JP2005122132A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 物体面上のパターンを像面上に縮小投影する反射型投影光学系であって、
   前記物体面から、第１の反射面、凸面形状の第２の反射面、凸面形状の第３の反射面、第４の反射面、第５の反射面、第６の反射面の順に光を反射するような６つの反射面と、
   前記第２の反射面と前記第３の反射面との間に配置された開口絞りとを有し、
   前記６つの反射面は、前記６つの反射面の曲率中心が光軸上に並ぶように配置され、
   前記６つの反射面の各々の反射面に関して、前記各々の反射面の曲率中心を中心とし前記各々の反射面の曲率半径を半径とする球面と前記光軸との交点のうち、前記各々の反射面の前記光の反射位置に最も近い交点を面頂点としたとき、前記物体面と前記物体面に最も近い面頂点との間隔Ｌ１と、前記物体面に最も近い面頂点と前記第１の反射面の面頂点との間隔Ｌ２は、
   ０．７５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．２５
   の関係を満足することを特徴とする反射型投影光学系。
2. 物体面上のパターンを像面上に縮小投影する反射型投影光学系であって、中間像を形成する結像系であり、
   前記物体面から、第１の反射面、第２の反射面、凸面形状の第３の反射面、第４の反射面、第５の反射面、第６の反射面の順に光を反射するような６つの反射面と、
   前記第２の反射面と前記第３の反射面との間に配置された開口絞りとを有し、
   前記６つの反射面は、前記６つの反射面の曲率中心が光軸上に並ぶように配置され、
   前記６つの反射面の各々の反射面に関して、前記各々の反射面の曲率中心を中心とし前記各々の反射面の曲率半径を半径とする球面と前記光軸との交点のうち、前記各々の反射面の前記光の反射位置に最も近い交点を面頂点としたとき、前記物体面と前記物体面に最も近い面頂点との間隔Ｌ１と、前記物体面に最も近い面頂点と前記第１の反射面の面頂点との間隔Ｌ２は、
   ０．７５＜Ｌ１／Ｌ２＜１．２５
   の関係を満足することを特徴とする反射型投影光学系。
3. 前記６つの反射面のうち光線の入射角の最大値が最も大きい反射面における最大入射角θｍａｘと、入射角度幅Δθは、
   ２５°＜θｍａｘ＋Δθ＜３５°
   の関係を満足することを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
4. 前記６つの反射面のうち光線の入射角の最大値が最も大きい反射面における最大入射角θｍａｘと、入射角度幅Δθは、
   ２５°＜θｍａｘ＋Δθ＜３２°
   の関係を満足することを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
5. 前記６つの反射面のうち光線の入射角の最大値が最も大きい反射面内の前記物体面上の円弧形状の照明領域からの光が入射する光入射領域と、前記物体面上の円弧形状の照明領域の弦の中心点と前記光軸とを含む平面との交線において、前記交線上の点の前記光軸からの距離の最小値及び最大値をＬｍｉｎ及びＬｍａｘとしたとき、前記交線上のＬｍｉｎ＋０．３×（Ｌｍａｘ−Ｌｍｉｎ）以上Ｌｍａｘ以下の領域内で、前記交線上の各点における最大入射角度が極値を有することを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
6. 前記６つの反射面の各々の反射面に関して、前記各々の反射面の曲率中心を中心とし前記各々の反射面の曲率半径を半径とする球面と前記光軸との交点のうち、前記各々の反射面の前記光の反射位置に最も近い交点を面頂点とし、前記光軸上における前記物体面と前記像面との距離をＬａｌｌとするとき、
   前記第２の反射面の面頂点と前記第４の反射面の面頂点との間隔Ｌ２４は、
   Ｌａｌｌ／２００＜Ｌ２４＜Ｌａｌｌ／１０
   の関係を満足することを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
7. 前記６つの反射面の各々の反射面に関して、前記各々の反射面の曲率中心を中心とし前記各々の反射面の曲率半径を半径とする球面と前記光軸との交点のうち、前記各々の反射面の前記光の反射位置に最も近い交点を面頂点とし、前記光軸上における前記物体面と前記像面との距離をＬａｌｌとするとき、
   前記第６の反射面の面頂点と前記第６の反射面の最近接反射面の面頂点との光軸上での間隔Ｌ６は、
   Ｌａｌｌ／２０＜Ｌ６＜Ｌａｌｌ／６
   の関係を満足することを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
8. 前記物体面上のパターンの中間像は、前記６つの反射面のうち前記光の光路において隣り合う２つの反射面の間に形成され、
   前記２つの反射面の間の光路長をＬｉｍとするとき、前記中間像が前記２つの反射面に対してＬｉｍ×０．３５以上離れていることを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
9. 前記開口絞りは、前記第１の反射面と前記第２の反射面との間に配置され、
   前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の光路長をＬｓｔとしたとき、前記開口絞りが前記第１の反射面及び第２の反射面からＬｓｔ／１０以上離れていることを特徴とする請求項１又は２記載の反射型投影光学系。
10. 請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の反射型投影光学系と、
    前記物体面上にマスクのパターンを位置付けるべく前記マスクを保持するステージと、
    前記像面上に感光層を位置付けるべく基板を保持するステージと、
    前記反射型投影光学系の円弧状の視野に対応する円弧状のＥＵＶ光により前記マスクを照明する照明装置と、
    前記ＥＵＶ光で前記マスクを照明する状態で前記各ステージを同期して走査する手段とを有することを特徴とする露光装置。
11. 光源からの光を用いて物体面上のパターンを照明する照明光学系と、
    前記物体面上のパターンを像面上に縮小投影する請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
12. 請求項１０又は１１記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
    露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。