JP2005126757A5 - - Google Patents
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VIb族元素は、O、Se、S、およびTeの内の少なくとも1種とすることができる。
製膜室および真空室と、前記製膜室内に配置され相異なる材料を保持する複数の蒸着源と、前記製膜室外に配置されかつフレキシブル性を有する基板を移動させる一対のローラとを有する化合物薄膜の製造装置であって、前記真空室には、前記複数の蒸着源に保持される材料とは更に異なる材料を保持する蒸着源を有し、前記真空室と接続された配管は複数に分岐され製膜室内に吹き出し管として配置され、前記製膜室内には前記基板を加熱するヒータが配置された構成としてもよい。
本発明の化合物薄膜の製造方法は、真空排気可能な製膜室内に設置した基板の製膜面にVIb族元素を含んだ化合物薄膜を蒸着形成する化合物薄膜の製造方法において、VIb族元素の一部を前記製膜室に弁手段を介して連通した真空室内のVIb族元素蒸着源から供給しつつ前記化合物薄膜の製膜を行う工程と、前記弁手段を閉じ、前記真空室内のVIb族元素蒸着源を補給する工程とを行うようにしたものである。
製膜室および真空室と、前記製膜室内に配置され相異なる材料を保持する複数の蒸着源と、前記製膜室外に配置されかつフレキシブル性を有する基板を移動させる一対のローラとを有する化合物薄膜の製造装置であって、前記真空室には、前記複数の蒸着源に保持される材料とは更に異なる材料を保持する蒸着源を有し、前記真空室と接続された配管は複数に分岐され製膜室内に吹き出し管として配置され、前記製膜室内には前記基板を加熱するヒータが配置された構成としてもよい。
本発明の化合物薄膜の製造方法は、真空排気可能な製膜室内に設置した基板の製膜面にVIb族元素を含んだ化合物薄膜を蒸着形成する化合物薄膜の製造方法において、VIb族元素の一部を前記製膜室に弁手段を介して連通した真空室内のVIb族元素蒸着源から供給しつつ前記化合物薄膜の製膜を行う工程と、前記弁手段を閉じ、前記真空室内のVIb族元素蒸着源を補給する工程とを行うようにしたものである。
9,10,11はそれぞれ、真空容器1内、基板7の展張位置の下方に基板7の走行方向に沿って配列されたCu蒸着源,In蒸着源,Ga蒸着源であり、8は真空容器1内、基板7の展張位置の上方に基板7の走行方向に沿って配置された基板加熱ヒータである。12はSe蒸着源であり、第1配管系13,第2配管系14を通じて真空容器1内に連通した第2の真空容器15内に配置されている。
Claims (9)
- 真空排気可能な製膜室内に設置した基板の製膜面にVIb族元素を含んだ化合物薄膜を蒸着形成する化合物薄膜の製造装置であって、前記製膜室に対して弁手段を介して連通する真空室を設け、この真空室内にVIb族元素の蒸着源の一部を設置した化合物薄膜の製造装置。
- 製膜室と真空室とを弁手段を介装した配管で連通させ、この配管の内壁を管内のVIb族元素が蒸気状態に維持される温度に加熱する加熱機構を設けた請求項1記載の化合物薄膜の製造装置。
- 一端が弁手段に連通し、他端が基板の製膜面の近傍で開口するVIb族元素吹き出し管を設けた請求項1または請求項2のいずれかに記載の化合物薄膜の製造装置。
- 複数のVIb族元素吹き出し管を設けた請求項3記載の化合物薄膜の製造装置。
- VIb族元素吹き出し管の開口部と基板の製膜面との距離が50mm以内である請求項3または請求項4のいずれかに記載の化合物薄膜の製造装置。
- VIb族元素吹き出し管の開口部と基板の製膜面との距離が30mm以内である請求項3または請求項4のいずれかに記載の化合物薄膜の製造装置。
- VIb族元素がO、Se、S、およびTeの内の少なくとも1種である請求項1〜請求項6のいずれかに記載の化合物薄膜の製造装置。
- 真空排気可能な製膜室内に設置した基板の製膜面にVIb族元素を含んだ化合物薄膜を蒸着形成する化合物薄膜の製造方法において、VIb族元素の一部を前記製膜室に弁手段を介して連通した真空室内のVIb族元素蒸着源から供給しつつ前記化合物薄膜を製膜する工程と、前記弁手段を閉じ、前記真空室内のVIb族元素蒸着源を補給する工程とを行う化合物薄膜の製造方法。
- 製膜室および真空室と、前記製膜室内に配置され相異なる材料を保持する複数の蒸着源と、前記製膜室外に配置されかつフレキシブル性を有する基板を移動させる一対のローラとを有する化合物薄膜の製造装置であって、前記真空室には、前記複数の蒸着源に保持される材料とは更に異なる材料を保持する蒸着源を有し、前記真空室と接続された配管は複数に分岐され製膜室内に吹き出し管として配置され、前記製膜室内には前記基板を加熱するヒータが配置されていることを特徴とする化合物薄膜の製造装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003362626A JP2005126757A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 化合物薄膜の製造装置および方法 |
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JP2003362626A JP2005126757A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 化合物薄膜の製造装置および方法 |
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JP2005126757A JP2005126757A (ja) | 2005-05-19 |
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- 2003-10-23 JP JP2003362626A patent/JP2005126757A/ja active Pending
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