JP2005101578A - 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの作製方法、並びに表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明において、パターニング工程に利用するパターンを、液滴吐出法により形成する。パターンは、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することにより形成する。パターンを用いて、半導体素子を構成する導電体、絶縁体または半導体を、簡略な工程で所望な形状にパターニングすることができる。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の一実施態様を説明する図であり、逆スタガ型(ボトムゲート型)のTFTである。100は基板、103はゲート電極、110はゲート絶縁膜、104は半導体層のチャネル形成領域、105、106はソース、ドレイン領域、107はチャネル保護層、108、109はソース、ドレイン電極である。
図2は、本発明により得られる順スタガ型(トップゲート型)のTFTを説明する図である。200は基板、201は下地膜、202aはソース電極、202bはドレイン電極、204は半導体層のチャネル形成領域、205、206はソース、ドレイン領域、207はゲート絶縁膜、208はゲート電極である。
Claims (21)
- ゲート電極上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は一導電型の不純物を有する不純物領域であり、
前記チャネル部は、有機樹脂からなる保護層に覆われていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項1において、前記半導体は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項1または請求項2において、前記有機樹脂はポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記ソース領域及びドレイン領域は、n型を付与する不純物を有する不純物領域であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 第1の導電体を形成し、
前記第1の導電体上に第1の絶縁体と半導体を積層形成し、
前記半導体上に第1のパターンを形成し、
前記第1のパターンを用いて前記半導体をパターニングし、
パターニングされた前記半導体上に第2のパターンを形成し、
前記第2のパターンをマスクとして前記半導体に不純物を導入し不純物領域を形成し、
前記不純物領域に接するように第2の導電体を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記第1及び前記第2のパターンは、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出して形成し、
前記第1及び前記第2の導電体は、導電性材料を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電体を形成し、
前記第1の導電体上に第1のパターンを形成し、
前記第1のパターンを用いて前記第1の導電体をパターニングし、
パターニングされた前記第1の導電体上に、第1の絶縁体と半導体を積層形成し、
前記半導体上に第2のパターンを形成し、
前記第2のパターンを用いて前記半導体をパターニングし、
パターニングされた前記半導体上に第3のパターンを形成し、
前記第3のパターンをマスクとして前記半導体に不純物を導入し不純物領域を形成し、
前記不純物領域上に接するように第2の導電体を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記第1乃至第3のパターンは、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出して形成し、
前記第2の導電体は、導電性材料を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電体を形成し、
前記第1の導電体上に第1のパターンを形成し、
前記第1のパターンを用いて前記第1の導電体をパターニングし、
パターニングされた前記第1の導電体上に、第1の絶縁体と半導体を積層形成し、
前記半導体上に第2のパターンを形成し、
前記第2のパターンを用いて前記半導体をパターニングし、
パターニングされた前記半導体上に第3のパターンを形成し、
前記第3のパターンをマスクとして前記半導体に不純物を導入し不純物領域を形成し、
前記不純物領域上に接するように第2の導電体を形成し、
前記第2の導電体上に第4のパターンを形成し、
前記第4のパターンを用いて前記第2の導電体をパターニングする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記第1乃至第4のパターンは、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項5乃至7のいずれか一項において、前記半導体は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項5または請求項6において、前記導電体材料として銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことをから選ばれた一種、または複数種を含む組成物を選択的に吐出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項5乃至9のいずれか一項において、前記パターンはポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項5乃至10のいずれか一項において、n型を付与する不純物を導入することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 第1の基板上に、第1の半導体素子を複数配置した画素領域を形成し、
前記第1の基板と第2の基板との間に、液晶素子又は発光素子を挟持して貼り合わせ、
第3の基板上に第2の半導体素子を複数配置した駆動回路と、該駆動回路に従属する入力端子及び出力端子とを含むドライバICを複数個形成した後、前記複数個のドライバICを各々に分割し、
信号線駆動回路または走査線駆動回路として前記ドライバICを前記第1の基板上に形成された前記画素領域の周辺に貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法であって、
前記第1の半導体素子を構成する半導体をパターニングするパターンを、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出して形成し、
前記第1の半導体素子のチャネル保護層を、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項12において、前記第1の半導体素子のチャネル部としてアモルファス半導体またはセミアモルファス半導体を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12または請求項13において、前記チャネル保護層をマスクとして第1の半導体素子に不純物領域を形成する表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至14のいずれか一項において、前記第1の半導体素子を構成する導電体は、導電体材料を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至14のいずれか一項において、前記第1の半導体素子を構成する導電体をパターニングするパターンを、有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項15において、前記導電体材料として銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことをから選ばれた一種、または複数種を含む組成物を選択的に吐出することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至17のいずれか一項において、前記チャネル保護層はポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至18のいずれか一項において、前記パターンはポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種を含む組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項14乃至19のいずれか一項において、n型を付与する不純物を導入し、不純物領域を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至20のいずれか一項において、前記第2の半導体のチャネル部は、多結晶半導体で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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