JP2005208562A - 光導波路の形成方法及びその方法により得られた光導波路 - Google Patents
光導波路の形成方法及びその方法により得られた光導波路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005208562A JP2005208562A JP2004222480A JP2004222480A JP2005208562A JP 2005208562 A JP2005208562 A JP 2005208562A JP 2004222480 A JP2004222480 A JP 2004222480A JP 2004222480 A JP2004222480 A JP 2004222480A JP 2005208562 A JP2005208562 A JP 2005208562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- dry film
- clad layer
- temperature
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 コア部分が設けられた下部クラッド層表面に熱硬化性樹脂樹脂組成物からなるドライフィルムを貼付けて、これを硬化させることで上部クラッド層を形成する光導波路の製造方法において、該ドライフィルムとして該コア部分を形成する硬化樹脂のガラス転移温度よりも10℃以上低いガラス転移温度を有するドライフィルムを用い、かつこのドライフィルムのガラス転移温度よりも10℃以上高い温度でドライフィルムの貼付けを行う。
【選択図】 なし
Description
(1)下部クラッド層用熱硬化性樹脂層を有するドライフィルムを熱転写して下部クラッド熱硬化性樹脂層を形成させ、
(2)下部クラッド層用の熱硬化性樹脂層を熱により硬化させて下部クラッド層(A)を形成させ、
(3)次いで、下部クラッド層(A)の表面にコア部用活性エネルギー線硬化性樹脂層を有するドライフィルムを熱転写してコア部用活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成させ、
(4)次いで、コア部用活性エネルギー線硬化性樹脂層の表面からコア部が形成されるようにパターン状に活性エネルギー線照射して硬化させ、
(5)次いで、未硬化層(コア部となる部分以外の部分)を現像処理により除去してコア部(B)を形成させ、
(6)得られたコア部(B)の硬化樹脂のガラス転移温度よりも10℃以上低いガラス転移温度を有する上部クラッド層用の熱硬化性樹脂組成物からなるドライフィルムを用いて、
(7)上部クラッド層用のドライフィルムのガラス転移温度よりも10℃以上高い温度でこのドライフィルムをコア部(B)及び下部クラッド層(A)の表面に、加熱、圧着しながら貼付けて上部クラッド層用活性エネルギー線硬化性樹脂層を形成させ、
(8)次いで、上部クラッド層用熱硬化性樹脂層を熱により硬化させることにより光導波路を形成することができる。
該化合物(A)は、具体的には、1分子中に2個以上の水酸基と1分子中に1個以上のカルボキシル基を含有するポリヒドロキシカルボン酸化合物(a)とポリイソシアネート化合物(b)との反応物が好ましい。
化合物(B)としては、分子中に2個以上の環状エーテル類を有する化合物が好ましい。このものとしては、オキシラン化合物、オキセタン化合物、オキソラン化合物などが挙げられる。具体的には、例えば、オキシラン化合物類として3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル−5,5−スピロ−3,4−エポキシ)シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、4−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル−3’,4’−エポキシ−6’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)エーテル、エチレンビス(3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、エポキシ化テトラベンジルアルコール、ラクトン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ラクトン変性エポキシ化テトラヒドロベンジルアルコール、シクロヘキセンオキサイド、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールFジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールADジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールFジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールSジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類;エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの脂肪族多価アルコールに1種または2種以上のアルキレンオキサイドを付加することにより得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル類;脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステル類;脂肪族高級アルコールのモノグリシジルエーテル類;フェノール、クレゾール、ブチルフェノールまたはこれらにアルキレンオキサイドを付加して得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル類;高級脂肪酸のグリシジルエステル類;エポキシ化大豆油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシ化アマニ油などを挙げることができる。オキセタン化合物として、3,7−ビス(3−オキセタニル)−5−オキサ−ノナン、3,3’−(1,3−(2−メチレニル)プロパンジイルビス(オキシメチレン))ビス−(3−エチルオキセタン)、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,2−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エタン、1,3−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]プロパン、エチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンテニルビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、テトラエチレングリコールビス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、トリメチロールプロパントリス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、1,4−ビス(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)ブタン、1,6−ビス(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテルなどを例示することができ、これらは1種単独あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
化合物(C)としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、tert−ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシルカルビトール(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸のアルキル又はシクロアルキルエステルモノマー;メトキシブチル(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシブチル(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリプロポキシ(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸のアルコキシアルキルエステルモノマー;スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンなどの芳香族ビニルモノマー;(メタ)アクリル酸、マレイン酸等のα,β−エチレン性不飽和カルボン酸モノマー;ジメチルホスフェートエチルアクリレート、ジエチルホスフェートエチルアクリレートなどのアクリル燐酸エステルモノマー;グリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、グリシジルエーテル等のエポキシ基含有不飽和モノマー;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルア(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、(ポリ)アルキレングリコールモノアクリレート、及びこれらのモノマーとラクトン(例えば、ε−カプロラクトン等)との付加物等の水酸基含有不飽和モノマー;ベンジル(メタ)アクリレート等の芳香族アルコールと(メタ)アクリル酸とのエステル;グリシジル(メタ)アクリレート又は(メタ)アクリル酸のヒドロキシアルキルエステルとカプリン酸、ラウリン酸、リノール酸、オレイン酸等のモノカルボン酸化合物との付加物、(メタ)アクリル酸と「カージュラE10」(シェル化学社製)等のモノエポキシ化合物との付加物;エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル等の鎖状アルキルビニルエーテル;シクロペンチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等のシクロアルキルビニルエーテル;アリルグリシジルエーテル、アリルエチルエーテル等のアリルエーテル;パーフルオロブチルエチル(メタ)アクリレート、パーフルオロイソノニルエチル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート等の弗素含有不飽和モノマー;(メタ)アクリロイルモルホリン、2−ビニルピリジン、1−ビニル−2−ピロリドン、ビニルカプロラクタム、ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチルエチル(メタ)アクリレート、ダイアセトンアクリルアミド等の含窒素不飽和モノマー;エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラ以上のポリ(4〜16)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストリールテトラ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジイタコネート、エチレングリコールジマレエート等の多価アルコール変性多官能モノマー;その他ハイドロキノンジ(メタ)アクリレート、レゾルシノールジ(メタ)アクリレート、ピロガロール(メタ)アクリレート;不飽和基含有樹脂(ポリエステルポリオールに(メタ)アクリル酸が付加した付加物など、具体的には、アロニックス8100、8030など(東亞合成株式会社製、商品名)などを挙げることができる。また、上記の不飽和化合物は1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。
開始剤(D)としては、従来から公知のものを使用することができる。このものとしては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルキサントン、チオキサントン、アントラキノンなどの芳香族カルボニル化合物;アセトフェノン、プロピオフェノン、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、α,α’−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−1−シクロヘキシルアセトフェノン、ジアセチルアセトフェノン、アセトフェノンなどのアセトフェノン類;ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルジパーオキシイソフタレート、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどの有機過酸化物;ジフェニルヨードブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロライドなどのジフェニルハロニウム塩;四臭化炭素、クロロホルム、ヨードホルムなどの有機ハロゲン化物;3−フェニル−5−イソオキサゾロン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンベンズアントロンなどの複素環式及び多環式化合物;2,2’−アゾ(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2−アゾビスイソブチロニトリル、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)などのアゾ化合物;鉄−アレン錯体(ヨーロッパ特許152377号公報参照);チタノセン化合物(特開昭63−221110号公報参照)、ビスイミダゾール系化合物;N−アリールグリシジル系化合物;アクリジン系化合物;芳香族ケトン/芳香族アミンの組み合わせ;ペルオキシケタール(特開平6−321895号公報参照)等が挙げられる。上記した光ラジカル重合開始剤の中でも、ジ−t−ブチルジパーオキシイソフタレート、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、鉄−アレン錯体及びチタノセン化合物は架橋もしくは重合に対して活性が高いのでこのものを使用することが好ましい。
還流器の付いたフラスコにメチルエチルケトン溶媒を適当量入れ、その中に1分子中に2個の水酸基、及び1個のカルボキシル基を有するジメチロールブタン酸を39.4g、1分子中に2個の水酸基を有する1,6−ヘキサンジオールを7.6g、1分子中に2個の水酸基を有するネオペンチルグリコールを6.7g、分子中に2個のイソシアネート基を有するトルエンジイソシアネートを46.3g、反応触媒としてジブチルスズジラウレート500ppmを添加し、攪拌しながら、75℃まで昇温した。75℃昇温後、この温度を保ちながら、12時間攪拌しながら反応させた結果、目的とするカルボキシル基含有ウレタン化合物A−1を得た。
還流器の付いたフラスコにメチルエチルケトン溶媒を適当量入れ、その中に1分子中に2個の水酸基、及び1個のカルボキシル基を有するジメチロールブタン酸を35.7g、1分子中に2個の水酸基を有する1,6−ヘキサンジオールを13.8g、分子中に2個のイソシアネート基を有するトリメチルヘキサメチレンジイソシアネートを50.5g、反応触媒としてジブチルスズジラウレート500ppmを添加し、攪拌しながら、75℃まで昇温した。75℃昇温後、この温度を保ちながら、12時間攪拌しながら反応させた結果、目的とするカルボキシル基含有ウレタン化合物A−2を得た。
還流器の付いたフラスコにメチルエチルケトン溶媒を適当量入れ、その中に1分子中に2個の水酸基、及び1個のカルボキシル基を有するジメチロールブタン酸を35.7g、1分子中に2個の水酸基を有するネオペンチルグリコールを12.2g、分子中に2個のイソシアネート基を有するトリメチルヘキサメチレンジイソシアネートを50.5g、反応触媒としてジブチルスズジラウレート500ppmを添加し、攪拌しながら、75℃まで昇温した。75℃昇温後、この温度を保ちながら、12時間攪拌しながら反応させた結果、目的とするカルボキシル基含有ウレタン化合物A−3を得た。
上述したカルボキシル基含有ウレタン化合物A−1を61.5重量部に対し、重合性不飽和化合物であるアロニックス8100(東亞合成株式会社製、商品名)12.3重量部、トリメチロールプロパントリアクリレート6.1重量部、架橋剤としてエピコートEP−828EL(ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名)19.5重量部、光重合開始剤であるIrgcure907(チバスペシャリティ・ケミカルズ社製)0.6重量部をメチルエチルケトン溶媒中に添加・混合し、均一な溶液を得た。
上述したカルボキシル基含有ウレタン化合物A−2を71.7重量部に対し、架橋剤として以下に示す構造の水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル(粘度:2200mPa・s(25℃)、エポキシ当量:216g/eq)27.6重量部、光酸発生剤であるN−(トリフルオロメチルスホニルオキシ)−1,8−ナフタレンジカルボキシイミド(熱分解温度:140℃)0.7重量部をメチルエチルケトン溶媒中に添加・混合し、均一な溶液を得た。
上述したカルボキシル基含有ウレタン化合物A−3を71.7重量部に対し、架橋剤としてEXA−750(大日本インキ株式会社製、商品名)27.6重量部、光酸発生剤であるN−(トリフルオロメチルスホニルオキシ)−1,8−ナフタレンジカルボキシイミド(熱分解温度:140℃)0.7重量部をメチルエチルケトン溶媒中に添加・混合し、均一な溶液を得た。
(1−1)下部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2をシリコン基板の表面上に常圧熱ロール圧着法(温度:100℃)にて転写し、波長365nm、照度100mW/cm2の紫外線を10秒間照射した後、ホットプレートを用いて150℃、30分間の条件で熱硬化させることにより、膜厚20μmの下部クラッド層を得た。なお、このクラッド層の硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。
(2−1)下部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2をシリコン基板の表面上に常圧熱ロール圧着法(温度:100℃)にて転写し、波長365nm、照度100mW/cm2の紫外線を10秒間照射した後、ホットプレートを用いて150℃、30分間の条件で熱硬化させることにより、膜厚20μmの下部クラッド層を得た。なお、このクラッド層の硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。
下部クラッド層およびコア部の形成(1)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、150℃,60分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。なお、この上部クラッド層を硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。また、得られた光導波路は図3に示す構造であった。結果、上記方法において、コアの高さ、コアの幅ともに30±3μmの矩形形状が形成された。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、0.4dB/cmであった。
下部クラッド層およびコア部の形成(1)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、ホットプレートを用いて120℃,30分の条件でプリベイクを行った。次に150℃,60分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。なお、この上部クラッド層を硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。また、得られた光導波路は図3に示す構造であった。結果、上記方法において、コアの高さ、コアの幅ともに30±3μmの矩形形状が形成された。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、0.2dB/cmであった。
下部クラッド層およびコア部の形成(1)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、ホットプレートを用いて120℃,30分の条件でプリベイクを行った。また、更にその後、ドライフィルムZD−2からなるフィルムに波長365nm、照度100mW/cm2の紫外線を10秒間照射し、最後に150℃,30分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。なお、この上部クラッド層を硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。また、得られた光導波路は図3に示す構造であった。結果、上記方法において、コアの高さ、コアの幅ともに30±3μmの矩形形状が形成された。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、0.2dB/cmであった。
下部クラッド層およびコア部の形成(2)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、150℃,60分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。なお、この上部クラッド層を硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。また、得られた光導波路は図3に示す構造であった。結果、上記方法において、コアの高さ、コアの幅ともに30±3μmの矩形形状が形成された。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、0.4dB/cmであった。
下部クラッド層およびコア部の形成(2)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、ホットプレートを用いて120℃,30分の条件でプリベイクを行った。次に150℃,60分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。なお、この上部クラッド層を硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。また、得られた光導波路は図3に示す構造であった。結果、上記方法において、コアの高さ、コアの幅ともに30±3μmの矩形形状が形成された。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、0.2dB/cmであった。
下部クラッド層およびコア部の形成(2)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、ホットプレートを用いて120℃,30分の条件でプリベイクを行った。また、更にその後、ドライフィルムZD−2からなるフィルムに波長365nm、照度100mW/cm2の紫外線を10秒間照射し、最後に150℃,30分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。なお、この上部クラッド層を硬化後の屈折率はアッベ屈折率計を用い、波長850nmで測定した結果、1.497であった。また、得られた光導波路は図3に示す構造であった。結果、上記方法において、コアの高さ、コアの幅ともに30±3μmの矩形形状が形成された。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、0.2dB/cmであった。なお、ポストキュアを行なわない以外は上記と同様にして光導波路の形成を行なったところ、コアの高さ及び幅については30±8μmの矩形形状が形成された。すなわち、ポストキュアにより、現像液に対する耐膨潤性が向上し、より良好なコア部の形状安定性が得られる。
下部クラッド層およびコア部の形成(1)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−3(ガラス転移温度82℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度100℃)にて転写した。その後、140℃,60分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。しかし、得られた光導波路は図4に示すようなコア部分の変形が見られ、良好な光導波路は形成できなかった。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたが、1.0dB/cmを大きく上回る損失であり、光の導波が確認できなかった。
下部クラッド層およびコア部の形成(1)を行った後、上部クラッド層を形成するため、ドライフィルムZD−2(ガラス転移温度18℃)をコア部(ガラス転移温度50℃)を有する下部クラッド層の上面に常圧熱ロール圧着法(温度25℃)にて転写した。その後、140℃,60分の条件でポストベイクを行い、光導波路を得た。しかし、得られた光導波路は図5に示すように上部クラッド層中に気泡が見られた。また、得られた光導波路について、波長850nmの光を一端から入射させ、もう一端から出射する光量を測定することにより、導波路伝送損失をカットバック法で求めたところ、1.0dB/cmであり、良好な光導波路ではなかった。
Claims (7)
- 下部クラッド層(A)表面に硬化樹脂からなるコア部(B)を形成し、該下部クラッド層(A)及びコア部(B)表面に熱硬化性樹脂組成物からなるドライフィルムを加熱により貼付けてから硬化させて上部クラッド層(C)を形成してなる光導波路の製造方法であって、前記ドライフィルムのガラス転移温度が、コア部分(B)を形成する硬化樹脂のガラス転移温度よりも10℃以上低く、且つ前記ドライフィルムの貼付け温度を該ドライフィルムのガラス転移温度よりも10℃以上高い温度とすることを特徴とする光導波路の形成方法。
- 前記ドライフィルムを構成する熱硬化性樹脂組成物が、熱潜在性触媒及び光潜在性触媒の少なくとも一方を含有する請求項1に記載の光導波路の形成方法。
- 前記ドライフィルムを前記下部クラッド層(A)及びコア部(B)表面に貼付けた後、プリベイクを行ってから、該ドライフィルムの硬化のためのポストベイクを行う請求項2に記載の光導波路の形成方法。
- 前記プリベイク温度が、前記熱潜在性触媒あるいは前記光潜在性触媒の解離温度未満であり、かつ、前記ポストベイク温度が、前記熱潜在性触媒あるいは前記光潜在性触媒の解離温度以上である請求項3に記載の光導波路の形成方法。
- 前記プリベイク後に活性エネルギー線照射を行い、次いで前記ポストベイクを行って上部クラッド層(C)を硬化させる請求項2〜4のいずれかに記載の光導波路の形成方法。
- 前記クラッド層(A)及び上部クラッド層(C)に対する前記コア部(B)の屈折率差が0.1%以上である請求項1〜5のいずれかに記載の光導波路の形成方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の光導波路の形成方法により得られた光導波路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004222480A JP2005208562A (ja) | 2003-12-25 | 2004-07-29 | 光導波路の形成方法及びその方法により得られた光導波路 |
TW093139407A TWI285664B (en) | 2003-12-25 | 2004-12-17 | Curable resin composition for optical waveguide, curable dry film for optical waveguide, waveguide, and, method for manufacturing optical waveguide |
US11/018,085 US20050239990A1 (en) | 2003-12-25 | 2004-12-20 | Curable resin composition for optical waveguide, curable dry film for formal optical waveguide, optical waveguide, and, method for forming optical waveguide |
KR1020040112593A KR100648489B1 (ko) | 2003-12-25 | 2004-12-24 | 광도파로용 경화성 수지조성물, 광도파로 형성용 경화성 드라이필름, 광도파로 및, 광도파로의 형성방법 |
CNB2004101036971A CN100371748C (zh) | 2003-12-25 | 2004-12-27 | 光波导用树脂组合物、固化性干膜、光波导及其形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003429759 | 2003-12-25 | ||
JP2004222480A JP2005208562A (ja) | 2003-12-25 | 2004-07-29 | 光導波路の形成方法及びその方法により得られた光導波路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005208562A true JP2005208562A (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=34914116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004222480A Pending JP2005208562A (ja) | 2003-12-25 | 2004-07-29 | 光導波路の形成方法及びその方法により得られた光導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005208562A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007125740A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Jsr Corporation | 光導波路形成用ドライフィルム、光導波路およびその製造方法 |
JP2008275999A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製造方法 |
JP2009186979A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-08-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路複合基板の製造方法 |
JP2011232451A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路用塗布液、光導波路および電子機器 |
JP2014102348A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光伝送用フレキシブルプリント基板、およびその光導波路の製法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0476015A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-10 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 熱潜在性酸触媒及びその製造方法 |
JPH1048441A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路および高分子光導波路回路、およびそれらの製造方法 |
JPH1138241A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-02-12 | Tomoegawa Paper Co Ltd | フレキシブル光導波路素子及びその製造方法 |
JPH1171450A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-16 | Ciba Specialty Chem Holding Inc | α−アミノアセトフェノンからのアミンの光発生 |
JP2000009955A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 金属酸化物薄膜のパターン形成方法および金属酸化物薄膜パターン形成用組成物 |
WO2000040641A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Nof Corporation | Composition thermodurcissable contenant une resine d'ester de polyhemiacetal et composition thermodurcissable pulverulente |
JP2001288364A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Jsr Corp | 放射線硬化性組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法 |
JP2003165907A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Kimoto & Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性塗料、及び塗膜の形成方法 |
JP2003195081A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Jsr Corp | 光導波路の形成方法 |
JP2005275343A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光導波路構造付きデバイス及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-07-29 JP JP2004222480A patent/JP2005208562A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0476015A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-10 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 熱潜在性酸触媒及びその製造方法 |
JPH1048441A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路および高分子光導波路回路、およびそれらの製造方法 |
JPH1138241A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-02-12 | Tomoegawa Paper Co Ltd | フレキシブル光導波路素子及びその製造方法 |
JPH1171450A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-16 | Ciba Specialty Chem Holding Inc | α−アミノアセトフェノンからのアミンの光発生 |
JP2000009955A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 金属酸化物薄膜のパターン形成方法および金属酸化物薄膜パターン形成用組成物 |
WO2000040641A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Nof Corporation | Composition thermodurcissable contenant une resine d'ester de polyhemiacetal et composition thermodurcissable pulverulente |
JP2001288364A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Jsr Corp | 放射線硬化性組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法 |
JP2003165907A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Kimoto & Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性塗料、及び塗膜の形成方法 |
JP2003195081A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Jsr Corp | 光導波路の形成方法 |
JP2005275343A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光導波路構造付きデバイス及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007125740A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Jsr Corporation | 光導波路形成用ドライフィルム、光導波路およびその製造方法 |
JP5309992B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2013-10-09 | Jsr株式会社 | 光導波路形成用ドライフィルム、光導波路およびその製造方法 |
JP2008275999A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製造方法 |
JP2009186979A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-08-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路複合基板の製造方法 |
JP2011232451A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路用塗布液、光導波路および電子機器 |
JP2014102348A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nitto Denko Corp | 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光伝送用フレキシブルプリント基板、およびその光導波路の製法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2005080458A1 (ja) | 光導波路用硬化性樹脂組成物、光導波路用硬化性ドライフィルム、光導波路及び光導波路用コア部分の形成方法 | |
JP4691047B2 (ja) | 永久レジスト組成物、その硬化生成物、及びその使用 | |
US20120141738A1 (en) | Curable resin composition for nanoimprint | |
KR102315804B1 (ko) | 경화성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물 및 프린트 배선판 | |
US7374862B2 (en) | Photosensitive resin composition and curing product thereof | |
TWI746707B (zh) | 反應性多元羧酸化合物、使用該化合物的活性能量線硬化型樹脂組成物、該組成物的硬化物及該硬化物的用途 | |
TW200940570A (en) | Active energy ray-curable resin and production method thereof | |
CN113646698B (zh) | 光致抗蚀剂组合物及其固化物 | |
JPWO2005081025A1 (ja) | 光導波路形成用光硬化性樹脂組成物、光導波路形成用光硬化性ドライフィルム及び光導波路 | |
JP2008164763A (ja) | フィルム状光導波路 | |
JP2013076833A (ja) | 感光性樹脂組成物とその硬化物、及び感光性樹脂の製造方法 | |
JP2003202437A (ja) | 光導波路形成用放射線硬化性ドライフィルム、およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法 | |
JP5346787B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物及びその硬化物 | |
KR101545038B1 (ko) | 광도파로 및 그 제조 방법 | |
US20050239990A1 (en) | Curable resin composition for optical waveguide, curable dry film for formal optical waveguide, optical waveguide, and, method for forming optical waveguide | |
JP2005208562A (ja) | 光導波路の形成方法及びその方法により得られた光導波路 | |
JP2005208563A (ja) | 光導波路用硬化性樹脂組成物、光導波路形成用硬化性ドライフィルム及び光導波路 | |
US8119327B2 (en) | Polymerisable composition | |
KR20050109628A (ko) | 광 도파로, 광전기 혼재 기판 및 이 광전기 혼재 기판의제조 방법 | |
JP2003149475A (ja) | 光導波路用樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP2013137373A (ja) | 感光性樹脂組成物とその硬化物、及び感光性樹脂の製造方法 | |
JP2006063288A (ja) | 感光性樹脂組成物、光導波路およびその製造方法 | |
CN117120930A (zh) | 层叠结构体、干膜、固化物和电子部件 | |
JP2023083103A (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化物、プリント配線板、およびプリント配線板の製造方法 | |
KR20210104754A (ko) | 불산 내성 레지스트 조성물, 및 이것을 사용하여 얻어진 기재 가공품 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070725 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100609 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101027 |