JP2005165209A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】TFT液晶パネルと同等のコントラストでクロストークおよび上下方向の輝度ムラがなく、かつパッシブ液晶パネルより少ない消費電力を実現する液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】データ信号線と、3段のシフト回路で構成された第一のラッチ回路と、各ラッチに接続された第二のラッチ回路を有し、第二のラッチ回路の各出力が赤緑青の各色の画素に対応した電極に各々接続される画素電極駆動回路を用いて、電極を2乃至32ごとに時分割駆動した。また、画素電極駆動回路の+電源はラッチ回路の制御線から供給し、データ信号線と2本の制御線とGND線の縦横に2本ずつの配線で画素電極基板に接続する構成とした。更に、画素電極駆動回路は左右対称形とすることでFSA法での基板形成に適した構造とした。
【選択図】図1

Description

本発明は、TFT液晶パネルに見られるように画素に駆動用の回路を設け、比較的少ない行数を時分割駆動する液晶パネルの構造及び駆動方法に関し、特に、階調特性に優れ、安価で低消費電力の液晶表示装置に関する。
液晶パネルの駆動方法には、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型がある。パッシブマトリクス型液晶表示装置は、構造が単純で安価なためPDAなど静止画表示が中心のディスプレイに採用されている。一方アクティブマトリクス型液晶表示装置は、高コントラスト比の表示を実現でき、しかも多色表示が容易なことからパーソナルコンピュータやワークステーション等に幅広く使用されている。
パッシブマトリクス型液晶表示装置は、行電極群と列電極群との間に液晶層を保持してマトリクス状の画素を設けて構成されたものである。そして、複数の電極からなる画素単位を時分割駆動している。その駆動方法として、電圧平均化法、SA法、MLA法等がある。
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、アクティブ素子で個々の画素をON/OFFして画像を表示する構造で、トランジスタを使用したTFTが一般的である。TFT液晶パネルの駆動方法は、交流化信号の極性反転を画素単位に行うドット反転駆動、走査線単位に行うライン反転駆動、1フレーム単位に行うフレーム反転駆動の3種類が主に実用化されている。表示品質は、ドット反転駆動が一番良く、次にライン反転駆動で少しクロストークが発生する。フレーム反転駆動では、縦に激しいクロストークが発生し、画面上下方向に輝度勾配を持ったムラが発生する。また、消費電力は、フレーム反転駆動が一番少なく、ライン反転駆動はフレーム反転駆動の約3倍、ドット反転駆動はフレーム反転駆動の約6倍になる。これらの駆動法は、液晶に印加される交流信号の反転周期を、画素単位もしくは走査線単位で切り変えて印加し、実効的な交流反転周期を短くすれば、部分的に液晶に印加される極性が変わっていくので、画面のちらつきが改善される(例えば、特許文献1参照。)。
また、TFT液晶パネルにおいて用いられる基板としては、a−SiTFTやp−SiTFTが一般的であったが、近年ではc−SiTFTを用いた液晶表示装置も出現し始めている。
c−SiTFT基板の作製方法としては,
(1)c−Siウエハー上に直接トランジスタを配列した画像表示部分を形成し、それをそのまま表示用駆動基板として用いる方法
(2)c−Siウエハー上に直接トランジスタを配列した画像表示部分を形成した後、その回路面をガラス基板に接着し、その後裏面を研削・研磨してから画素電極を配線結合することによって表示駆動用基板を形成する方法
(3)c−Siウエハー上にトランジスタ回路素子を形成して、研削・研磨によって薄膜化し、異方性エッチングによって各トランジスタ回路素子を分離する。その分離したトランジスタ回路素子を、液体中で基板上の画素表示部に対応した穴に配置し、その後に電極を形成して表示駆動用基板を形成する方法
などであるが、これ以外にもアモルファスシリコンのレーザーアニールによる方法なども研究されている(例えば、非特許文献1参照。)。
特公平5−29916号公報 Information Display:Vol.15、No.11、November 1999
パッシブマトリクス型のような時分割駆動においては、行電極数が増えるにしたがって液晶に印加される実効電圧のON/OFF比が小さくなってコントラストが低下する。従って、実用上印加できる行電極数に限界があり、パネルの大型化には向かないという欠点がある。一方で、アクティブマトリクス型の場合は、交流信号で駆動するため画面がちらつき、ドット反転駆動で改善すると消費電力が大きくなるという欠点を有している。
TFTを形成する基板については、a−SiTFTやp−SiTFTを用いた従来の液晶表示装置は安価で大面積の液晶表示装置を作ることが出来るが、トランジスタの移動度が小さいため素子を小さく出来ない、高速動作が出来ないという欠点を有している。c−Siウエハーそのものを画像表示領域として用いる方法は、電子・正孔のウエハー厚み方向への漏れや同方向への浮遊容量の発生などのために、他の単結晶シリコンを用いる方法に比べてトランジスタの高速動作が出来ない。また、表示パネルと同面積のc−Siウエハーを必要とするため、パネルの大型化や低コスト化には向かないという欠点があった。
また、c−Siウエハー上にトランジスタ回路素子を形成して、研削・研磨によって薄膜化し、異方性エッチングによって各トランジスタ回路素子を分離した後、液体中で基板上に配置させる方法においては、配線などトランジスタ回路以外の部分をc−Siプロセスで形成する必要がないため比較的安価にc−SiTFTを用いた液晶表示装置を作ることができるが、分離後のトランジスタ回路素子が大きいため透明電極形成領域が減少して開口率が小さくなるという欠点を有している。また、1画素に1素子を載せた場合a−SiTFTより高価になる。
本発明は、このような従来の問題を解決しようとするもので、構造が簡単で低消費電力かつ表示品質の良い液晶表示装置を提供することができる。
本発明は、画素電極基板に設けられた3段のシフト回路で構成された第一のラッチ回路と、各ラッチに接続された第二のラッチ回路を有し、第二のラッチ回路の各出力が赤緑青の各色の画素に対応した電極に各々接続される画素電極駆動回路を用いて、第二のラッチ回路の出力に直列接続された画素電極と対向電極基板に設けられた対抗電極とで2乃至32ごとに時分割駆動することにより、上記課題を解決したものである。
また、画素電極駆動回路の+電源はラッチ回路の制御線から供給し、データ信号線と2本の制御線とGND線の縦横に2本ずつの配線で画素電極基板に接続する構成とした。更に、画素電極駆動回路は左右対称形とすることでFSA法での基板形成に適した構造とした。
以上のように、本発明によれば、液晶パネルを複数の画素電極駆動回路を用いて2乃至32ごとの低いdutyで時分割駆動することにより、TFTで見られるようなクロストークを解消し、高コントラストな表示品質で、且つ消費電力が少ない液晶表示装置を提供することが出来る。また、一つの画素電極駆動回路は赤緑青の3色分のラッチ回路が2乃至32ごとに時分割駆動する構成とし、画素電極基板にFSA法で形成することで画素電極駆動回路の数を大幅に減らすことが出来たため、安価な液晶表示装置を提供することが出来る。
本発明の液晶表示装の画素電極駆動回路は、図1に示したように、データ信号線1のデータを入力する第一のラッチ回路は赤緑青に対応した3段のシフト回路で構成され、第一の制御線3の信号により各色に対応したデータをラッチする。そして、第一のラッチ回路の出力は第二のラッチ回路の入力に接続され、第二の制御線2の信号により赤緑青に対応したデータをラッチし夫々赤(R)緑(G)青(B)の端子に出力する。また、電源のGNDは端子4に接続され、+電源は第一及び第二の制御線から供給されるためにダイオード13を設けてある。
図2は、本発明の画素電極駆動回路のチップの外観図で、各符号は図1の対応した符号の配線が接続された端子である。各端子は点対称に配置されており、FSA法を用いてチップを画素電極基板の穴に設置するときに、180°回転した方向に設置されても動作するようなチップ形状となっている。チップ形状を工夫して、一定方向にのみ設置されるようにしても良い。
図3は、FSA法により形成した画素電極基板の一例である。図3の例では、3行ごとに一つの画素電極駆動回路を設置し、縦に2本と横に2本のCr、Mo等の金属配線で結線している。R、G、Bの出力端子はITO等の透明電極で形成された3行分の列電極に接続した。画素電極駆動回路の+電源をラッチ回路の制御線から供給することで、データ信号線と2本の制御線とGND線の縦横に2本ずつの配線で画素電極基板に接続する構成とした。
図4は、本発明の画素電極基板の断面図である。プラスチック等の基板41に画素電極駆動回路42を設置し、その上に平滑化膜43、第1層の配線44、絶縁膜45、第2層の配線46を形成している。本実施例では、開口率を高め消費電力を少なくするために、第1層の配線44と第2層の配線46は絶縁膜45をはさんで積層した2層構造としている。1画素の面積が大きくて配線領域の確保が容易であるならば、第1層の配線44と第2層の配線46が同じ層に並ぶ1層構造でもよい。
図5は、液晶パネルと駆動ICの結線図である。駆動IC51と表示部52は、データ信号線1で列ごとに、第一の制御線3で行ごとに、第二の制御線2とGND4は表示部外でそれぞれ1本にまとめて接続されている。例えば、162行×128列×3(RGB)のカラー液晶パネルの場合、データ信号線1が128本、第一の制御線3が54本、第二の制御線2とGND4が各1本、対向基板の行電極用に3本で、合計187本になる。
次に、図6の本発明の画素電極駆動回路の駆動波形を用いて、動作について説明する。各画素の点灯か消灯かを制御する画像データのデータ信号1sは、画素電極基板の列ごとのデータ信号線1に入力される。先ず、赤の画像データが一行目より順番に入力されたものを、第一の制御信号3s−1〜nにより各行の第一のラッチ回路11Bにラッチする。次に緑、青のデータを同様にして第一のラッチ回路11G、11Rにラッチとシフトを繰り返し、各色に対応した第一のラッチ回路にデータをラッチする。その後、第二の制御信号2sで第二のラッチ回路12B、12G、12Rにデータをラッチして端子B、G,Rに出力する。本実施例では、第一のラッチ回路は赤緑青に対応した3段のシフト回路で構成されているが、m段(mは1以上の複数)構成としてもよい。
以上の動作が1階調を表現する期間であり、この期間が階調数回繰り返されて1選択期間となる。更に、列電極を3行ごとに時分割駆動しているので1/3duty駆動となり、1選択期間の3倍が1フレーム期間となる。例えば、162行×128列(RGB)の液晶パネルをフレーム周波数が60Hzで、32階調で駆動した場合、1フレーム期間は16.7ms、1選択期間は5.6ms、1階調期間は174μsecとなる。1階調期間に162回データを書き込むことになるので、1.07μsに一回データを書き込めばよいことになる。このとき、データ信号の振幅を出来るだけ小さくことにより消費電力を小さくすることが出来る。本実施例では、時分割駆動は3分割としたが、2から32分割の何れで駆動してもよい。このとき、2分割から4分割はTN液晶、5分割から10分割はHTN液晶(TN液晶を90°以上にねじったもの)、11分割以上はSTN液晶が一般的に用いられる。
本発明においては、液晶の表示モードは前記モードに限定されるものではなく、ホメオトロピックやOMIモードなども考えられる。
また、低duty駆動のみに着目すれば、有機ELなども考えられる。
また、駆動方法はSA駆動、階調方式はPWM方式を用いたが、電圧平均化法、MLA法、FRC階調方式などを用いてもよいことは言うまでもない。
本実施例の画素電極基板は、FSA法を用いて画素電極基板の穴にc−Siで形成した画素電極駆動回路を配置して形成したが、他の方法でも構わない。例えば、p−Si薄膜で粒界を大きくして、界面を揃えて移動度を向上させた連続粒界結晶シリコンを用いて形成しても同様の効果が得られる。
本発明の画素電極駆動回路の回路図である。 本発明の画素電極駆動回路のチップの外観図である。 本発明の画素電極基板の詳細図である。 本発明の画素電極基板の断面図である。 本発明の液晶パネルと駆動ICの結線図である。 本発明の画素電極駆動回路の駆動波形である。
符号の説明
1 データ信号線
1s データ信号
2 第二の制御線
2s 第二の制御信号
3 第一の制御線
3s 第一の制御信号
4 GND
R,G,B 出力信号
11R,11G,11B 第一のラッチ回路
12R,12G,12B 第二のラッチ回路
13 ダイオード
14 バッファー
15 コンデンサ
41 基板
42 画素電極駆動回路
43 平滑化膜
44 第1層の配線
45 絶縁膜
46 第2層の配線
51 駆動IC
52 表示部

Claims (8)

  1. 対向して配置された画素電極基板と対抗電極基板と、前記画素電極基板と前記対抗電極基板の間に設けられた液晶層と、前記画素電極基板に設けられた行電極と列電極とからなるマトリックス状の複数の画素電極と、前記行電極と列電極の交差部に設けられた複数の画素電極駆動回路と、前記対抗電極基板に設けられた対抗電極とからなる液晶表示装置において、前記画素電極駆動回路はデータ信号と第一の制御信号とを入力する第一のラッチ回路と、前記第一のラッチ回路の出力と第二の制御信号とを入力する第二のラッチ回路とからなり、前記第二のラッチ回路の出力に直列接続された複数の画素電極と対抗電極とで時分割駆動することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記第一のラッチ回路はm段(mは1以上の整数)のシフト回路で構成され、前記第二のラッチ回路はm個で構成され、前記m個のラッチ回路の各出力がm分割された画素電極に接続されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  3. 前記m段のシフト回路は3段のシフト回路で構成され、前記3段のシフト回路の出力に接続された前記第二のラッチ回路の各出力が赤緑青の各色の画素に対応した画素電極に各々接続されていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
  4. 前記直列接続された複数の画素電極は、2乃至32の画素電極からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  5. 前記時分割駆動は、前記直列接続された複数の画素電極単位で同期して駆動することを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  6. 前記画素電極駆動回路は、+電源を前記第一の制御信号と前記第二の制御信号から供給されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  7. 前記画素電極基板は、前記画素電極駆動回路を前記データ信号と前記第一の制御信号と前記第二の制御信号とGNDとの縦横に2本ずつの信号線で配線したことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  8. 前記画素電極基板は、FSA法を用いて形成したことを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置。
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