JP2005175407A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005175407A5
JP2005175407A5 JP2003417212A JP2003417212A JP2005175407A5 JP 2005175407 A5 JP2005175407 A5 JP 2005175407A5 JP 2003417212 A JP2003417212 A JP 2003417212A JP 2003417212 A JP2003417212 A JP 2003417212A JP 2005175407 A5 JP2005175407 A5 JP 2005175407A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
test
projection optical
reticle
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003417212A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005175407A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2003417212A priority Critical patent/JP2005175407A/ja
Priority claimed from JP2003417212A external-priority patent/JP2005175407A/ja
Priority to US11/013,252 priority patent/US7495742B2/en
Publication of JP2005175407A publication Critical patent/JP2005175407A/ja
Publication of JP2005175407A5 publication Critical patent/JP2005175407A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. レチクルが載置された第1ステージと基板が載置された第2ステージとを相対的に駆動させながらレチクルに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に露光する投影露光装置の前記投影光学系の光学特性の計測方法であって、
    前記第1と第2ステージを相対的に駆動させながら前記レチクルあるいは基準プレート上のテストパターンを投影光学系を介し基板面上に結像させ、結像させた該パターン像の位置ずれ量に基づき、前記投影光学系の光学特性を測定すると共に、前記テストパターンからの光が通過する前記投影光学系の瞳領域は、特定のゼルニケ項の係数が前記位置ずれ量から1:1の関係で求められる形状であることを特徴とする光学特性の計測方法。
  2. 前記テストパターンを露光装置のスキャン方向に複数セット配置させることにより、該露光装置のスキャン方向のフォーカス変化を計測することを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 前記テストパターンを露光装置のスキャン方向および前記投影光学系の像面方向に複数セット配置させることにより、該露光装置のスキャン方向のチルト変化を計測することを特徴とする請求項1記載の方法。
  4. 前記投影光学系の瞳領域は、前記投影光学系の瞳位置と共役な照明系位置に配置した絞りにより形成することを特徴とする請求項1記載の方法。
  5. 前記投影光学系の瞳領域は、前記テストパターンに対向する面に配置した開口により形成することを特徴とする請求項1記載の方法。
  6. 被検光学系の光学性能を測定するための計測装置であって、
    所定方向に並んだ複数のテストパターンと、各テストパターンに対応して設けられた複数の開口を有するテストレチクルを照明する照明光学系と、
    照明光に対して前記テストレチクルを前記所定方向にスキャンする駆動部と、
    各テストパターン及びそれに対応する開口を経たを前記被検光学系に導光して前記被検光学系が結像したテストパターンの空中像又は感光基板上における転写像の位置を、前記スキャンの範囲に亘って測定する測定部とを有することを特徴とする計測装置。
  7. 被検光学系の光学性能を測定するための計測方法であって、
    所定方向に並んだ複数のテストパターンと、各テストパターンに対応して設けられた複数の開口を有するテストレチクルを照明するステップと、
    照明光に対して該テストレチクルを前記所定方向にスキャンするステップと、
    各テストパターン及びそれに対応する開口を経た光を前記被検光学系に導光して前記被検光学系が結像したテストパターンの空中像又は感光基板上における転写像の位置の情報を、前記スキャンの範囲に亘って取得するステップと、
    前記情報から前記被検光学系の光学性能を算出するステップとを有することを特徴とする計測方法。
  8. 請求項7記載の測定方法を利用して算出された前記被検光学系としての投影光学系の光学性能に基づいて前記投影光学系を調節するステップと、
    前記調節された前記投影光学系を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
  9. 光束を用いてレチクルに形成されたパターンを被露光体にステップアンドスキャン方式で露光する露光装置であって、
    前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系と、
    前記投影光学系の光学性能を計測する請求項6記載の計測装置とを有することを特徴とする露光装置。
  10. 請求項9記載の露光装置を利用して被露光体を露光するステップと、
    前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法。
JP2003417212A 2003-12-15 2003-12-15 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法 Pending JP2005175407A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003417212A JP2005175407A (ja) 2003-12-15 2003-12-15 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
US11/013,252 US7495742B2 (en) 2003-12-15 2004-12-15 Measuring method and apparatus, exposure method and apparatus using the same, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003417212A JP2005175407A (ja) 2003-12-15 2003-12-15 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005175407A JP2005175407A (ja) 2005-06-30
JP2005175407A5 true JP2005175407A5 (ja) 2007-02-08

Family

ID=34650656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003417212A Pending JP2005175407A (ja) 2003-12-15 2003-12-15 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7495742B2 (ja)
JP (1) JP2005175407A (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4455129B2 (ja) * 2004-04-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置
US7580113B2 (en) * 2006-06-23 2009-08-25 Asml Netherlands B.V. Method of reducing a wave front aberration, and computer program product
JP2008042036A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008186912A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Nikon Corp 収差評価方法、調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5013921B2 (ja) * 2007-03-29 2012-08-29 キヤノン株式会社 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2009152251A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009272387A (ja) 2008-05-01 2009-11-19 Canon Inc 走査露光装置及びデバイス製造方法。
JP2009277711A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Canon Inc 露光装置、補正方法及びデバイス製造方法
CN104335021B (zh) * 2012-05-30 2020-04-07 株式会社尼康 波前测量方法及装置、以及曝光方法及装置
CN102854757B (zh) * 2012-08-23 2015-08-12 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于空间像线性拟合的投影物镜波像差检测系统和方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5661548A (en) * 1994-11-30 1997-08-26 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus including a changing system for changing the reference image-formation position used to generate a focus signal
US5828455A (en) * 1997-03-07 1998-10-27 Litel Instruments Apparatus, method of measurement, and method of data analysis for correction of optical system
JP3335126B2 (ja) * 1998-07-06 2002-10-15 キヤノン株式会社 面位置検出装置及びそれを用いた走査型投影露光装置
JP3927774B2 (ja) * 2000-03-21 2007-06-13 キヤノン株式会社 計測方法及びそれを用いた投影露光装置
JP2001264582A (ja) 2000-03-22 2001-09-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 光コネクタ用フェルール
JP4005763B2 (ja) * 2000-06-30 2007-11-14 株式会社東芝 投影光学系の収差補正方法及び半導体装置の製造方法
TWI221000B (en) * 2001-02-13 2004-09-11 Nikon Corp Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method
JP2003045795A (ja) * 2001-05-10 2003-02-14 Nikon Corp 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法
JP2003007598A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp フォーカスモニタ方法およびフォーカスモニタ用装置ならびに半導体装置の製造方法
EP1422562B1 (en) * 2001-08-31 2013-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Reticle and optical characteristic measuring method
JP3673783B2 (ja) * 2001-10-01 2005-07-20 キヤノン株式会社 収差計測方法及び投影露光装置
US6960415B2 (en) * 2001-10-01 2005-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Aberration measuring method and projection exposure apparatus
JP4343706B2 (ja) * 2002-04-17 2009-10-14 キヤノン株式会社 レチクル及び光学特性計測方法
JP3796464B2 (ja) * 2002-04-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 投影光学系の収差計測方法
JP4054666B2 (ja) * 2002-12-05 2008-02-27 キヤノン株式会社 露光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100817988B1 (ko) 파면수차를 측정하는 측정장치 및 그것을 가지는 노광장치,그리고 파면수차의 측정방법
KR970072024A (ko) 투영노광장치
KR960011563A (ko) 투영 노광 시스템
WO2003088329A1 (en) Reticle and optical characteristic measuring method
KR20100014357A (ko) 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JPH03211813A (ja) 露光装置
US8013980B2 (en) Exposure apparatus equipped with interferometer and exposure apparatus using the same
WO2011061928A1 (ja) 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175407A5 (ja)
JP5538851B2 (ja) 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP4032501B2 (ja) 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置
JP3870153B2 (ja) 光学特性の測定方法
JP5084239B2 (ja) 計測装置、露光装置並びにデバイス製造方法
JP7468630B2 (ja) 計測装置、露光装置、および計測方法
JP2005175407A (ja) 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
TW200941147A (en) Exposure apparatus, detection method, and method of manufacturing device
US20050052633A1 (en) Exposure apparatus and device fabrication method using the same
US6943882B2 (en) Method to diagnose imperfections in illuminator of a lithographic tool
TW200905411A (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2004163313A (ja) 輪郭検出方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光装置
US7911585B2 (en) Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPH10335207A (ja) 結像特性の測定装置、露光装置及びそれらの方法
JP2008118061A5 (ja)
JPH10106937A (ja) 位置検出方法及びその装置並びに投影露光装置
JP4029134B2 (ja) 投影露光装置