JP2005201444A - 汚染制御装置、汚染管理システム、及びクリーンルームの汚染制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 工程ガス又はケミカルを輸送するための配管に設けられた連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するための汚染制御装置と、その汚染制御装置を備える汚染管理システムと、汚染制御装置を用いた、クリーンルームの汚染制御方法とを提供する。
【解決手段】 汚染制御装置１００は、汚染物の拡散を防止するために、それぞれの連結部１０４を囲むように配置されるカバー１０６と、前記カバー１０６と配管１０２ａ、１０２ｂとの間の空間１０６ｃに外部空気を供給するための流入ポート１０８と、前記空間１０６ｃに供給された空気と前記汚染物との混合ガスを排出するための流出ポート１１０と、を含む。前記混合ガスは、前記流出ポート１１０と排気ダクト５０とを連結する連結配管１１４を通じて排出されるので、前記汚染物による作業環境の汚染を防止することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、工程ガスを輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物を除去するための装置及び方法に関し、より詳細には、半導体装置の製造工程に使用される工程ガスの漏洩による汚染物を除去するための汚染制御装置と、これを有する汚染管理システムと、クリーンルームの汚染制御方法に関する。

一般に、半導体装置は、半導体基板として用いられるシリコンウェーハ上に電気的な回路を形成するＦＡＢ（ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）工程と、前記ＦＡＢ工程で形成された半導体装置の電気的な特性を検査するＥＤＳ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｄｉｅ Ｓｏｒｔｉｎｇ）工程と、前記半導体装置をそれぞれエポキシ樹脂で封止し個別化させるためのパッケージ組立工程とを通じて製造される。

前記ＦＡＢ工程は、ウェーハ上に膜を形成するための蒸着工程と、前記膜を平坦化するための化学的機械的研磨工程と、前記膜上にフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程と、前記フォトレジストパターンを用いて前記膜を電気的な特性を有するパターンに形成するためのエッチング工程と、ウェーハの所定領域にイオンを注入するためのイオン注入工程と、ウェーハ上の不純物を除去するための洗浄工程と、前記洗浄されたウェーハを乾燥させるための乾燥工程と、前記膜又はパターンの欠陥を検査するための検査工程等を含む。

前記のような半導体装置の製造工程は、清浄な空気が供給されるクリーンルーム（ｃｌｅａｎ ｒｏｏｍ）で行われる。前記クリーンルームの天井には、天井チャンバー（ｃｅｉｌｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）からクリーンルームの内部に清浄な空気を供給するための多数のパンフィルターユニットが取り付けられ、前記クリーンルームの下部には、前記半導体装置の製造工程に用いられる各種工程流体を供給するための工程流体供給システムと、クリーンルームの内部圧力、及び前記製造工程を行うための装置の内部圧力を調節するための圧力制御システムとが配置されるユーティリティーゾーン（ｕｔｉｌｉｔｙ ｚｏｎｅ）が配置される。前記パンフィルターユニットを通じてクリーンルームに供給された清浄な空気は、クリーンルームの底パネルを通じて前記ユーティリティーゾーンに排出され、前記天井チャンバーとユーティリティーゾーンを連結する空気循環ダクトを通じて循環する。

前記工程流体は、半導体装置の製造工程に用いられる多様な工程ガスとケミカル（ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）を含み、前記工程流体供給システムは、多様な工程流体を輸送するための配管と、前記配管を互いに連結するための連結部とを含む。前記連結部は、前記工程流体の流量及び圧力を調節するための弁を含む。

前記連結部から前記工程流体が漏洩する場合、漏洩する工程流体はクリーンルーム、ユーティリティーゾーン、空気循環ダクト及び天井チャンバーを通じて循環し、作業環境を汚染させる汚染物として作用する。従って、前記漏洩する工程流体を除去するための改善された装置が要求される。

前記のような問題点を解決するための本発明の第１目的は、工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物を効果的に除去するための汚染制御装置を提供することにある。

本発明の第２目的は、前述した汚染制御装置を含む汚染管理システムを提供することにある。

本発明の第３目的は、前述した汚染制御装置を用いた、クリーンルームの汚染制御方法を提供することにある。

前記第１目的を達成するための本発明の汚染制御装置は、工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するために、前記連結部を囲むように配置されるカバーと、外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給するために、前記カバーと連結されている流入ポートと、前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクトを通じて排出するために、前記カバーに設けられている流出ポートと、を備える。

本発明の一実施例によると、前記汚染制御装置は、前記空間が一定に維持されるように、前記カバーを支持する多数のリブ（ｒｉｂ）、及び前記流入ポートに設けられ前記空間に供給される外部空気を濾過するためのフィルターを更に備える。

前記カバーは、耐食性及び耐化学性を有するフッ素樹脂（例えば、テフロン樹脂、「テフロン樹脂」は登録商標）で形成されることが好ましく、前記連結部は前記配管の間に設けられ前記工程流体の流量又は圧力を調節するための弁を有する。

又、前記汚染制御装置は、前記カバーの両側端部と前記配管との間で密封を提供するための一対のパッド、前記カバーを開閉するためのスライドジッパー（ｓｌｉｄｅ ｚｉｐｐｅｒ）、前記カバーの内部を確認するための透明窓、及び前記流出ポートと前記排気ダクトとを連結するための連結配管等を更に備えることが好ましい。

前記第２目的を達成するための本発明の汚染管理システムは、工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するために、前記連結部を囲むように配置されるカバー、外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給するために、前記カバーと連結されている流入ポート、及び前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクトを通じて排出するために、前記カバーに設けられている流出ポートを有する汚染制御部と、前記流出ポートと前記排気ダクトとを連結する連結配管と連結され、前記汚染物をサンプリングするためのサンプリング配管と、前記サンプリング配管と連結され、前記サンプリング配管を通じて捕集された汚染物を分析するための分析ユニットと、を備える。

前記汚染管理システムは、前記分析ユニットにより算出された分析データ（例えば、汚染物の濃度、成分等）を用いて、前記汚染物の漏洩をモニタリングするためのモニタリングユニットを更に備え、前記モニタリングユニットは、前記汚染物に対する分析データを予め設定された基準データと比較するための比較器と、前記分析データが前記基準データ以上である場合、警報信号を発生させるための警報器と、前記分析データを表示するためのディスプレイと、を有することが好ましい。

前記第３目的を達成するための本発明のクリーンルームの汚染制御方法によると、工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するためのカバーで前記連結部を囲み、外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給する。その後、前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクトを通じて排出する。

従って、前記連結部から漏洩する汚染物は、半導体装置の製造工程を行うためのクリーンルーム等の作業環境に拡散せず、排気ダクトを通じて効果的に除去される。又、前記工程流体を輸送するための配管及び弁に対する効果的な維持補修が行われる。

以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照して詳細に説明する。

図１は本発明の一実施例による汚染制御装置を概略的に示す断面図であり、図２は図１に示す汚染制御装置の正面図である。図３は図１に示す汚染制御装置を有する汚染管理システムを示すブロック図であり、図４は図３に示す汚染管理システムを有するクリーンルームシステムを概略的に示す構成図である。

図１及び図２を参照すると、汚染制御装置１００は、工程流体を輸送するための配管１０２ａ、１０２ｂを互いに連結する連結部１０４から漏洩する汚染物の拡散を防止するために、前記連結部１０４を囲むように配置されるカバー１０６と、外部空気を前記カバー１０６と配管１０２ａ、１０２ｂとの間の空間１０６ｃに供給するために、前記カバー１０６と連結されている流入ポート１０８と、前記空間１０６ｃに供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクト５０を通じて排出するために、前記カバー１０６に設けられている流出ポート１１０とを含む。

前記空間１０６ｃは、前記カバー１０６の内面、前記連結部１０４の外面、及び前記配管１０２ａ、１０２ｂの外面により限定される。

前記カバー１０６の第１端部１０６ａは第１配管１０２ａを囲むように配置され、第２端部１０６ｂは第２配管１０２ｂを囲むように配置される。前記カバー１０６は多数のリブ１１２により支持され、前記リブ１１２は前記カバー１０６の変形を防止して、前記カバー１０６が一定な内部空間を形成するようにする。即ち、前記空間１０６ｃは前記リブ１１２により一定に維持される。

前記流出ポート１１０と排気ダクト５０は、連結配管１１４を通じて互いに連結され、前記連結配管１１４は、流入ポート１０８を通じてカバー１０６の空間１０６ｃに流入した空気と前記漏洩する汚染物との混合ガスを輸送するための通路として機能する。

前記排気ダクト５０は、前記連結配管１１４のみならず、前記工程流体を用いて、シリコンウェーハ又はガラス基板のような作業物に対する所定の処理工程を行うための装置（図示せず）と連結され、前記装置から排出されたガスを浄化するためのガススクラバーシステム（図示せず）と連結されている。

例えば、半導体基板として用いられるシリコンウェーハに対する所定の処理工程を行うための装置から排出されたガスは、前記排気ダクト５０を通じて前記ガススクラバーシステムに輸送され、ガススクラバーシステムにより浄化された後、ガススクラバーシステムから排出される。

従って、前記連結部１０４から漏洩する汚染物の拡散は、前記カバー１０６により遮断され、前記汚染物を含む混合ガスは連結配管１１４、排気ダクト５０及びガススクラバーシステムを通じて排出されるので、クリーンルームのような作業環境の汚染を防止することができる。

前記流入ポート１０８には、前記カバー１０６の空間１０６ｃに供給される空気を濾過するためのフィルター１１６が設けられている。前記フィルター１１６は、前記外部空気に含まれたパーティクルを除去するためのものであって、ＨＥＰＡフィルター（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ ｆｉｌｔｅｒ）又はＵＬＰＡフィルター（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｎｇ Ａｉｒ ｆｉｌｔｅｒ）を用いることができる。

前記カバー１０６は、前記工程流体に対する耐食性及び耐化学性を有し、柔軟な材質であることが好ましい。例えば、テフロン樹脂（「テフロン樹脂」は登録商標）のようなフッ素樹脂からなることが好ましい。

前記連結部１０４は、前記配管１０２ａ、１０２ｂを互いに連結し、前記工程流体の流量又は圧力を制御するための弁を含む。図示したように、前記連結部１０４は、第１配管及び第２配管を連結しているが、前記連結部１０４は、多数の配管の間で流量を制御するための弁組立体（例えば、３方向制御弁、統合ガス供給ユニット（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｇａｓ ｓｕｐｐｌｙ ｕｎｉｔ；ＩＧＳユニット）等）、又は多数の配管を互いに連結するための多様なフィッティング部材（ｆｉｔｔｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）を含むこともできる。

前記汚染制御装置１００は、カバー１０６の両側端部１０６ａ、１０６ｂと前記配管１０２ａ、１０２ｂとの間で密封を提供するための一対のパッド１１８ａ、１１８ｂを更に含む。具体的に、前記カバー１０６の第１端部１０６ａと第１配管１０２ａとの間で密封を提供するための第１パッド１１８ａが、前記カバー１０６の第１端部１０６ａと第１配管１０２ａを囲むように配置され、前記カバー１０６の第２端部１０６ｂと第２配管１０２ｂとの間で密封を提供するための第２パッド１１８ｂが前記第２端部１０６ｂと第２配管１０２ｂを囲むように配置される。この際、前記一対のパッド１１８ａ、１１８ｂは、シリコン材料で形成することができる。

又、前記汚染制御装置１００は、前記カバー１０６を前記連結部１０４に装着するとき、前記カバー１０６を開閉するためのスライドジッパー（ｓｌｉｄｅ ｚｉｐｐｅｒ）１２０、及び前記カバー１０６の内部を確認するための透明窓１２２を更に含むことができる。前記透明窓１２２は、前記工程流体が液相のケミカルである場合、前記ケミカルの漏洩を目で確認することができるようにする。

図３及び図４を参照すると、汚染管理システム２００は、工程流体を輸送するための配管１０２を互いに連結する連結部１０４から漏洩する汚染物の拡散を防止するための多数の汚染制御装置１００と、前記汚染制御装置１００と排気ダクト５０とを連結するための連結配管１１４にそれぞれ連結され前記汚染物をサンプリングするための多数のサンプリング配管２０２と、前記サンプリング配管２０２と連結され前記サンプリング配管２０２を通じて捕集された汚染物を分析するための分析ユニット２０４とを含む。

それぞれの汚染制御装置１００は、それぞれの連結部１０４を囲むように配置されるカバー１０６、外部空気（例えば、クリーンルーム又はユーティリティーゾーンの内部空気）を前記カバー１０６の空間１０６ｃに供給するための流入ポート１０８、及び前記カバー１０６の内部に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクト５０を通じて排出するための流出ポート１１０を含む。

前述したような汚染管理システム２００は、半導体装置の製造工程を行うためのクリーンルームシステム１０に採用される。図４によると、クリーンルームシステム１０は、半導体基板に対する多様な工程を行うためのクリーンルーム１２、前記クリーンルーム１２の下部に配置されるユーティリティーゾーン１４、前記クリーンルーム１２の上部に配置される天井チャンバー１６、前記ユーティリティーゾーン１４と天井チャンバー１６とを連結する空気循環ダクト１８、前記ユーティリティーゾーン１４内に配置され循環する空気の温度を調節するための冷却コイル２０、及び前記空気を循環させるための循環パン２２等を含む。

前記クリーンルーム１２の天井１２ａには、クリーンルーム１２の内部に清浄な空気を供給するための多数のパンフィルターユニット２４が設けられており、前記クリーンルーム１２の底パネル１２ｂには、クリーンルーム１２の内部の空気をユーティリティーゾーン１４に排出するための多数の貫通孔が形成されている。前記ユーティリティーゾーン１４に排出された空気は空気循環ダクト１８を通じて循環し、前記多数のパンフィルターユニット２４を通じてクリーンルーム１２に再供給される。

前記クリーンルーム１２の内部には、半導体基板を移送するための移送装置２６、前記半導体基板を保管するための保管装置２８、及び前記半導体基板に対する所定の処理工程を行うための工程装置３０が配置される。前記工程装置３０は、ユーティリティーゾーン１４に配置された工程流体供給システム３２、真空システム（図示せず）、動力供給システム（図示せず）等と連結される。

前記工程流体供給システム３２は、ユーティリティーゾーン１４とクリーンルーム１２に配置される多数の配管１０２と弁のような連結部１０４とを含み、前記工程流体を貯蔵するための貯蔵ユニットは、前記ユーティリティーゾーン１４又はクリーンルームシステム１０の外部に配置される。前記工程流体供給システム３２は、前記工程装置３０に多様な種類のソースガス、パージガス、及び冷却ガスとして用いられる不活性ガスと、多様な種類のケミカルとを前記工程装置３０に供給する。

前記工程装置３０は、半導体基板上に膜を形成するための蒸着装置、前記膜上にフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ装置、前記フォトレジストパターンを用いて前記膜を電気的特性を有するパターンに形成するためのエッチング装置、前記膜にイオンを注入するためのイオン注入装置、及び前記膜又はパターンから不純物を除去するための洗浄装置等を含む。

一方、それぞれのパンフィルターユニット２４は、循環する空気に含まれたパーティクルを除去するためのＨＥＰＡフィルター又はＵＬＰＡフィルターと、前記循環する空気に含まれた化学的汚染物を除去するためのケミカルフィルターとを含む。

前記工程装置３０は、排気ダクト５０を通じて前記クリーンルームシステム１０の外部に配置されるガススクラバーシステム５２と連結され、前記ガススクラバーシステム５２は、工程装置３０から反応副産物と工程流体を排出し、排出された反応副産物と工程流体から汚染物を除去する。

前記分析ユニット２０４は、前記汚染制御装置１００と排気ダクト５０とを連結するための連結配管１１４とそれぞれ連結されたサンプリング配管２０２と連結され、サンプリング配管２０２を通じて輸送される、汚染物と空気とが混合された混合ガスを分析する。具体的に、前記分析ユニット２０４は、前記混合ガスに含まれたイオン性汚染物、金属性汚染物、有機汚染物等を分析する。

図示したように、前記汚染制御装置１００は、ユーティリティーゾーン１４に配置された工程流体供給システム３２の弁をそれぞれ囲むように配置されているが、前記汚染制御装置１００は、ユーティリティーゾーン１４に配置された工程流体供給システム３２の弁のみならず、クリーンルーム１２の内部、又は工程装置３０の内部に配置された弁をそれぞれ囲むように配置することもできる。又、前記汚染制御装置１００は、工程流体供給システム３２のみならず、前記工程装置３０と排気ダクト５０とを連結する排出配管３４に設けられた弁をそれぞれ囲むように配置することができ、クリーンルームシステム１０に使用される全弁及び全フィッティング部材に装着することができる。

前記のように、クリーンルームシステム１０に用いられる配管１０２を互いに連結する多様な弁又はフィッティング部材から漏洩する汚染物は、前記カバー１０６により遮断され、前記クリーンルーム１２又はユーティリティーゾーン１４から前記カバー１０６により形成された空間１０６ａに流入した空気と共に排気ダクト５０を通じて排出され、分析ユニット２０４により分析される。従って、クリーンルーム１２、ユーティリティーゾーン１４、空気循環ダクト１８及び天井チャンバー１６を通じて循環する空気の汚染が防止され、前記弁及びフィッティング部材のような連結部１０４に対する効果的な管理が行われる。

前記分析ユニット２０４は、分析ユニット２０４により算出された分析データを用いて、前記汚染物の漏洩をモニタリングするためのモニタリングユニット２０６と連結される。前記モニタリングユニット２０６は、前記汚染物の濃度又は成分に対する分析データを予め設定された基準データと比較し、比較結果によって警報信号を発生させる。具体的に、前記モニタリングユニット２０６は、前記汚染物に対する分析データを前記基準データとを比較するための比較器２０６ａと、前記分析データが基準データと同じであるか、基準データを超過する場合に警報信号を発生させるための警報器２０６ｂと、前記分析データを表示するためのディスプレイ２０６ｃとを含む。

図５は、本発明の一実施例による汚染制御方法を示す流れ図である。

図５を参照すると、汚染制御装置を用いて半導体製造用クリーンルームの汚染度を低下させるために、まず、カバーで連結部を囲む（段階３００）。前記連結部（図１の１０４）は、工程流体を輸送するための少なくとも２個の配管を互いに連結し、前記カバー（図１の１０６）は、前記配管を覆って前記配管から漏洩する汚染物の拡散を防止する。従って、前記配管から排出された汚染物は、前記配管と前記カバーとの間の空間に貯蔵される。その後、外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給する（段階３０２）。前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクトを通じて排出する（段階３０４）。前記排気ダクトを通じて排出された前記混合ガスは、前記汚染物の濃度や組成を確認するために分析される。

前記のような本発明の実施例によると、前記汚染制御装置は配管を互いに連結するための連結部を囲むように配置され、前記連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止し、前記漏洩する汚染物を排気ダクトを通じて排出する。又、前記漏洩する汚染物の濃度と成分は、サンプリング配管を通じて汚染制御装置と連結された分析ユニットにより分析され、モニタリングユニットは、前記汚染物の濃度が予め設定された基準値以上である場合、警報信号を発生させる。

従って、前記連結部から漏洩する汚染物による、工程装置及びクリーンルームシステムの汚染と半導体基板の汚染とが防止され、工程流体又は排出ガスを輸送するための配管に設けられた弁又はフィッティング部材に対する管理が効果的に行われる。

又、前記漏洩する汚染物による、クリーンルームシステムの可動中止期間を短縮させることができ、半導体装置の生産性を向上させることができる。

以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明の実施例を修正または変更できる。

本発明の一実施例による汚染制御装置を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施例による汚染制御装置を示す正面図である。 本発明の一実施例による汚染管理システムを示すブロック図である。 本発明の一実施例による汚染管理システムを有するクリーンルームシステムを概略的に示す構成図である。 本発明の一実施例による汚染制御方法を示す流れ図である。

符号の説明

１０ クリーンルームシステム、１２ クリーンルーム、１４ ユーティリティーゾーン、１６ 天井チャンバー、１８ 空気循環ダクト、２０ 冷却コイル、２２ 循環パン、２４ パンフィルターユニット、２６ 移送装置、２８ 保管装置、３０ 工程装置、３２ 工程流体供給システム、３４ 排出配管、５０ 排気ダクト、５２ ガススクラバーシステム、１００ 汚染制御装置、１０２ａ 第１配管、１０２ｂ 第２配管、１０４ 連結部、１０６ カバー、１０６Ｃ 空間、１０８ 流入ポート、１１０ 流出ポート、１１２ リブ、１１４ 連結配管、１１６ フィルター、１１８ パッド、１２０ スライドジッパー、１２２ 透明窓、２００ 汚染管理システム、２０２ サンプリング配管、２０４ 分析ユニット、２０６ モニタリングユニット、２０６ａ 比較器、２０６ｂ 警報器、２０６ｃ ディスプレイ

Claims (24)

1. 工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するために、前記連結部を囲むように配置されるカバーと、
   外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給するために、前記カバーと連結されている流入ポートと、
   前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクトを通じて排出するために、前記カバーに設けられている流出ポートと、
   を備えることを特徴とする汚染制御装置。
2. 前記空間が一定に維持されるように、前記カバーを支持する多数のリブを更に備えることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
3. 前記流入ポートに設けられ、前記空間に供給される外部空気を濾過するためのフィルターを更に備えることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
4. 前記カバーは、フッ素樹脂で形成されることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
5. 前記連結部は前記配管の間に設けられ、前記工程流体の流量又は圧力を調節するための弁を有することを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
6. 前記カバーの両側端部と前記配管との間で密封を提供するための一対のパッドを更に備えることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
7. 前記パッドは、シリコン材料で形成されることを特徴とする請求項６記載の汚染制御装置。
8. 前記カバーを開閉するためのスライドジッパーを更に備えることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
9. 前記カバーの内部を確認するための透明窓を更に備えることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
10. 前記流出ポートと前記排気ダクトとを連結するための連結配管を更に備えることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
11. 工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するために前記連結部を囲むように配置されるカバー、外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給するために前記カバーと連結されている流入ポート、及び前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合された汚染気体を排気ダクトを通じて排出するために前記カバーに設けられている流出ポートを有する汚染制御部と、
    前記流出ポートと前記排気ダクトとを連結する連結配管と連結され、前記汚染物をサンプリングするためのサンプリング配管と、
    前記サンプリング配管と連結され、前記サンプリング配管を通じて捕集された汚染物を分析するための分析ユニットと、
    を備えることを特徴とする汚染管理システム。
12. 前記分析ユニットにより算出された分析データを用いて、前記汚染物の漏洩をモニタリングするためのモニタリングユニットを更に備えることを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
13. 前記分析データは、前記汚染物の濃度及び成分を含むことを特徴とする請求項１２記載の汚染管理システム。
14. 前記モニタリングユニットは、
    前記汚染物に対する分析データを予め設定された基準データと比較するための比較器と、
    前記分析データが前記基準データ以上である場合、警報信号を発生させるための警報器と、
    前記分析データを表示するためのディスプレイと、
    を有することを特徴とする請求項１３記載の汚染管理システム。
15. 前記排気ダクトは、前記カバーから排出される混合ガスを浄化するためのガススクラバーシステムと連結されていることを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
16. 前記工程流体は、半導体装置を製造するための工程ガス又はケミカルを含むことを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
17. 前記汚染制御部は、前記空間が一定に維持されるように前記カバーを支持する多数のリブを更に有することを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
18. 前記汚染制御部は、前記流入ポートに設けられ前記空間に供給される外部空気を濾過するためのフィルターを更に有することを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
19. 前記フィルターは、ＨＥＰＡフィルター又はＵＬＰＡフィルターであることを特徴とする請求項１８記載の汚染管理システム。
20. 前記連結部は前記配管の間に設けられ、前記工程流体の流量又は圧力を調節するための弁を有することを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
21. 前記汚染制御部は、前記カバーの両側端部と前記配管との間で密封を提供するための一対のパッドを更に有することを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
22. 前記汚染制御部は、前記カバーを開閉するためのスライドジッパーを更に有することを特徴とする請求項１１記載の汚染管理システム。
23. 工程流体を輸送するための配管を互いに連結する連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するためのカバーで前記連結部を囲む段階と、
    外部空気を前記カバーと前記配管との間の空間に供給する段階と、
    前記空間に供給された空気と前記汚染物とが混合されたガスを排気ダクトを通じて排出する段階と、
    を含むことを特徴とするクリーンルームの汚染制御方法。
24. 前記排出される混合ガスを分析する段階を更に含むことを特徴とする請求項２３記載のクリーンルームの汚染制御方法。
    

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