JP2005116773A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005116773A JP2005116773A JP2003348999A JP2003348999A JP2005116773A JP 2005116773 A JP2005116773 A JP 2005116773A JP 2003348999 A JP2003348999 A JP 2003348999A JP 2003348999 A JP2003348999 A JP 2003348999A JP 2005116773 A JP2005116773 A JP 2005116773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- thin film
- layer
- resistance element
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 高抵抗素子は薄膜抵抗層に対し電流が水平に流れ、低抵抗素子は垂直に流れるように電極を形成する。高抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。
【選択図】 図1
Description
さらに、本発明の製造方法によれば、抵抗素子の抵抗値は、所定の薄膜抵抗層を形成する際の厚さを制御するとともに、抵抗素子の平面積や電流の流れる方向の素子の長さ幅(抵抗素子の大きさ)といった、半導体製造工程において、制御が容易で再現性が良い事項を変更することによって調整できるため、抵抗値のバラツキが少なくなり、半導体装置の特性の改善においても利点がある。
さらに薄膜抵抗層の形成条件を変えることによって、比抵抗の異なる薄膜抵抗層を形成することによっても、抵抗値の調整値が広がり、所望の抵抗値の抵抗素子を形成することができる。
特に本発明の抵抗素子は、高抵抗素子と低抵抗素子を同時に形成することができ、HBTやバイポーラトランジスタを含む半導体装置において、低抵抗素子をバラスト抵抗として簡便に形成することができ、利用範囲が広いという利点がある。
Claims (5)
- 抵抗値が異なる少なくとも2つの抵抗素子を備えた半導体装置において、同時に形成された少なくとも2つの薄膜抵抗層を備え、一の抵抗素子は、一の前記薄膜抵抗層の表面に対し、垂直方向に電流を流す電極を備え、別の抵抗素子は、別の前記薄膜抵抗層の表面に対し、水平方向に電流を流す電極を備えたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記一の抵抗素子の抵抗値は、一の前記薄膜抵抗層の抵抗率と抵抗素子の平面積により、前記別の抵抗素子の抵抗値は、別の前記薄膜抵抗層のシート抵抗と抵抗素子に流れる電流の走行方向と平行方向の長さ及び垂直方向の幅により設定されていることを特徴とする半導体装置。
- 抵抗値が異なる少なくとも2つの抵抗素子を備えた半導体装置の製造方法において、
半導体基板表面に、少なくとも2つの抵抗素子を構成する薄膜抵抗層を形成する工程と、
一の前記薄膜抵抗層に、該薄膜抵抗層の表面に対し、垂直方向に電流を流す電極を形成し、一の抵抗素子を形成する工程と、
別の前記薄膜抵抗層に、該薄膜抵抗層の表面に対し、水平方向に電流を流す電極を形成し、別の抵抗素子を形成する工程とを備え、
前記一の抵抗素子の抵抗値は、抵抗素子の平面積を調整し、前記別の抵抗素子の抵抗値は、抵抗素子に流れる電流の走行方向と平行方向の長さ及び垂直方向の幅を調整することにより設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、前記抵抗素子の平面積及び、前記抵抗素子に流れる電流の走行方向と平行方向の長さ及び垂直方向の幅の代わりに、あるいはこれらと共に、比抵抗あるいは厚さの異なる薄膜抵抗層を形成することにより、前記一の薄膜抵抗層の抵抗率及び前記別の薄膜抵抗層のシート抵抗を調整し、前記一の抵抗素子及び前記別の抵抗素子の抵抗値を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項3または4いずれか記載の半導体装置の製造方法において、半導体基板上にエミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域を形成した後、前記エミッタ領域上に前記一の抵抗素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003348999A JP2005116773A (ja) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003348999A JP2005116773A (ja) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005116773A true JP2005116773A (ja) | 2005-04-28 |
Family
ID=34540985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003348999A Pending JP2005116773A (ja) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005116773A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013074680A1 (en) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to a barrier for metallization in heterojunction bipolar transistor processes |
US9847407B2 (en) | 2011-11-16 | 2017-12-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to a gallium arsenide Schottky diode having low turn-on voltage |
CN111487465A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-08-04 | 桂林电子科技大学 | 探针间距校准方法、接触电阻率和界面电阻率的测试方法 |
GB2588409B (en) * | 2019-10-22 | 2023-12-13 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic circuits and their methods of manufacture |
-
2003
- 2003-10-08 JP JP2003348999A patent/JP2005116773A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013074680A1 (en) * | 2011-11-16 | 2013-05-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to a barrier for metallization in heterojunction bipolar transistor processes |
CN103999224A (zh) * | 2011-11-16 | 2014-08-20 | 天工方案公司 | 与用于异质结双极晶体管工艺中金属化的阻挡层有关的装置和方法 |
US9461153B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-10-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to a barrier for metallization of a gallium based semiconductor |
US9847407B2 (en) | 2011-11-16 | 2017-12-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to a gallium arsenide Schottky diode having low turn-on voltage |
US10121780B2 (en) | 2011-11-16 | 2018-11-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices related to barrier for metallization of gallium based semiconductor |
US10439051B2 (en) | 2011-11-16 | 2019-10-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Methods related to a semiconductor structure with gallium arsenide and tantalum nitride |
GB2588409B (en) * | 2019-10-22 | 2023-12-13 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic circuits and their methods of manufacture |
CN111487465A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-08-04 | 桂林电子科技大学 | 探针间距校准方法、接触电阻率和界面电阻率的测试方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2968014B2 (ja) | 微小真空管及びその製造方法 | |
KR0182061B1 (ko) | 바이폴라 트랜지스터 회로소자 | |
US20010042867A1 (en) | Monolithic compound semiconductor integrated circuit and method of forming the same | |
JP2008226963A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7485933B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device having polycrystalline silicon resistor circuit | |
JP2005116773A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH10508721A (ja) | 高周波パワートランジスタ用安定モニタリング | |
SE445084B (sv) | Styrelektrodreglerad halvledaranordning | |
JPH0738394B2 (ja) | バイポ−ラパワ−トランジスタ | |
JP2007149965A (ja) | 薄膜抵抗素子 | |
JP2662039B2 (ja) | バイポーラトランジスタ | |
JP4363802B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4610247B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006303185A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4732727B2 (ja) | 半導体素子、及び半導体素子の製造方法 | |
JP2004071835A (ja) | バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造方法 | |
JP3034301B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3147152B2 (ja) | バイポーラトランジスタ集積回路の製造方法 | |
JPH11214625A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000012559A (ja) | 半導体装置 | |
JP3664907B2 (ja) | パワートランジスタ | |
CN116666381A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
JP2004095781A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005203514A (ja) | 抵抗素子およびその製造方法、並びにバイアス回路および半導体装置の製造方法 | |
JPH0653512A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |