JP2005210017A

JP2005210017A - 光起電力素子

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Publication number: JP2005210017A
Application number: JP2004017453A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Oyama; 昌憲大山; Hiroshi Ito; 浩伊藤
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2004-01-26
Filing date: 2004-01-26
Publication date: 2005-08-04

Abstract

【課題】特に太陽光発電に好ましく用いることができる実用的な光起電力素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記基板表面に対して斜めの方向に成膜する工程、および上記の化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設する工程からなる光起電力素子の製造方法。
【選択図】図２

Description

本発明は、特に太陽光発電に有利に用いることができる実用的な光起電力素子及びその製造方法に関する。

半導体に光が照射された場合に起電力を生じる現象は、光起電力効果として知られている。この現象を利用した素子は光起電力素子と呼ばれている。光起電力素子の代表例としては、太陽電池を挙げることができる。太陽電池は、ｐ型半導体とｎ型半導体とが接合された構成（以下、ｐ−ｎ接合という）を有している。ｐ−ｎ接合に光が照射されると、光のエネルギによりその内部に正孔と電子とが発生する。発生した正孔はｐ型半導体の側へと移動し、そして電子はｎ型半導体の側へと移動する。従って、ｐ型半導体には正、そしてｎ型半導体には負の電圧が発生し、そしてｐ−ｎ接合に負荷を接続することにより外部に電力を取り出すことができる。太陽電池の一個のｐ−ｎ接合により発生する電圧は、通常０．５Ｖ〜０．６Ｖ程度である。

非特許文献１には、基板上にその表面に対して斜めの方向に成膜された特定の半導体材料からなる薄膜に光を照射することにより、非常に高い電圧（起電力）を生じる現象が記載されている。このような現象は、異常光起電効果と呼ばれている。同文献には、異常光起電効果を示す薄膜の材料の例と、この薄膜に照度３００×１０^-3ルクスの光を照射した場合に生ずる電圧の値が記載されている。例えば、ＣｄＴｅ薄膜の場合には約５００Ｖ、ＧａＡｓ薄膜の場合には約２００Ｖ、そしてＳｉ薄膜の場合には約１００Ｖの高い電圧が生じることが記載されている。
Ｊａｃｑｕｅｓ．ｌ．Ｐａｎｋｏｖｅ著，西沢純一他三名訳，「半導体中における光過程」，近代科学者，１９７４年８月，ｐ．３５２−３６０

太陽電池は、その一個のｐ−ｎ接合により発生する電圧が小さく、そしてｐ−ｎ接合を形成するために半導体基板あるい半導体薄膜中に不純物を熱拡散する必要があり、その製造工程が複雑であるという問題がある。

また、これまでに異常光起電力効果を示すことが明らかとなっている薄膜は、例えば、ＣｄＴｅ薄膜の場合には有害なＣｄを含むために、あるいはＧａＡｓ薄膜やＳｉ薄膜の場合には、太陽光（特に可視光）に対する感度が低いために、実用的な光起電力素子として応用はされていない。

本発明の目的は、特に太陽光発電に有利に用いることができる実用的な光起電力素子と、その簡単な製造方法とを提供することにある。

本発明は、基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記基板表面に対して斜めの方向に成膜する工程、および上記の化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設する工程からなる光起電力素子の製造方法にある。

本発明の光起電力素子の製造方法の好ましい態様は、下記の通りである。
（１）化合物薄膜を、スパッタ法により、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物からなるターゲットを、その表面が上記基板表面に対して平行となるように、かつ上記基板表面の化合物薄膜形成領域にターゲットの中心軸が含まれないように配置して成膜する。さらに好ましくは、ターゲットの中心軸から基板表面の化合物薄膜形成領域までの距離が、ターゲット直径の０．１乃至２．０倍の範囲にある。
（２）化合物薄膜を、スパッタ法により、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物からなるターゲットを、その表面が上記基板表面に対して傾斜するように配置して成膜する。さらに好ましくは、基板表面とターゲット表面とのなす角度が５乃至４５度の範囲にある。
（３）化合物薄膜が、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、もしくはＩｎＴｅからなる。

本発明はまた、基板、この基板上にその表面に対して斜めの方向に成膜された、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜、及びこの化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて付設された一対の電極からなる光起電力素子にもある。

本発明の光起電力素子の好ましい態様は、下記の通りである。
（１）化合物薄膜が、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、もしくはＩｎＴｅからなる。
（２）化合物薄膜が、スパッタ法により成膜された膜である。

本発明の製造方法においては、基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記の基板表面に対して斜めの方向に成膜し、次いでこの化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設することにより光起電力素子を得ている。このように、本発明の製造方法は、薄膜中に不純物を熱拡散する複雑な製造工程を必要としないために、その製造工程が簡単である利点を有している。また、本発明の製造方法により、毒性を示すカドミウムを含まず、光感度の高いカルコゲン元素である硫黄、セレン、あるいはテルルを含む化合物薄膜を備えた、特に太陽光発電に有利に用いることができる実用的な光起電力素子を得ることができる。

先ず、本発明の方法により製造される光起電力素子を、添付の図面を用いて説明する。図１は、本発明の光起電力素子の構成例を示す図である。図１（Ａ）は、光起電力素子の平面図であり、そして図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に記入した切断線Ｉ−Ｉ線に沿って切断した光起電力素子の断面図である。

図１の光起電力素子１１は、基板１２、基板１２上にその表面に対して斜めの方向に成膜された、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜１３、及び化合物薄膜１３の表面に互いに間隔をあけて付設された一対の電極１４、１５から構成されている。

光起電力素子１１の化合物薄膜１３は、光が照射されると異常光起電効果によりその表面に高い電圧（起電力）を生じる。従って、光起電力素子１１の電極１４、１５の間に負荷を電気的に接続することにより、この負荷に電力を供給することができる。

化合物薄膜１３は、上記のように、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物から形成される。化合物薄膜１３は、結晶化していることが好ましい。化合物薄膜１３は、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、もしくはＩｎＴｅから形成されていることが好ましく、ＧａＳ、ＧａＳｅ、もしくはＧａＴｅから形成されていることがさらに好ましい。

化合物薄膜１３には、カルコゲン元素である硫黄、セレンもしくはテルルが含まれている。一般に、カルコゲン元素は、その光感度が高いことが知られており、光学材料や光センサなどの材料に用いられている。本発明の光起電力素子は、その化合物薄膜１３がカルコゲン元素を含むために、光照射に対して効率よく起電力を発生するものと理解される。

化合物薄膜１３は、基板１２の表面に対して斜めの方向に成膜される。「斜めの方向に成膜される」とは、基板１２の表面に到達する化合物薄膜１３を形成する化合物の分子が飛来する平均的な方向が、基板表面に対して９０度未満（好ましくは５乃至６０度の範囲）の角度となるようにして成膜されることを意味する。化合物薄膜１３を、基板１２の表面に対して斜めの方向に成膜する方法の具体例については、後に詳しく説明する。

図１（Ｂ）に示すように、基板１２の表面に対して斜めの方向に成膜された化合物薄膜１３は、通常、その表面が基板１２の表面に対して傾斜する。ただし、化合物薄膜１３の表面が傾斜していることは、化合物薄膜が異常光起電力効果を示すための条件ではない（非特許文献１を参照）。

化合物薄膜１３は、スパッタ法や電子ビーム蒸着法などの工業的に有利な方法により成膜された膜であることが好ましい。化合物薄膜１３は、スパッタ法により成膜された膜であることが特に好ましい。化合物薄膜を結晶化させるために、化合物薄膜１３を成膜する際の基板の温度は、４００乃至６００℃の範囲にあることが好ましい。

化合物薄膜１３の厚みは、０．１乃至２０μｍの範囲にあることが好ましく、０．１乃至５μｍの範囲にあることがより好ましく、０．２乃至３μｍの範囲にあることがさらに好ましい。なお、化合物薄膜１３の表面が傾斜している場合には、「化合物薄膜の厚み」とは、化合物薄膜の厚みの最大値と最小値との平均値を意味する。

上記のように、光起電力素子１１の電極１４、１５の間に負荷を電気的に接続することにより、この負荷に電力を供給することができる。従って、電極１４、１５の間の電気抵抗が小さい値であるほど、電極１４、１５の間に接続された負荷に大きな電力を供給することができる。電極１４、１５の間の電気抵抗を小さな値とするには、化合物薄膜１３の厚みや幅（特に、幅）を大きくすればよい。

化合物薄膜１３には、通常、その電極側から光が照射される。化合物薄膜１３の電極側表面に光を照射する場合には、この表面により多くの光が照射されるように一対の電極１４、１５を透明とすることが好ましい。なお、「透明」とは、可視光の透過率が６０％以上、好ましくは７０％以上であることを意味する。

電極１４、１５の材料の例としては、アルミニウム、銀、銅などの金属材料、および錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）などの透明導電性材料が挙げられる。

電極１４、１５の厚みに特に制限はないが、通常、５０μｍ以下、好ましくは０．５乃至５μｍの範囲に設定される。

基板１２の代表例としては、ガラス基板などのセラミックス基板、シリコン基板などの半導体基板、金属基板、及び樹脂基板が挙げられる。

次に、本発明の光起電力素子の製造方法について説明する。本発明の光起電力素子の製造方法は、基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記基板表面に対して斜めの方向に成膜する工程、および上記の化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設する工程を順に実施することからなる。

以下に、本発明の光起電力素子の製造方法を、化合物薄膜をスパッタ法により形成する場合を例として、具体的に説明する。

図２は、本発明の光起電力素子の製造方法の一例を示す図である。図２に示すように、先ず、高周波（ＲＦ）スパッタ装置のチャンバ２８の内部に備えられたターゲットホルダ２１にターゲット２２を、そして基板ホルダ２３に基板１２を取り付ける。

化合物薄膜をスパッタ法により成膜する場合、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物から形成されたターゲットを用いることが好ましい。

図２に示すように、ターゲット２２は、その表面が基板１２の表面に平行となるように、かつ基板１２の表面の化合物薄膜形成領域にターゲット２２の中心軸が含まれないように配置されている。なお、「基板表面の化合物薄膜形成領域」とは、基板表面に対して斜めの方向に成膜される化合物薄膜が形成される基板表面の領域を意味する。すなわち、ターゲットをその中心軸が基板表面に含まれるように配置して化合物薄膜を成膜し、そして基板表面のターゲット中心軸を含まない領域（化合物薄膜形成領域）に成膜された化合物薄膜部分に一対の電極を付設して光起電力素子を作製することもできる。

ターゲット２２の中心軸から基板１２の表面の化合物薄膜形成領域までの距離Ｌ₂は、ターゲット２２の直径の０．１乃至２．０倍の範囲にあることが好ましい。

次に、チャンバ２８のバルブ２６ａ、２６ｃが閉じた状態で、バルブ２６ｂを開いて油回転ポンプ２４によりチャンバ内の気体を排気し、続いてバルブ２６ｂを閉じ、そしてバルブ２６ｃ及び２６ａを順に開いて油拡散ポンプによりチャンバ内の気体をさらに排気して、チャンバ内の真空度を１０^-6Ｔｏｒｒ程度に設定する。

続いてチャンバ２８の内部にガス導入管２７から成膜の際に用いるスパッタガスを流入させる。スパッタガスとしては、アルゴンガス、水素ガス、窒素ガス、あるいはこれらのガスを含む混合ガスを用いることが好ましく、アルゴンと水素との混合ガスを用いることがさらに好ましい。アルゴンと水素の混合ガスを用いる場合、水素ガスの分圧比（水素ガスの分圧／混合ガスの全圧）は、０．０１乃至０．５の範囲にあることが好ましい。

そして、高周波スパッタ法により基板１２の表面に対して斜めの方向に化合物薄膜１３を成膜する。化合物薄膜１３を形成したのち、チャンバ２８の内部から基板１２を取り出す。

最後に、真空蒸着法やスパッタ法などにより、化合物薄膜１３の表面に一対の電極を形成することにより、図１の光起電力素子を作製することができる。一対の電極は、化合物薄膜１３の表面の傾斜方向に沿って付設することが好ましい。

なお、電子ビーム蒸着法により化合物薄膜を形成する場合には、蒸着装置の真空チャンバの内部に、化合物薄膜を形成する材料を収容する容器を、その中心軸が基板の表面に平行となるように、かつ基板表面の化合物薄膜形成領域に前記容器の中心軸が含まれないように配置して化合物薄膜を成膜することが好ましい。

次に、本発明の光起電力素子の製造方法の別の一例を、化合物薄膜をスパッタ法により形成する場合を例として、具体的に説明する。

図３は、本発明の光起電力素子の製造方法の別の一例を示す図である。図３に示す光起電力素子の製造方法は、化合物薄膜１３を成膜する際のターゲットと基板との位置関係が異なること以外は、図１に示す製造方法と同様にして実施することができる。以下、化合物薄膜１３を成膜する際のターゲットと基板との位置関係についてのみ簡単に説明する。

図３に示す製造方法においては、ターゲット２２を、その表面が基板１２の表面に対して傾斜するように配置する。このようにターゲット２２と基板１２とを配置することによっても、化合物薄膜１３を、基板１２の表面に対して斜めの方向に成膜することができる。基板１２の表面とターゲット２２の表面とのなす角度θは、５乃至６０度の範囲にあることが好ましく、５乃至４５度の範囲にあることがさらに好ましい。

なお、電子ビーム蒸着法により化合物薄膜を形成する場合には、蒸着装置の真空チャンバの内部に、化合物薄膜を形成する材料を収容する容器を、その中心軸と基板の表面とのなす角度が３０乃至８５度（特に４５乃至８５度）の範囲となるように配置して化合物薄膜を成膜することが好ましい。

このように、本発明の製造方法においては、化合物薄膜を基板表面に対して斜めの方向に成膜し、そして化合物薄膜の表面に一対の電極を付設するという簡単な操作によって光起電力素子を作製することができる。以下に、本発明の方法により製造される光起電力素子の別の構成例について説明する。

図４は、本発明の光起電力素子の別の構成例を示す図である。図４（Ａ）は、光起電力素子の平面図であり、そして図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に記入した切断線II−II線に沿って切断した光起電力素子の断面図である。

図４に示すように、基板４２の上には、それぞれ基板４２の表面に対して斜めの方向に成膜された化合物薄膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅが備えられている。そして化合物薄膜のそれぞれには、一対の電極（例えば、化合物薄膜４３ａには一対の電極４４ａ、４５ａ）が付設され、基板４２の上に合計で五個の光起電力素子が形成されている。そして五個の光起電力素子は、電極４４、４５によって電気的に並列に接続されている。図４の光起電力素子の構成は、基板４２の上に五個の光起電力素子が形成され、これらの光起電力素子が電気的に並列に接続されていること以外は図１の光起電力素子と同様である。

このように、例えば、五個の光起電力素子を電気的に並列に接続すると、電極４４、４５の間の抵抗値が小さくなる。これにより、電極４４、４５の間に負荷を接続した場合に、より多くの電力を負荷に供給することができる。

図５は、本発明の光起電力素子のさらに別の構成例を示す断面図である。図５に示すように、基板５２の上には、それぞれ基板５２の表面に対して斜めの方向に成膜された化合物薄膜５３ａ、化合物薄膜５３ｂ、そして化合物薄膜５３ｃが順に積層されている。各々の化合物薄膜の表面に付設される電極としては、電極５４、５５が用いられている。すなわち、図５に示す光起電力素子は、基板５２の上に三個の光起電力素子が積層され、これらの光起電力素子が電極５４、５５により電気的に並列に接続された構成を有している。

図５の光起電力素子は、図４の光起電力素子と同様に、電極５４、５５の間の抵抗値が小さいため、これらの電極間に接続された負荷に、より多くの電力を供給することができる。

図６は、本発明の光起電力素子のさらに別の構成例を示す断面図である。図６に示すように、基板６２の上には、それぞれ基板６２の表面に対して斜めの方向に成膜された化合物薄膜６３ａ、そして６３ｂが順に積層されている。化合物薄膜６３ａの表面には、一対の電極６４、６５ｂが付設されている。そして化合物薄膜６３ｂの表面には、一対の電極６４、６５ａが付設されている。すなわち、図６に示す光起電力素子６１は、基板６２の上に二個の光起電力素子が積層され、これらの光起電力素子が電極６４により電気的に直列に接続された構成を有している。

図６の光起電力素子６１において、化合物薄膜６３ａ、６３ｂは、基板６２の上に基板表面に対して互いに異なる角度で成膜されている。例えば、化合物薄膜６３ａ、６３ｂをスパッタ法により成膜する場合には、化合物薄膜６３ａは、図６において基板６２の左上方に配置されたターゲットを用いて成膜され、そして化合物薄膜６３ｂは、基板６２の右上方に配置されたターゲットを用いて成膜される。このように基板６２の表面に対する成膜の角度を設定すると、通常、化合物薄膜６３ａ、６３ｂのそれぞれの表面に発生する電圧の極性が逆となる。従って、化合物薄膜６３ａ、６３ｂを電極６４によって電気的に直列に接続することにより、光起電力素子６１の電極６５ａ、６５ｂの間に発生する電圧は、各々の化合物薄膜にて発生する電圧の合計値となる。

なお、化合物薄膜６３ｂには、その表面近傍にて電圧が発生する。すなわち、化合物薄膜６３ｂの化合物薄膜６３ａ側の面における抵抗値は、化合物薄膜を形成する化合物特有の高い抵抗値を示す。従って、化合物薄膜６３ａ及び６３ｂは、電極６４との接続部以外の領域においては互いに電気的に絶縁されている。また、化合物薄膜６３ａ、６３ｂの間に、さらに絶縁材料層を付設してもよい。

図６の光起電力素子６１は、その化合物薄膜の側から光を照射することより、図１の光起電力素子の場合よりも高い電圧を得ることができる利点を有している。

光起電力素子は、大気中の水分や酸素の影響により、その電気的特性が変動する場合がある。この電気的特性の変動を抑制するため、光起電力素子を、例えば、ガラス容器の内部に気密的に収容するなどして封止することが好ましい。光起電力素子が収容されている容器内部の空間は、不活性ガス（例、窒素ガス、アルゴンガス）が充填された空間であるか、あるいは真空空間であることがさらに好ましい。

なお、上記のように、本発明の光起電力素子は、その化合物薄膜に光を照射することにより、一対の電極間に接続された負荷に電力を供給することができるため、特に太陽光発電に有利に用いることができる。また、本発明の光起電力素子は、光照射により一対の電極間に発生した電圧を検出することにより、光センサとしても使用することができる。

図２に示す構成の高周波スパッタ装置のターゲットホルダ２１に、純度が９９．９％のＧａＳｅターゲット（直径：７６ｍｍ）を取り付けた。次に、石英ガラス基板（サイズ：２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．４ｍｍ）をフッ酸により洗浄し、これを基板ホルダ２３に取り付けた。ターゲットの中心軸から基板までの距離（ターゲットの中心軸から基板表面の化合物薄膜形成領域までの距離）Ｌ₂は、２５ｍｍ（ターゲット直径の約０．３倍）に設定した。ターゲットの表面と基板の表面との距離Ｌ₃は８５ｍｍである。

次に、チャンバ２８の内部の空気を、油回転ポンプ２４、次いで油拡散ポンプ２５にて排気することによりチャンバ内の真空度を１０^-6Ｔｏｒｒに設定し、次いでガス導入管２７を通じてチャンバ内に真空度が０．７５ＰａとなるまでＡｒガスを流入し、そして基板ホルダ２３に備えられたヒータにより基板をその温度が６００℃になるまで加熱した。そして高周波スパッタ装置により、石英ガラス基板の上に、厚さが約１μｍのＧａＳｅ薄膜を成膜した。そしてＧａＳｅ薄膜が形成された基板を、スパッタ装置のチャンバ２８の内部から取り出した。

得られた基板のＧａＳｅ薄膜の表面に、メタルマスクを配置した。メタルマスクの上から、真空蒸着法により厚さが２μｍのアルミニウム薄膜を成膜した。成膜後にメタルマスクを基板から取り除くことにより、ＧａＳｅ薄膜の表面に一対のアルミニウム電極を形成した。このようにして、図１に示す構成の光起電力素子を作製した。光起電力素子の一対の電極間の距離（図１：Ｌ₁）は１ｍｍに設定した。

作製した光起電力素子のＧａＳｅ薄膜側の表面に、薄膜表面から約２０ｃｍの距離をあけて配置された３０Ｗのクセノンショートアークランプを用いて光を照射し、素子の一対の電極間に発生する電圧値をエレクトロメータにより測定した。その結果、作製した光起電力素子の一対の電極間には、約２００Ｖの電圧が発生した。

本発明の光起電力素子の構成例を示す図である。本発明の光起電力素子の製造方法の一例を示す図である。本発明の光起電力素子の製造方法の別の一例を示す図である。本発明の光起電力素子の別の構成例を示す図である。本発明の光起電力素子のさらに別の構成例を示す断面図である。本発明の光起電力素子のさらに別の構成例を示す断面図である。

符号の説明

１１光起電力素子
１２基板
１３化合物薄膜
１４、１５電極
２１ターゲットホルダ
２２ターゲット
２３基板ホルダ
２４油回転ポンプ
２５油拡散ポンプ
２６ａ、２６ｂ、２６ｃバルブ
２７ガス導入管
２８チャンバ
４１光起電力素子
４２基板
４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ化合物薄膜
４４、４５電極
４４ａ、４５ａ化合物薄膜４３ａに付設される電極
４４ｅ、４５ｅ化合物薄膜４３ｅに付設される電極
５１光起電力素子
５２基板
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ化合物薄膜
５４、５５電極
６１光起電力素子
６２基板
６３ａ、６３ｂ化合物薄膜
６４、６５ａ、６５ｂ電極

Claims

基板上に、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜を前記基板表面に対して斜めの方向に成膜する工程、および該化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて一対の電極を付設する工程からなる光起電力素子の製造方法。
化合物薄膜を、スパッタ法により、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物からなるターゲットを、その表面が上記基板表面に対して平行となるように、かつ上記基板表面の化合物薄膜形成領域にターゲットの中心軸が含まれないように配置して成膜する請求項１に記載の光起電力素子の製造方法。
ターゲットの中心軸から基板表面の化合物薄膜形成領域までの距離が、ターゲット直径の０．１乃至２．０倍の範囲にある請求項２に記載の光起電力素子の製造方法。
化合物薄膜を、スパッタ法により、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物からなるターゲットを、その表面が上記基板表面に対して傾斜するように配置して成膜する請求項１に記載の光起電力素子の製造方法。
基板表面とターゲット表面とのなす角度が５乃至４５度の範囲にある請求項４に記載の光起電力素子の製造方法。
化合物薄膜が、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、もしくはＩｎＴｅからなる請求項１に記載の光起電力素子の製造方法。
基板、該基板上にその表面に対して斜めの方向に成膜された、アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜、および該化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて付設された一対の電極からなる光起電力素子。
化合物薄膜が、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳ、もしくはＩｎＴｅからなる請求項７に記載の光起電力素子。
化合物薄膜が、スパッタ法により成膜された膜である請求項７もしくは８に記載の光起電力素子。