JP2005175028A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 水素ガス、水およびアンモニアのうちから選ばれた少なくとも一種類のガスを含む処理ガスのプラズマを用いて基板の被処理面を処理するプラズマ処理方法であって、前記基板は前記被処理面の背面を前記処理ガスの上流方向に向けてチャンバ内で処理されることを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 前記基板は、前記チャンバ内に設けられた基板保持手段にて、前記被処理面を前記基板保持手段側に向けて保持され、前記プラズマ処理が行われることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
3. 前記基板は、少なくとも一部が窒素または炭素を含む物質を構成成分とする材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
4. 前記基板は、少なくとも一部が元素の周期表におけるIVＡ族元素またはVIII族元素を含む物質を構成成分とする材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
5. 前記基板は、少なくとも一部が金属酸化物を構成成分とする材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
6. 前記チャンバは、前記被処理基板を所定の温度に加熱するために前記チャンバ中に備えられた基板加熱機構と、前記チャンバに電界を導入するために備えられ前記チャンバの気密構造をなす壁の少なくとも一部を構成する誘電体窓とを備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
7. 前記誘電体窓は、基板保持手段と平行に設けられていることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
8. 前記誘電体窓を介してマイクロ波を導入することにより前記誘電体窓の表面に表面波電界を発生させ、該電界で前記処理ガスを電離させて得られる１×１０^１１ｃｍ^−３以上の密度のプラズマによって処理を行うことを特徴とする請求項６または７に記載のプラズマ処理方法。
9. 前記誘電体窓と基板保持手段との距離が２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
10. 前記誘電体窓は、熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
11. 前記処理は、基板保持手段の温度が４００℃以下の状態で行うことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
12. 前記処理は、圧力が１３Ｐａ以上６６５Ｐａ以下の状態で行うことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
13. 前記処理は、処理圧力よりも高い圧力でプラズマを着火し、その後所定の処理圧力へ移行することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
14. 前記処理を行うに当たって少なくともプラズマ着火時に希ガスが添加されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
15. 基板の被処理面の背面を処理ガスの上流方向に向けて保持する基板保持手段を有し、請求項１〜１４のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法を用いて該被処理基板の処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。