JP2005136406A - 化学的機械研磨システム - Google Patents
化学的機械研磨システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005136406A JP2005136406A JP2004304425A JP2004304425A JP2005136406A JP 2005136406 A JP2005136406 A JP 2005136406A JP 2004304425 A JP2004304425 A JP 2004304425A JP 2004304425 A JP2004304425 A JP 2004304425A JP 2005136406 A JP2005136406 A JP 2005136406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platen
- polishing pad
- central portion
- coating
- chemical mechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
- B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Abstract
【課題】 半導体ウエハの化学的機械研磨(CMP)システムにおいて、プラテン(106)は、その中央部分の研磨パッドが簡単に除去でき、研磨中にそのエッジにおいてパットが持ち上げられるのを防ぐように構成されたCMPシステムを提供すること。
【解決手段】 研磨パッドを受けるプラテンの表面は、環状部分(302)によって囲まれるほぼ円形の中央部分(300)を有する。中央部分(300)は、研磨パッドの内側部分をプラテン(106)に結合する減少された取り付け表面積を与えるように溝が付けられている。低い表面ぬれ係数を有する第2のフルオロポリマーが中央部分(300)に設けられる。高い表面ぬれ係数を有する第2のフルオロポリマーが環状部分(302)に設けられる。
【選択図】 図3(A)
【解決手段】 研磨パッドを受けるプラテンの表面は、環状部分(302)によって囲まれるほぼ円形の中央部分(300)を有する。中央部分(300)は、研磨パッドの内側部分をプラテン(106)に結合する減少された取り付け表面積を与えるように溝が付けられている。低い表面ぬれ係数を有する第2のフルオロポリマーが中央部分(300)に設けられる。高い表面ぬれ係数を有する第2のフルオロポリマーが環状部分(302)に設けられる。
【選択図】 図3(A)
Description
本発明は、一般に、半導体ウエハの処理に関し、特に、化学的機械研磨システムに関する。
化学的機械研磨(chemical mechanical polishing: CMP)は、半導体ウエハの製造に広く用いられる半導体ウエハを平坦化する及び/又は研磨することである。名前が示しているように、プロセスに対して2つの要素がある:すなわち化学的及び機械的な研磨である。化学的研磨は、ウエハ上にある不完全さ及び不純物を取り除く化学的ステップを含む。機械的研磨は、ウエハを平坦にするために、研磨剤のある“研磨パッド”上でウエハを回転するステップを含む。一般に、ウエハは、ウエハキャリアに上側を下にして取り付けられ、プラテン上にある研磨パッド上で回転される。プラテンも回転される。一般に、化学薬品や研磨剤を含むスラリーがパッド上に導かれる。パッドに欠陥がなければないほど、ウエハに与える欠陥が少なく、パッドの寿命は長くなる。
多くのCMPサイクルの過程で生じるかもしれない一つの問題は、プラテンのエッジの周りにあるプラテンのコーティングの層間剥離である。これによって、パッドがエッジに密着しにくくなり、エッジ部分でパッドが上方にはがれるようになり、ウエハに対して危険なものとなる。
他の問題は、パッドを取りかえることは思うほど簡単ではない。何故ならば、パッドがプラテンに密着して結合されると、CMPプロセス中にパッドに加えられる力によって、パッドが最初に存在した以上の強さでパッドに密着するからである。
本発明の実施例によれば、化学的機械研磨システムは、研磨パッドをプラテンに結合する第1の面を有するプラテンを含む。この第1の面は、ほぼ円形の中心部分とその周りを囲む環状部分を有する。ほぼ円形の中央部分は、ある面積を囲み、ほぼ円形の中央部分によって囲まれた面積より小さな取り付け表面積を有している。取り付け表面積は、研磨パッドの内側部分をプラテンに結合している。
本発明の他の実施例によると、化学的機械研磨システムは、ほぼ円形の中心部分とそれを囲む環状部分を含む第1の表面を有するプラテンを有する。ほぼ円形の中心部分は、低い表面ぬれ係数(wetting coefficient)を有する、そこから外方に設けられた第1のコーティングを有する。環状部分は、高い表面ぬれ係数を有する、そこから外方に設けられた第2のコーティングを有する。
本発明の実施例は、多くの技術的利点を提供する。本発明の実施例は、これら利点の全て、幾らかを有する。化学的機械研磨プロセス中に半導体ウエハの欠陥を減少することは、歩留まりを大きく改善する。一つの実施例において、ウエハに対する危険性を大きく減少する、研磨パッドがエッジにおいて持ち上がるのを防止するために、高い結合力がプラテンの周囲に維持される。更に、取りかえるためにプラテンの中央を横切って研磨パッドを剥がすために必要とされる力の量が減少される。これは、取りかえる時間をスピードアップするばかりでなく、パッドを取り除くのに必要な物理的な力を減少する。
他の技術的な利点は、図面、説明及び請求項から当業者に容易に明らかであろう。
他の技術的な利点は、図面、説明及び請求項から当業者に容易に明らかであろう。
本発明の実施例及びそれらの利点は、図1〜図3(B)を参照することによって最も良く理解されるであろう。同じ部分については同じ参照番号用いる。
図1は、本発明の一つの実施例による化学的機械研磨(CMP)システム100の斜視図である。一般に、CMPシステム100は、半導体ウエハ102の処理中に1つ以上の半導体ウエハ102を研磨及び/又は平坦化するために機能する。CMPシステム100の一例は、アプライド社によって製造された"Mirra Mesa CMP"装置である;しかし、本発明の教示内で、他の適したCMPシステムを利用することができる。図示された実施例において、CMPシステム100は、プラテン106に結合された研磨パッド104、ウエハ102を操作するスピンドル110を有するウエハキャリア108、及び液体のスラリー116を研磨パッド104の上面に与えるためのスラリー・デリバリー・システム114を有する。
適当な金属、例えば、アルミニウム又はステンレススチールから形成されるプラテン106、及び研磨パッド104は、矢印128によって示されるように、CMPプロセス中に回転するように構成される。更に、ウエハキャリア108は、スピンドル110によって、一般に、矢印130によって示されるように、プラテン106と研磨パッド104の方向と逆の方向にウエハ102を回転する。したがって、双方が回転している間に、ウエハ102が研磨パッド104に押し付けられると、ウエハ102は研磨され及び/又は平坦化され、ウエハ102上にきれいで、平らな表面が得られる。
スラリー・デリバリー・システム114は、CMPプロセスを高めるためにあらゆる適当な方法で液状のスラリー116を研磨パッドに与える。液状のスラリー116は、ウエハ102上にある金属、酸化物、及び他の不純物を除去するか、あるいは少なくとも部分的に除去するためにウエハ102と相互作用する酸及び/または他の適当な化学薬品を含む。液状のスラリー116は、またCMPプロセス中にウエハ102を削る小さな粒子のガラス及び/または他の適当な研磨用の物質を含むことができる。
多くのCMPサイクルの課程中に生じるかもしれない一つの問題は、プラテン106の外方エッジの周りにある、プラテン106上のコーティング107の層間剥離である。これによって、研磨パッド104が外側エッジに密着しにくくなり、エッジ部分で研磨パッド104が上方にはがれるようになり、これはウエハに対して危険なものとなる。他の問題は、研磨パッド104の取替え中に起こるかもしれない。研磨パッド104がプラテン106に密着して結合された場合、CMPプロセス中に与えられる力によって、研磨パッド104が最初に存在した以上の強さでプラテン106に密着されるようになる。これは、研磨パッド104を取りかえる場合時間の浪費になるばかりでなく、研磨パッド104を取りかえる人を怪我させる可能性もある。図2(A)〜図3(B)と共に以下に説明されるように、本発明の幾つかの実施例は、これらの問題及び他の問題を解決するものである。
図2(A)及び図2(B)は、本発明の一つの実施例の教示によるプラテン106の断面及び平面図をそれぞれ示す。好適な実施例において、プラテン106は、ほぼ円形の中央部分200と中央部分200を囲む環状部分202を有する。中央部分200は、そこから外方に設けられたコーティング204を有し、また環状部分202は、そこから外方に設けられたコーティング206を有する。本発明の実施例の教示によれば、コーティング204は低い表面ぬれ係数を有し、一方コーティング106は高い表面ぬれ係数を有する。
一例として、コーティング104の表面ぬれ係数は、コーティング106のそれのほぼ1/2である。これによって、中央部分200に関連したコーティング204はコーティング204と研磨パッド104の間で小さな結合力が生じるために、コーティング204を取りかえる必要があるとき、従来のCPUシステムにおけるよりも研磨パッド104の除去が容易になる。比較的高い結合力が依然としてコーティング206と研磨パッド104の外側環状部分との間に存在するけれども、コーティング204と研磨パッド104の中央部分間に比較的低い結合力を有することは、プラテン106から研磨パッド104を除去する時間及び努力を著しく減少する。コーティング206が高い表面ぬれ係数を有する一つの理由は、研磨パッド104は、研磨パッド104がプラテン106の外側環状部分に接着するように、研磨パッド104がその周辺で剥がれるのを防止することである。
コーティング204と206は、適当な厚さを有することができるが、一つの実施例では、コーティング204と206の厚さは、約10ミル(mils)〜20ミルの間である。双方のコーティング204と206は、あらゆる適当な方法でプラテン106に結合され、あらゆる適当な材料から形成することができる。一つの実施例では、コーティング204と206は、それぞれフルオロポリマー(fluoropolymer)から形成される。コーティング204と206のために、他の適当な材料、例えば、不活性ポリマーまたは非ポリマーコーティング又は化合物を利用することもできる。本発明の特定の実施例において、コーティング204は、Teflon(登録商標)から形成され、コーティング206は、Halar(登録商標)から形成される。他の特定の実施例では、アルミニウムがプラテン106のために用いられた場合、コーティング204は、General MagnaplateによるTufran(登録商標)コーティングから形成されても良い。一つの実施例では、環状部分202の幅208は、約1/2(1.27センチ)〜約1インチ(2.54センチ)の間である。しかし、幅208のために他の幅を用いることもできる。
従来のCPMシステムにおけるプラテンは、エッジの周りの研磨パッドを持ち上げるようにする、そのエッジの周りの陽極酸化されたコーティングの剥離問題を有していたので、コーティング206のために用いられた材料が、コーティング206の剥離を避けるために液状のスラリー116に化学的に耐えることが必要である。これが、一つの実施例において、コーティング206のためにHalar(登録商標)が用いられる理由である。
図3(A)及び図3(B)は、本発明の他の実施例によるプラテン106の断面及び平面図をそれぞれ示す。この実施例において、プラテン106は、図2(A)及び図2(B)に示された実施例と同様に、ほぼ円形の中央部分300と中央部分300を囲む環状部分302を有する。しかし、図3(A)及び図3(B)に示された実施例において、中央部分300は、中央部分300によって囲まれた全面積より小さい、研磨パッド104をプラテン106に結合するために利用可能な取り付け表面積を有している。これにより、研磨パッドを中央部分300内でプラテン106に結合するために利用可能な面積が減少するために、プラテン106と研磨パッド104間の結合力が減少する。
一つの実施例において、研磨パッド104をプラテン106に結合するために利用可能な中央部分300の取り付け表面積は、中央分300によって囲まれる全面積の約30%〜約70%の間である。特定の実施例では、取り付け表面積は、囲まれた面積の約50%である。この面積の減少は、あらゆる適当な方法でプラテン106の上面に表面模様をつけることによって容易化される。
例えば、図3(A)を参照すると、複数の溝304がプラテン106の中央部分300に形成されることができる。溝304の平面図は、溝304の形状に依存して参照番号340または350によって図3(B)に示される。参照番号340によって示されるように、溝304は、格子型形状を取ることができ、または参照番号350で示されるように、同心円型形状を取ることができる。溝304ための他の適当な形状として、例えば、平行形状、十字形状、スパイラル形状、及びランダム形状などが本発明によって考えられる。実施例において、溝304が研磨パッド104をプラテン106に結合するために利用可能な表面を減少するために用いられる場合、溝304は、適当な深さ、適当な幅、及び適当な中心ラインの間隔を有することができる。例えば、一つの実施例において、溝304の深さ308は約15〜20ミル、溝304の幅は約1mm、溝304間の中心ライン間隔は約1mmである。四角形の溝の代わりに溝304に対する他の適当な形状として、例えば、U字溝またはV字溝が本発明によって考えられる。
図3(B)を参照すると、中央部分300のいろいろな表面模様が示されている。例えば、参照番号360を参照すると、中央部分300は、適当なブラッシングプロセスを用いてプラテン106の上面上に形成されるブラッシがかけられた表面362として規定される。参照番号370によって示されるように、中央部分300は、適当なプロセスを用いてプラテン106の上面に形成された窪みのある表面372によって規定されることができる。研磨パッド104をプラテン106に結合するために利用可能な取り付け面積を減少する他の適当な表面模様を付けるプロセスは、本発明によって考えられる。
図3(A)に戻って参照すると、プラテン106及び溝304の露出した全ての面積がコーティング314で覆われるような方法で、コーティング314が、プラテン106の上面から外方に設けられている。コーティング314は、あらゆる適当なコーティング、例えば、適当な方法でプラテン106の上面上に形成される適当なフルオロポリマーのコーティングまたは陽極酸化されたコーティングであることができる。
本発明の特定の実施例において、中央部分200が環状部分204のコーティング206より低い表面ぬれ係数を有するコーティング204を有する、図2(A)及び図2(B)に示された本発明の教示は、研磨パッド104をプラテン106に結合するために利用可能な取り付け表面積が中央部分300において減少している図3(A)及び図3(B)に示された本発明の教示に適用されることができる。
したがって、一つの実施例において、Teflonまたは他の適当なフルオロポリマーが、中央部分300内のコーティング314の一部を有し、高い表面ぬれ係数を有するHalarまたは他の適当なフルオロポリマーが、環状部分302の周りのコーティング314の一部を有することができる。この方法で、上述された双方のアプローチ(問題を解決するのためにとった手段)の利点が組み合わされる。
したがって、ウエハの製造業者は、従来のCMPシステムにおけると同程度の強さで研磨パッドに結合しないプラテン106の中央部分を有することによって、本発明のいろいろな実施例の教示によるプラテン106の利用から利益を得ることができる。結果的に、研磨パッドの取り換え中に研磨パッドをはがすのに僅かな力でよく、エッジにおけるはがれが実質的に無いかまたは減少するように、依然として研磨パッドとプラテン間で高い良好な結合を有する。これにより、ウエハの歩留まりが増加するのみでなく、研磨パッドの取り換え時間がスピードアップし、且つ研磨パッドの除去及び取り換え中の物理的な力、及び潜在的な怪我の危険性を減少する。
以上の記載に関連して以下の各項を開示する。
(1)化学的機械研磨システムであって、
研磨パッドをプラテンに結合する第1の表面を有するプラテンと、前記第1の表面は、ほぼ円形の中央部分と前記ほぼ円形の中央部分を囲む環状部分を有し、
前記ほぼ円形の中央部分は、ある面積を囲み、且つ前記ほぼ円形の中央部分によって囲まれた前記面積より小さい取り付け表面積を有し、前記取り付け表面積は、研磨パッドの内側部分をプラテンに結合することを特徴とする化学的機械研磨システム。
(1)化学的機械研磨システムであって、
研磨パッドをプラテンに結合する第1の表面を有するプラテンと、前記第1の表面は、ほぼ円形の中央部分と前記ほぼ円形の中央部分を囲む環状部分を有し、
前記ほぼ円形の中央部分は、ある面積を囲み、且つ前記ほぼ円形の中央部分によって囲まれた前記面積より小さい取り付け表面積を有し、前記取り付け表面積は、研磨パッドの内側部分をプラテンに結合することを特徴とする化学的機械研磨システム。
(2)前記ほぼ円形の中央部分は、前記第1の表面に形成された複数の溝によって規定されていることを特徴とする前記(1)項に記載の化学的機械研磨システム。
(3)前記ほぼ円形の中央部分は、窪みのあるまたはブラッシがかけられた模様の表面によって規定されていることを特徴とする前記(1)項に記載の化学的機械研磨システム。
(4)更に、前記ほぼ円形の中央部分に設けられた第1のコーティングと、
前記環状部分に設けられた第2のコーティングと、
を有し、前記第2のコーティングは、前記第1のコーティングより高い表面ぬれ係数を有することを特徴とする前記(1)項に記載の化学的機械研磨システム。
前記環状部分に設けられた第2のコーティングと、
を有し、前記第2のコーティングは、前記第1のコーティングより高い表面ぬれ係数を有することを特徴とする前記(1)項に記載の化学的機械研磨システム。
(5)前記第1及び第2のコーティングは、各々フルオロポリマーから形成されていることを特徴とする前記(4)項に記載の化学的機械研磨システム。
(6)前記第1のコーティングのぬれ係数は、前記第2のぬれ係数の約1/2であることを特徴とする前記(5)項に記載の化学的機械研磨システム。
(7)化学的機械研磨システムであって、
第1の表面を有するプラテンと、前記第1の表面は、ほぼ円形の中央部分と前記ほぼ円形の中央部分を囲む環状部分を有し、
前記ほぼ円形の中央部分は、前記ほぼ円形の中央部分上で外方に設けられた第1のコーティングを有し、
前記環状部分は、その上に設けられた第2のコーティングを有し、前記第2のコーティングは、前記第1のコーティングより高い表面ぬれ係数を有することを特徴とする化学的機械研磨システム。
第1の表面を有するプラテンと、前記第1の表面は、ほぼ円形の中央部分と前記ほぼ円形の中央部分を囲む環状部分を有し、
前記ほぼ円形の中央部分は、前記ほぼ円形の中央部分上で外方に設けられた第1のコーティングを有し、
前記環状部分は、その上に設けられた第2のコーティングを有し、前記第2のコーティングは、前記第1のコーティングより高い表面ぬれ係数を有することを特徴とする化学的機械研磨システム。
(8)前記第1と第2のコーティングは、各々フルオロポリマー化ら形成され、前記第1のコーティングのぬれ係数は、前記第2のコーティングのぬれ係数の約1/2のであることを特徴とする前記(7)に記載の化学的機械システム。
(9)第1のコーティングは、Teflon材料から形成され、且つ前記第2のコーティングは、Halar材料から形成されていることを特徴とする請求項8に記載の化学的機械システム。
(10)半導体ウエハの化学的機械研磨(CMP)システムにおいて、プラテン(106)がその中央部分の研磨パッドが簡単に除去でき、研磨中にそのエッジにおいてパットが持ち上げられるのを防ぐように構成される。研磨パッドを受けるプラテンの表面は、環状部分(302)によって囲まれるほぼ円形の中央部分(300)を有する。中央部分(300)は、研磨パッドの内側部分をプラテン(106)に結合する減少された取り付け表面積を与えるように溝が付けられている。低い表面ぬれ係数を有する第2のフルオロポリマーが中央部分(300)に設けられる。高い表面ぬれ係数を有する第2のフルオロポリマーが環状部分(302)に設けられる。
本発明の実施例及びそれらの利点について所載に説明したけれども、当業者は、請求項に規定された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、いろいろな変形、追加及び省略を行なうことができるであろう。
Claims (1)
- 化学的機械研磨システムであって、
研磨パッドをプラテンに結合する第1の表面を有するプラテンと、前記第1の表面は、ほぼ円形の中央部分と前記ほぼ円形の中央部分を囲む環状部分を有し、
前記ほぼ円形の中央部分は、ある面積を囲み、且つ前記ほぼ円形の中央部分によって囲まれた前記面積より小さい取り付け表面積を有し、前記取り付け表面積は、研磨パッドの内側部分をプラテンに結合することを特徴とする化学的機械研磨システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/696,623 US7134947B2 (en) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | Chemical mechanical polishing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005136406A true JP2005136406A (ja) | 2005-05-26 |
Family
ID=34550150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004304425A Abandoned JP2005136406A (ja) | 2003-10-29 | 2004-10-19 | 化学的機械研磨システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7134947B2 (ja) |
JP (1) | JP2005136406A (ja) |
TW (1) | TWI371788B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302503A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Semes Co Ltd | 枚葉式基板処理装置及び方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020068516A1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-06-06 | Applied Materials, Inc | Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device |
JP4484466B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2010-06-16 | パナソニック株式会社 | 研磨方法およびその研磨方法に用いる粘弾性ポリッシャー |
US7534162B2 (en) * | 2005-09-06 | 2009-05-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Grooved platen with channels or pathway to ambient air |
JP2007075949A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Ebara Corp | 研磨プラテン、研磨装置 |
JP2012505763A (ja) * | 2008-10-16 | 2012-03-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | テクスチャ付きプラテン |
US20100099342A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner auto disk change |
CN102179343A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-09-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 溶液喷射设备及溶液喷射方法 |
CN104769704B (zh) * | 2013-02-19 | 2017-10-13 | 胜高股份有限公司 | 半导体晶片的加工方法 |
USD731448S1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-06-09 | Ebara Corporation | Polishing pad for substrate polishing apparatus |
JP6754519B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2020-09-16 | 国立研究開発法人海洋研究開発機構 | 研磨方法 |
WO2020243196A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing platens and polishing platen manufacturing methods |
US11794305B2 (en) * | 2020-09-28 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3875703A (en) * | 1973-12-26 | 1975-04-08 | Joseph V Clemente | Flexible sanding disc unit |
US6390904B1 (en) * | 1998-05-21 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Retainers and non-abrasive liners used in chemical mechanical polishing |
US6036586A (en) * | 1998-07-29 | 2000-03-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing removal forces for CMP pads |
US6135865A (en) * | 1998-08-31 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | CMP apparatus with built-in slurry distribution and removal |
EP1112147B1 (en) * | 1998-09-08 | 2002-05-22 | Struers A/S | Support for temporary fixation of a self-sticking abrasive and/or polishing sheet |
US6220942B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | CMP platen with patterned surface |
US6422921B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Heat activated detachable polishing pad |
US6203417B1 (en) * | 1999-11-05 | 2001-03-20 | Speedfam-Ipec Corporation | Chemical mechanical polishing tool components with improved corrosion resistance |
US6663472B2 (en) * | 2002-02-01 | 2003-12-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Multiple step CMP polishing |
-
2003
- 2003-10-29 US US10/696,623 patent/US7134947B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004304425A patent/JP2005136406A/ja not_active Abandoned
- 2004-10-28 TW TW093132647A patent/TWI371788B/zh active
-
2006
- 2006-10-13 US US11/549,559 patent/US20070155294A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302503A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Semes Co Ltd | 枚葉式基板処理装置及び方法 |
US8287333B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-10-16 | Semes Co., Ltd | Single type substrate treating apparatus and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070155294A1 (en) | 2007-07-05 |
TW200527523A (en) | 2005-08-16 |
TWI371788B (en) | 2012-09-01 |
US7134947B2 (en) | 2006-11-14 |
US20050095963A1 (en) | 2005-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20070155294A1 (en) | Chemical mechanical polishing system | |
JP3145010B2 (ja) | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 | |
US7066795B2 (en) | Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels | |
KR101947614B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
TWI364814B (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
JP2012533888A (ja) | 溝付きcmp研磨pad | |
JPH10128654A (ja) | Cmp装置及び該cmp装置に用いることのできる研磨布 | |
JP2004358653A (ja) | 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法 | |
TW200819242A (en) | Carrier for double side polishing device, and double side polishing device and double side polishing method using the carrier | |
JP2007109767A (ja) | Cmpコンディショナおよびその製造方法 | |
CN101116953A (zh) | 化学机械研磨的研磨修整装置 | |
US20190105753A1 (en) | CMP composite groove polishing pad | |
CN109844909A (zh) | 晶片的制造方法及晶片 | |
EP0806267A1 (en) | Cross-hatched polishing pad for polishing substrates in a chemical mechanical polishing system | |
JP6283940B2 (ja) | 研磨パッド | |
WO2000047369A1 (en) | Method of polishing semiconductor wafers | |
KR100826590B1 (ko) | 화학적 기계적 연마장치 | |
JP2004146471A (ja) | 研磨装置、研磨ワークキャリア及びワークの研磨方法 | |
JP5510896B2 (ja) | キャリアプレート、複数のキャリアプレート、ウェーハの研磨装置、ウェーハの研磨方法 | |
KR200419418Y1 (ko) | 연마 패턴 및 채널이 형성된 폴리싱 패드 컨디셔너 | |
JP2008091665A (ja) | Cmp装置 | |
KR100886603B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 | |
JP2004296596A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012166322A (ja) | 研磨パッド、研磨方法および研磨装置 | |
KR20100073095A (ko) | 화학기계적 연마용 연마 패드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071019 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20090904 |