JP2005187248A - シリコン精錬におけるNa除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 スラグ精錬後、スラグを除去し、所定の時間シリコンを保持する。このとき、シリコン表面を不活性ガスで吹き付けるかバブリングかまたは減圧することにより除去効果を高めることができる。
【選択図】 なし
Description
(1) Naを含有するスラグを用いたシリコンの精錬後、スラグのみを除去し、(1)式で算出される時間以上シリコンを溶融状態で保持することを特徴とするシリコン精錬におけるNa除去方法、
(2) 前記スラグのみの除去において、雰囲気に露出する部分のシリコンの表面積が全表面積の少なくとも3分の1以上である(1)記載のシリコン精錬におけるNa除去方法、
(3) 前記溶融状態での保持中に、不活性ガスをシリコン表面に吹き付ける又はバブリングする(1)又は(2)に記載のシリコン精錬におけるNa除去方法、
(4) 前記溶融状態での保持中に、雰囲気を1.33×103Pa以下の減圧にする(1)又は(2)に記載のシリコン精錬におけるNa除去方法、
である。
2 不純物(ボロンや燐等)、
3 スラグ、
4 Na、
5 シリコンの表面、
6 全表面。
Claims (4)
- 前記スラグのみの除去において、雰囲気に露出する部分のシリコンの表面積が全表面積の少なくとも3分の1以上である請求項1記載のシリコン精錬におけるNa除去方法。
- 前記溶融状態での保持中に、不活性ガスをシリコン表面に吹き付ける又はバブリングする請求項1又は2に記載のシリコン精錬におけるNa除去方法。
- 前記溶融状態での保持中に、雰囲気を1.33×103Pa以下の減圧にする請求項1又は2に記載のシリコン精錬におけるNa除去方法。
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