JP2005133133A - 真空薄膜形成装置用防着板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 熱膨張率が10-5/K以下で耐熱温度が1000℃以上ある材料を使ったことを特徴とする真空薄膜形成装置用防着板。
【選択図】 なし
Description
真空蒸着、スパッタリング、CVDは薄膜を作成する技術として広く使われている。このとき、目的とする基材にのみに薄膜を形成することが好ましい。
しかしながら、上記のいずれの方法でも薄膜を形成する基板だけではなく、その周りの部分、たとえば装置内部壁部にも薄膜が付着する。
しかしながら、防着板に堆積した不要な堆積物は、薄膜形成時には、剥離して落下することなく清掃時のみ剥離することが好ましい。
特に蒸着開始時に除去しきれていない付着物がターゲット、ルツボ等に落下すると異常放電、突沸などトラブルが発生する。またアルミニウム、ステンレス等の金属板を電子ビーム蒸着で使用すると熱輻射が大きく温度がかかるため防着板が伸びたり、形が変形したり最悪の場合は溶けたりする。
しかし、実際には蒸着開始時、蒸着中、蒸着直後、清掃準備中等など不要な堆積物が剥離落下するときが有る。
即ち、本発明は、熱膨張率が10-5/K以下であり、かつ耐熱温度が1000℃以上であることを特徴とする真空薄膜形成装置用防着板である。
熱膨張率を10-5/K以下とすることにより、防着板が伸びや変形による付着物の剥離落下を防止することができる。
本発明でいい「熱膨張率」とは、室温での線膨張率を指し長さlの物質が△t温度上昇したとき△l変化したとすると(△l/l)/△tで計算する。
特に高温になる電子ビームによる蒸着に適している。電子ビーム蒸着では高温で蒸発する物質、酸化物、窒化物等を直接材料として蒸着することが可能である。しかし、高温に加熱された材料は大量の輻射熱を発する。この防着板に輻射熱がかかると加熱が不均一のため防着板が変形し、付着物が落下したり簡便な取り付けを行なっている場合には、防着板自体が落下したりする。
また、耐熱温度が1000℃以上とすることにより、でルツボ直上に防着板を設置しても変形、溶融せず使用可能となる。
上記炭素繊維系複合材とは、アクリル繊維等を布状に織り炭化したもの、または、布を樹脂で固めて板状にしたものを炭化したものを指す。
上記防着板は厚み2mm以下のものが扱いやすさより好ましい。
決めればよい。
防着板として黒鉛の5mm厚の板材を加工して使用した。黒鉛は押し出し成形により製造した等方性黒鉛でかさ密度1.68Mg/m3で熱膨張係数4.2×10-6/Kである。真空装置内に設置しSiOを蒸着源とし電子ビーム蒸着を行った。SiOxを基板上に30nm蒸着した。蒸着基板として12μm厚み幅2000mm長さ50000mのPETフィルムを使用した。蒸着中は付着物は落下せず、かつ変形溶解等の損傷を受けずに最後まで蒸着できた。
防着板として厚さ1mmのカーボンファイバーコンポジット(日本カーボン株式会社)を使用した。かさ密度1.5g/cm3熱膨張係数0.6×10-6/Kであった。Al2O3とSiO2を電子銃で加熱して蒸着を行った。基板上にAl2O3含有率30w%で膜厚15nmのAl2O3−SiO2の薄膜を形成した。蒸着基板として15μm厚み幅2000mm長さ50000mのNyフィルムを使用した。
蒸着中は付着物は落下せず、かつ変形溶解等の損傷を受けずに最後まで蒸着できた。
防着板として厚さ1mmのアルミニウムを使用した以外、実施例2と同様に蒸着を行なった。
ルツボの上面に設置した防着板が溶解した。またその他の防着板も変形し外して再装着したときに装着できないものがあった。
Claims (4)
- 熱膨張率が10-5/K以下で耐熱温度が1000℃以上ある材料を使用した真空薄膜形成装置用防着板。
- 請求項1の防着板を使用することを特徴とする電子ビーム蒸着装置。
- 請求項1の防着板を使用することを特徴とする電子ビーム蒸着方法。
- 請求項1の防着板を使用することを特徴とするセラミック薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003368586A JP2005133133A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 真空薄膜形成装置用防着板 |
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JP2003368586A Pending JP2005133133A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 真空薄膜形成装置用防着板 |
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JP (1) | JP2005133133A (ja) |
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