JP2005203588A - 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明は、窒化物半導体基板と窒化物半導体積層部を備えた窒化物半導体レーザ素子と当該窒化物半導体レーザ素子が搭載されたステムとを備えた窒化物半導体レーザ装置の製造方法において、前記ステムに前記窒化物半導体レーザ素子を設置する際、前記ステムの支持基体部分に接着材料を付着させた後、前記窒化物レーザ素子を設置することを特徴とする。このような方法によると、予め、必要なだけの接着材料をステムに付着するので、過剰な量のロウ材が溶解することで窒化物半導体レーザ素子が位置ずれを起こす可能性が低い。また、前記支持基体部分に付着させる接着材料の厚さを、0.5μm以上、20μm以下に設定することで、接合強度を維持すると共に、位置レーザ出射位置に関して、高い歩留まりを得ることができる。
【選択図】 図1
Description
102 支持基体
110 埋め込み領域
111 n型GaN基板
112 n型GaN層
113 n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
114 n型GaNガイド層
115 InGaN多重量子井戸構造活性層
116 p型Al0.2Ga0.8N蒸発防止層
117 p型GaNガイド層
118 p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
119 p型GaNコンタクト層
121 n型電極
122 n型電極上の金属多層膜
131 p型電極
132 p型電極上の金属膜
141 レーザ出射位置
150 SiCサブマウント部材
151 SiCサブマウント部材の窒化物半導体LDチップ側表面の金属膜
152 SiCサブマウント部材の支持基体側表面の金属膜
153 Au−30Snロウ材
201 レーザ共振器端面
210 ストライプ方向と垂直な方向の分割ライン
211 p型金属層
212 n型金属層
310 ストライプ方向と平行な方向の分割ライン
402 LDチップ幅
403 LDチップ共振器長
410 窒化物半導体LDチップ
420 サブマウント
501 ステム
510 ステムのピン(n型電極用)
511 ステムのピン(p型電極用)
512 支持基体の片面
521 転写ニードル
531 ロウ材付着テープ
532 96.5wt%/Sn−3.0wt%Ag−0.5wtCuロウ材
533 テフロン(R)テープ
601 半導体成長層
610 n型電極用ワイヤ
611 p型電極用ワイヤ
1101 導電性基板
1102 半導体成長層
1103 窒化物半導体LDチップ
1105 ロウ材
1106 n型電極表面に形成された金属膜
1108 支持基体
1111 p型電極
1112 n型電極
1120 サブマウント部材
1121 サブマウント部材の窒化物半導体LDチップ側の表面の金属膜
1122 サブマウント部材の支持基体側の表面の金属膜
1123 ロウ材
1205 ロウ材箔
Claims (8)
- 窒化物半導体基板と該窒化物半導体基板の表面上に積層される複数の窒化物半導体層から成る窒化物半導体積層部を備えた窒化物半導体レーザ素子と当該窒化物半導体レーザ素子が搭載されたステムとを備えた窒化物半導体レーザ装置の製造方法において、
前記ステムに前記窒化物半導体レーザ素子を設置する際、前記ステムの支持基体部分に第1接着材料を付着させた後、前記窒化物レーザ素子を設置することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記窒化物半導体レーザ素子が、サブマウントを介して前記ステムに搭載されるとともに、
前記窒化物半導体レーザ素子が前記ステムに設置される際において、
まず、前記サブマウントに第2接着材料を介して前記窒化物半導体レーザ素子を固定し、
次に、前記第1接着材料が付着された前記ステムの前記支持基体部分に前記サブマウントを載置することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記サブマウントは、SiC系、AlN系、CuW系、ダイアモンド系のうちの少なくとも1種以上の材料より成ることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
- 前記支持基体部分に付着させる前記第1接着材料の厚さが、0.5μm以上、20μm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
- 前記第1接着材料は、Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn系、Zn系のうちの少なくとも1種以上の材料より成ることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
- 前記第1接着材料を前記ステムの前記支持基体部分に付着させる際、
まず、耐熱性を備えたシート又はテープに前記第1接着材料を付着し、
次に、前記第1接着材料が付着した前記シート又はテープを前記ステムの前記支持基体に貼付した後、前記シート又はテープ越しに前記第1接着材料に対して超音波振動を当てることで、前記ステムの前記支持基体に前記第1接着材料を転写することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記シート又はテープを貼付して前記ステムの前記支持基体に前記第1接着材料を転写する際、
同時に前記シート又はテープを50度以上300度以下の範囲で加熱することを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記シート又はテープへ前記第1接着材料を付着させる際、蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法のいずれかが用いられることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
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JP2004008865A JP2005203588A (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022158557A1 (ja) | 2021-01-22 | 2022-07-28 | 京セラ株式会社 | 発光素子、半導体レーザ素子並びにその製造方法および製造装置 |
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2004
- 2004-01-16 JP JP2004008865A patent/JP2005203588A/ja active Pending
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WO2022158557A1 (ja) | 2021-01-22 | 2022-07-28 | 京セラ株式会社 | 発光素子、半導体レーザ素子並びにその製造方法および製造装置 |
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