JP2005175109A - 薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005175109A JP2005175109A JP2003411314A JP2003411314A JP2005175109A JP 2005175109 A JP2005175109 A JP 2005175109A JP 2003411314 A JP2003411314 A JP 2003411314A JP 2003411314 A JP2003411314 A JP 2003411314A JP 2005175109 A JP2005175109 A JP 2005175109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- source electrode
- thin film
- film transistor
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ(TFT)1は、不図示の透明絶縁基板上に形成されたゲート電極2’を有している。ゲート電極2’上には、ゲート絶縁膜22を介してゲート電極2’に沿って所定の間隙で対向する対向辺をそれぞれ有するドレイン電極8及びソース電極10が形成されている。ソース電極10には、透明絶縁基板面の法線方向に見て、ドレイン電極8に対向するソース電極10の対向辺からゲート電極2’に重ならない領域まで延びるスリット18が形成されている。
【選択図】図1
Description
ソース電極領域10a側に異物が付着してドレイン電極8とソース電極10とが短絡した場合には、仮想切断線14aでソース電極領域10aを切断して、ドレイン電極8とソース電極10との短絡部をTFT1から電気的に切り離す。
このように、本変形例によれば、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
上記実施の形態では、画素電極6を駆動するTFT1を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、アレイ基板3上に一体形成され、ゲートバスライン2やドレインバスライン4を駆動する周辺駆動回路に用いる薄膜トランジスタをTFT1と同様の構成にしてもよい。この場合も、欠陥修正後の薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制できる。
(付記1)
基板上に形成されたゲート電極と、
絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、前記ゲート電極に沿って所定の間隙で対向する対向辺をそれぞれ有するドレイン電極及びソース電極と、
前記ドレイン電極又は前記ソース電極に形成され、前記基板面の法線方向に見て、前記対向辺の少なくとも一方から前記ゲート電極に重ならない領域まで延びるスリットと
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
(付記2)
付記1記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記スリットの底部には、前記基板面の法線方向に見て、前記絶縁膜が露出していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
(付記3)
付記1又は2に記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記スリットは、複数形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
(付記4)
ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部に形成された付記1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタと
を有することを特徴とする表示装置用基板。
(付記5)
付記4記載の表示装置用基板において、
前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極は前記ゲートバスラインに接続され、前記ドレイン電極は前記ドレインバスラインに接続され、前記ソース電極は画素電極に接続されていることを特徴とする表示装置用基板。
(付記6)
対向配置された一対の基板と、前記基板間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方は、付記4又は5に記載の表示装置用基板であることを特徴とする液晶表示装置。
(付記7)
ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタの欠陥修正方法において、
前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に異物が付着して短絡欠陥部が生じたら、前記ドレイン電極又は前記ソース電極の少なくとも一方に設けられたスリットの側壁から前記ソース電極又は前記ドレイン電極外周の側壁まで前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一部を切断し、
前記短絡欠陥部を前記薄膜トランジスタから電気的に切り離すこと
を特徴とする欠陥修正方法。
2、102 ゲートバスライン
2’、34 ゲート電極
3 アレイ基板
4、104 ドレインバスライン
5 対向基板
6、106 画素電極
7 液晶層
8、108、108’ ドレイン電極
8a、8b、8c ドレイン電極領域
10、110、110’ ソース電極
10a、10b、10c、10d、10e ソース電極領域
12、112、112’ コンタクトホール
14a、14b、14c、32a、32b、32c、114、114’ 仮想切断線
16、116 チャネル保護膜
18 スリット
18a、18b、18c 側壁
20、103 透明絶縁基板
22 絶縁膜
22’ ゲート絶縁膜
24 動作半導体層
26 保護膜
28、118 異物
30、120 切断部
Claims (5)
- 基板上に形成されたゲート電極と、
絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、前記ゲート電極に沿って所定の間隙で対向する対向辺をそれぞれ有するドレイン電極及びソース電極と、
前記ドレイン電極又は前記ソース電極に形成され、前記基板面の法線方向に見て、前記対向辺の少なくとも一方から前記ゲート電極に重ならない領域まで延びるスリットと
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記スリットの底部には、前記基板面の法線方向に見て、前記絶縁膜が露出していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - ゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部に形成された請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタと
を有することを特徴とする表示装置用基板。 - 対向配置された一対の基板と、前記基板間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方は、請求項3記載の表示装置用基板であることを特徴とする液晶表示装置。 - ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタの欠陥修正方法において、
前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に異物が付着して短絡欠陥部が生じたら、前記ドレイン電極又は前記ソース電極の少なくとも一方に設けられたスリットの側壁から前記ソース電極又は前記ドレイン電極外周の側壁まで前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一部を切断し、
前記短絡欠陥部を前記薄膜トランジスタから電気的に切り離すこと
を特徴とする欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003411314A JP4689161B2 (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003411314A JP4689161B2 (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005175109A true JP2005175109A (ja) | 2005-06-30 |
JP4689161B2 JP4689161B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=34732087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003411314A Expired - Fee Related JP4689161B2 (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4689161B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007183529A (ja) * | 2005-12-30 | 2007-07-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
JP2008299313A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイパネル |
WO2009075045A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 薄膜トランジスタアレイ基板及びそれを備えた表示パネル並びに薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6462617A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-09 | Asahi Glass Co Ltd | Active matrix type display element |
JPH06102536A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
JPH08190105A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル |
-
2003
- 2003-12-10 JP JP2003411314A patent/JP4689161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6462617A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-09 | Asahi Glass Co Ltd | Active matrix type display element |
JPH06102536A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
JPH08190105A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007183529A (ja) * | 2005-12-30 | 2007-07-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
JP2008299313A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイパネル |
WO2009075045A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | 薄膜トランジスタアレイ基板及びそれを備えた表示パネル並びに薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
US8314424B2 (en) | 2007-12-11 | 2012-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor array substrate, display panel comprising the same, and method for manufacturing thin film transistor array substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4689161B2 (ja) | 2011-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4349406B2 (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
US8134155B2 (en) | Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof | |
JP6753885B2 (ja) | アクティブマトリクス基板、表示装置およびアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 | |
TWI453517B (zh) | 液晶顯示裝置之畫素陣列基板 | |
JP2008032899A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004096100A (ja) | アクティブマトリクス型有機電界発光素子用薄膜トランジスタ | |
JP2007316104A (ja) | 表示装置 | |
JP2011191791A (ja) | 液晶表示装置の欠陥修正方法 | |
JP2006259725A (ja) | 横電界方式の液晶表示素子及びその製造方法 | |
JP2008026719A (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2010129859A (ja) | 表示装置 | |
JP2005252228A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JPWO2017199799A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2007010824A (ja) | 液晶ディスプレイパネル及びその画素欠陥修正方法 | |
JP2008203329A (ja) | 電気光学装置用基板及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器 | |
JP4689161B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法 | |
JP2008089646A (ja) | 表示装置 | |
JP5096127B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2005228805A (ja) | 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置 | |
KR100648008B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
JP2007241183A (ja) | 表示装置および表示装置の修復方法 | |
JP2007052286A (ja) | 半導体素子、液晶表示装置およびそれらの修復方法 | |
JP4355476B2 (ja) | Ips液晶ディスプレイおよび輝点画素の滅点画素化方法 | |
JP5080402B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
CN215220723U (zh) | 驱动电路结构及显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050712 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050713 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050722 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081021 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090122 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4689161 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |