JP2005184016A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれにより製造したデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】品目支持体の支持突起の数を減少させ、制御可能な方法で品目を水平にするリソグラフィ投影装置を提供する。
【解決手段】装置は、放射線のビームを提供する照明システムと、放射線のビームのビーム路に配置すべき品目を支持する品目支持体と、品目を品目支持体に締め付けるクランプとを含む。クランプには、品目を局所的に曲げるために局所的曲げモーメントを提供するよう、局所的に調節した圧力を生成するために、品目の周囲に配置した複数のゾーンを設ける。
【選択図】図２

Description

本発明は概ねリソグラフィ装置に関する。特に、本発明はリソグラフィ装置の品目支持体に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この状況で、マスクなどのパターニング手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができ、このパターンを、放射線感光原料（レジスト）の層を有する基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。既知リソグラフィ装置は、全体マスクパターンを目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の基準方向（「走査」方向）にマスクパターンを投影ビームで徐々に走査し、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。

従来のリソグラフィ投影装置では、リソグラフィのプロセス中にウェハまたはレチクルなどの品目を、真空圧力、静電力、分子間結合力またはただの重力などの締め付け力によって品目支持体上に締め付ける。本出願では、「品目」は、ウェハ、レチクル、マスクまたは基板という上述した用語、特にリソグラフィ投影技術を使用してデバイスを製造する際に処理すべき基板などの、リソグラフィ投影装置のリソグラフィ投影マスクまたはマスク素材、マスク検査またはクリーニング装置などのマスク取り扱い装置、またはマスク製造装置または放射線システムの光路内で締め付ける他の任意の品目または光学エレメントのいずれかでよい。

欧州特許出願第ＥＰ０９４７８８４号は、品目の平坦さを改善するよう突起が配置構成された品目ホルダを有するリソグラフィ装置について記載している。これらの突起は、おおよそ０．５ｍｍの直径を有し、相互からおおよそ３ｍｍ離れた距離に位置し、それによって品目を支持する支持部材の土台を形成する。しかし、このような構成は製造費が高い。突起を完全に水平にする必要があるからである。これに関して、品目の突起の数を減少させることが望ましい。しかし、突起の数を減少させると、品目の支持がより不均一になる傾向があり、その結果、像が劣化し、解像度が失われる。さらなる問題は、大抵の場合、品目は完全には水平でなく、したがってそれを水平にするには、完全に水平である大きい支持区域が必要であり、比較的高い締め付け圧力を使用する必要があることである。

本発明の実施形態の一態様は、リソグラフィ投影装置で、放射線の投影ビームを提供する照明システムと、放射線の投影ビームのビーム路に配置すべき平坦な品目を自身上で支持する品目支持体と、品目を品目支持体に締め付けるクランプとを有し、支持突起の数を減少させ、制御可能な方法で品目を水平にするリソグラフィ投影装置を提供することである。

本発明の実施形態の別の態様は、放射線の投影ビームを提供する照明システムと、放射線の前記ビームのビーム路に配置すべき品目を支持する品目支持体と、品目を品目支持体に締め付けるクランプとを含むリソグラフィ装置を提供することである。クランプには、局所的曲げモーメントを提供して前記品目を局所的に曲げるよう、局所的に調節された圧力を生成するため、品目支持体の周囲に配置された複数のゾーンをもうける。

本発明の実施形態の別の態様は、品目支持体で、品目支持体の周囲に配置された複数の締め付けゾーンを設けたクランプを含む品目支持体を提供することである。この方法で、品目を局所的に曲げるために局所的曲げモーメントを提供するよう、局所的に調節した圧力を生成することができる。したがって、品目の側部に曲げモーメントを生成することにより、平坦でない品目を平坦にすることができる。

好ましい実施形態では、品目支持体は、少なくとも３本の支柱、または特に３本または４本のみの支柱を有する。このような実施形態では、品目は、支柱のいずれかに粉塵が存在するために、高さの変動には比較的不感性である。このような存在の結果、品目が相対的に傾斜し、これは容易に考慮に入れることができる。

さらなる好ましい実施形態では、支柱は例えば圧電パッドなどを有することによって起動可能である。このような実施形態は、品目表面の望ましくない窪みを水平にできるよう、局所的区域を隣接区域に対して押すことができるという利点を有する。

代替的または追加的に、複数のゾーンのうち少なくとも幾つかは、それぞれ個々に制御可能な静電気クランプを有する。このような実施形態は、品目を引くゾーンと押すゾーンとを有し、したがって特定のレイアウトを平坦にすることができる。つまり、接触ポイントがわずか３個などと比較的少ないので、品目は、このように交互に引き、押しゾーンを使用して、平坦に維持することができる。これに関して、「引く」とは、品目上に下方向の圧力を生成させ、品目を品目支持体に締め付けることである。「押す」とは、品目を品目支持体から（局所的に）押すために、上方向の圧力を生成することである。

さらに、クランプは、品目の局所的高さを感知する高さセンサを有することができる。特に静電気クランプの場合、高さ感知回路をクランプの容量性プレートに結合することができる。また、水平にした品目を達成するために静電気クランプの締め付け圧力を調節するよう、高さ感知回路をクランプ制御ユニットに結合することができる。さらに、クランプ制御ユニットは、品目の検出された局所的高さおよび／または検出された像の品質に応答して、締め付け圧力を制御することができる。別の好ましい実施形態では、複数のゾーンが、比較的圧力差がある裏込め気体圧力を生成するために区切った圧力ゾーンを有する。このような区画化されたゾーンにより、比較的圧力差がある圧力を生成し、局所的押しゾーンを生成することができる。

本発明の実施形態の別の態様は、デバイス製造方法を提供することである。方法は、放射線のビームを提供することと、放射線のビームにパターンを生成することと、投影システムを使用して、パターンを生成した放射線のビームを放射線感光性材料の層の目標部分に投影することと、放射線ビームのビーム路に配置すべき品目を締め付けることと、水平にした品目を達成するため、少なくとも１つの締め付け圧力を調節することとを含む。本発明の実施形態のさらなる態様は、デバイス製造方法により製造したデバイスを提供することである。

本発明の実施形態のさらに別の態様は、レチクルを支持する方法を提供することである。方法は、レチクル支持体にレチクルを配置することと、支持体上のレチクルの不均一性、非平坦さ、および傾斜のうち少なくとも１つを決定することと、レチクルの不均一性、非平坦さ、および傾斜のうち少なくとも１つを補正するために、レチクルを曲げるようレチクルに圧力を加えることとを含む。

リソグラフィ装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出模様、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当業者にとって明らかである。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

本明細書において使用する「パターニングデバイス」または「パターニング構造」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分にパターンを生成するよう、投影ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスまたは構造を指すものとして広義に解釈されるべきである。投影ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。このようにして、反射されたビームはパターン形成される。パターニングデバイスの各例では、支持構造はフレームもしくはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となり、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書において使用する「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターニングデバイス」なる用途と同義と見なすことができる。

本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。

照明システムは、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う屈折、反射、および反射屈折光学構成要素などの様々なタイプの光学構成要素も含むことができ、こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。

リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するよう、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬するタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの第一要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、統制システムの開口数を増加させるため、当技術分野で周知である。

本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。

図面では、同様または対応する要素は同じ参照番号で指す。明快に理解するために、場合によっては幾つかの信号要素のみを図で示すか、その幾つかのみを参照番号で指す、またはその方法を実行する。

図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示したものである。この装置は、放射線（例えばＵＶまたはＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給する照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニング構造（例えばマスク）ＭＡを支持し、かつ、品目ＰＬに対して正確にパターニング構造の位置決めを行う第一位置決めデバイスに連結を行った第一支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布したシリコンウェハ）Ｗを支持し、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決めデバイスＰＷに連結を行った第二支持構造（例えば基板テーブルまたはウェハテーブル）ＷＴと、パターニング構造ＭＡによって投影ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像する投影システム（例えば反射性投影レンズ）ＰＬを有する。

ここで示しているように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクまたは上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）。あるいは、装置は透過タイプでもよい（例えば透過マスクを使用する）。

照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線のビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがプラズマ放電ソースである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはスペクトル純度フィルタなどを有する放射線集光器を介して、ソースＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬは、放射線システムと呼ぶことができる。

照明装置ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節する調節デバイスを有してよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。照明装置は、投影ビームＰＢと呼ばれ、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する、調整された投影ビームを提供する。

投影ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。ビームＰＢはマスクＭＡで反射して、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束するレンズＰＬを通過する。第二位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス）により、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決めデバイスＰＭおよび位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの運動は、位置決めデバイスＰＭおよびＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

ここに表した装置は以下の好ましいモードにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、投影ビームに与えたパターン全体が１回の作動（すなわち１回の静止露光）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。

上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。

図２は、本発明の第一実施形態を示し、図１のリソグラフィ装置内でレチクル（図示せず）を支持するレチクル支持体１を示す。図２では、レチクル支持体に複数のゾーン２および３を設け、これは通常、局所的に調節された圧力を生成するためにレチクル支持体１の周囲に配置されている。本明細書で使用する「周囲」なる用語は、円形の構成に制限されず、任意の形状に適用可能であり、「周縁」部分であると見なすことができる。特に、レチクル支持体１は、プラス（＋）の記号で示された引きパッド２の外周と、引きパッド２の外周に隣接し、マイナス（−）の記号で示された押しパッド３の内周とを有する。隣接する引きパッドおよび押しパッド２および３が存在することにより、レチクルの縁付近に局所的曲げモーメントが提供される。この方法で、図６に関して明白になるように、レチクルの非平坦さが解消され、改善された平坦さを達成することができる。このような非平坦さは、レチクル内に存在する層間応力によって、特に相互に結合された複数の反射層で構成されたレチクルで引き起こされる。レチクルを締め付ける特定の寸法は、総面積が１５０×１５０ｍｍで、１０×１０ｍｍの隅パッド４と、１０×１３０ｍｍの隣接する２つの細長い側部パッド５とが、レチクルの外縁付近でレチクルを局所的に曲げるための局所的曲げモーメントを提供するよう、交互にレチクルを引っ張り、押す。引っ張り圧力は、０．１５から３バールの範囲であった。信号ライン７を通して局所的に調節された制御を提供するために、パッド２、３を制御する制御ユニット６が、概略的に図示されている。

図２では、水平なレチクルを達成するために、レチクルの縁付近で曲げモーメントを生成するための図が提供される。これに加えて、均一な支持圧力を提供して、レチクルを物理的に支持することが好ましい。

図３は、本発明に従い設計されたレチクルクランプ８の３点懸垂を示す。３つの支持ポイント９のみが物理的接点であり、したがって粒子の存在のために不均一性を獲得できるのは、これらのポイントのみである。このような不均一さの結果、レチクルが傾斜するが、これは従来の方法を使用して光学的に中立させることができ、像の解像には有害でない。

図４は、本発明の実施形態により設計したレチクルクランプ１０の４ポイント懸垂を示す。支持体９の１つに粒子が存在するために生じる捻りおよび傾斜は、従来の方法を使用して光学的に中立させることができる。図３および図４の３点および４ポイント懸垂は、中心の引っ張りパッド１１を特徴とし、これは懸垂ポイント９および周縁の引きパッド１２との組み合わせで、縁付近の曲げモーメント、さらに品目の支持力を生成する。

図５は、本発明の別の実施形態を示す。この実施形態では、クランプ１３は例えば圧電パッドの形態などの中央に配置された複数の能動支持体１４を有する。これらの能動支持体１４は電極１５の中心に配置され、これは支持体１上の配置されたレチクルとの組み合わせで静電高さセンサを形成することができる。この方法で、支持体の周囲で局所的に高さの検出が得られる。これに応答して、制御ユニット６が能動支持体１４を制御して、検出された高さの変動に応答して圧力を局所的に調節するよう、圧力を上下させる。この方法で、支持体上にレチクルの水平さを歪める不純物粒子が存在すると、それは検出された高さの局所的増加を通して存在が検出された場所で、その支持体（および場合によっては周囲の支持体）の局所的圧力を下げることにより補正することができる。

１つの実施形態では、図３から図５で示した構成の特定の寸法は、１０ｍｍの幅を有する細長い側部パッド５、および２０ｍｍの幅を有する正方形の隅パッド４を含む。中心パッド１１には、３から３０ｃｍ^２の範囲の能動引き区域を設ける。引っ張り圧力は０．１５から３バールの範囲であった。

図６は、締め付けていないレチクルの高さマップを示す。レチクルは複数の反射層を有する。複数層が存在するので層状応力が存在する。この応力は、−１００ＭＰａから＋５００ＭＰａまで変動し、その結果、最大２ミクロンの欠陥が生じる。一般的に、レチクルは層状応力が均質な状況では球体の形状をとる。図示の実施形態では、４００ＭＰａの横領があるので、レチクルの縁に向かって上方向に傾斜することになる。

図７は、図２の実施形態で締め付けた場合の図６のレチクルの中心にある１００×１２０ｍｍの品質区域の１／４の高さマップを示す。一般的に、１５０×１５０ｍｍのレチクル部片の場合、照明用にはその中心部分（品質区域と呼ぶ）しか使用しない。品質区域に直接隣接する区域は、位置合わせおよび検出の目的に使用する。実践的な例として、中心の品質区域は１００×１００ｍｍの区域であり、位置合わせ区域が、品質区域の対向する側部に１０×１００ｍｍの細片という形で存在する。図７は、このような１００×１２０ｍｍの位置合わせ区域の１／４を、レチクルの中心（５０×６０ｍｍの区域）からみた状態で示す。高さマップから分かるように、最大偏向は品質区域および位置合わせ区域で０．５ｎｍである。この高さマップに対応する局所的傾斜は、最大で０．１μｒａｄである。上述した最大値は、ウェハの水平のオーバレイ誤差に対する寄与が１ｎｍという仕様内に十分に入る。

図８は、図３の三脚の実施形態で締め付けた場合に、図６のレチクルの中心にある１００×１２０ｍｍの品質区域の高さマップを示す。図示のように、支持体は、（３つのＸで示したように）中心位置から測定して５５×５５ｍｍの締め付け区域のすぐ外側にある。偏向は２ミクロンから５０ｎｍへと減少したことが分かり、対応する最大回転は４μｒａｄになる。

図９の高さマップは、図５の実施形態で締め付けた場合に、図６のレチクルの中心にある１００×１２０ｍｍの品質区域の１／４に相当する。ここでは、高さマップが、上述した１ｎｍのオーバレイ誤差を達成するための仕様に十分入る。つまり高さの最大変動は１１ｎｍで、局所的傾斜は中心の品質区域で０．４μｒａｄになり、これは検出／位置合わせ区域では０．７μｒａｄになる。

図示の実施形態は、静電引力および／または反発力に基づくものであるが、本発明の実施形態はそれに制限されず、他の形態の圧力も使用することができる。例えば、図２から図５で示した押しおよび引きゾーン２、３は、相対的差圧が生じる裏込め気体圧力を生成するために区切られた圧力ゾーンを有してよい。このような区切られた圧力ゾーンと組み合わせた均質の静電圧力の組み合わせを使用することも実現可能である。このような実施形態では、均質な圧力は、レチクルに対してプラスの下方向の合成力を生成するのに十分なほど大きい。このような実施形態の場合、力は、局所的な裏込め圧力を変化させることにより、局所的に変化させることができる。

図示の実施形態は、真空リソグラフィ環境で使用する反射性レチクルのためのものである。しかし、本発明の実施形態は、側部を締め付けた透過性品目または照射すべき基板またはウェハなど、放射線の投影ビームのビーム路に配置すべき他の品目にも適用することができる。

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。本説明は本発明を制限する意図ではない。

本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置を示したものである。 図１で示したレチクルホルダの第一実施形態を示したものである。 図１で示したレチクルホルダの第二実施形態を示したものである。 図１で示したレチクルホルダの第三実施形態を示したものである。 図１で示したレチクルホルダの第四実施形態を示したものである。 ２ミクロンの高さの偏向を有する１５０×１５０ｍｍのレチクルの高さマップを示したものである。 図２の実施形態で締め付けた場合の図６のレチクルの中心にある１００×１２０ｍｍの品質区域の１／４の高さマップを示したものである。 図３の実施形態で締め付けた場合の図６のレチクルの中心にある１００×１２０ｍｍの品質区域の高さマップを示したものである。 図５の実施形態で締め付けた場合の図６のレチクルの中心にある１００×１２０ｍｍの品質区域の１／４の高さマップを示したものである。

Claims (18)

1. リソグラフィ投影装置で、
   放射線のビームを提供する照明システムと、
   前記放射線ビームのビーム路に配置すべき品目を支持する品目支持体と、
   前記品目を前記品目支持体に締め付けるクランプとを有し、
   局所的曲げモーメントを提供して前記品目を局所的に曲げるよう、局所的に調節した圧力を生成するために、前記クランプに前記品目支持体の周囲に配置した複数のゾーンを設けるものであるリソグラフィ投影装置。
2. 前記品目支持体が少なくとも３本の支柱を有する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
3. 前記品目支持体が３本の支柱で構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記品目支持体が４本の支柱で構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記支柱が起動可能である、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記支柱が圧電パッドである、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記複数のゾーンのうち少なくとも１つが、個々に制御可能なクランプを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記クランプが、品目の局所的高さを感知する高さセンサを有する、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. さらに、前記複数のゾーンの締め付け圧力を調節して、水平化された品目を達成する締め付け制御ユニットを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記締め付け制御ユニットが、前記品目の検出された局所的高さおよび検出された像の品質のうち少なくとも一方に応答して前記締め付け圧力を制御するよう構成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記複数のゾーンが、比較的差圧がある裏込め気体圧力を生成するために区切られた圧力ゾーンを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記品目がレチクルを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
13. 放射線のビーム路に配置すべき平坦な品目を支持する品目支持体で、
    前記品目を前記品目支持体に締め付けるクランプを有し、
    局所的曲げモーメントを提供して前記品目を局所的に曲げるよう、前記クランプに、局所的に調節した圧力を生成するための複数のゾーンを設けるものである品目支持体。
14. デバイス製造方法で、
    放射線のビームを提供することと、
    放射線のビームにパターンを生成することと、
    投影システムを使用して、パターンを生成した放射線のビームを放射線感光性材料の層の目標部分に投影することと、
    放射線ビームのビーム路に配置すべき品目を締め付けることと、
    平坦な品目を達成するため、少なくとも１つの締め付け圧力を調節することとを含むものであるデバイス製造方法。
15. さらに、品目の局所的高さを感知することを含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
16. 前記少なくとも１つの締め付け圧力を感知することが、前記局所的高さを感知することに応答する、請求項１５に記載のデバイス製造方法。
17. 請求項１４に記載の方法により製造したデバイス。
18. レチクルを支持する方法で、
    レチクル支持体にレチクルを配置することと、
    前記支持体上の前記レチクルの不均一性、非平坦さ、および傾斜のうち少なくとも１つを決定することと、
    前記レチクルの不均一性、非平坦さ、および傾斜のうち前記少なくとも１つを補正するために、前記レチクルを曲げるよう前記レチクルに圧力を加えることとを含むものである方法。