2n+1 ndm- : CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-1-
-T- : -C≡C- -ndm : -(CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-1)
-F : -F -On : -OCnH2n+1
-VO- : -COO- -CN : -C≡N
-Z- : -CH=N-N=CH- -CF2O- : -CF2-O-
液晶組成物No.1(実施例1)、No.2(実施例2)、No.3(実施例3)及び液晶組成物M1(比較例1)、液晶組成物M2(比較例2)を調製しこれらの物性値を表1に示す。
2・・・液晶層
3・・・導体線路(金属ライン)
4・・・配向膜
5・・・グランド面(金属膜)
Claims (10)
- 一般式(I)
C1及びC2はそれぞれ独立して、
(i) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のメチレン基又は隣接していない2個以上のメチレン基は−O−又は−S−に置き換えられてもよい)、
(ii) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は窒素原子に置き換えられてもよい)及び、
(iii) 1,4-シクロヘキセニレン基、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン基、ピペリジン-1,4-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基及びデカヒドロナフタレン-2,6-ジイル基
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(i)、基(ii)又は基(iii)はそれぞれシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
K1及びK2はそれぞれ独立的に単結合、−CH2CH2−、−(CH2)4−、−OCH2−、−CH2O−、−COO−、−OCO−又は−C≡C−を表し、
X3、X4及びX6はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、
pは0、1又は2を表し、
X5は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は2,2,2-トリフルオロエチル基を表す。)で表される化合物を含有する、高周波線路を構成する導体線路とグランド導体との間に液晶層を配置してなる可変機能デバイス用液晶組成物。 - 一般式(I)で表される化合物の含有量が5〜50質量%である請求項1記載の液晶組成物。
- K1及びK2がそれぞれ独立して単結合又は−C≡C−を表す請求項1記載の液晶組成物。
- X5が水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜15のアルキル基、炭素原子数1〜15のアルコキシ基又は炭素原子数2〜15のアルケニル基を表す請求項1記載の液晶組成物。
- 一般式(II)で表される化合物の含有量が95〜50質量%であり、一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物の含有量の合計が60質量%以上である請求項1記載の液晶組成物。
- 高周波線路を構成する導体線路とグランド導体との間に液晶層を配置してなる可変機能デバイスにおいて、該液晶層が請求項1〜8のいずれかに記載の液晶組成物からなることを特徴とする可変機能デバイス。
- 液晶層の複屈折率Δnが、波長589nmにおいて、0.25以上である請求項9記載の可変機能デバイス。
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