JP2005123538A - Solid imaging device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、固体撮像素子とその製造方法、特に、フォトセンサ部が半導体基板内に形成された固体撮像素子、すなわち表面に電荷蓄積層が形成されたいわゆるHAD(Hole Accumulated Diode)構造による電荷転送型(CCD:Charge Coupled Device型)の固体撮像素子とその製造方法に関し、スミアの改善を図るものである。 The present invention relates to a solid-state imaging device and a manufacturing method thereof, and more particularly, a solid-state imaging device in which a photosensor portion is formed in a semiconductor substrate, that is, charge transfer by a so-called HAD (Hole Accumulated Diode) structure in which a charge storage layer is formed on the surface. The present invention is intended to improve smear on a solid-state imaging device of a type (CCD: Charge Coupled Device type) and a manufacturing method thereof.
CCD型固体撮像素子においては、図1にその基本的概略構成を示すように、画素となるフォトセンサ部1と、フォトセンサ部1からの信号電荷を読み出す読み出し部2と、この読み出し部2によって読み出された信号電荷を転送するCCD構成による垂直電荷転送部3と、この垂直電荷転送部3によって転送された電荷を、水平ライン毎に、出力回路に順次転送する水平電荷転送部4と、素子分離部5とを有する。
In the CCD type solid-state imaging device, as shown in FIG. 1, a basic
通常のHAD構造フォトセンサ部1を有するCCD型固体撮像素子は、図9に要部の概略断面図を示すように、例えばSiより成る半導体基板20が、n型のサブストレイト6上に、第1のp型のウェル領域7が形成された構成を有し、この第1のウェル領域7上に、n型の低不純物濃度領域13が形成され、これに、表面に電荷蓄積領域8が形成されたフォトダイオード9が、図1で示されたように、縦横配列されて、それぞれフォトセンサ部1の各画素が形成される。
As shown in the schematic cross-sectional view of the main part in FIG. 9, a CCD solid-state imaging device having a normal HAD
また、低不純物濃度領域13上に、第2のp型のウェル領域10が、図1における共通の垂直ライン上に配列されたフォトセンサ1、すなわちフォトダイオード9の配列方向に沿って、これらフォトダイオード9と所要の距離を隔てて形成し、この第2のウェル10上に、n型の電荷転送領域11が形成されて垂直電荷転送部3が構成される。
また、電荷転送部3と、対応するフォトダイオード9との間に、p型の信号電荷の読み出し領域32が形成されて、読み出し部2が構成される。
また、隣り合う、異なる垂直転送部間には、p型の素子分離領域35による素子分離部5が形成される。
Further, the second p-type well region 10 is formed on the low impurity concentration region 13 along the arrangement direction of the
In addition, a p-type signal charge readout region 32 is formed between the
In addition, an
そして、半導体基板20の表面には、光透過性を有する例えばSiO2より成る絶縁層14が被着形成され、この上に電荷転送領域11と読み出し領域32上に差し渡って耐熱性を有する多結晶シリコンによる垂直転送電極15が被着形成される。
更に、この転送電極15上を含んで全面的にSiO2等の層間絶縁膜16を介して遮光膜17が形成される。
そして、この遮光膜17の、フォトセンサ部1上に開口18が形成されて、これら開口18を通じてフォトセンサ部1において受光がなされ、この受光量に応じた信号電荷がフォトダイオードによって発生するようになされる。
Then, a light-transmitting insulating layer 14 made of, for example,
Further, a light shielding film 17 is formed on the entire surface including the
An
この構成による場合、光は、図9にそのパスを矢印aをもって示すように転送部に入り込み、スミアを発生する。 In the case of this configuration, light enters the transfer unit as shown by the arrow a in FIG. 9 and generates smear.
一方、このようなCCD型固体撮像素子において、その小型化、高解像度化のために、画素サイズを微細化していくと、読み出し部2におけるゲート長が短くなり、ショートチャネル効果の影響で、読み出し電圧のばらつきが大きくなるという問題が生じる。
これに対して、素子分離領域および光信号読み出し領域を選択的にエッチングすることでボロン(B)の横方向の拡散を抑制し、実効的な垂直CCDの幅を拡大する技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。
しかしながら、この場合、素子分離領域では層間絶縁膜が、そして信号電荷の読み出し領域では多結晶シリコン電極が、それぞれ可視光に対して透明であるため、斜めに入射した光が垂直転送部に漏れこみ、スミアを発生させるという問題が生じる。
On the other hand, in such a CCD type solid-state imaging device, when the pixel size is made finer in order to reduce the size and increase the resolution, the gate length in the
On the other hand, there has been proposed a technique for suppressing the lateral diffusion of boron (B) and selectively increasing the width of the effective vertical CCD by selectively etching the element isolation region and the optical signal readout region. (For example, refer to Patent Document 1).
However, in this case, since the interlayer insulating film is transparent in the element isolation region and the polycrystalline silicon electrode is transparent to visible light in the signal charge readout region, obliquely incident light leaks into the vertical transfer portion. The problem of generating smears arises.
また、図9で示した現在主流となっているHAD構造のCCD固体撮像素子においては、フォトセンサの高不純物濃度の電荷蓄積領域8の横方向の拡散が大きいため、その2次元的な効果によるフォトセンサから垂直電荷転送部3への電荷信号の読み出しパスの締め付けが発生し、その結果、読み出し電圧が高くなるという問題も発生していた。
更に、垂直電荷転送部3と、フォトセンサ部1との距離が短くなるため、スミア成分が増加するという問題が生じていた。
図9においては、主たるスミアの発生経路を矢印aをもって示している。
Furthermore, since the distance between the vertical
In FIG. 9, the main smear generation path is indicated by an arrow a.
本発明は、上述したスミアの発生を、より効果的に遮断することができるようにした固体撮像素子とその製造方法を提供するものである。 The present invention provides a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same that can more effectively block the occurrence of smear as described above.
本発明による固体撮像素子は、基板内に形成されたフォトセンサ部と、基板内に形成され、フォトセンサ部からの信号電荷を読み出す読み出し部と、基板内に形成され、フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とを有し、読み出し部と、素子分離部とが遮光性を有する電極により形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、上述の構成にあって、読み出し部によって読み出された信号電荷を転送する転送電極が、前記基板内に形成され、前記遮光性を有する電極により形成されていることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、前記読み出し部と、前記素子分離部とが、共通に形成されて成る構成を有する。
また、本発明による固体撮像素子は、前記転送電極と、前記読み出し部の読み出し電極と、フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とが、それぞれ独立に形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、前記遮光性を有する電極が、金属電極であることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、前記遮光性を有する電極が、電荷転送方向に沿って連続的である構成とすることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、基板内の、遮光性を有する電極下に、一導電型の領域が形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、前記読み出し部と、前記転送電極と、フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とが一体に形成されて成ることを特徴とする。
また、本発明による固体撮像素子は、前記読み出し部と、フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とが共通に形成され、前記転送電極は独立に形成されて成ることを特徴とする。
A solid-state imaging device according to the present invention includes a photosensor unit formed in a substrate, a readout unit that is formed in the substrate and reads a signal charge from the photosensor unit, and a signal formed from the photosensor unit. It has an element isolation part for preventing leakage of electric charges, and is characterized in that the readout part and the element isolation part are formed of an electrode having a light shielding property.
The solid-state imaging device according to the present invention has the above-described configuration, and a transfer electrode for transferring a signal charge read by the reading unit is formed in the substrate and is formed by the electrode having the light shielding property. It is characterized by being.
The solid-state imaging device according to the present invention has a configuration in which the readout section and the element separation section are formed in common.
In the solid-state imaging device according to the present invention, the transfer electrode, the readout electrode of the readout unit, and an element separation unit that prevents leakage of signal charges from the photosensor unit are formed independently. And
In the solid-state imaging device according to the present invention, the light-shielding electrode is a metal electrode.
The solid-state imaging device according to the present invention is characterized in that the light-shielding electrode is continuous along the charge transfer direction.
Further, the solid-state imaging device according to the present invention is characterized in that a region of one conductivity type is formed under a light-shielding electrode in a substrate.
The solid-state imaging device according to the present invention is characterized in that the readout section, the transfer electrode, and an element separation section that prevents leakage of signal charges from the photosensor section are integrally formed.
The solid-state imaging device according to the present invention is characterized in that the readout unit and an element separation unit for preventing leakage of signal charges from the photosensor unit are formed in common, and the transfer electrode is formed independently. To do.
本発明による固体撮像素子は、フォトセンサ部と、フォトセンサ部からの信号電荷を読み出す読み出し部と、フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とを有し、読み出し部、または素子分離部の少なくとも一方が遮光性を有する電極で形成されて成ることを特徴とする。
そして、この構成にあって、本発明による固体撮像素子は、上述した前記遮光性を有する電極が、電荷転送方向に沿って連続的であることを特徴とする。
A solid-state imaging device according to the present invention includes a photosensor unit, a readout unit that reads out signal charges from the photosensor unit, and an element separation unit that prevents leakage of signal charges from the photosensor unit. At least one of the separation portions is formed of an electrode having a light shielding property.
In this configuration, the solid-state imaging device according to the present invention is characterized in that the above-described electrode having light shielding properties is continuous along the charge transfer direction.
本発明による固体撮像素子の製造方法は、固体撮像素子を形成する半導体基板に、電荷転送領域を形成する工程と、この電荷転送領域の両側に、該電荷転送方向に沿って連続的もしくは断続的に溝を形成する公知工程と、これら両溝底部に、読み出し領域と素子分離領域を形成する工程と、両溝内の前記読み出し領域と前記素子分離領域と、両溝間の電荷転送領域上に差し渡って遮光性を有する電極を形成する工程と、読み出し領域に隣接する位置にフォトセンサ部を形成する工程とを有することを特徴とする。 A method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention includes a step of forming a charge transfer region on a semiconductor substrate on which a solid-state image sensor is formed, and continuous or intermittent along the charge transfer direction on both sides of the charge transfer region. A known step of forming a groove in the groove, a step of forming a read region and an element isolation region at the bottom of both grooves, the read region and the element isolation region in both grooves, and a charge transfer region between the grooves. It has a step of forming an electrode having light shielding properties across and a step of forming a photosensor portion at a position adjacent to the readout region.
上述した本発明による固体撮像素子によれば、基板内に形成した電荷読み出し部、素子分離部を遮光性を有する電極によって形成したことによって、効果的に遮光効果が生じ、効果的にスミアの改善が図られる。 According to the above-described solid-state imaging device according to the present invention, the charge reading portion and the element separation portion formed in the substrate are formed by the light-shielding electrode, so that a light-shielding effect is effectively produced and smear is effectively improved. Is planned.
また、その転送部電極、素子分離部電極に加えて信号電荷の読み出し電極を、遮光性電極として基板内に形成することにより、フォトセンサ部から垂直電荷転送への読み出しパスが従来構造のそれよりも長くなる。したがって、これによって、ショートチャンネル効果が抑制され、読み出し電圧のバラツキを低減することができるものである。 In addition to the transfer unit electrode and element isolation unit electrode, a signal charge readout electrode is formed in the substrate as a light-shielding electrode, so that the readout path from the photosensor unit to the vertical charge transfer is higher than that of the conventional structure. Also gets longer. Accordingly, the short channel effect is thereby suppressed, and variations in read voltage can be reduced.
フォトセンサ部の電荷蓄積領域の横方向拡散が原理的に起こらないのでその2次元的な効果によるフォトセンサから垂直電荷転送領域への読み出しパスの締め付けが回避され、信号電荷の読み出し電圧を低減することができる。 Since the lateral diffusion of the charge accumulation region of the photosensor portion does not occur in principle, the two-dimensional effect avoids tightening of the read path from the photosensor to the vertical charge transfer region, and reduces the signal charge read voltage. be able to.
更に、微細化されたCCD型固体撮像素子の画素では、基板内に形成されたフォトセンサで光電変換した電子が素子分離領域上や光信号読み出し領域の表面を拡散して垂直CCDに到達することで発生するスミア成分がフォトセンサと垂直電荷転送部間で、電極によって、遮断されることから、この種のスミア成分は原理的に発生しない。 Furthermore, in a pixel of a miniaturized CCD type solid-state imaging device, electrons photoelectrically converted by a photosensor formed in the substrate diffuse on the device isolation region or the surface of the optical signal readout region and reach the vertical CCD. This smear component is not generated in principle because the smear component generated in the above is blocked by the electrode between the photosensor and the vertical charge transfer unit.
本発明による固体撮像素子の実施の形態を、図面を参照して説明するが、本発明は、これら実施の形態例に限定されるものではない。
本発明による固体撮像素子は、前述したように、図1でその概略構成を示すCCD構成による固体撮像素子の構成によることができる。
すなわち、画素となるフォトセンサ部1と、フォトセンサ部1からの受光量に応じた信号電荷を読み出す読み出し部2と、この読み出し部2によって読み出された信号電荷を転送するCCD構成による電荷転送部、すなわち垂直電荷転送部3と、この垂直電荷転送部3によって転送された電荷を、水平ライン毎に、出力回路(図示せず)に順次転送する水平電荷転送部4と、フォトセンサ部1からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部5とを有する。
Embodiments of a solid-state imaging device according to the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these embodiments.
As described above, the solid-state imaging device according to the present invention can be based on the configuration of the solid-state imaging device having a CCD configuration schematically shown in FIG.
That is, the
そして、本発明においては、図2にその要部の概略断面図を示し、図3にその概略平面図を示すように、半導体基板内にフォトセンサ部が形成された、すなわち表面に電荷蓄積領域8が形成されたHAD構造による。
この場合においても、図9で説明したと同様に、その基本的構成は、例えばSiより成る半導体基板20が、n型のサブストレイト6上に、第1のp型ウェル領域7が形成され、これにn型の低不純物濃度領域13が形成された構成を有し、この領域13の上に、表面にp型の高不純物濃度の電荷蓄積領域8が形成されたフォトダイオード9が、図1で示されたように、縦横配列され、それぞれフォトセンサ部1の各画素が形成される。
In the present invention, as shown in a schematic cross-sectional view of the main part in FIG. 2 and a schematic plan view in FIG. 3, a photosensor part is formed in the semiconductor substrate, that is, a charge accumulation region on the surface. According to the HAD structure in which 8 is formed.
In this case as well, as described with reference to FIG. 9, the basic configuration is that, for example, a
また、領域13上に、p型の第2のウェル領域12が、図1における共通の垂直ライン上に配列されたフォトセンサ1、すなわちフォトダイオード9の配列方向に沿って、これらフォトダイオード9と所要の距離を隔てて形成され、この第2のウェル領域12上に、n型の電荷転送領域11が形成されて垂直電荷転送部3が構成される。
Further, a p-type
そして、図2および図3に示すように、垂直電荷転送部3と対応するフォトダイオード9間と、隣り合う、異なる垂直ライン間に、すなわち、信号電荷の読み出し部2と、素子分離部5とに、垂直電荷転送部3の電荷転送方向に沿って連続的もしくは断続的に溝32Gおよび35Gを形成する。
また、これら溝32Gおよび35Gの底部に、それぞれ一導電型の領域、すなわちこの例では、p型の読み出し領域32および素子分離領域35が形成され、各溝32Gおよび35G内に、したがって、各読み出し領域32上および素子分離領域35上にそれぞれ読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eが充填され、それぞれ読み出し部2および素子分離部5を構成する。
そして、この例においては、両電極32Eおよび35Eと、各転送電極15とを、例えば同一導電層によって一体に形成する。このようにして、読み出し電極32Eと素子分離電極35Eとを半導体基板20内に入り込ませて形成する。
この場合、溝32Gおよび35Gを、それぞれ連続溝として形成する場合においては、図3および図7Aに示すように、各転送電極15間を電気的に分断する不連続部32fおよび35fを形成する。
As shown in FIGS. 2 and 3, between the photodiodes 9 corresponding to the vertical
In addition, a region of one conductivity type, that is, in this example, a p-type readout region 32 and an
In this example, both
In this case, when the
そして、これらフォトセンサ部1、読み出し部2、垂直電荷転送部3等が形成された半導体基板20の表面に、光透過性を有する例えばSiO2より成る絶縁層14が被着形成され、更に、この上に全面的に遮光膜17が形成される。
そして、この遮光膜17の、フォトセンサ部1上に開口18が形成されて、これら開口18を通じてフォトセンサ部1において受光がなされ、この受光量に応じた信号電荷がフォトダイオードによって発生するようになされる。
Then, on the surface of the
An
次に、この図2および図3に示した固体撮像素子2の製造方法の一例を図4および図5の工程図を参照して概略説明する。
図4Aに示すように、n型のサブストレイト6、第1のp型ウェル領域7、n型低不純物濃度領域13が形成されたSi半導体基板20の、領域13に、それぞれp型およびn型不純物のイオン注入によって第2のp型ウェル領域12と、n型電荷転送領域11とをそれぞれ垂直電荷転送方向に通常の所定のパターンに形成する。
図4Bに示すように、領域13に、これら領域11および12の両側に、溝32Gおよび35Gを電荷転送方向に沿って例えば連続的に形成する。
溝32Gの底面および溝35Gの底面に、それぞれイオン注入によってそれぞれ所要の不純物濃度をもって、p型の読み出し領域32と高不純物濃度の素子分離領域35いわゆるアイソレーション領域を形成する。
図4Cに示すように、半導体基板20上に、各溝32Gおよび35G内を含んで全面的に(図示せず)、遮光性を有する金属電極材を蒸着、スパッタ等によって形成し、パターンエッチングして、各溝32Gおよび35G内に、読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eと、更に、各転送電極15を同時に連続的に形成する。
この場合、転送電極15間が相互に短絡することがないように、図3で示したように、各転送電極15間で、溝32Gおよび35Gが連続溝による場合には、各転送電極15間で各溝32Gおよび35G内で分断するか、あるいは溝32Gおよび35Gを分断溝とし、かつ電極32Eおよび35Eを分断する不連続部32fおよび35fを形成する。
転送電極15は、例えばTi,Mo,W、またはそのシリサイド、あるいはこれらの組み合わせによる遮光性金属電極によって構成する。
Next, an example of a method for manufacturing the solid-
As shown in FIG. 4A, the p-type and the n-type are respectively formed in the region 13 of the
As shown in FIG. 4B,
On the bottom surface of the
As shown in FIG. 4C, a metal electrode material having a light-shielding property is formed on the
In this case, when the
The
次に、図5に示すように、転送電極15をマスクとして、フォトセンサ部1を構成するフォトダイオード9と電荷蓄積領域8とをそれぞれ例えば不純物のイオン注入によって形成する。
その後、図2に示したように、絶縁層14および遮光膜17を形成する。
Next, as shown in FIG. 5, using the
Thereafter, as shown in FIG. 2, an insulating layer 14 and a light shielding film 17 are formed.
上述した例では、転送電極15と、読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eとを一体に形成した場合であるが、図6に概略断面図を示すように、転送電極15を、絶縁層14の介在によって、電気的および構造的に、読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eと、別体にすなわち分離した構成とすることができる。
また、この図6の構成において、転送電極15は、読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eと同一材料の遮光性を有する金属電極材によって構成することもできるし、金属電極材によって構成された読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eとは異なる例えば多結晶Siによって構成することもできる。
そして、この読み出し電極32Eおよび素子分離電極35Eとは分離して形成した転送電極15上を覆って層間絶縁層16を形成し、遮光膜17の形成を行う。
尚、図6において、図2と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
In the example described above, the
In the configuration of FIG. 6, the
Then, the
In FIG. 6, parts corresponding to those in FIG.
上述したように、本発明構成によれば、半導体基板20に溝32Gおよび35Gを形成し、これらに電極32Eおよび35Eの形成を行うことから、これを遮光性を有する金属電極によって構成することによって、図2および図6に矢印aをもって光の遮断状態を示すように、効果的にスミアの発生を改善できる。
尚、各溝32Gおよび35Gの配置パターンすなわち遮光は、基本的には、図2および図6に示すように、各垂直ラインに関するフォトセンサ部1と、これらに隣り合う垂直ラインに関するフォトセンサ部1との間に配置する。そして、隣り合う転送電極15間において、溝32Gおよび35Gを分断し、かつ電極32Eおよび35Eを分断するか、電極32Eおよび35Eのみを分断する。図7A〜Eは、溝32Gおよび35Gの配置パターンの例を模式的に示した平面図である。
As described above, according to the configuration of the present invention, the
The arrangement pattern of the
上述した本発明による固体撮像素子においては、フォトセンサ部1から垂直電荷転送部3への、フォトセンサ部1で発生した信号電荷の転送は、図8で示すように、電荷、この例では電子に対するポテンシャルの傾斜を発生させることによって、図2および図6に矢印bをもって示す経路を経てなされる。
In the solid-state imaging device according to the present invention described above, the transfer of the signal charge generated in the
上述した本発明による固体撮像素子は、例えば、カメラ、モニター部を有する電気機器等の各種機器として構成することができるものである。
尚、上述した例では、信号電荷、すなわち転送電荷が、電子である場合について、例示したが、信号電荷がホールである場合についても本発明を適用することができる。
The above-described solid-state imaging device according to the present invention can be configured as various devices such as an electric device having a camera and a monitor, for example.
In the above-described example, the case where the signal charge, that is, the transfer charge is an electron is illustrated, but the present invention can also be applied to the case where the signal charge is a hole.
上述したように、本発明構成によれば、効果的にスミアの改善が図られ、また、その転送部電極、素子分離部電極に加えて信号電荷の読み出し電極を、遮光性電極として基板内に形成することにより、フォトセンサ部から垂直電荷転送への読み出しパスが従来構造のそれよりも長くなる。したがって、これによって、ショートチャンネル効果が抑制され、読み出し電圧のバラツキを低減することができるものである。 As described above, according to the configuration of the present invention, smear is effectively improved, and in addition to the transfer unit electrode and the element isolation unit electrode, the signal charge readout electrode is used as a light shielding electrode in the substrate. By forming it, the read path from the photo sensor portion to the vertical charge transfer becomes longer than that of the conventional structure. Accordingly, the short channel effect is thereby suppressed, and variations in read voltage can be reduced.
1・・・フォトセンサ部、2・・・読み出し部、3・・・電荷転送部(垂直電荷転送部)、4・・・水平電荷転送部、5・・・素子分離部、7・・・第1のウェル領域、8・・・電荷蓄積領域、9・・・フォトダイオード、11・・・電荷転送領域、12・・・第2のウェル領域、13・・・低不純物濃度領域、14・・・絶縁層、15・・・転送電極、16・・・層間絶縁層、17・・・遮光膜、18・・・開口、20・・・半導体基板、32・・・読み出し領域、35・・・素子分離領域、32G,35G・・・溝、32E・・・読み出し電極、35E・・・素子分離電極、32f,35f・・・不連続部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基板内に形成され、前記フォトセンサ部からの信号電荷を読み出す読み出し部と、
前記基板内に形成され、前記フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とを有し、
前記読み出し部と、前記素子分離部とが遮光性を有する電極により形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。 A photosensor portion formed in the substrate;
A readout unit that is formed in the substrate and reads out signal charges from the photosensor unit;
An element isolation portion formed in the substrate and preventing leakage of signal charges from the photosensor portion;
The solid-state imaging device, wherein the readout unit and the element separation unit are formed of an electrode having a light shielding property.
前記遮光性を有する電極により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 A transfer electrode for transferring a signal charge read by the reading unit is formed in the substrate,
The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the solid-state imaging device is formed of the light-shielding electrode.
該フォトセンサ部からの信号電荷を読み出す読み出し部と、
前記フォトセンサ部からの信号電荷の漏洩を防ぐ素子分離部とを有し、
前記読み出し部、または前記素子分離部の少なくとも一方が遮光性を有する電極で形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。 A photo sensor section;
A readout unit for reading out signal charges from the photosensor unit;
An element separation unit for preventing leakage of signal charges from the photosensor unit,
A solid-state imaging device, wherein at least one of the readout unit or the element isolation unit is formed of an electrode having a light shielding property.
該電荷転送領域の両側に、該電荷転送方向に沿って連続的もしくは断続的に溝を形成する公知工程と、
該両溝底部に、読み出し領域と素子分離領域を形成する工程と、
前記両溝内の前記読み出し領域と前記素子分離領域と、前記両溝間の前記電荷転送領域上に差し渡って遮光性を有する電極を形成する工程と、
前記読み出し領域に隣接する位置にフォトセンサ部を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 Forming a charge transfer region on a semiconductor substrate on which a solid-state imaging element is formed;
A known step of forming grooves continuously or intermittently along the charge transfer direction on both sides of the charge transfer region;
Forming a read region and an element isolation region at the bottoms of both grooves;
Forming the light-shielding electrode across the readout region and the element isolation region in the grooves and the charge transfer region between the grooves;
And a step of forming a photosensor portion at a position adjacent to the readout region.
Priority Applications (1)
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