JP2005195340A - 電子線装置による半導体ウェハの検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハの搬送時間、ステージの移動時間、フォーカス合わせ時間、パターン認識時間等を加算して処理時間を計算するとき、不定時間を含むフォーカス合わせ時間及びパターン認識時間に関し、フォーカス合わせに関するリトライ回数の最小値と最大値、及びパターン認識の周辺探索回数の最小値と最大値を設定することで、最短の予想処理時間と最長の予想処理時間を計算し、表示する。
【選択図】 図12
Description
〔式1〕
TEST=(WLT+ALT×AP+(MVT+MPT+MST+IST)×MP+WUT)×W
ここで、WLT:ウェハロード時間、ALT:アライメント処理時間、AP:アライメント点数、MVT:測長位置移動時間、MPT:中間倍処理時間、MST:高倍処理時間、IST:画像保存時間、MP:測定点数、WUT:ウェハアンロード時間、W:ウェハ枚数である。AP(アライメント点数)、MP(測定点数)、W(ウェハ枚数)は、検査条件登録時に必ず定義される。以下に、式1における各処理時間の計算方法を示す。
〔式2〕
WLT=CWMT+AWMT+AWT+LWMT+VCT1+VT+VCT2+SWMT
ここで、CWMT:カセットからのウェハ取り出し時間、AWMT:アライナへのウェハ搬送時間、AWT:ウェハ搬入方向検出時間、LWMT:ロードロック室へのウェハ搬送時間、VCT1:バルブ閉時間、VT:真空排気時間、VCT2:バルブ開時間、SWMT:処理室へのウェハ搬送時間である。
〔式3〕 SEM像処理時間
ALT=ALMVT+ZT+AFT+PT
〔式4〕 OM像処理時間
ALT=ALMVT+ABCT+PT
ここで、ALMVT:アライメント位置移動時間、ZT:Zセンサ処理時間、AFT:オートフォーカス時間、ABCT:明るさ調整時間、PT:パターン認識時間である。
〔式5〕
AFT=FT×(RFN+1)
ここで、FT:フォーカス調整時間、RFN:フォーカスリトライ回数である。RFN(フォーカスリトライ回数)は、実際に処理が実行されるまで不定になるパラメータである。RFN(フォーカスリトライ回数)の最小値は0であり、最大値はフォーカス調整幅とフォーカス初期値によって決まるが、ほぼ一定であるので、RFNMAXとすると、AFT(オートフォーカス処理時間)の最小時間AFTMIN、最大時間AFTMAXは以下の式6、式7よって求めることができる。
〔式6〕
AFTMIN=FT
〔式7〕
AFTMAX=FT×(RFNMAX+1)
このオートフォーカス処理時間最小値AFTMIN、最大値AFTMAXを用いることで、実際に処理が実行されるまで不定であったオートフォーカス処理時間を求めることができる。また、最小値、最大値以外にも、中間値を用いることでもよい。更に、装置においてオートフォーカスが実行されるたびに、フォーカスリトライ回数を保存し、コンピュータ9のハードディスクに累積して保存する。そして、累積保存したフォーカスリトライ回数の平均値や最大頻度値など用いることでも処理時間を求めることができる。
〔式8〕
PT=PMT×(RPN+1)+PMV×RPN
ここで、PMT:パターン照合時間、RPN:パターン認識移動回数、PMV:パターン認識移動時間である。オートフォーカスと同様に、パターン認識においても移動回数、RPN(パターン認識移動回数)が実際に処理が実行されるまで不定になるパラメータである。RPN(パターン認識移動回数)は最小値が0であり、最大値は検索領域によって決まり一定である。最大値をRPNMAXとすると、PT(パターン認識処理時間)の最小時間PTMIN、最大時間PTMAXは以下の式9、式10よって求めることができる。
〔式9〕
PTMIN=PMT
〔式10〕
PTMAX=PMT×(RPNMAX+1)+PMV×RPNMAX
〔式11〕
MVT=l/v1+(t1+t2)/2
但し、式11ではMVT(測長位置移動時間)は(t1+t2)より大きい必要がある。そのため、式11は移動距離lがv1×(t1+t2)/2以上の場合である。移動距離lがv1×(t1+t2)/2より小さい場合には、台形制御ではなく、三角形の制御になるので、最大速度をvmとすると式12で表すことができる。
〔式12〕
MVT=2×l/vm
ここで、t1,t2,v1は固定であるので、vmをt1,t2,v1を用いて表すと、式13になる。
〔式13〕)
MVT={(2・v1・l)/(t1+t2)}1/2
〔式14〕
MPT=ZT+PDT+AFT+PT
ここで、ZT:Zセンサ処理時間、PDT:Pre Dose処理時間、AFT:オートフォーカス時間、PT:パターン認識時間である。
〔式15〕
MST=AFT+PT+MEST
ここで、AFT:オートフォーカス時間、PT:パターン認識時間、MEST:測長処理時間である。
〔式16〕
IST=TIT×IMGSZ+HDT×IMGSZ
ここで、TIT:画像処理プロセッサ7からコンピュータ9への画像転送速度、IMGSZ:画像サイズ、コンピュータ9のハードディスク書き込み速度である。画像処理プロセッサ7からコンピュータ9への画像転送速度とコンピュータ9のハードディスク書き込み速度は転送負荷やCPU負荷により、実行の状態により異なるが、理論値からの推測値、実測値の平均値を用いることで処理時間は計算できる。
・測定開始前の予想処理時間
1ロットの処理の処理時間が測定開始前に式1を用いることで計算できる。
・測定条件登録中における予想処理時間
測定条件登録中は式1における各処理時間が条件を変更するごとに変化する。その変化する予想処理時間をリアルタイムに計算する。
・1ウェハの予想処理時間
1ウェハの処理の処理時間は式1において、W(ウェハ枚数)を1にすることで計算できる。
・測定中における残処理時間
測定中の残処理時間は、前記式1〜16において、処理終了した処理時間を0にすることで計算できる。
・任意の処理間の予想処理時間
任意の処理間の予想処理時間は、任意の処理間に行われる処理時間総和として計算することができる。例えば、図2における中間倍の処理から画像保存までの処理時間は(MPT+MST+IST)である。
Claims (5)
- 複数の半導体ウェハを収容したカセットから検査する半導体ウェハを取り出して電子線装置のステージ上に搬送するステップと、
前記半導体ウェハに集束した電子線を走査して照射し、半導体ウェハから放出された2次電子を検出して試料像を取得するステップと、
前記電子線の集束点を変化させてフォーカス合わせを行うステップと、
フォーカス合わせした試料像において、予め登録した画像をパターン認識により探索するステップと、
前記ステージを測長位置に移動するステップと、
前記電子線の倍率を中間倍率に設定してフォーカス合わせを行うステップと、
中間倍率でフォーカス合わせした試料像において、予め登録した画像をパターン認識により探索するステップと、
前記電子線装置の倍率を高倍率に設定してフォーカス合わせを行うステップと、
高倍率でフォーカス合わせした試料像において、予め登録した画像をパターン認識により探索するステップと、
検査箇所の画像を保存するステップと、
検査の終了した半導体ウェハを前記ステージから前記カセットに搬送するステップとを含む電子線装置による半導体ウェハの検査方法において、
前記半導体ウェハの搬送時間と、前記ステージの移動時間と、予め設定されたリトライ回数の最小値と最大値をもとに計算された前記フォーカス合わせの時間と、予め設定されたパターン認識の周辺探索回数の最小値と最大値をもとに計算された前記パターン認識の時間とを含む時間を加算して、最短の予想処理時間と最長の予想処理時間を求めるステップと、
前記最短の予想処理時間と最長の予想処理時間をもとに計算した、最短の検査終了予定時刻と最長の検査終了予定時刻を表示することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 請求項1記載の半導体ウェハの検査方法において、終了した処理時間を0として最短の予想処理時間と最長の予想処理時間を求め、現在時刻にその予想処理時間を加算して計算した最短の検査終了予定時刻と最長の検査終了予定時刻を表示することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
- 請求項1又は2記載の半導体ウェハの検査方法において、前記最短検査終了予定時刻と最長の検査終了予定時刻の加算平均として求めた中間の検査終了予定時刻を同時に表示することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
- 請求項1又は2記載の半導体ウェハの検査方法において、前記フォーカス合わせのリトライ回数及びパターン認識の周辺探索回数として過去の実績値を用いて計算した中間の検査終了予定時刻を同時に表示することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体ウェハの検査方法において、複数の電子線装置を用いて並列的に検査を行い、各電子線装置による検査終了予定時刻を表示することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
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