JP2005193407A - 電子部品及び多層基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電子部品の特性を十分に向上させることができる電子部品及び多層基板を提供すること。
【解決手段】 本発明は、樹脂を含む誘電体層1110a,1110g、樹脂を含む誘電体層1110b〜1110f、導体層1130a〜1130hを積層してなり、誘電体層1110b〜1110fの誘電正接が0.01以下で、誘電体層1110a,1110gの限界たわみ量が誘電体層1110b〜1110fの1.3倍以上である多層基板1110である。多層基板1110は、機械的強度に優れた誘電体層1110a,110gと、電気的特性に優れた誘電体層1110b〜1110fを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板1110における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【選択図】 図76
【解決手段】 本発明は、樹脂を含む誘電体層1110a,1110g、樹脂を含む誘電体層1110b〜1110f、導体層1130a〜1130hを積層してなり、誘電体層1110b〜1110fの誘電正接が0.01以下で、誘電体層1110a,1110gの限界たわみ量が誘電体層1110b〜1110fの1.3倍以上である多層基板1110である。多層基板1110は、機械的強度に優れた誘電体層1110a,110gと、電気的特性に優れた誘電体層1110b〜1110fを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板1110における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【選択図】 図76
Description
本発明は、電子部品及び多層基板に係り、より詳しくは100MHz以上の高周波領域において有用な電子部品及び多層基板に関する。
近年、通信情報の急増に伴い、通信機器の小型化、軽量化が強く望まれており、これに伴って電子部品の小型化、軽量化が望まれている。一方、携帯移動通信、衛星通信においては、ギガHz帯の高周波域の電波が使用されるようになってきている。
上記のような高周波域の電波に対応するためには、電子部品においてエネルギー損失ないし伝送損失が小さいことが必要である。すなわち電子部品においては、誘電損失といわれる伝送過程における伝送損失が生じるが、この伝送損失は、熱エネルギーとして電子部品内で消費され、電子部品における発熱の原因となるため好ましくない。
伝送損失は一般に下記式:
伝送損失=係数×周波数×(誘電率)1/2×誘電正接
で表されるため、伝送損失を低くするためには、誘電率、誘電正接を小さくする必要がある。
伝送損失=係数×周波数×(誘電率)1/2×誘電正接
で表されるため、伝送損失を低くするためには、誘電率、誘電正接を小さくする必要がある。
一方、電子部品の小型化、軽量化を図るためには、単位面積あたりの静電容量値をあげて電極面積を小さくする必要がある。
静電容量値は一般的に下記式:
静電容量値=真空の誘電率×材料の比誘電率×電極面積/絶縁層厚み
で表されるため、静電容量値を高くするには材料の比誘電率を上げる必要がある。
静電容量値=真空の誘電率×材料の比誘電率×電極面積/絶縁層厚み
で表されるため、静電容量値を高くするには材料の比誘電率を上げる必要がある。
よって、高周波域における伝送損失の低減及び電子部品の小型化、軽量化をすべて達成するためには、誘電率を高くし且つ誘電正接を低くしたバランスの取れた材料が望まれる。
一般に、誘電率が高い材料としては、ポリフッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン−テトラフルオロエチレンの共重合体、シアノ基含有ポリマーなどが知られているが、周波数特性、低誘電正接、耐熱性の点で問題があり、電子部品を構成する絶縁材料として使用することに適しているとは言えない。
また誘電率が低い材料としては、ポリオレフィン、塩化ビニル樹脂、フッソ樹脂、シンジオタクティックポリスチレン、芳香族ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレ
ジン)、架橋性ポリフェニレンオキサイド、硬化性ポリフェニレンオキサイド、ポリビニ
ルベンジルエーテル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等、さまざまな樹脂が知られているが、これらは上述したように高周波域の電波の使用に対応できないばかりか、耐熱性、薄膜加工性、耐薬品性、絶縁性、低誘電正接、低吸水率等の電子部品に要求される基本的性能をすべて満足するものはないのが現実であり、また上記樹脂のみでは高誘電率で且つ低誘電正接を実現するのは困難であるのが実情である。
ジン)、架橋性ポリフェニレンオキサイド、硬化性ポリフェニレンオキサイド、ポリビニ
ルベンジルエーテル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等、さまざまな樹脂が知られているが、これらは上述したように高周波域の電波の使用に対応できないばかりか、耐熱性、薄膜加工性、耐薬品性、絶縁性、低誘電正接、低吸水率等の電子部品に要求される基本的性能をすべて満足するものはないのが現実であり、また上記樹脂のみでは高誘電率で且つ低誘電正接を実現するのは困難であるのが実情である。
そこで、電子部品に要求される基本性能を満足しつつ、複合誘電体層の高誘電率及び低誘電正接を達成するべく、電子部品の複合誘電体層を構成する絶縁材料として、ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物に誘電体セラミック粉末を分散したものが知られている(特開2001−247733号公報)。
特開2001−247733号公報
ルベンジルエーテル化合物に誘電体セラミック粉末を分散したものが知られている(特開2001−247733号公報)。
前述した従来の公報に記載の複合誘電体層を用いた電子部品は、特性の上で未だ改善の余地を有していた。
即ち、上述した特許文献1の複合誘電体層を用いた電子部品は、高誘電率及び低誘電正接を示すものの、曲げ強度や高温下で使用した時の誘電特性の点で未だ改良の余地を有していた。即ち、前述した従来の電子部品は、取り扱い性や、高温使用時における性能維持については未だ改良の余地が残されていた。
また、上述した特許文献1の複合誘電体層を用いた電子部品においては、複合誘電体層の誘電率や誘電正接(tanδ)等の電気的特性は良好であるものの、その材料は強度面で優れているわけではない。従って、特許文献1に記載の電子部品には、強度面で未だ改良の余地が残されていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、特性を十分に向上させることができる電子部品及び多層基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明者らは、特に電子部品を構成する複合誘電体層の材料に着目して鋭意開発を続けた結果、特定の樹脂硬化物を含む有機絶縁材料に対して誘電体セラミック粉末が添加されることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも1つの複合誘電体層と、前記複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも1つの導電性素子部とを備える電子部品において、前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、2以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むことを特徴とする。また本発明は、有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも1つの複合誘電体層と、前記複合誘電体層に設けられる少なくとも1つの導電性素子部と、前記導電性素子部に対して電気的に接続される電気素子とを備える電子部品において、前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、2以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むことを特徴としてもよい。なお、本発明の電子部品においては、活性エステル化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、該フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を2以上有する化合物とを反応させてなるものであってもよい。ここで、フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基としてはカルボキシル基やハロホルミル基(クロロホルミル基等)が挙げられる。
この電子部品によれば、誘電体セラミック粉末が、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有するため、ギガHzの高周波域においても複合誘電体層が高誘電率及び低誘電正接を示す。このため、電子部品における伝送損失が低減され、電子部品の小型化、軽量化が可能となる。また100℃以上の高
温下で長時間使用しても、100MHz以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。
温下で長時間使用しても、100MHz以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。
上記電子部品における活性エステル化合物が下記一般式(1)で表される芳香族系活性エステル化合物であることが好ましい。
[式中、kは2〜4の整数を示し、R1は、ハロゲン原子及びアルキル基からなる群より
選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、ハロゲン原子、アルキル基及びフェニル基(該フェニル基はハロゲン原子及び/又はアルキル基で置換されていてもよい。)からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフェニル基、を示し、R2は、1〜3個の芳香環(該芳香環はハロゲン原子及び/又はアルキル基
で置換されていてもよい。)を含む2〜4価の基を示す。但し、R2が芳香環を複数含む
場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合、カルボニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも1つの結合で結合している。]
選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、ハロゲン原子、アルキル基及びフェニル基(該フェニル基はハロゲン原子及び/又はアルキル基で置換されていてもよい。)からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフェニル基、を示し、R2は、1〜3個の芳香環(該芳香環はハロゲン原子及び/又はアルキル基
で置換されていてもよい。)を含む2〜4価の基を示す。但し、R2が芳香環を複数含む
場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合、カルボニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも1つの結合で結合している。]
活性エステル化合物として上記芳香族系活性エステル化合物を用いることにより、樹脂硬化物のギガHzの周波数領域における誘電正接の低減がより顕著となるばかりでなく、芳香環の存在に起因して、樹脂硬化物の耐熱性、ガラス転移温度及び分解開始点温度が更に向上する。
上記電子部品においては、上記誘電体セラミック粉末が、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が3.7〜300であり、Q値が500〜100,000である金属酸化物粉末であることが好ましく、前記誘電体セラミック粉末が、前記有機絶縁材料100体積部に対して5〜185体積部添加されていることが好ましい。なお、上記比誘電率及びQ値は、ギガHz帯における値であり、本発明において、ギガHz帯とは、100MHz〜10GHzの周波数帯をいう。
上記電子部品において、上記誘電体セラミック粉末を用いることにより、また、有機絶縁材料に対する誘電体セラミック粉末の添加量を上記範囲内にすることにより、誘電率向上及び誘電正接低減の度合いを向上できる。
前記樹脂硬化物は、前記エポキシ樹脂と前記活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなり、前記添加剤が、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも1つの添加剤であってもよい。
硬化促進剤はエポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を高速化させる。また表面処理剤の添加により、樹脂硬化物における誘電体セラミック粉末の濡れや界面接着性を向上させることができる。また、難燃剤の添加により難燃性を向上でき、可とう性付与剤の添加により、樹脂硬化物の取扱い性を改良することができるとともに、樹脂硬化物の脆性を改善して靭性を付与できる。
上記電子部品においては、上記有機絶縁材料がポリアリレートを更に含むことが好ましい。この場合、Bステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。
また上記ポリアリレートが、構造単位X及び構造単位Yから構成された−X−Y−で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり(複数存在する当該構造単位X及び構造単位Yのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。)、前記構造単位Xは、下記式(2)で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり(当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、40モル%未満である。)、
前記構造単位Yは下記一般式(3)で表される2価基であることが好ましい。
[式中、R11及びR12は、それぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、Zは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、p及びqはそれぞれ独立に0〜4の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいてR11、R12及びZが複数存在するときは、R11、R12及びZはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]
ポリアリレートが上記構成とされることにより、上記構成以外の構成を有するポリアリレートに比べて、プリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
上記一般式(3)において、前記R11及び前記R12がメチル基であり、前記Zが単結合であることが好ましい。
この場合、特にプリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
前記複合誘電体層は、前記有機絶縁材料中に分散される磁性体粉末を更に含むことが好ましい。
この場合、磁性体粉末により、複合誘電体層に磁気特性を付加でき、線膨張係数が低減され、材料強度が向上する。
前記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことが好ましい。
この場合、強化繊維からなるクロスにより、複合誘電体層の曲げ強度が増強される。従って、電子部品の変形や欠損等が十分に防止される。
また、本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、多層基板及び電子部品を以下の構成とすることによっても上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、樹脂を含む少なくとも1つの第1誘電体層と、樹脂を含む少なくとも1つの第2誘電体層と、少なくとも1つの導体層とを積層して構成され、前記第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下であり、前記第1誘電体層の限界たわみ量が、前記第2誘電体層の1.3倍以上であることを特徴とする多層基板及び電子部品である。
この多層基板及び電子部品によれば、第1誘電体層の限界たわみ量が第2誘電体層の1.3倍以上となっており、第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下となっている。即ち本発明の多層基板及び電子部品は、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
上記第2誘電体層が、上記樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでもよい。この場合、誘電率の小さい樹脂を用いる場合でも、良好な電気的特性を維持することが可能となる。
上記多層基板及び電子部品は2つの最外層を有し、前記2つの最外層の少なくとも一方が前記第1誘電体層で構成され、前記2つの最外層の間に前記少なくとも1つの第2誘電体層が配置されていることが好ましい。この場合、多層基板及び電子部品に過大な負荷が加えられても、多層基板又は電子部品における欠損の発生をより十分に防止することが可能となる。
上記多層基板及び電子部品においては、前記第1誘電体層のピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上であることが好ましい。この場合、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生をより十分に防止することが可能となる。
また本発明は、樹脂を含む2つの第1誘電体層と、前記2つの第1誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも1つの第2誘電体層と、少なくとも1つの導体層とを積層して構成され、前記2つの第1誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、前記第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下であり、前記第1誘電体層のピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上であることを特徴とする多層基板及び電子部品である。これら多層基板及び電子部品によれば、ピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上となっており、第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下となっている。即ち本発明の多層基板及び電子部品は、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
上記多層基板及び電子部品においては、上記第1誘電体層のピール強度は8N/cm以上であることが好ましい。この場合、第1誘電体層のピール強度が8N/cm未満である
場合に比べて、実装する受動素子及び能動素子の固着強度及び引き剥がし強度や、多層基板及び電子部品の電極強度がより向上する。
場合に比べて、実装する受動素子及び能動素子の固着強度及び引き剥がし強度や、多層基板及び電子部品の電極強度がより向上する。
また本発明は、上述した多層基板と、多層基板に設けられる電気素子とを備えることを特徴とする電子部品である。この場合でも、多層基板が、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含むため、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
なお、本発明の多層基板及び電子部品において、限界たわみ量とは、縦100mm、横75mm、厚さ0.6mmの矩形平板状の第1誘電体層又は第2誘電体層に厚さ12μmのCu箔を積層したものを加重によりたわませたときに、第1誘電体層又は第2誘電体層が破壊するか、又は第1誘電体層又は第2誘電体層に欠損(クラック)が発生するときのたわみ量のことを言うものとし、たわみ量は3点曲げによる測定(JIS C6481に記載の曲げ強さの試験方法に準拠した測定)によって得られるたわみ量のことを言う。また、ピール強度とは、JIS C6481で定義される引き剥がし強さを言うものとする。
なお、本発明の多層基板及び電子部品において、限界たわみ量とは、縦100mm、横75mm、厚さ0.6mmの矩形平板状の第1誘電体層又は第2誘電体層に厚さ12μmのCu箔を積層したものを加重によりたわませたときに、第1誘電体層又は第2誘電体層が破壊するか、又は第1誘電体層又は第2誘電体層に欠損(クラック)が発生するときのたわみ量のことを言うものとし、たわみ量は3点曲げによる測定(JIS C6481に記載の曲げ強さの試験方法に準拠した測定)によって得られるたわみ量のことを言う。また、ピール強度とは、JIS C6481で定義される引き剥がし強さを言うものとする。
本発明の電子部品によれば、電子部品の特性を十分に向上させることができる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明の電子部品は、有機絶縁材料と、有機絶縁材料よりも大きい誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも1の複合誘電体層と、複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも1つの導電性素子部とを備えており、上記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、2以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むものである。
この電子部品によれば、誘電体セラミック粉末が、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有するため、ギガHzの高周波域においても複合誘電体層が高誘電率及び低誘電正接を示す。このため、電子部品における伝送損失が低減され、電子部品の小型化、軽量化が可能となる。また100℃以上の高温下で長時間使用しても、100MHz以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。また本発明の電子部品によれば、高温使用時の誘電特性も向上し得る。言い換えると、本発明の電子部品によれば、その特性を十分に向上させることができる。
まず上述した複合誘電体層について説明する。
複合誘電体層は、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料を含有しており、樹脂硬化物は、エポキシ樹脂と、活性エステル化合物とを硬化反応させてなるものである。
エポキシ樹脂は、エポキシ基を1以上有した化合物であればよいが、分子量及び架橋度の観点からはエポキシ基を2以上有した化合物が好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール変性ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂などのフェノール系グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコールグルシジルエーテル型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂などのアルコール系グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゾピラン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシジナフタレン型エポキシ樹脂、ヘキサヒドロ無水フタル酸やダイマー酸などを原料としたグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノフェニルメタンなどのポリアミンを原料としたグリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂などのフェノール系グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコールグルシジルエーテル型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂などのアルコール系グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゾピラン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシジナフタレン型エポキシ樹脂、ヘキサヒドロ無水フタル酸やダイマー酸などを原料としたグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノフェニルメタンなどのポリアミンを原料としたグリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記活性エステル化合物は、2以上のカルボキシル基を有する化合物と、フェノール性水酸基を有する化合物とを反応させてなるものである。
活性エステル化合物は、上記一般式(1)で表される芳香族系活性エステル化合物が好ましい。そして、一般式(1)におけるR1としては、以下の基のいずれかが特に好適で
ある。なお、以下の基において、A及びBは、それぞれ独立にハロゲン原子又はアルキル基を示し、m1は0〜5の整数、m2は0〜4の整数、m3は0〜3の整数、をそれぞれ示
す。
ある。なお、以下の基において、A及びBは、それぞれ独立にハロゲン原子又はアルキル基を示し、m1は0〜5の整数、m2は0〜4の整数、m3は0〜3の整数、をそれぞれ示
す。
上記式中D、E及びGは、それぞれ独立にハロゲン原子又はアルキル基を示し、Tはエーテル結合(−O−)、チオエーテル結合(−S−)、スルホン結合(−SO2−)又は
カルボニル結合(−CO−)を示す。また、n1、n2及びn3はそれぞれ独立に0〜4の
整数、n4及びn5はそれぞれ独立に0〜3の整数、n6は0〜2の整数、をそれぞれ示す
。
カルボニル結合(−CO−)を示す。また、n1、n2及びn3はそれぞれ独立に0〜4の
整数、n4及びn5はそれぞれ独立に0〜3の整数、n6は0〜2の整数、をそれぞれ示す
。
上記2以上のカルボキシル基を有する化合物(以下、「多価カルボン酸」と言う)としては、例えば脂肪族系カルボン酸及び芳香族系カルボン酸が挙げられる。脂肪族系カルボン酸は、上記エポキシ樹脂との混合時における相溶性を増すために用いられるものであり、芳香族系カルボン酸は、主として複合誘電体層の耐熱性を増すために用いられるものである。
脂肪族系カルボン酸としては、例えばマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、アコニット酸、トリカルバリル酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸、4−メチル−4−シクロヘキセン、1,2−ジカルボン酸、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチルシクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物等の飽和又は不飽和の脂肪族多価カルボン酸、その無水物又は塩化物が用いられる。
また芳香族系カルボン酸としては、例えば安息香酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸などの安息香酸類、1−ナフトエ酸、2−ナフトエ酸などのナフトエ酸類、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸などのべンゼンジカルボン酸あるいはその酸無水物又は酸塩化物、トリメリット酸、トリメシン酸などのトリカルボン酸あるいはその酸無水物又は酸塩化物、ピロメリット酸や3,3',4,4'−ビフェニレンテトラカルボン酸などのテトラカルボン酸あるいはその酸無水物、1,4−ナフタレンジカルボ
ン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2,3−ナフタレンジカルボン酸などのナフタ
レンジカルボン酸あるいはその酸無水物、3,3',4,4−ベンゾフェノンテトラカルボン酸あるいはその酸無水物等が挙げられる。
ン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2,3−ナフタレンジカルボン酸などのナフタ
レンジカルボン酸あるいはその酸無水物、3,3',4,4−ベンゾフェノンテトラカルボン酸あるいはその酸無水物等が挙げられる。
またフェノール牲水酸基を有する化合物(以下、「フェノール系化合物」と言う)としては、例えばフェノール、クレゾール、キシレノールなどのフェノール類、ヒドロキノン、レゾルシン、カテコール、メチルヒドロキノンなどのベンゼンジオール類、フロログルシンなどのべンゼントリオール類、α−ナフトール、β−ナフトールなどのナフトール類、ナフタレンジオール類、o−フェニルフェノール、2,2'−ジヒドロキシビフェニルや2,2',4,4'−テトラメチルビフェノールなどのビフェノール類、2,2',4,4
−テトラヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
−テトラヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
上記活性エステル化合物の合成法としては、無水酢酸法、界面法、直接法等の従来公知の合成法が適用可能である。例えば、無水酢酸法では、フェノール系化合物を、例えば過剰の無水酢酸によりアセチル化した後、多価カルボン酸と脱酢酸反応を行うことにより、
活性エステル化合物を得ることができる。このとき、無水酢酸は、十分なアセチル化を行うべく、フェノール性水酸基と等モル以上使用することが好ましい。
活性エステル化合物を得ることができる。このとき、無水酢酸は、十分なアセチル化を行うべく、フェノール性水酸基と等モル以上使用することが好ましい。
界面法では、多価カルボン酸の酸塩化物を含む有機相と、フェノール系化合物を含む水相とを接触させて活性エステル化合物を得ることができる。有機相に用いる溶媒としては、多価カルボン酸の酸塩化物を溶解せしめる非水溶性の溶媒が用いられ、かかる非水溶性の溶媒としては、例えばトルエン、ヘキサン等が好ましい。
上記エポキシ樹脂に対する上記活性エステル化合物の添加量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量に対しエステル当量が0.3〜4.0倍当量となる量であることが好ましく、0.8〜3.0倍当量となる量であることがより好ましい。エステル当量が0.3倍当量未満では、エポキシ樹脂の硬化が不十分となる傾向があり、4.0倍当量を超えると、誘電率の十分低い樹脂硬化物を得ることが困難となる傾向がある。
上記樹脂硬化物は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなるものであってもよい。
添加剤は、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも1つの添加剤である。
上記硬化促進剤は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を促進し得るものであれば特に制限されず、かかる硬化促進剤としては、主としてエポキシ樹脂の硬化時に使用される一般的な硬化促進剤を用いることができる。
すなわちこの硬化促進剤としては、例えば2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイトなどの有機ホスファイト化合物、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスホニウム塩、トリエチルアミン、トルブチルアミンなどのトリアルキルアミン、1,8−ジアザシクロ(
5,4,0)−ウンデセン−7(以下、「DBU」と略称する)などのアミン類及びDBUと
テレフタル酸や2,6−ナフタレンカルボン酸との塩、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムブロミド、ベンジルトルメチルアンモニウムクロリドなどの第4級アンモニウム塩、3−フェニル−1,1−ジメチル
尿素、3−(4−メチルフェニル)−1,1−ジメチル尿素、3−(4−クロロフェニル)−1,1−ジメチル尿素、3−(3,4−ジクロロフェニル)−ジメチル尿素などの尿素化合物、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの塩基類、カリウムフェノキシドやカリウムアセテートなどのクラウンエーテルの塩等が挙げられ、これらを単独でもしくは2種以上の混合物として用いることができる。
5,4,0)−ウンデセン−7(以下、「DBU」と略称する)などのアミン類及びDBUと
テレフタル酸や2,6−ナフタレンカルボン酸との塩、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムブロミド、ベンジルトルメチルアンモニウムクロリドなどの第4級アンモニウム塩、3−フェニル−1,1−ジメチル
尿素、3−(4−メチルフェニル)−1,1−ジメチル尿素、3−(4−クロロフェニル)−1,1−ジメチル尿素、3−(3,4−ジクロロフェニル)−ジメチル尿素などの尿素化合物、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの塩基類、カリウムフェノキシドやカリウムアセテートなどのクラウンエーテルの塩等が挙げられ、これらを単独でもしくは2種以上の混合物として用いることができる。
硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計100重量部に対して0.005〜10.0重量部であることが好ましい。0.005重量部未満では硬化反
応が遅くなる傾向があり、10.0重量部を超えると保存安定性が低下し、さらにはエポ
キシ樹脂の自己重合が優先される傾向がある。
応が遅くなる傾向があり、10.0重量部を超えると保存安定性が低下し、さらにはエポ
キシ樹脂の自己重合が優先される傾向がある。
上記難燃剤は、必要とされる難燃性に応じて添加する。難燃剤には、大きく分けて反応系難燃剤と添加系難燃剤の二種類がある。反応系難燃剤の主剤としては、臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂、臭素化フェノール樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ
樹脂などが挙げられ、硬化剤としては、クロレンド酸無水物、テトラブロモ無水フタル酸などが挙げられる。また添加系難燃剤としては、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤;リン酸エステルアミド等のリン酸系難燃剤;チッソ系難燃剤;金属塩系難燃剤;水和金属系難燃剤;三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機系難燃剤等が挙げられる。上記難燃剤は1種類、もしくは2種類以上を混合してもよい。
樹脂などが挙げられ、硬化剤としては、クロレンド酸無水物、テトラブロモ無水フタル酸などが挙げられる。また添加系難燃剤としては、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤;リン酸エステルアミド等のリン酸系難燃剤;チッソ系難燃剤;金属塩系難燃剤;水和金属系難燃剤;三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機系難燃剤等が挙げられる。上記難燃剤は1種類、もしくは2種類以上を混合してもよい。
また難燃剤の添加量は、樹脂組成物100重量部に対して5〜50重量部の範囲で添加することが好ましい。これは、ポリアリレート、誘電体セラミック粉末はそれ自体難燃性を有するか、あるいは難燃効果を発現する材料であり、ポリアリレート、誘電体セラミック粉末の配合が多い場合は難燃剤の添加量は少なくてもよく、少ない場合は添加量を多くすれば良い。また添加量は、必要とされる難燃性(例えばUL94の5V、V−0、V−1、V−2、HBクラス及び取得したい厚み)に応じて決定すればよい。
上記可撓性付与剤は、複合誘電体層に靭性を付与することが可能であり、また複合誘電体層が、強化繊維を含むプリプレグである場合、そのハンドリング性が向上する。
上記可撓性付与剤としては、例えばダイマー酸変性等の指環式エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン、ポリブタジエン、水添ポリブタジエン、ゴム変性エポキシ樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマーなどが挙げられるが、可撓性付与剤はこれらに限定されるものではない。
上記表面処理剤は、誘電体セラミック粉末と有機絶縁材料との密着性を高め、吸水性を低減するものである。
このような表面処理剤としては、例えばクロロシラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤、有機官能性シラン系カップリング剤、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは2種類以上を混合してもよい。
電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤であることが好ましい。
表面処理剤の添加量は、誘電体セラミック粉末100重量部に対して0.1〜5重量部
の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用する誘電体セラミック粉末の粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用する誘電体セラミック粉末の粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
また有機絶縁材料は、上述した樹脂硬化物のほか、ポリアリレートを更に含むことが好ましい。この場合、Bステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。
上記ポリアリレートは、構造単位X及び構造単位Yから構成された−X−Y−で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり(複数存在する当該構造単位X及び構造単位Yのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。)、前記構造単位Xは、下記式(2)で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり(当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、40モル%未満である。)、
前記構造単位Yは下記一般式(3)で表される2価基であることが好ましい。
[式中、R11及びR12は、それぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、Zは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、p及びqはそれぞれ独立に0〜4の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいてR11、R12及びZが複数存在するときは、R11、R12及びZはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]
ポリアリレートが上記構成とされることにより、上記構成以外の構成を有するポリアリレートに比べて、プリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
上記一般式(3)において、前記R11及び前記R12がメチル基であり、前記Zが単結合であることが好ましい。
この場合、特にプリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
上記ポリアリレートの合成法としては、界面重合法、溶液重合法が適用できるが、中でも純度が高く誘電正接が低いポリアリレートが短時間で得られることから、界面重合法が好ましい。
界面重合法では、フタル酸、イソフタル酸及びテレフタル酸からなる群より選ばれる1種以上のジカルボン酸のハロゲン化物を、有機溶剤溶液及び下記一般式(3a)で示される2価フェノール化合物のフェノラートイオンと接触させ、界面重縮合を生じせしめポリアリレートを得ることが好ましい。なお、一般式(3a)中のR11、R12、Z、p及びqについては上記と同義である。また、上記反応において、ジカルボン酸ハロゲン化物中のテレフタル酸ハロゲン化物の割合は40モル%以下でなければならない。
上記反応は、ジカルボン酸ハロゲン化物をトルエンや塩化メチレン等の有機溶剤に溶解させ、上述の2価フェノールをアルカリ金属の水溶液に各々0.1〜2モル/Lの節囲で溶解させ、これら2液を接触させることにより、ジカルボン酸ハロゲン化物と、2価フェノールを界面重合させることがより好ましい。
この場合において、有機溶剤に相間移動触媒を添加すると反応が促進されるため好適である。相間移動触媒としては、塩化メチルトリオクチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム等のアンモニウム塩、臭化テトラブチルホスホニウム等のホスホニウム塩が挙げられる。
界面重合を行う場合には用いる水の酸素を予め除去しておくことが好ましい。酸素の除去により得られるポリアリレートの着色が抑制できる。
また、反応系には界面活性剤を添加することも可能である。重縮合反応方式はバッチ式でも連続式でもよく、反応温度は、−5〜100℃の温度であって有機溶剤の沸点を超えない温度が好ましく、0〜80℃が特に好ましい。
また有機絶縁材料が上記ポリアリレートを含む場合は、ポリアリレートの添加量は、上記エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の総量100重量部に対し5〜70重量部とすればよい。ポリアリレートの添加量が5重量部未満では、電子部品の製造効率が低下する傾向があり、70重量部を超えると、複合誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下し、長期間の使用により導電性金属が複合誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。
本発明に用いる複合誘電体層は、上述した有機絶縁材料中に分散される誘電体セラミック粉末を含有する。この誘電体セラミック粉末としては、100MHz以上の高周波領域において有機絶縁材料よりも大きい比誘電率及びQ値を有するものが用いられる。
上記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が3.7〜300であり、Q値が500〜100,000である金属酸化物粉末であることが好ましい。
金属酸化物粉末の比誘電率が3.7未満である場合は、複合誘電体層の比誘電率を高くすることができず、電子部品の小型化、軽量化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末の比誘電率が300を超えるか、Q値が500未満である場合、使用時に電子部品が過剰に発熱すると共に、伝送損失が低下する傾向がある。なお、上記誘電体セラミック粉末は通常、単結晶や多結晶で構成される。
上記誘電体セラミック粉末の具体例としては、下記成分を主成分とするものが挙げられ
る。
る。
すなわちMg2SiO4[ε=7、Q=20000]、Al2O3[ε=9.8、Q=40000]、MgTiO3[ε=17、Q=22000]、ZnTiO3[ε=26、Q=800]、
Zn2TiO4[ε=15、Q=700]、TiO2[ε=104、Q=15000]、CaT
iO3[ε=170、Q=1800]、SrTiO3[ε=255、Q=700]、SrZrO3[ε=30、Q=1200]、BaTi2O5[ε=42・Q=5700]、BaTi4O9[ε=38、Q=9000]、Ba2Ti9O20[ε=39、Q=9000]、Ba2(Ti,Sn)9O20[ε=37、Q=5000]、ZrTiO4[ε=39、Q=7000]、(Zr,Sn)
TiO4[ε=38、Q=7000]、BaNd2Ti5O14[ε=83、Q=2100]、B
aNd2Ti4O12[ε=92、Q=1700]、BaSm2TiO14[ε=74、Q=2400]、BaO−CaO−Nd2O3−TiO2[ε=90、Q=2200]、BaO−SrO−Nd2O3−TiO2[ε=90、Q=1700]、BaO−Nd2O3、MgO−TiO2、MgO−SiO2[ε=6.1、Q=5000]、ZnO−TiO2[ε=26、Q=840]、Bi2O3−BaO−Nd2O3−TiO2[ε=88、Q=2000]、PbO−BaO−N
d2O3-TiO2[ε=90、Q=5200]、(Bi2O3、PbO)−BaO−Nd2O3−TiO2[ε=105、Q=2500]、La2Ti2O7[ε=44、Q=4000]、Nd2T
i2O7[ε=37、Q=1100]、(Li,Sm)TiO3[ε=81、Q=2050]、B
a(Mg1/3Ta2/3)O3[ε=25、Q=35000]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε=3
0、Q=14000]、Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3[ε=41、Q=9200]、Sr(Z
n1/3Nb2/3)O3[ε=40、Q=4000]、BaTiO3(ε=1500、Q=100)
、(Ba,Pb)TiO3(ε=6000)、Ba(Ti,Zr)O3(ε=9000)又は、(Ba,Sr)TiO3(ε=7000)。
Zn2TiO4[ε=15、Q=700]、TiO2[ε=104、Q=15000]、CaT
iO3[ε=170、Q=1800]、SrTiO3[ε=255、Q=700]、SrZrO3[ε=30、Q=1200]、BaTi2O5[ε=42・Q=5700]、BaTi4O9[ε=38、Q=9000]、Ba2Ti9O20[ε=39、Q=9000]、Ba2(Ti,Sn)9O20[ε=37、Q=5000]、ZrTiO4[ε=39、Q=7000]、(Zr,Sn)
TiO4[ε=38、Q=7000]、BaNd2Ti5O14[ε=83、Q=2100]、B
aNd2Ti4O12[ε=92、Q=1700]、BaSm2TiO14[ε=74、Q=2400]、BaO−CaO−Nd2O3−TiO2[ε=90、Q=2200]、BaO−SrO−Nd2O3−TiO2[ε=90、Q=1700]、BaO−Nd2O3、MgO−TiO2、MgO−SiO2[ε=6.1、Q=5000]、ZnO−TiO2[ε=26、Q=840]、Bi2O3−BaO−Nd2O3−TiO2[ε=88、Q=2000]、PbO−BaO−N
d2O3-TiO2[ε=90、Q=5200]、(Bi2O3、PbO)−BaO−Nd2O3−TiO2[ε=105、Q=2500]、La2Ti2O7[ε=44、Q=4000]、Nd2T
i2O7[ε=37、Q=1100]、(Li,Sm)TiO3[ε=81、Q=2050]、B
a(Mg1/3Ta2/3)O3[ε=25、Q=35000]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε=3
0、Q=14000]、Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3[ε=41、Q=9200]、Sr(Z
n1/3Nb2/3)O3[ε=40、Q=4000]、BaTiO3(ε=1500、Q=100)
、(Ba,Pb)TiO3(ε=6000)、Ba(Ti,Zr)O3(ε=9000)又は、(Ba,Sr)TiO3(ε=7000)。
上記誘電体セラミック粉末のうち、Qが高く且つεが樹脂よりも大きいという理由から、TiO2、CaTiO3、SrTiO3、BaO−Nd2O3−TiO2、BaO−CaO−Nd2O3−TiO2、BaO−SrO−Nd2O3−TiO2、BaO−Sm2O3−TiO2
、BaTi4O9、Ba2Ti9O20、Ba2(Ti,Sn)9O20、MgO−TiO2、ZnO−TiO2、MgO−SiO2、Al2O3の成分を主成分とするものが好ましい。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
、BaTi4O9、Ba2Ti9O20、Ba2(Ti,Sn)9O20、MgO−TiO2、ZnO−TiO2、MgO−SiO2、Al2O3の成分を主成分とするものが好ましい。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、0.01〜100μmの範囲内にあることが好ましく、0.2〜20μmの範囲内にあることがさらに好ましい。平均粒径が0.01μm未満では、ワニス粘度の増加、樹脂組成物の流動性の低下を起こし、接着性能が発現しなくなるおそれがあり、100μmを超えるとプリプレグ作製時に誘電体セラミック粉末が沈降するおそれがある。
また誘電体セラミック粉末の添加量は、有機絶縁材料100体積部に対して5〜185体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。誘電体セラミック粉末の添加量が5体積部未満では、誘電体セラミック粉末により誘電率を増加させることが困難となる傾向があり、185体積部を超えると、複合誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下し、長期間の使用により導電性金属が複合誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。
また本発明に用いる複合誘電体層は、上記誘電体セラミック粉末に加えて、更に磁性体粉末を含有することが好ましい。この磁性体粉末により、複合誘電体層に磁気特性を付加し、線膨張係数を低減し、材料強度を向上させることができる。
上記磁性体粉末としては、Mn−MgZn、Ni−Zn、Mn−Mg、プラナ材等のフ
ェライトもしくはカルボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系合金、アモルファス系の強磁性金属が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
ェライトもしくはカルボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系合金、アモルファス系の強磁性金属が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
上記磁性体粉末の平均粒径は、0.01〜100μmの範囲内にあることが好ましく、
0.2〜20μmの範囲内にあることがさらに好ましい。磁性体粉末の平均粒径が0.0
1μm未満では、樹脂の混練がしにくくなる傾向があり、100μmを超えると、均一な分散を行うことができなくなる傾向がある。
0.2〜20μmの範囲内にあることがさらに好ましい。磁性体粉末の平均粒径が0.0
1μm未満では、樹脂の混練がしにくくなる傾向があり、100μmを超えると、均一な分散を行うことができなくなる傾向がある。
また磁性体粉末の添加量は、有機絶縁材料100体積部に対して5〜185体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。5体積部未満では、粉末添加の効果が表れない傾向があり、185重量部を超えると、流動性が悪くなる。
また上記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことが好ましい。この場合、強化繊維からなるクロスにより複合誘電体層の機械強度が増強され、電子部品の欠損又は変形等が十分に防止される。
上記強化繊維の材質は、Eガラス、Dガラス、NEガラス、Hガラス、Tガラス又はアラミド繊維のいずれかであることが好ましい。これらのうち、NEガラスは低誘電正接であり、Hガラスは高誘電率を有し、Eガラスは、コストとのバランスが取れる。従って、要求する特性に応じて、適宜使い分ければよい。
クロスの厚さは、20〜300μmであることが好ましく、必要とする厚さ、特性に応じて適宜使い分ければよい。
クロスの具体例としては、101(厚さ20μm)、106(厚さ30μm)、1080(厚さ50μm)、2116(厚さ100μm)、7628(厚さ200μm)などが挙
げられる。
げられる。
またクロスの表面には、必要に応じて開繊、閉塞等の処理を施してもよく、さらにはクロス表面に、樹脂との密着力を高めるためにカップリング剤等による表面処理を施しても良い。
本発明の電子部品は、上記複合誘電体層に設けられる少なくとも1つの導電性素子部を有している。導電性素子部は、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成するものであり、複合誘電体層において、導電性素子部は1つに限らず、複数あってもよい。複合誘電体層に複数又は複数種類の導電性素子部を設けることにより、電子部品に種々の機能を付与することが可能である。具体的には、導電性素子部は、複合誘電体層に形成される金属箔等で構成される。
上記金属箔としては、銅、ニッケル、クロム、金、銀、錫、ニッケル−クロム合金等が挙げられるが、安価、入手の容易性という理由から、銅が好ましい。金属箔の厚さは1〜70μmであることが好ましい。金属箔の作製方法は、電解、圧延、スパッタ、蒸着のいずれの方法であってもよく、要求される厚さ、特性によって適宜選択すればよい。
本発明において、電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合としたエポキシ樹脂、活性エステル化合物、ポリアリレート、及び誘電体セラミック粉末、磁性体粉末を含む樹脂組成物を溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗工し、乾燥して半硬化の状態とすればよい。ここで、「半硬化」とは、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応が一部進行しているものの、示差走査熱量計(DSC)を用いた場合に、上記反応に
伴う熱の収支が観察される状態をいい、かかる状態は、例えば、プリプレグを硬化温度で短時間加熱することにより到達される。一方、プリプレグを硬化させることにより上記反応を完了させることができ、この場合には、反応に伴う熱の収支がDSCで観察されない。この際に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジオキソラン等の揮発性溶剤が挙げられる。かかる溶剤は、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びポリアリレートを液状化すると共に、ペーストの粘度調整するために用いられる。混練は、ボールミル、攪拌機等の公知の方法により行うことができる。
伴う熱の収支が観察される状態をいい、かかる状態は、例えば、プリプレグを硬化温度で短時間加熱することにより到達される。一方、プリプレグを硬化させることにより上記反応を完了させることができ、この場合には、反応に伴う熱の収支がDSCで観察されない。この際に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジオキソラン等の揮発性溶剤が挙げられる。かかる溶剤は、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びポリアリレートを液状化すると共に、ペーストの粘度調整するために用いられる。混練は、ボールミル、攪拌機等の公知の方法により行うことができる。
上述したプリプレグ及びプリプレグを完全に硬化させて構成されるシート状硬化物(基板)の作製方法としては、下記2つの方法が挙げられる。
(方式1)
(方式1)
スラリー化したペーストを強化繊維からなるクロスに含浸塗工した後、乾燥して半硬化の状態とし、クロス入りプリプレグを得る。この際に塗工するペーストの厚さは、クロスに対して片側5〜50μmとすることが好ましい。5μm未満では、プリプレグとしての流動性を確保することが困難となる傾向があり、50μmを超えると、ペーストのだれ等が生じやすくなり、厚さ、付着重量等にバラツキが大きくなる。乾燥条件は、使用する溶剤、塗工する厚さによって適時条件を定めればよいが、50℃〜150℃程度で1〜60分程度の範囲から選択すればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けるステップ乾燥を行ってもよい。
シート状硬化物を得るには、高温真空プレスを用いてプリプレグを加熱及び加圧することが一般的であり、温度及び加熱時間は、150〜250℃の間で0.5〜20時間の時間とすればよい。減圧は必要に応じて行うが、30Torr以下で行うことが好ましい。なお、この際にシート状硬化物の片面又は両面金属箔をつけた積層体を得ようとする場合は、高温真空プレスの際にプリプレグの上下に金属箔を置いて加熱、加圧プレスすればよい。
(方式2)
(方式2)
スラリー化したペーストを金属箔若しくはPET、PI、PPS、LCP等のフィルム上にドクターブレード制御による方式、スプレー方式、カーテンコート方式、スピンコート方式、スクリーン印刷方式など公知の方法のいずれかを用いて塗工すればプリプレグを得ることができる。必要とされる厚さ、精度、材料供給形態(例えばロールによる供給か、シートによる供給か)に応じて適時選択すればよい。
この際に塗工されるペーストの厚さは、乾燥後で5〜100μmの範囲内とすればよく、さらに詳しくは、誘電体セラミック粉末の最大粒径の2倍以上の厚さとすればよい。誘電体セラミック粉末の最大粒径の2倍未満では、塗工の際のペーストの塗工性、平滑性やその硬化物の絶縁性に問題が生じるおそれがあり、厚さが100μmを超えると、残存する溶剤を除去する乾燥条件出しが困難となる傾向がある。
但し、この場合は薄い厚さのペーストを重ね塗りしてもよい。乾燥条件は材料組成、得たい厚み、使用する溶剤によって適時条件を定めればよいが、50〜150℃程度の温度で1〜60分程度の時間、乾燥させればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けて変化させるステップ乾燥を行ってもよい。
こうして得られた半硬化接着シート(上下に金属箔が必要な場合は金属箔に塗工した半硬化接着シート、上下に金属箔が不要な場合はPET、PI、PPS、LCP等のフィルム上に塗工した半硬化接着シート)を2つ用い、間にクロスを挟んで高温真空プレスを行
う。なお、クロス中への含浸、充填性が心配される場合は、あらかじめクロスに、固形分濃度を薄くしたペースト(エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び溶剤の混合物)を含浸、乾燥しておいてもよい。高温真空プレスは、150〜250℃の温度で0.5〜20時間の時間で行えばよい。また必要に応じステップキュアを行ってもよい。圧力は1.5〜6.0MPaの間で行えばよく、減圧は必要に応じて行うが、30Torr以下で行うのが好ましい。
う。なお、クロス中への含浸、充填性が心配される場合は、あらかじめクロスに、固形分濃度を薄くしたペースト(エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び溶剤の混合物)を含浸、乾燥しておいてもよい。高温真空プレスは、150〜250℃の温度で0.5〜20時間の時間で行えばよい。また必要に応じステップキュアを行ってもよい。圧力は1.5〜6.0MPaの間で行えばよく、減圧は必要に応じて行うが、30Torr以下で行うのが好ましい。
なお、上記積層体には、両面パターンニング基板や多層基板などがあり、これらは以下のようにして製造することができる。
図72は、両面パターニング基板の製造フローを示すものであり、図73は、両面パターンニング基板形成例の工程図を示す。図72、図73に示されるように、所定厚さのプリプレグ(銅箔無し)1と所定厚さの銅(Cu)箔2とを重ねて加圧加熱して成形する(工程A)。次にスルーホールをドリリングにより形成する(工程B)。形成したスルーホールに銅(Cu)メッキを施し、メッキ膜23を形成する(工程C)。さらに両面の銅箔2にパターニングを施し、導体パターン211を形成する(工程D)。その後、図72に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す(工程E)。この場合のメッキはNiメッキ後にさらにPdメッキを施す方法、Niメッキ後にさらにAuメッキを施す方法(メッキは電解または無電解メッキ)、半田レベラーを用いる方法により行われる。
図74は多層基板製造例のフローであり、図75は多層基板の製造工程図であり、誘電体層を3層積層する例が示されている。図74、図75に示されるように、所定厚さのプリプレグ1と所定厚さの銅(Cu)箔とを重ね合せ、加圧加熱して成形する(工程a)。次に両面の銅箔2にパターニングを施し、導体パターン21を形成する(工程b)。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面側に、さらに所定厚さのプリプレグ1と銅箔2とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する(工程c)。次にスルーホールをドリリングにより形成する(工程d)。形成したスルーホールに銅(Cu)メッキを施し、メッキ膜4を形成する(工程e)。さらに両面の銅箔2にパターニングを施し、導体パターン21を形成する(工程f)。その後図74に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す(工程g)。この場合のメッキはNiメッキ後にさらにPdメッキを施す方法、Niメッキ後にさらにAuメッキを施す方法(メッキは電解または無電解メッキ)、半田レベラーを用いる方法により行われる。
上記の加熱加圧の成形条件は、100〜200℃の温度で、9.8×105〜7.84
×106Pa(10〜80kgf/cm2)の圧力で、0.5〜20時間とすることが好ましい。
×106Pa(10〜80kgf/cm2)の圧力で、0.5〜20時間とすることが好ましい。
本発明の電子部品は、上記の例に限らず、種々の基板を用いて製造することができる。例えば成形材料としての基板や銅箔付基板(積層体)と、プリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化し、多層基板を得ることも可能である。
また、プリプレグやその成形材料としての基板と、銅箔とを接着する態様において、上記誘電体セラミック粉末、磁性体粉末、必要により難燃剤、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤を混練して得られた複合誘電体材料からなるペーストを、パターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
本発明の電子部品は、上記のようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターンを組み合わせることにより得ることができる。
本発明の電子部品は、上記のようなコンデンサ(キャパシタ)、コイル(インダクタ)、フィルタ等の他、これらと、これら以外の配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせたアンテナや、RFモジュール(RF増幅段)、VCO(電圧制御発振回路)、パワーアンプ(電力増幅段)等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等であってもよい。
次に、本発明の電子部品の実施形態についてさらに具体的に説明する。
(第1実施形態)
(第1実施形態)
図1は本発明の電子部品の第1実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図2は、本発明の電子部品の第1実施形態であるインダクタを示した断面図である。
図1,2において、インダクタ10は、構成層10a〜10eを積層してなる積層体と、構成層10b〜10eに設けられる内部導体13a〜13dと、この内部導体13a〜13dを電気的に接続するためのビアホール14とを有する。また内部導体13とビアホール14とによりコイルパターン(導電性素子部)が構成されている。
各構成層10a〜10eは、上記複合誘電体層により構成されている。ビアホール14はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。
また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極12が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極12に接続されている。なお、端子電極12の両端にはランドパターン11が設けられている。
端子電極12は、貫通ビアの円筒を半分に分割した構造となっている。端子電極12がこのような構造になるのは、集合積層基板に複数の素子を形成し、最終的に各素子ごとに切断する場合に、ダイシング、Vカット等により、貫通ビアの中心から切断するためである。
インダクタ10を高周波用のチップインダクタとして使用する場合、分布容量をできるだけ減らす必要があることから、各構成層10a〜10eの比誘電率は、2.6〜3.5とすることが好ましい。またインダクタ10が共振回路を構成するインダクタである場合は、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では各構成層10a〜10eの比誘電率を5〜40とすることが好ましい。
このインダクタ10においては、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、インダクタ10の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、インダクタ10は、構成層10a〜10eとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、インダクタ10の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。また電子部品の小型化、回路への容量素子の取付けの省略を図ることができる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要があるため、各構成層10a〜10eの誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることにより、材料損失の極めて少ない、Qの高いインダクタを得ることができる。また、各構成層10a〜10eは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
なお、図1の電子部品の等価回路を図10(a)に示す。図10(a)に示されるように、等価回路ではインダクタ10は、コイル31を有する電子部品(インダクタ)として示されている。
(第2実施形態)
(第2実施形態)
図3は本発明の電子部品の第2実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図4は、電子部品の第2実施形態であるインダクタを示した断面図である。
本実施形態の電子部品は、コイルパターンが、横方向、すなわち対向する端子電極12を結ぶ方向に巻回されている点で第1実施形態の電子部品と相違する。
その他の構成要素は、第1実施形態と同様であり、図3、図4において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第3実施形態)
(第3実施形態)
図5は本発明の電子部品の第3実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図6は、本発明の電子部品の第2実施形態であるインダクタを示した断面図である。
本実施形態の電子部品は、上下面においてそれぞれスパイラル状に形成された内部導体13がビアホール14により連結されている点で第1実施形態の電子部品と相違する。
その他の構成要素は、第1実施形態と同様であり、図5、図6において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第4実施形態)
(第4実施形態)
図7は本発明の電子部品の第4実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図8は、本発明の電子部品の第4実施形態であるインダクタを示した断面図である。
本実施形態の電子部品は、積層体の両側に設けられる端子電極12を結ぶ内部導体13のパターン形状をミアンダ状にしている点で第1実施形態の電子部品と相違する。
その他の構成要素は、第1実施形態と同様であり、図7、図8において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第5実施形態)
(第5実施形態)
図9は本発明の電子部品の第5実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。
本実施形態の電子部品は、積層体にコイルパターンを4連設けている点で、積層体にコイルパターンを1つ設けている第1実施形態の電子部品と相違する。このような構成とすることにより、電子部品を回路基板等に配置する場合に、1つのコイルバターンを有する電子部品を4つ用いる場合に比べて、省スペース化を図ることができる。
なお、図10(b)は、本実施形態のインダクタの等価回路図である。図10(b)に示すように、本実施形態のインダクタは、等価回路ではコイル31a〜31dが4連装されたものとして示されている。
(第6実施形態)
(第6実施形態)
図11は本発明の電子部品の第6実施形態であるキャパシタ(コンデンサ)を示した透視斜視図、図12は、本発明の電子部品の第6実施形態であるキャパシタ(コンデンサ)を示した断面図である。
図11、図12において、キャパシタ20は、構成層20a〜20gを積層してなる積層体と、構成層20b〜20g上に形成されている内部導体23と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極22とを備えている。そして、隣り合う内部導体23は、それぞれ異なる端子電極22に接続されている。また端子電極22の両端にはランドパターン2
1が設けられている。積層体に設けられる内部導体23により導電性素子部が構成されている。また各構成層20a〜20gは、上記複合誘電体層により構成されている。
1が設けられている。積層体に設けられる内部導体23により導電性素子部が構成されている。また各構成層20a〜20gは、上記複合誘電体層により構成されている。
また各構成層20a〜20gは、得られる容量の多様性や精度の観点からは2.6〜40の比誘電率を有し、0.0025〜0.0075の誘電正接を有することが好ましい。このキャパシタ20においては、高周波域においても比誘電率が高くなるため、内部導体23の面積を小さくすることができ、ひいてはキャパシタ20の小型化が可能となる。またキャパシタ20を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、キャパシタ20の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、キャパシタ20は、構成層20a〜20gとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、キャパシタ20の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。また誘電正接(tanδ)を0.0075〜0.025とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。各構成層20a〜20gは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
図14(a)は、キャパシタ20の等価回路図である。図14(a)に示すように、等価回路ではキャパシタ32を有する電子部品(コンデンサ)が示されている。
(第7実施形態)
(第7実施形態)
図13は本発明の電子部品の第7実施形態であるキャパシタを示した透視斜視図である。
本実施形態の電子部品は、キャパシタ素子を構成する4つの導電性素子部が積層体にアレイ状に設けられている点で、キャパシタ素子を構成する1つの導電性素子部が積層体に設けられている第6実施形態のキャパシタと相違する。またキャパシタ素子の数に合せて端子電極12及びランドパターン11が設けられている。さらにキャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。
その他の構成要素は、第6実施形態と同様であり、図13において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
図14(b)は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図14(b)に示されるように、等価回路ではキャパシタ32a〜32dが4連装された電子部品(コンデンサ)が示されている。
(第8実施形態)
(第8実施形態)
図15〜図18は、本発明の電子部品の第8実施形態であるバルントランスを示している。ここで図15は透過斜視図、図16は断面図、図17は各構成層の分解平面図、図18は等価回路図である。
図15〜17において、バルントランス40は、構成層40a〜40oを積層してなる積層体と、積層体の上下および中間に配置された内部GND導体45と、この内部GND導体45間に形成されている内部導体43とを有する。この内部導体43は、λg/4長のスパイラル状導体43であり、図18の等価回路に示される結合ライン53a〜53dを構成するようにビアホール44等で連結されている。
このバルントランス40の構成層40a〜40oは、比誘電率を2.6〜40とし、誘電正接(tanδ)を0.0075〜0.025とすることが好ましく、各構成層40a〜40oとしては、上記複合誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なって
もよく、最適な組み合せを選択すればよい。
もよく、最適な組み合せを選択すればよい。
このバルントランス40によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、バルントランス40の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、バルントランス40は、構成層40a〜40oとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、バルントランス40の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第9実施形態)
(第9実施形態)
図19〜図22は、本発明の電子部品の第9実施形態である積層フィルタを示している。ここで図19は斜視図、図20は分解斜視図、図21は等価回路図、図22は伝達特性図である。
本実施形態の積層フィルタは、2ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図19〜21に示すように、積層フィルタ60は、構成層60a〜60eが積層された積層体を備えている。ここで、構成層60bは上部構成層群であり、構成層60dは下部構成層群である。積層体のほぼ中央の構成層60cには一対のストリップ線路68が形成され、これに隣接する下部構成層群60d上には、一対のコンデンサ導体67が形成されている。構成層60b、60eの表面にはそれぞれGND導体65が形成され、これらGND導体65によりストリップ線路68及びコンデンサ導体67が挟み込まれるようになっている。ストリップ線路68、コンデンサ導体67及びGND導体65はそれぞれ、積層体の端面に形成された端部電極(外部端子)62に接続されている。また端部電極62の両側にはGNDパターン66が形成され、GNDパターン66はGND導体65に接続されている。
ストリップ線路68は、図21の等価回路図に示されるλg/4長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路74a、74bであり、コンデンサ導体67は、入出力結合容量Ciを構成する。またストリップ線路74a、74b間は、結合容量Cmおよび結合係数Mにより結合されている。積層型フィルタ60は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図22に示すような2ポール型の伝達特性を有する。
積層フィルタ60の構成層60a〜60eは、比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHz〜数GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このような構成層60a〜60eとしては、上記複合誘電体層を用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
この積層フィルタ60によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、積層フィルタ60の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、積層フィルタ60は、構成層60a〜60eとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、積層フィルタ60の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第10実施形態)
(第10実施形態)
図23〜図26は、本発明の電子部品の第10実施形態である積層フィルタを示している。ここで、図23は斜視図、図24は分解斜視図、図25は等価回路図、図26は伝達特性図である。
本実施形態の積層フィルタは、4ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図23〜25示すように、積層フィルタ60は、構成層60cに4本のストリップ線路6
8が形成されている点で、構成層60cに2本のストリップ線路68が形成されている第9実施形態の積層フィルタと相違する。
8が形成されている点で、構成層60cに2本のストリップ線路68が形成されている第9実施形態の積層フィルタと相違する。
本実施形態の積層フィルタにおいては、ストリップ線路68は、図25の等価回路図に示されるλg/4長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路74c、74d、74e、74fであり、またストリップ線路74c、74d間、ストリップ線路74d、74e間、及びストリップ線路74e、74f間はそれぞれ、結合容量Cmおよび結合係数Mにより結合されている。積層型フィルタ60は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図26に示すような4ポール型の伝達特性を有する。
その他の構成要素は、第9実施形態と同様であり、図23、図24において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第11実施形態)
(第11実施形態)
図27〜図32は、本発明の電子部品の第11実施形態であるブロックフィルタを示している。ここで図27は透過斜視図、図28は正面断面図、図29は側面断面図、図30は平面断面図、図31は等価回路図、図32は金型の構造を示した透過側面図である。
本実施形態のブロックフィルタは、2ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図27〜図32に示すように、ブロックフィルタ80は、構成ブロック80aと、構成ブロック80a内に設けられる一対の同軸導体81と、同軸導体81に接続されるコンデンサ同軸導体82とを有する。同軸導体81及びコンデンサ同軸導体82は、構成ブロック80aをくりぬくように中空状に形成された導電体で構成されている。また、構成ブロック80aの周囲には、これを覆うように表面GND導体87が形成されている。そして構成ブロック80aのコンデンサ同軸導体82に対向する位置にはコンデンサ導体83が形成されている。またコンデンサ導体83及び表面GND導体87はそれぞれ、入出力端子および部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体81及びコンデンサ同軸導体82の内面には、導電材料が無電解メッキ、蒸着などで付着されており、これにより伝送路が形成されている。
同軸導体81は、図31の等価回路図に示されるλg/4長またはそれ以下の長さを有する同軸線路94a、94bであり、それらを囲むようにGND導体87が形成されている。また、コンデンサ同軸導体82とコンデンサ導体83は入出力結合容量Ciを構成する。更に同軸導体81間は、結合容量Cmおよび結合係数Mにより結合されている。ブロックフィルタ80は、図31に示すような等価回路を形成するように構成されているため、2ポール型の伝達特性を有する。
図32はブロックフィルタ80の構成ブロック80aを形成するための金型の一例を示した概略断面図である。図32において、金型は鉄などの金属ベース103に、樹脂注入口104および注入孔106が形成され、これと連通して部品形成部105a,105bが形成されている。構成ブロック80aを形成するための複合樹脂材料は、液体の状態で樹脂注入口104から注入され、注入孔106を通って部品形成部105a,105bに達する。そして、この金型の内部に複合樹脂が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い複合樹脂を固化して金型から取り出し、注入口104内などで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図27〜図30に示される構成ブロック80aが形成される。
このようにして形成された構成ブロック80aに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行うと、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面GND導体87、同軸導体81とコンデンサ同軸導体82等が形成される。
ブロックフィルタ80の構成ブロック80aは、比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、同軸共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接(tanδ
)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このような構成ブロック80aとしては、上記複合誘電体層が用いられる。
)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このような構成ブロック80aとしては、上記複合誘電体層が用いられる。
このブロックフィルタ80によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ブロックフィルタ80の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、ブロックフィルタ80は、構成ブロック80aとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、ブロックフィルタ80の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第12実施形態)
(第12実施形態)
図33〜図37は、本発明の電子部品の第12実施形態であるカプラを示している。ここで図33は透過斜視図、図34は断面図、図35は各構成層の分解平面図、図36は内部結線図、図37は等価回路図である。
図33〜37において、カプラ110は、構成層110a〜110cが積層された積層体と、積層体の構成層110bの上下面上に形成された内部GND導体115と、この内部GND導体115間に形成され、トランスを構成する2つのコイルパターンとを有する。各コイルパターンは、複数の内部導体113と、これら内部導体113を連結するビアホール114とにより構成されており、スパイラル状となっている。また形成された各コイルパターンの端部と内部GND導体115とは、図36に示すように、それぞれ積層体の側面に形成された端子電極112に接続されている。なお、端子電極112の両端部にはランドパターン111が形成されている。
このように、カプラ110においては、図37の等価回路図で示すように、2つのコイル125a,125bが結合したものとなる。
カプラ110の構成層110a〜110cは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層110a〜110cを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層110a〜110cの比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また内部インダクタのQ値を上げるためには、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なくなり、Q値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラを得ることができる。上記構成層110a〜110cとしては、上記複合誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
このカプラ110によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、カプラ110の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、カプラ110は、構成層110a〜110cとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、カプラ110の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第13実施形態)
(第13実施形態)
図38〜図40は、本発明の電子部品の第13実施形態であるアンテナを示した図であり、図38は透視斜視図、図39(a)は平面図、(b)は側面断面図、(c)は正面断面図、図40は各構成層の分解斜視図である。
図38〜図40に示すように、アンテナ130は、構成層130a〜130cを積層してなる長尺状の積層体と、この構成層130b及び構成層130c上にそれぞれ形成されている内部導体133と、長尺状の積層体の両端にそれぞれ設けられる端子電極132とを有する。
内部導体133はアンテナパターンを構成している。本実施形態では、内部導体133は、使用周波数に対し、長さが約λg/4となるようなリアクタンス素子として構成され、アンテナパターンは、ミアンダ状に形成されている。
また内部導体133の両端部はそれぞれ、各端子電極132に接続されている。 このアンテナ130の構成層130a〜130cには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層130a〜130cを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層130a〜130cの比誘電率が2.6〜40であり、誘電正接が0.0075〜0.025であることが好ましく、構成層130a〜130cとしては、上記複合誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
このアンテナ130によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、アンテナ130の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、アンテナ130は、構成層130a〜130cとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、アンテナ130の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第14実施形態)
(第14実施形態)
図41は、本発明の電子部品の第14実施形態であるアンテナの透視斜視図、図42は、本発明の電子部品の第14実施形態であるアンテナの分解斜視図である。
図41、42において、アンテナ140は、構成層140a〜140cを積層してなる積層体と、この構成層140b及び構成層140c上にそれぞれ形成されている内部導体143aとを有する。そして、上下の内部導体143aはビアホール144にて接続され、ヘリカル状のアンテナパターン(インダクタンス素子)を形成するようになっている。なお、積層体の両端にはそれぞれ、第13実施形態と同様、端子電極が設けられており、アンテナパターンの両端部はそれぞれ各端子電極に接続されている。
(第15実施形態)
(第15実施形態)
図43は本発明の電子部品の第15実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図44は、本発明の電子部品の第15実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
図43、44に示すように、本実施形態のパッチアンテナ150は、構成層150aと、この構成層150aの表面上に形成されている平板状のパッチ導体159と、このパッチ導体159に対向するように構成層150aの底面に形成されたGND導体155とを有する。ここで、パッチ導体159は、アンテナパターンを構成している。また、パッチ導体159には給電用のスルー導体154が給電部153で接続され、このスルー導体154はGND導体155とは接続されないようにGND導体155との間にギャップ156が設けられている。このため、GND導体155の下部からスルー導体154を通って
給電が行われるようになっている。
給電が行われるようになっている。
このパッチアンテナ150の構成層150aには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層150aとしては、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層150aの比誘電率は2.6〜40であり、誘電正接は0.0075〜0.025であることが好ましく、構成層150aとしては、上記の複合誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
また、数100MHz以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Qの周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いQが得られる。このため、パッチアンテナ150を数十〜数100MHzの無線機器の用途に使用する場合には透磁率を3〜20とすることが好ましく、構成層150aとして、磁性体粉末を含有した複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数100MHz以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
このパッチアンテナ150によれば、条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パッチアンテナ150の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、パッチアンテナ150は、構成層150aとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、パッチアンテナ150の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。(第16実施形態)
図45は本発明の電子部品の第16実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図46は、本発明の電子部品の第16実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
図45、図46に示すように、パッチアンテナ160は構成層160aと、この構成層160aの表面上に形成されているパッチ導体(アンテナパターン)169と、このパッチ導体169に対向するように構成層160aの底面に形成されたGND導体165とを有する。また構成層160aの側面であって、パッチ導体169の近傍に、これと接触しないように給電用の給電導体161が配置され、給電端子162から給電導体161に給電が行われるようになっている。給電端子162は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により構成されており、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法を用いて形成することができる。その他の構成要素は第15実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第17実施形態)
(第17実施形態)
図47は、本発明の電子部品の第17実施形態である多層型パッチアンテナを示した透視斜視図、図48は本発明の電子部品の第17実施形態である多層型パッチアンテナを示した断面図である。
図47に示すように、本実施形態のパッチアンテナ170は、構成層150a及び構成層150bを積層してなる積層体と、この構成層150a、150b上にそれぞれ形成されているパッチ導体159a,159eと、このパッチ導体159a,159eに対向するように構成層150bの底面に形成されたGND導体155とを有する。また、パッチ
導体159aには給電用のスルー導体154が給電部153aで接続され、このスルー導体154はGND導体155およびパッチ導体159eとは接続されないようにGND導体155およびパッチ導体159eとの間にギャップ156が設けられている。このため、GND導体155の下部からスルー導体154を通ってパッチ導体159aに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体159eには、パッチ導体159aとの容量結合およびスルー導体154とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は第15実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第18実施形態)
導体159aには給電用のスルー導体154が給電部153aで接続され、このスルー導体154はGND導体155およびパッチ導体159eとは接続されないようにGND導体155およびパッチ導体159eとの間にギャップ156が設けられている。このため、GND導体155の下部からスルー導体154を通ってパッチ導体159aに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体159eには、パッチ導体159aとの容量結合およびスルー導体154とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は第15実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
(第18実施形態)
図49は本発明の電子部品の第18実施形態である多連型パッチアンテナを示した透視斜視図、図50は、本発明の電子部品の第18実施形態である多連型パッチアンテナを示した断面図である。
本実施形態のパッチアンテナ180は、積層体にアンテナを構成する4つの導電性素子部が格子状に設けられている点で、積層体に1つの導電性素子部のみが設けられている第17実施形態のパッチアンテナと相違する。すなわち図49、図50に示すように、パッチアンテナ180は、構成層150a、150bを積層してなる積層体と、構成層150a上に形成されているパッチ導体159a、159b、159c、159dと、構成層150b上に形成されているパッチ導体159e、159f、159g、159hと、これらのパッチ導体159a,159eに対向するように構成層150bの底面に形成されたGND導体155とを有する。その他の構成要素は第17実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
このように複数の導電性素子部を1つの積層体に格子状に配設することにより、パッチアンテナの小型化と部品点数の削減が可能となる。
(第19実施形態)
(第19実施形態)
図51〜図53は、本発明の電子部品の第19実施形態であるVCO(電圧制御発振器)を示している。ここで図51は透過斜視図、図52は断面図、図53は等価回路図である。
図51〜53において、VCO210は、構成層210a〜210gが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体素子、レジスタ等の電気素子261と、構成層210a〜210d上に形成されている導体パターン及び構成層210e〜210g上にそれぞれ形成されている導体パターン262,263,264とを有する。VCO210は、図53に示すような等価回路を形成するように構成されており、導体パターン263は、ストリップラインとなっている。またVCO210は、ストリップラインのほか、コンデンサ、信号線、半導体素子、電源ラインなどを有する。このため、構成層は、それぞれの機能に適した材料で形成するのが効果的である。
より具体的には、上記構成層210gの表面には、内部導体であるストリップライン263が形成され、裏面にはGND導体262及び端子導体266が形成されている。また、構成層210eの表面にはコンデンサ導体264が形成され、構成層210bの表面上には配線インダクタ導体265が形成される。また、各構成層に形成された内部導体はビアホール214により接続され、表面にはマウントされた電子部品261が搭載されて図53の等価回路に示すようなVCOが形成される。
例えば本実施形態のVCO210では、共振器を構成する構成層210f,210gには誘電正接が0.0025〜0.0075の複合誘電体層を用いることが好ましく、コン
デンサを構成する構成層210c〜210eには、誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が5〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。配線およびインダクタを構成する構成層210a,210bには、誘電正接が0.0025〜0.0075、比誘電率が2.6〜3.5の複合誘電体層を用いることが好ましい。
デンサを構成する構成層210c〜210eには、誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が5〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。配線およびインダクタを構成する構成層210a,210bには、誘電正接が0.0025〜0.0075、比誘電率が2.6〜3.5の複合誘電体層を用いることが好ましい。
このように構成することにより、それぞれの機能に適した比誘電率、Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このVCO210によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、VCO210の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、VCO210は、構成層210a〜210gとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、VCO210の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第20実施形態)
(第20実施形態)
図54〜図56は、本発明の電子部品の第20実施形態であるパワーアンプ(電力増幅器)を示している。ここで図54は各構成層の分解平面図、図55は断面図、図56は等価回路図である。
図54〜56に示すように、パワーアンプ300は、構成層300a〜300eを積層してなる積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子361と、この構成層300a〜300e中およびその上下面に形成されている導体パターン313,315を有する。このパワーアンプは図56に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインL11〜L17、コンデンサC11〜C20、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
より具体的には、これらの構成層300a〜300eの表面には、内部導体313、GND導体315等が形成されている。またそれぞれの内部導体はビアホール314により接続され、積層体の表面には、マウントされた電子部品361が搭載されて図56の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。
本実施形態のパワーアンプ300では、ストリップラインを構成する構成層300d,300eには誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が2.6〜40の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサを構成する構成層300a〜300cには、誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が5〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このパワーアンプ300によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パワーアンプ300の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、パワーアンプ300は、構成層300a〜300eとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、パワーアンプ300の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第21施形態)
(第21施形態)
図57〜図59は、本発明の電子部品の第21実施形態である、光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図57は各構成層の分解平面図、図58は断面図、図59は等価回路図である。
図57〜59において、重畳モジュール400は、構成層400a〜400kが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジス
タ等の電気素子461と、この構成層400a〜400k中およびその上下面に形成されている導体パターン413,415等を有する。この重畳モジュール400は図59に示すような等価回路により構成されているため、インダクタL21、L23、コンデンサC21〜C27、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
タ等の電気素子461と、この構成層400a〜400k中およびその上下面に形成されている導体パターン413,415等を有する。この重畳モジュール400は図59に示すような等価回路により構成されているため、インダクタL21、L23、コンデンサC21〜C27、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
より具体的には、これらの構成層400a〜400kの表面には、内部導体413、GND導体415等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール414により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品461が搭載されて図59の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。
本実施形態の重畳モジュール400では、コンデンサを構成する構成層400d〜400hには、誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が10〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層400a〜400c,400j〜400kには誘電正接が0.0025〜0.0075、比誘電率が2.6〜3.5の複合誘電体層を用いることが好ましい。
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この重畳モジュール400によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、重畳モジュール400の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、重畳モジュール400は、構成層400a〜400kとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、重畳モジュール400の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第22実施形態)
(第22実施形態)
図60〜図63は、本発明の電子部品の第22実施形態であるRFモジュールを示している。ここで図60は斜視図、図61は外装部材を外した状態での斜視図、図62は各構成層の分解斜視図、図63は断面図である。
図60〜63において、RFモジュール500は、構成層500a〜500iが積層された積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子561と、この構成層500a〜500i中およびその上下面に形成されている導体パターン513,515、572と、アンテナパターン573とを有する。このRFモジュール500は、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
本実施形態のRFモジュールでは、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層500a〜500d、500gには、誘電正接が0.0025〜0.0075、比誘電率が2.6〜3.5の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層500e〜500fには、誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が10〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層500h〜500iには、透磁率が3〜20であり、磁性体粉末を含む複合磁性体層を用いることが好ましい。
そして、これらの構成層500a〜500iの表面には、内部導体513、GND導体515、アンテナ導体573等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール514により上下に接続され、積層体の表面にはマウントされた電気素子561が搭載されてRFモジュールが形成される。
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Q、誘電正接とする
ことができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このRFモジュール500によれば、RFモジュール500を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、RFモジュール500の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、RFモジュール500は、構成層500a〜500iとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、RFモジュール500の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第23実施形態)
ことができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このRFモジュール500によれば、RFモジュール500を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、RFモジュール500の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、RFモジュール500は、構成層500a〜500iとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、RFモジュール500の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第23実施形態)
図64、図65は、本発明の電子部品の第23実施形態である共振器を示している。ここで図64は透過斜視図、図65は断面図である。
図64、65において、共振器600は、ベース材610と、ベース材610を貫通する筒状の同軸導体641とを備えている。
共振器600の製造方法は、第11実施形態のブロックフィルタと同様である。すなわちまず、金型成形により円筒状の貫通孔が形成されたベース材610の表面に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法により表面GND導体647及び端部導体682を形成し、この表面GND導体647と端部導体682が接続されるようにベース材610の内壁面に同軸導体641を形成し、同軸導体641と接続されるように共振器用HOT端子681等を形成する。表面GND導体647、端部導体682、同軸導体641、共振器用HOT端子681は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等で形成する。ここで、同軸導体641は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、同軸導体641を囲むようにベース材610に表面GND導体647が形成されている。
この共振器のベース材610は、比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このようなベース材610としては、上記複合誘電体層が用いられる。この共振器600によれば、共振器600を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、共振器600の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、共振器600は、ベース材610として曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、共振器600の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
(第24実施形態)
(第24実施形態)
図66、図67は、本発明の電子部品の第24実施形態であるストリップ共振器を示している。ここで図66は透過斜視図、図67は断面図である。
図66、67に示すように、ストリップ共振器700は、構成層710a〜710dを積層してなる積層体と、構成層710c上に形成される長方形のストリップ導体784と、構成層710b、構成層710d上に、ストリップ導体784を挟むように形成される矩形状のGND導体783とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ、共振器用HOT端子781およびGND端子782が設けられ、ストリップ導体784の両端はそれぞれ、共振器用HOT端子781およびGND端子782に接続されている。ストリップ共振器700は、第1実施形態のインダクタと同様にして製造すればよい。
共振器の構成層710a〜710dは、比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このような構成層710a〜710dとしては
、上記複合誘電体層が用いられる。
(第25実施形態)
、上記複合誘電体層が用いられる。
(第25実施形態)
図68は、本発明の電子部品の第25実施形態である共振器を示す透過斜視図である。
図68に示すように、共振器800は、ベース材810と、ベース材810を貫通する円筒状の同軸型導電体841と、ベース材810を貫通し同軸型導電体841と平行に設けられる同軸型導電体842とを備えている。ベース材810には、同軸型導電体842の一端に端部電極882が形成され、他端に接続用電極885が形成されている。また同軸型導電体841の一端は接続用電極885を介して同軸型導電体841と接続され、他端には共振器用HOT端子881が形成されている。ここで、端部電極882と共振器用HOT端子881とは電気的に絶縁されている。そして、ベース材810を囲むように、表面GND導体847が形成されている。表面GND導体847は、端部電極882とは接続されているが、共振器用HOT端子881とは電気的に絶縁されている。従って、同軸導体841、842は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路として機能する。
この共振器のベース材810は、比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このようなベース材810として、上記複合誘電体層が用いられる。
(第26実施形態)
(第26実施形態)
図69は、本発明の電子部品の第26実施形態であるストリップ共振器を示す透過斜視図である。
図69において、ストリップ共振器850は、複数の構成層810を積層してなる積層体と、構成層810上に形成されるU字状のストリップ導体884と、ストリップ導体884を、構成層810を介して上下より挟み込むようにして配置された矩形状のGND導体883とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ、共振器用HOT端子881およびGND端子882が並設され、ストリップ導体884の両端部はそれぞれ、共振器用HOT端子881およびGND端子882に接続されている。ストリップ共振器850の製造方法は、第1実施形態のインダクタと同様である。
この共振器850の構成層810の材料は、比誘電率を2.6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが好ましい。このような構成層810としては、上記複合誘電体層を用いることが好ましい。
図70は、上記第23〜26実施形態の共振器の等価回路図を示している。図70において、共振器用HOT端子981は、同軸路、またはストリップラインから構成される共振器984,941の一端に接続され、その他端にはGND端子982が接続されている。
(第27実施形態)
(第27実施形態)
図71は、本発明の電子部品の第27実施形態を示すブロック構成図であり、携帯端末機器に本発明の電子部品を使用した例を示している。
図71に示す携帯端末器1000においては、ベースバンドユニット1010から送出
された送信信号は、ミキサ1001により混成回路1021からのRF信号と混合される。この混成回路1021には電圧制御発信回路(VCO)1020が接続されていて、フェーズロックループ回路1019と共にシンセサイザ回路を構成し、所定の周波数のRF信号が供給されるようになっている。
された送信信号は、ミキサ1001により混成回路1021からのRF信号と混合される。この混成回路1021には電圧制御発信回路(VCO)1020が接続されていて、フェーズロックループ回路1019と共にシンセサイザ回路を構成し、所定の周波数のRF信号が供給されるようになっている。
ミキサー1001によりRF変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ(BPF)1002を経て、パワーアンプ1003により増幅される。このパワーアンプ1003の出力の一部は、カップラ1004から取り出され、減衰器1005で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ1003に入力され、パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カップラー1004から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ1006、ローパスフィルタ1007を経てデュプレクサ1008に入力され、これと接続されているアンテナ1009から送信される。
一方、アンテナ1009に入力された受信信号は、デュプレクサ1008からアンプ1011に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ1011から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ1012を経て、ミキサ1013に入力される。このミキサ1013には、混成回路1021からバンドパスフィルタ(BPF)1022を経てRF信号が入力され、RF信号成分が除去され、復調される。ミキサ1013から出力された受信信号は、SAWフィルタ1014を経てアンプ1015で増幅された後、ミキサ1016に入力される。ミキサ1016には局部発信回路1018から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ1017で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニットへ送出される。
上記携帯端末器1000は、アンテナ1009、デュプレクサ1008、ローパスフィルタ1007を含むアンテナフロントエンドモジュール(図71の破線参照)1200や、アイソレータ1006、カップラ1004、減衰器1005、パワーアンプ1003を含むアイソレータパワーアンプモジュール(図71の破線参照)1100等として、上記のアンテナやパワーアンプを用いることができ、これによりハイブリッドモジュールを構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをRFユニットとして構成できることは既に第22実施形態で示した通りであり、図71のBPF、VCO等も、第9〜12実施形態および第19実施形態に示すVCO等を用いることができる。
上記のようにして携帯端末機器に本実施形態の電子部品を搭載すると、電子部品の小型化により携帯端末機器1000を小型化することができる。また本実施形態の電子部品は曲げ強度に優れるため、電子部品の取付け時において、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。さらに本実施形態の電子部品は、高温で使用しても誘電特性の経時変化が十分に防止されるため、携帯端末機器1000を高温で使用しても、その性能を長期間にわたって維持することができる。
(第28実施形態)
(第28実施形態)
次に、本発明の第28実施形態について詳細に説明する。
図76は、本発明の電子部品の第28実施形態を示す部分断面図である。
図76には、電子部品として、多層基板1110と、多層基板1110上に設けられる電気素子1120a,1120bとを備えたパワーアンプ1100が示されている。
多層基板1110は、最外層である2つの構成層(第1誘電体層)1110a、1100gを有しており、2つの最外層1110a,1110gの間には、樹脂を含む複数(本実施形態では3つ)の構成層(第2誘電体層)1110b〜1110fが配置されている
。また多層基板1110は、構成層1110aの表面上、構成層1110aと構成層1110bとの間、構成層1110bと構成層1110cとの間、構成層1110cと構成層1110dとの間、構成層1110dと構成層1110eとの間、構成層1110eと構成層1110fとの間、構成層1110fと構成層1110gとの間、及び構成層1110gの表面上にそれぞれ、導体層1130a〜1130hを有している。構成層1110a〜1110g、導体層1130a〜1130hは積層して構成されている。
。また多層基板1110は、構成層1110aの表面上、構成層1110aと構成層1110bとの間、構成層1110bと構成層1110cとの間、構成層1110cと構成層1110dとの間、構成層1110dと構成層1110eとの間、構成層1110eと構成層1110fとの間、構成層1110fと構成層1110gとの間、及び構成層1110gの表面上にそれぞれ、導体層1130a〜1130hを有している。構成層1110a〜1110g、導体層1130a〜1130hは積層して構成されている。
上記多層基板1110において、構成層1100a,1100gの限界たわみ量は、構成層1110b〜1110fの1.3倍以上となっており、構成層1110b〜1110fの誘電正接tanδはいずれも0.01以下となっている。
即ち多層基板1110は、機械的強度に優れた構成層1110a,1110gと、電気的特性に優れた構成層1110b〜1110fとを含む。このため、製品化後においてパワーアンプ1100に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらパワーアンプ1100における多層基板1110における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。言い換えると、パワーアンプ1100によれば、その特性を十分に向上させることができる。
また、通常は、多層基板を曲げたりたわませたりした場合には、破断するのは表層部分からである場合が多く、多層基板の強度は最外層の強度に依存する割合が非常に大きいが、多層基板1110においては、機械的強度の大きい材料からなる構成層1110a,1110gが多層基板1110の最外層となっているため、多層基板1110の破断がより十分に防止される。
なお、構成層1110a,1110gの限界たわみ量が構成層1110b〜1110fの1.3倍未満では、多層基板1110の強度アップにはつながりにくく、過大な負荷が加えられた場合の多層基板1110における欠損の発生を十分に防止することができない。また、構成層1110b〜1110fの誘電正接tanδが0.01を超えると、tanδが0.01以下である場合に比べて、パワーアンプ1100のQ値が大幅に減少し、電気的特性が良好に維持されなくなる。
構成層1110a,1110bの限界たわみ量は、パワーアンプ1100の機械的強度を増大させる観点からは、構成層1110b〜1110fの1.5倍以上であることが好ましいが、20倍以下であることが好ましい。限界たわみ量が20倍を超えると、工程上の取扱いが困難となる。また構成層1110b〜1110fの誘電正接tanδは0.005以下であることが好ましい。この場合、tanδが0.005を超える場合に比べて、電気的特性をより良好なものとすることが可能となる。
構成層1110b〜1110fに含まれる樹脂は特に制限されない。この樹脂としては、例えばテトラフロオロエチレン、芳香族液晶ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリビニルベンジルエーテル化合物、ジビニルベンゼン、フマレート、ポリフェニレンオキサイド(エーテル)、シアネートエステル、ビスマレイミドトリアジン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。なお、上記樹脂としては、エポキシ樹脂と高いQ値を有する活性エステル硬化樹脂との混合物を用いてもよい。
但し、構成層1110b〜1110fは、上記樹脂のほか、この樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでも良い。この場合、誘電率の小さい樹脂を用いる場合でも、構成層1110b〜1110fにおいて、誘電正接tanδを0.01以下とすることが可能となる。
このようなセラミック粉末は、誘電体セラミック粉末と磁性体粉末とに分けられる。
上記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が3.7〜300であり、Q値が500〜100,000である金属酸化物粉末であることが好ましい。
金属酸化物粉末の比誘電率が3.7未満である場合は、複合誘電体層の比誘電率を高くすることができず、電子部品の小型化、軽量化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末の比誘電率が300を超えるか、Q値が500未満である場合、使用時に電子部品1100が過剰に発熱すると共に、伝送損失が低下する傾向がある。なお、上記誘電体セラミック粉末は通常、単結晶や多結晶で構成される。
上記誘電体セラミック粉末の具体例としては、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末の具体例として挙げたもののほか、シリカ、ガラス、水酸化物(水酸化
アルミニウム、水酸化マグネシウム等)等の絶縁性を有するものが挙げられる。誘電体セ
ラミック粉末の形状は、球状、破砕状、鱗片状、針状のいずれの形状でもよい。
アルミニウム、水酸化マグネシウム等)等の絶縁性を有するものが挙げられる。誘電体セ
ラミック粉末の形状は、球状、破砕状、鱗片状、針状のいずれの形状でもよい。
上記誘電体セラミック粉末として、TiO2、CaTiO3、SrTiO3、BaO−N
d2O3−TiO2、BaO−CaO−Nd2O3−TiO2、BaO−SrO−Nd2O3−TiO2、BaO−Sm2O3−TiO2、BaTi4O9、Ba2Ti9O20、Ba2(Ti,Sn)9O20、MgO−TiO2、ZnO−TiO2、MgO−SiO2、Al2O3の成分を主成分とするものが好ましいのは、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様である。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
d2O3−TiO2、BaO−CaO−Nd2O3−TiO2、BaO−SrO−Nd2O3−TiO2、BaO−Sm2O3−TiO2、BaTi4O9、Ba2Ti9O20、Ba2(Ti,Sn)9O20、MgO−TiO2、ZnO−TiO2、MgO−SiO2、Al2O3の成分を主成分とするものが好ましいのは、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様である。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様の理由から、0.01〜100μmの範囲内にあることが好ましく、0.2〜20μmの範囲内にあることがさらに好ましい。
また誘電体セラミック粉末の添加量は、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様の理由から、有機絶縁材料100体積部に対して5〜185体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。
一方、磁性体粉末は、構成層1110b〜1110fに磁気特性を付加し、線膨張係数を低減し、材料強度を向上させることができる。
上記磁性体粉末の具体例は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同じものが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
上記磁性体粉末の平均粒径は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同様の理由から、0.01〜100μmの範囲内にあることが好ましく、0.2〜20μmの範囲内にあることがさらに好ましい。
また磁性体粉末の添加量は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同様の理由から、有機絶縁材料100体積部に対して5〜185体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。
構成層1110a,1110gに含まれる樹脂としては、構成層1110b〜1110fに含まれる樹脂のほか、エポキシ樹脂やフェノール樹脂なども挙げられるが、構成層1110a,1110gは、上記樹脂のほか、この樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでも良い。但し、構成層1110a、1110gがセラミック粉末を多く含むと、構成層1110a,1110gの限界たわみ量を構成層1110b〜1110fの1.3倍以上とすることが困難となる。一方、構成層1110a,1110gがセラミック粉末を多く含むと、電気的特性はより向上する。従って、セラミック粉末は、適度に加えることが好ましく、具体的には、樹脂100体積部に対してセラミック粉末を10〜200体積部添加することが好ましい。
なお、構成層1110b〜1110fに含まれる樹脂として、ベンジルエーテル化合物を用いる場合は、ベンジルエーテル化合物よりも曲げ強度が強く、曲げ弾性率が低く、同じ熱硬化性樹脂であって、他の樹脂と比較して硬化温度が比較的近いという理由から、構成層1110a,1110gに含まれる樹脂として、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
上記多層基板1110においては、構成層1110a,1110gのピール強度が、構成層1110b〜1110fのピール強度の1.5倍以上であることが好ましい。この場合、製品化後においてパワーアンプ1100に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板1110における欠損の発生を十分に防止することが可能となることに加え、1.5倍未満である場合に比べて実装する受動・能動素子(電気素子1120a,1120b)の固着強度及び引き剥がし強度がより向上したり、多層基板1110、及び電子部品としてのパワーアンプ1100の電極としての導体層1130hの強度がより向上したりする。
構成層1110a,1110gのピール強度は、構成層1110b〜1110fのピール強度の2倍以上であることがより好ましい。但し、構成層1110a,1110gのピール強度は、構成層1110b〜1110fのピール強度の20倍以下であることが好ましい。構成層1110a,1110gのピール強度が構成層1110b〜1110fのピール強度の20倍を超えると、導体層(例えば銅箔)をかなり粗くしなければならず、パワーアンプ1100の高周波特性に悪影響が生じる。
構成層1110a,1110gのピール強度は具体的には、8N/cm以上であることが好ましく、10N/cm以上であることがより好ましい。この場合、構成層1110a,1110gのピール強度が8N/cm未満である場合に比べて、実装部品としての電気素子1120a,1120bの応力による欠損や端子としての導体層1130hの剥がれ等の問題がより起こりにくくなるという利点が得られる。
構成層1110a,1110gのピール強度は、100N/cm以下であることが好ましい。構成層1110a,1110gのピール強度が100N/cmを超えると、導体層(例えば銅箔)をかなり粗くしなければならず、パワーアンプ1100の高周波特性に悪影響が生じる。
なお、図76において、構成層1110dは、強化繊維からなるクロス1131を有し、コア基板を構成している。このクロス1131の材質及び厚さは、前述した通りである。
なお、図76において、構成層1110dは、強化繊維からなるクロス1131を有し、コア基板を構成している。このクロス1131の材質及び厚さは、前述した通りである。
上記導体層1130a〜1130hを構成する材料は、導電材料であれば特に制限されず、かかる導電材料としては、Cu、Ni、Al、Au、Ag等が挙げられる。これらの中でもCuがより好ましい。Cuは内部抵抗を小さくし、マイグレーションを起こしにくいためである。また電気素子1120a,1120bとしては、例えばコンデンサ、イン
ダクタ、半導体、レジスタ等が用いられる。
ダクタ、半導体、レジスタ等が用いられる。
上記多層基板1110は、ビルドアップ工法、一括積層工法等の一般的なプリント基板の工法を用いて製造することが可能である。
(第29実施形態)
(第29実施形態)
図77は本発明の電子部品の第29実施形態であるキャパシタ(コンデンサ)を示した透視斜視図、図78は、本発明の電子部品の第29実施形態であるキャパシタ(コンデンサ)を示した部分断面図である。
図77、図78において、キャパシタ1200は、構成層1200a〜1200gを積層してなる積層体と、構成層1200b〜1200g上に形成されている導体層23と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極22とを備えている。そして、隣り合う内部導体23は、それぞれ異なる端子電極22に接続されている。また端子電極22の両端にはランドパターン21が設けられている。また各構成層1200a,1200gは、上記第27実施形態の構成層1100a,1100bと同様の材料で構成され、各構成層1200b〜1200fは、第27実施形態の構成層1110b〜1110fと同様の材料で構成されている。即ち、構成層1200a,1200gの限界たわみ量は、構成層1200b〜1200fの1.3倍以上となっており、構成層1200b〜1200fの誘電正接tanδは0.01以下となっている。従って、このキャパシタ1200によれば、製品化後においてキャパシタ1200に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらキャパシタ1200における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
各構成層1200a〜1200gは、キャパシタ1200を大容量化するには、構成層1200b〜1200fの材料の誘電率をできるだけ高くする必要があり、そのためには、構成層1200b〜1200f中に含まれる樹脂に対し、その樹脂より高い誘電率を有するセラミック粉末をコンポジットさせることが好ましい。また、キャパシタ1200を、高周波の電磁界が印加される用途に使用する場合には、キャパシタ1200のQも電気特性に影響を与える場合が多いので、そのような場合には、tanδをできるだけ小さくすることが好ましく、そのためには、構成層1200b〜1200fを構成する樹脂として、樹脂自体のtanδが小さいものを選択するか、樹脂よりもtanδの低いセラミック粉末をコンポジットすればよい。このような樹脂やセラミック粉末としては、第27実施形態における樹脂やセラミック粉末を用いることができる。各構成層1200a,1200gは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。また各構成層1200b〜1200fも同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。
(第30実施形態)
なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。
(第30実施形態)
図79は本発明の電子部品の第30実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図80は、本発明の電子部品の第30実施形態であるインダクタを示した部分断面図である。
図79,80において、インダクタ1300は、構成層1300a〜1300eを積層してなる積層体と、構成層1300b〜1300eに設けられる内部導体13a〜13(導体層)dと、この内部導体13a〜13dを電気的に接続するためのビアホール14とを有する。また内部導体13とビアホール14とによりコイルパターン(導電性素子部)が構成されている。
各構成層1300a,1300eは、上記第28実施形態の構成層1110a,111
0gと同様の材料で構成され、各構成層1300b〜1300dは、第28実施形態の構成層1110b〜1110fと同様の材料で構成されている。即ち、構成層1300a,1300gの限界たわみ量は、構成層1300b〜1300dの1.3倍以上となっており、構成層1300b〜1300dの誘電正接tanδは0.01以下となっている。従って、このインダクタ1300によれば、製品化後においてインダクタ1300に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらインダクタ1300における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
0gと同様の材料で構成され、各構成層1300b〜1300dは、第28実施形態の構成層1110b〜1110fと同様の材料で構成されている。即ち、構成層1300a,1300gの限界たわみ量は、構成層1300b〜1300dの1.3倍以上となっており、構成層1300b〜1300dの誘電正接tanδは0.01以下となっている。従って、このインダクタ1300によれば、製品化後においてインダクタ1300に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらインダクタ1300における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極12が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極12に接続されている。なお、端子電極12の両端にはランドパターン11が設けられている。
なお、各構成層1300a,1300eは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。また各構成層1300b〜1300dも同一でも異なってもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。
なお、内部導体13a〜13dは、ビアホール14とともにヘリカル状に構成されているが、ビアホール14を除去し、内部導体13a〜13dを1つにまとめてこれをミアンダ状に構成してもよい。このような構成でも、インダクタとして機能することが可能である。
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば本発明の電子部品は、上記第1〜第27実施形態に記載の電子部品のほか、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、EMCフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、DC−DCコンバータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、PLLモジュール、フロントエンドモジュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー(DBM)、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ(圧電型音声発生器)、マイク、レシーバ、ブザー、PTCサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等であってもよい。
また上記第28〜第30実施形態では、電子部品として、パワーアンプ1100、キャパシタ1200、インダクタ1300が用いられているが、本発明の電子部品は、上記パワーアンプ、キャパシタ、インダクタのほかに、VCO、アンテナスイッチモジュール、フロントエンドモジュール、PLLモジュール、RFチューナーモジュール、RFユニット、重畳モジュール、TCXO等に適用することも可能である。
また、上記第28〜第30実施形態では、最外層の限界たわみ量が、それらの間に配置される構成層の1.3倍以上となっているが、最外層のピール強度が、それらの間に配置される構成層の1.5倍以上となっていれば、必ずしも最外層の限界たわみ量が、それらの間に配置される構成層の1.3倍以上となっている必要はない。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。なお、最外層のピール強度は、それらの間に配置される構成層の20倍以下であることが好ましい。最外層のピール強度がそれらの間に配置される構成層のピール強度の20倍を超えると、導体層(例えば銅箔)をかなり粗くしなければならず、電子部品の高周波特性に悪影響が生じる。
また、上記第28〜第30実施形態では、2つの最外層のいずれも、それらの間に配置
される構成層の1.3倍以上の限界たわみ量を有しているが、いずれか一方の最外層の限界たわみ量が、上記構成層の1.3倍以上であればよい。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
また、上記第28〜第30実施形態では、2つの最外層のいずれも、それらの間に配置
される構成層の1.3倍以上の限界たわみ量を有しているが、いずれか一方の最外層の限界たわみ量が、上記構成層の1.3倍以上であればよい。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
以下、実施例により本発明の内容をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(製造例A:活性エステル化合物の合成)
(製造例A:活性エステル化合物の合成)
窒素導入管を備えた2Lのセパラブルフラスコに、蒸留水900mL及び水酸化ナトリウム0.5833モル(23.33g)を入れ、窒素導入管より窒素を導入して充分にバブリングし、蒸留水中及び反応系内の酸素を除去した。そこへ、α−ナフトール0.54モル(77.85g)を1時間かけて溶解させ、α−ナフトール溶液を得た。これとは別に、60℃まで昇温した別のフラスコにトルエン600mLを入れ、イソフタル酸クロライド(東京化成工業株式会社製)0.27モル(54.82g)を溶解させた。
このイソフタル酸クロライド溶液を60℃に昇温し、ファードラー翼にて300回転で撹拌している上記α−ナフトール溶液中に15秒かけて滴下し、そのままの回転数で4時間保持し反応させた。反応終了後、静置分液し水相を取り除いた。トルエン相について0.5%炭酸ソーダ水にて洗浄30分と静置分液とを3回繰り返した後、脱イオン水にて洗浄30分と静置分液とを3回繰り返した。その後、昇温してトルエンを400mL程度除去し濃縮した後、ヘプタン600mLを15秒で滴下し、ジ(α−ナフチル)イソフタレートを析出させた。これを濾過して、300mLのメタノールで30分室温にて洗浄し、濾過−乾燥により、活性エステル化合物であるジ(α−ナフチル)イソフタレート106gを得た。エステル化率は99.8%であった。以下、得られたジ(α−ナフチル)イソフタレートを「IAAN」と呼ぶ。
(製造例B:ポリアリレートの合成)
(製造例B:ポリアリレートの合成)
1.031kgの塩化イソテレフタロイル、0.258kgの塩化テレフタロイル、0.057kgの塩化メチルトトリオクチルアンモニウム及び27.3kgのトルエンからなる溶液と、1.540kgの3,3'−5,5'−テトラメチルビフェノール、0.648kgの水酸化ナトリウム及び19.2kgの脱酸素水からなる溶液を100L釜の中で11℃にて30分間、撹拌混合し接触させた。
生成液を静置分離後、水相を除去し、次いでトルエン相を3回繰り返し水で洗浄した。続いて得られたトルエン相に、貧溶媒であるメタノールを各々10L/分、100L/分の供給速度で供給し、連続式剪断機(太平洋機工製ファインフローミルFM−25、ブレード周速=15m/秒)に連続的に通じて、沈殿操作(ポリアリレートの析出)を行った。次いで得られたポリアリレートを濾材上に捕集し、釜中で80℃の温水で30分間洗浄、濾過を3回繰り返し、その後、乾燥してポリアリレートを得た。クロロホルム中(0.
1g/dL)30℃で、ウベローデ粘度計にて決定したポリアリレートのインヘレント粘
度は、1.5dL/gであった。以下、得られたポリアリレートを「ポリアリレート1」と呼ぶ。
(実施例1)
1g/dL)30℃で、ウベローデ粘度計にて決定したポリアリレートのインヘレント粘
度は、1.5dL/gであった。以下、得られたポリアリレートを「ポリアリレート1」と呼ぶ。
(実施例1)
Ba2Ti9O20系誘電体セラミック粉末(平均粒径1.7μm、周波数ギガHz帯における
誘電特性:ε39/Q9000、TDK(株))1415重量部、有機溶剤であるテトラヒドロフラン620重量部、カップリング剤であるKBM573(信越化学工業(株))7.1重量部を5リットルビーカに入れ、撹拌機を用いて4時間撹拌処理を行った。その後エポ
キシ樹脂であるEPICLONHP7200H(大日本インキ化学工業(株))174重量部、活性エステル化合物であるIAAN158重量部、難燃剤であるEPICLON152(大日本インキ化学工業(株))48重量部、硬化促進剤であるキュアゾール2E4MZ(四国化成工業(株))1.1重量部を添加し、完全に溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト(ペーストA)を得た。
誘電特性:ε39/Q9000、TDK(株))1415重量部、有機溶剤であるテトラヒドロフラン620重量部、カップリング剤であるKBM573(信越化学工業(株))7.1重量部を5リットルビーカに入れ、撹拌機を用いて4時間撹拌処理を行った。その後エポ
キシ樹脂であるEPICLONHP7200H(大日本インキ化学工業(株))174重量部、活性エステル化合物であるIAAN158重量部、難燃剤であるEPICLON152(大日本インキ化学工業(株))48重量部、硬化促進剤であるキュアゾール2E4MZ(四国化成工業(株))1.1重量部を添加し、完全に溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト(ペーストA)を得た。
一方、ポリアリレート1の67重量部と有機溶剤であるテトラヒドロフラン840重量部を2リットルビーカに入れて完全にポリアリレートが溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト(ペーストB)を得た。
次いで、上記ペーストBをペーストAのビーカ中に入れて、完全に分散するまで撹拌を行いペースト(ペーストC)を得た。
このペーストCを18μm電解銅箔(CF−T9、福田金属箔工業(株))若しくは50μmPETフィルム上にドクターブレードを用いて塗工し、50℃/10分+120℃/10分の乾燥処理を行った。得られたシートの厚さは50μmであった。これを12枚重ねて高温真空プレス機(KVHC型、北川精機(株))にて、「2℃/分にて30℃から150℃まで昇温後、60分保持した後3℃/分にて190℃まで昇温し60分保持する温度プロファイル、3MPaの圧力、30torr以下の真空度」の条件にてプレスを行った。プレス後に得られたシートの硬化物の厚さは500μmであった。
(比較例1)
(比較例1)
表1に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例1と同様にして、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物に代えて332gのポリビニルベンジルエーテルを含む硬化物を得た。なお、表1中、可撓性付与材として使用したタフテックH1043は、スチレン−ブタジエン−スチレントリブロック共重合体を水素添加したもの(旭化成社製)であり、SAYTEX BT93は、エチレンビステトラブロモフタルイミド(アルベマール社製)である。
実施例1で得られたシート硬化物を用いて以下の方法により比誘電率、誘電正接、ガラス転移温度、吸水率及び曲げ強度を求めた。
(比誘電率及び誘電正接)
(比誘電率及び誘電正接)
硬化物を、長さ100mm、幅1.5mm、厚さ0.5mmの棒状試料とし、空洞共振器摂動法(TDK(株)開発高周波誘電特性測定装置、ヒューレットパッカード(株)製83620A及び8757Dを使用)にて2GHzの周波数にて誘電率及び誘電正接の測定を行った。
(ガラス転移温度)
(ガラス転移温度)
JIS C6481の測定方法に準拠し、DSC−50(島津製作所製)を用いて、10
℃/分の昇温にて30℃から200℃の温度範囲で測定を行い、発熱、吸熱曲線のオンセット及びエンドセットの中点温度を計算しガラス転移温度を求めた。
(吸水率)
℃/分の昇温にて30℃から200℃の温度範囲で測定を行い、発熱、吸熱曲線のオンセット及びエンドセットの中点温度を計算しガラス転移温度を求めた。
(吸水率)
硬化物を、長さ50mm、幅50、厚さ0.5mmの平板状試料とし、120℃/1時間の減圧乾燥(減圧度5torr以下)を行い、25℃/60%RHに保たれた定温定湿槽に1時間放置した後、精密天秤(ER−182A、研精工業(株))にて初期重量を測定した。その後85℃/85%RHの高温高湿槽に24時間放置して当該槽より取り出し、25℃/60%RHに保たれた定温定湿槽に1時間放置した後、上記精密天秤にて試験後重量を測定した。吸水率は下記式より算出した。
吸水率(%)=(試験後重量−初期重量)/初期重量×100
(曲げ強度)
(曲げ強度)
シート硬化物に対する曲げ強度(MPa)は、JIS C6481に準拠して測定した。
上記試験の結果を樹脂組成物の組成とともに以下の表1に示す。なお、上記条件で測定した比誘電率の値が3.6以上であれば高誘電率であるということができ、誘電正接が0.05以下であれば低誘電正接であるということができる。また、ガラス転移温度が120℃以上であれば当該温度が高いということができ、吸水率の値が0.1以下であれば吸水率が低いということができる。表1の流動性の欄には○を記載しているが、○は流動性が101%以上を意味し、△は流動性が101%未満を意味する。
表1に示すように、実施例1のシート硬化物については、曲げ強度が大きかったのに対し、比較例1のシート硬化物については、曲げ強度が小さかった。このことから、実施例1のシート硬化物により構成される電子部品は、その取扱い時において、変形や欠損等が起こり難いものと考えられる。
(実施例2)
以下のようにして、図81に示す電子部品としてのパワーアンプモジュールを作製した。なお、図81において、図76と同一又は同等の構成要素には同一符号を付してある。
以下のようにして、図81に示す電子部品としてのパワーアンプモジュールを作製した。なお、図81において、図76と同一又は同等の構成要素には同一符号を付してある。
まず下記構造式(I):
(上記式(I)中、R1はメチル基、R2がベンジル基、R3がビニルベンジル基を表し、nは3である)
で表される分子量約6000のビニルベンジル樹脂(ポリビニルベンジルエーテル化合物(VB))とタフテックH1043をトルエンに入れ、完全に溶解するまで撹拌した。そこに、SAYTEXBT93、ジクミルパーオキサイド、BaNd2Ti4O12(平均粒径0.2μm、比誘電率93)、KBM573と、20mmφのジルコニアボールを200g入れ、4時間ボールミルで混合した。
こうしてペースト(以下、「ペーストD」という)を得た。このとき、ペーストD中のセラミック粉末の含有率が約40体積%となるようにした。そして、ペーストDを12μm電解銅箔(JTM、日鉱マテリアルズ(株))上にドクターブレードを用いて塗工し、120℃で5分の乾燥処理を行い、シート(以下、シートAという)を得た。得られたシートAの厚さは50μmであった。上記のようにして同一のシートAを4枚用意した。なお、ペーストDの誘電率は約10、tanδは約0.0025であった。またシートAについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は80MPaであり、曲げ弾性率は8GPaであった。ピール強度は12μm銅箔で4.2N/cmであった。またシートAについて限界たわみ量を測定したところ、限界たわみ量は3.6mmであった。なお、曲げ強度は、上記と同様の方法によって測定し、曲げ弾性率は、JIS K6911に準拠して測定した。
(上記式(I)中、R1はメチル基、R2がベンジル基、R3がビニルベンジル基を表し、nは3である)
で表される分子量約6000のビニルベンジル樹脂(ポリビニルベンジルエーテル化合物(VB))とタフテックH1043をトルエンに入れ、完全に溶解するまで撹拌した。そこに、SAYTEXBT93、ジクミルパーオキサイド、BaNd2Ti4O12(平均粒径0.2μm、比誘電率93)、KBM573と、20mmφのジルコニアボールを200g入れ、4時間ボールミルで混合した。
こうしてペースト(以下、「ペーストD」という)を得た。このとき、ペーストD中のセラミック粉末の含有率が約40体積%となるようにした。そして、ペーストDを12μm電解銅箔(JTM、日鉱マテリアルズ(株))上にドクターブレードを用いて塗工し、120℃で5分の乾燥処理を行い、シート(以下、シートAという)を得た。得られたシートAの厚さは50μmであった。上記のようにして同一のシートAを4枚用意した。なお、ペーストDの誘電率は約10、tanδは約0.0025であった。またシートAについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は80MPaであり、曲げ弾性率は8GPaであった。ピール強度は12μm銅箔で4.2N/cmであった。またシートAについて限界たわみ量を測定したところ、限界たわみ量は3.6mmであった。なお、曲げ強度は、上記と同様の方法によって測定し、曲げ弾性率は、JIS K6911に準拠して測定した。
一方、エポキシ樹脂に、溶融シリカからなるセラミック粉末(電気化学工業FB−3SX)をコンポジットし、ペースト(以下、「ペーストE」という)を得た。このとき、ペーストE中のセラミック粉末の含有率が約15体積%となるようにした。そして、ペーストEを12μm電解銅箔(JTM、日鉱マテリアルズ(株))上にドクターブレードを用いて塗工し、110℃で5分の乾燥処理を行い、シート(以下、シートBという)を得た。得られたシートBの厚さは50μmであった。上記のようにしてシートBを2枚用意した。ペーストEの誘電率は約3.2、tanδは約0.011であった。またシートBについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は140MPaであり、曲げ弾性率は5GPaであった。ピール強度は12μ銅箔で11N/cmであり、シートAのピール強度の2.2倍であった。またシートBの限界たわみ量は5.7mmであり、シートAの2.3倍であった。なお、曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度は、上記と同様にして測定した。
次に、2枚のシートBの間に、ペーストD及び厚さ約95μmのガラスクロス1131で構成される厚さ150μmのコア基板を配置し、2枚のシートBとコア基板との間にはそれぞれ、シートAを2枚ずつ配置した。そして、シートA、コア基板及びシートBを重ねて高温真空プレス機(KVHC型、北川精機(株))を用い、プレス圧を4MPaに保持
しながら、3℃/分で昇温した後、150℃で40分保持し、4℃/分で昇温した後、200℃で180分保持するという条件でプレスを行った。こうして、構成層1110a〜1110g及び導体層1130a〜1130hで構成される多層基板1110を得た。
しながら、3℃/分で昇温した後、150℃で40分保持し、4℃/分で昇温した後、200℃で180分保持するという条件でプレスを行った。こうして、構成層1110a〜1110g及び導体層1130a〜1130hで構成される多層基板1110を得た。
続いて、多層基板1110上に、電気素子として、増幅回路を内蔵した半導体のベアチップ1120aをワイヤボンディングによって実装した後、このベアチップ1120aをエポキシ樹脂及びシリカからなる樹脂組成物1140でモールドした。更に多層基板上には電気素子としてチップコンデンサ1120bを実装した。こうして図81に示すパワーアンプモジュール1100を得た。
(比較例2)
シートBを全てシートAに代えた以外は実施例2と同様にしてパワーアンプモジュールを得た。従って、このパワーアンプモジュールにおいては、最外層の限界たわみ量は、その内側の層の1倍となり、最外層のピール強度は、その内側の層の1倍となる。
シートBを全てシートAに代えた以外は実施例2と同様にしてパワーアンプモジュールを得た。従って、このパワーアンプモジュールにおいては、最外層の限界たわみ量は、その内側の層の1倍となり、最外層のピール強度は、その内側の層の1倍となる。
(電気的特性及び機械的特性試験)
上記のようにして得られた実施例2及び比較例2のパワーアンプモジュールについて以下のようにして電気的特性及び機械的特性の試験を行った。
上記のようにして得られた実施例2及び比較例2のパワーアンプモジュールについて以下のようにして電気的特性及び機械的特性の試験を行った。
即ち電気的特性の試験はシグナルジェネレータ、パワーメータ、スペクトラムアナライザ等の測定器を用い、出力レベル、効率、歪み等の測定を行った。一方、機械的特性の試験は、実装部品であるチップコンデンサ1120bの横押し強度、たわみ試験、固着強度試験、引き剥がし試験を、いずれもJIS C7210に従って測定した。
その結果、実施例2及び比較例2のパワーアンプモジュールのいずれにおいても、電気的特性が良好に維持されていることが分かった。これに対し、実施例2のパワーアンプモジュールは、比較例2のパワーアンプモジュールよりも欠損の発生を十分に防止できることが分かった。
10…インダクタ(電子部品)、10a〜10e…構成層(複合誘電体層)、13a〜13d…内部導体(導電性素子部、導体層)、14…ビアホール(導電性素子部)、20…キャパシタ(電子部品)、20a〜20g…構成層(複合誘電体層)、23…内部導体(導電性素子部、導体層)、40…バルントランス(電子部品)、40a〜40o…構成層(複合誘電体層)、45…GND導体(導電性素子部)、43…内部導体(導電性素子部)、60…積層フィルタ(電子部品)、80…ブロックフィルタ(電子部品)、110…カプラ(電子部品)、130、140…アンテナ(電子部品)、150、160、170…パッチアンテナ(電子部品)、140a〜140c…構成層(複合誘電体層)、143a…内部導体(導電性素子部)、144に…ビアホール(導電性素子部)、150a…構成層(複合誘電体層)、150b…構成層(複合誘電体層)、155…GND導体(導電性素子部)、159…パッチ導体(導電性素子部)、159a,159e…パッチ導体(導電性素子部)、160…パッチアンテナ(電子部品)、160a…構成層(複合誘電体層)、165…GND導体(導電性素子部)、169…パッチ導体(導電性素子部)、170…パッチアンテナ(電子部品)、180…パッチアンテナ(電子部品)、210…VCO(電子部品)、210a〜210g…構成層(複合誘電体層)、262,263,264…導体パターン(導電性素子部)、300…パワーアンプ(電子部品)、300a〜300e…構成層(複合誘電体層)、313…内部導体(導電性素子部)、314…ビアホール(導電性素子部)、315…GND導体(導電性素子部)、400…重畳モジュール(電子部品)、400a〜400k…構成層(複合誘電体層)、413,415…導体パターン(導電性素子部)、414…ビアホール(導電性素子部)、500…RFモジュール(電子部品)、500a〜500i…構成層(複合誘電体層)、513,515、572…導体パターン(導電性素子部)、600…共振器(電子部品)、610…ベース材(複合誘電体層)、641…同軸導体(導電性素子部)、647…表面GND導体(導電性素子部)、681…共振器用HOT端子(導電性素子部)、682…端部導体(導電性
素子部)、700…ストリップ共振器(電子部品)、710a〜710d…構成層(複合誘電体層)、781…共振器用HOT端子(導電性素子部)、782…GND端子(導電性素子部)、783…GND導体(導電性素子部)、784…ストリップ導体(導電性素子部)、800…共振器(電子部品)、810…ベース材(複合誘電体層)、841、842…同軸型導電体(導電性素子部)、847…表面GND導体(導電性素子部)、850…ストリップ共振器(電子部品)、881…共振器用HOT端子(導電性素子部)、882…端部電極(導電性素子部)、883…GND導体(導電性素子部)、884…ストリップ導体(導電性素子部)、885…接続用電極(導電性素子部)、1110a、1110b、1200a,1200g,1300a,1300e…構成層(第1誘電体層)、1110b〜1110f、1200b〜1200f、1300b〜1300d…構成層(第2誘電体層)、1130a〜1130h…導体層、1110…多層基板、1100、1200,1300…電子部品、1120a,1120b…電気素子。
素子部)、700…ストリップ共振器(電子部品)、710a〜710d…構成層(複合誘電体層)、781…共振器用HOT端子(導電性素子部)、782…GND端子(導電性素子部)、783…GND導体(導電性素子部)、784…ストリップ導体(導電性素子部)、800…共振器(電子部品)、810…ベース材(複合誘電体層)、841、842…同軸型導電体(導電性素子部)、847…表面GND導体(導電性素子部)、850…ストリップ共振器(電子部品)、881…共振器用HOT端子(導電性素子部)、882…端部電極(導電性素子部)、883…GND導体(導電性素子部)、884…ストリップ導体(導電性素子部)、885…接続用電極(導電性素子部)、1110a、1110b、1200a,1200g,1300a,1300e…構成層(第1誘電体層)、1110b〜1110f、1200b〜1200f、1300b〜1300d…構成層(第2誘電体層)、1130a〜1130h…導体層、1110…多層基板、1100、1200,1300…電子部品、1120a,1120b…電気素子。
Claims (13)
- 樹脂を含む少なくとも1つの第1誘電体層と、
樹脂を含む少なくとも1つの第2誘電体層と、
少なくとも1つの導体層とを積層して構成され、
前記第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下であり、
前記第1誘電体層の限界たわみ量が、前記第2誘電体層の1.3倍以上であることを特徴とする多層基板。 - 前記第2誘電体層が、前記樹脂よりも比誘電率の大きいセラミック粉末を更に含むこと
を特徴とする請求項1に記載の多層基板。 - 2つの最外層を有し、前記2つの最外層の少なくとも一方が前記第1誘電体層で構成され、前記2つの最外層の間に前記少なくとも1つの第2誘電体層が配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の多層基板。
- 前記第1誘電体層のピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の多層基板。
- 樹脂を含む2つの第1誘電体層と、
前記2つの第1誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも1つの第2誘電体層と、
少なくとも1つの導体層とを積層して構成され、
前記2つの第1誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、
前記第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下であり、
前記第1誘電体層のピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上であることを特徴とする多層基板。 - 前記第1誘電体層のピール強度が8N/cm以上であることを特徴とする請求項4又は5に記載の多層基板。
- 樹脂を含む少なくとも1つの第1誘電体層と、
樹脂を含む少なくとも1つの第2誘電体層と、
少なくとも1つの導体層とを積層して構成され、
前記第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下であり、
前記第1誘電体層の限界たわみ量が前記第2誘電体層の1.3倍以上であることを特徴とする電子部品。 - 前記第2誘電体層が、前記樹脂よりも比誘電率の大きいセラミック粉末を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の電子部品。
- 2つの最外層を有し、前記2つの最外層の少なくとも一方が前記第1誘電体層で構成され、前記2つの最外層の間に前記少なくとも1つの第2誘電体層が配置されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の電子部品。
- 前記第1誘電体層のピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上であることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の電子部品。
- 樹脂を含む2つの第1誘電体層と、
前記2つの第1誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも1つの第2誘電体層と、
少なくとも1つの導体層とを積層して構成され、
前記2つの第1誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、
前記第2誘電体層の誘電正接tanδが0.01以下であり、
前記第1誘電体層のピール強度が、前記第2誘電体層のピール強度の1.5倍以上であることを特徴とする電子部品。 - 前記第1誘電体層のピール強度が8N/cm以上であることを特徴とする請求項10又は11に記載の電子部品。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の多層基板と、
前記多層基板に設けられる電気素子と、
を備えることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003435393A JP2005193407A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 電子部品及び多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003435393A JP2005193407A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 電子部品及び多層基板 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003432554A Division JP2004221572A (ja) | 2002-12-27 | 2003-12-26 | 電子部品及び多層基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005193407A true JP2005193407A (ja) | 2005-07-21 |
Family
ID=34815492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003435393A Withdrawn JP2005193407A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 電子部品及び多層基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005193407A (ja) |
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-
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- 2003-12-26 JP JP2003435393A patent/JP2005193407A/ja not_active Withdrawn
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