JP2005184016A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれにより製造したデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】装置は、放射線のビームを提供する照明システムと、放射線のビームのビーム路に配置すべき品目を支持する品目支持体と、品目を品目支持体に締め付けるクランプとを含む。クランプには、品目を局所的に曲げるために局所的曲げモーメントを提供するよう、局所的に調節した圧力を生成するために、品目の周囲に配置した複数のゾーンを設ける。
【選択図】図2
Description
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは基本的に静止状態に保たれている。そして、投影ビームに与えたパターン全体が1回の作動(すなわち1回の静止露光)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査する一方、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (18)
- リソグラフィ投影装置で、
放射線のビームを提供する照明システムと、
前記放射線ビームのビーム路に配置すべき品目を支持する品目支持体と、
前記品目を前記品目支持体に締め付けるクランプとを有し、
局所的曲げモーメントを提供して前記品目を局所的に曲げるよう、局所的に調節した圧力を生成するために、前記クランプに前記品目支持体の周囲に配置した複数のゾーンを設けるものであるリソグラフィ投影装置。 - 前記品目支持体が少なくとも3本の支柱を有する、請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。
- 前記品目支持体が3本の支柱で構成される、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記品目支持体が4本の支柱で構成される、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記支柱が起動可能である、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記支柱が圧電パッドである、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記複数のゾーンのうち少なくとも1つが、個々に制御可能なクランプを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記クランプが、品目の局所的高さを感知する高さセンサを有する、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- さらに、前記複数のゾーンの締め付け圧力を調節して、水平化された品目を達成する締め付け制御ユニットを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記締め付け制御ユニットが、前記品目の検出された局所的高さおよび検出された像の品質のうち少なくとも一方に応答して前記締め付け圧力を制御するよう構成される、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記複数のゾーンが、比較的差圧がある裏込め気体圧力を生成するために区切られた圧力ゾーンを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記品目がレチクルを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 放射線のビーム路に配置すべき平坦な品目を支持する品目支持体で、
前記品目を前記品目支持体に締め付けるクランプを有し、
局所的曲げモーメントを提供して前記品目を局所的に曲げるよう、前記クランプに、局所的に調節した圧力を生成するための複数のゾーンを設けるものである品目支持体。 - デバイス製造方法で、
放射線のビームを提供することと、
放射線のビームにパターンを生成することと、
投影システムを使用して、パターンを生成した放射線のビームを放射線感光性材料の層の目標部分に投影することと、
放射線ビームのビーム路に配置すべき品目を締め付けることと、
平坦な品目を達成するため、少なくとも1つの締め付け圧力を調節することとを含むものであるデバイス製造方法。 - さらに、品目の局所的高さを感知することを含む、請求項14に記載のデバイス製造方法。
- 前記少なくとも1つの締め付け圧力を感知することが、前記局所的高さを感知することに応答する、請求項15に記載のデバイス製造方法。
- 請求項14に記載の方法により製造したデバイス。
- レチクルを支持する方法で、
レチクル支持体にレチクルを配置することと、
前記支持体上の前記レチクルの不均一性、非平坦さ、および傾斜のうち少なくとも1つを決定することと、
前記レチクルの不均一性、非平坦さ、および傾斜のうち前記少なくとも1つを補正するために、前記レチクルを曲げるよう前記レチクルに圧力を加えることとを含むものである方法。
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Families Citing this family (10)
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KR101640766B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2016-07-20 | 삼성전자주식회사 | 반사형 레티클 척, 그것을 포함하는 반사형 조명 시스템, 그것을 이용한 반사형 레티클의 평탄성을 개선하는 방법 및 반도체 소자를 제조하는 방법 |
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Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
US4737824A (en) * | 1984-10-16 | 1988-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface shape controlling device |
KR900001241B1 (ko) * | 1985-04-17 | 1990-03-05 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 광 노출 장치 |
US5724121A (en) * | 1995-05-12 | 1998-03-03 | Hughes Danbury Optical Systems, Inc. | Mounting member method and apparatus with variable length supports |
JP3027551B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
SE9704193D0 (sv) * | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Micronic Laser Systems Ab | Device and method for flat holding of a substrate in microlithography |
EP0947884B1 (en) | 1998-03-31 | 2004-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with substrate holder |
JP2001332609A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
JP2002251017A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Adtec Engineeng Co Ltd | 露光装置 |
TWI277836B (en) * | 2002-10-17 | 2007-04-01 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Method and apparatus for forming pattern on thin-substrate or the like |
-
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021997A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011192987A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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