JP2005101490A - Cmosイメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明はフォトダイオードとリセットトランジスタを含んで構成されるCMOSイメージセンサーにおいて、前記リセットトランジスタのゲート電極とフィールド領域との間のアクティブ領域上に不純物イオンを注入するにおいて前記フィールド領域の境界面が前記アクティブ領域の境界面と互いに離隔されて不純物イオンが注入されないようにすることを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
本発明は上記のような問題点を解決するために案出したものであって、イメージセンサーのアクティブ領域とフィールド領域との境界面がイオン注入によって損傷されないイメージセンサー及びその製造方法を提供することを目的とする。
好ましくは、前記不純物イオンは前記フォトダイオードの一部分を含んで注入されることができる。
好ましくは、前記LDD構造のための低濃度の不純物イオンの注入の際、前記ソース領域周囲のフィールド領域の一定の部分を含んで注入し、前記ソースとドレインを形成するための高濃度の不純物イオン注入の際、前記ソース領域を離れないようにイオンを注入することができる。
好ましくは、前記フィールド領域の下部及び前記フィールド領域と接するアクティブ領域の一定の部分の下部に所定の厚さを持つチャンネルストップ領域をもっと形成することができる。
好ましくは、前記チャンネルストップ領域はp型不純物イオンとしてホウ素(B)イオンを80〜150 KeV のエネルギーと 5×1012〜5×1013イオン数/cm2の濃度で注入して形成することができる。
LDDイオンまたはソースとドレイン形成用の不純物イオン注入の際、アクティブ領域とフィールド領域との境界面を互いに離隔させ前記アクティブ領域上の前記不純物イオン注入による損傷を抑制することができるようになり、イメージセンサーの固有特性である暗電流(dark current)及び漏洩電流(leakage current)を最小化することができるようになる。
すなわち、高濃度の不純物イオンがゲート電極とフォトダイオードとの間のソース領域に注入されることを根本的に防止することによってソース領域でのアクティブ領域とフィールド領域との間の境界面で高濃度のイオン注入による基板の損傷をあらかじめ防止している。
また、本発明の第4実施例のアクティブ領域の構造に付け加えて本発明の第1乃至第3実施例に示した不純物イオンの注入方式を適用すれば本発明の第4実施例が具現しようとする効果をもっと極大化する可能性があることは勿論である。
Claims (14)
- 単位画素のためのフィールド領域が形成された半導体基板と、
前記基板の上に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタとフィールド領域との間に形成され、前記フィールド領域の境界面から所定の部分くらい離隔されて形成されたアクティブ領域と、を含むCMOSイメージセンサー。 - 前記アクティブ領域を定義するための不純物イオン注入の際、イオン注入の防止マスクが前記フィールド領域の境界を含み、また前記アクティブ領域の所定の部分を含むように形成されたことを特徴とする、請求項1記載のCMOSイメージセンサー。
- 半導体基板の上に単位画素のためのフィールド領域を形成するステップと、
前記フィールド領域が形成された基板の上にトランジスタを形成するステップと、
前記トランジスタと前記フィールド領域との間にアクティブ領域を定義するにおいて、前記アクティブ領域の境界面が前記フィールド領域の境界面と所定の部分程度離隔されるように不純物イオンを注入するステップと、
を含むCMOSイメージセンサーの製造方法。 - 前記アクティブ領域はソース領域及びフォトダイオード領域を含んで形成することを特徴とする、請求項3記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記不純物イオンはLDD構造のための低濃度の不純物イオンまたはソースとドレインを形成するための高濃度の不純物イオンの内の一つであることを特徴とする、請求項3記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記アクティブ領域に注入された不純物イオンは前記フォトダイオードの一部分を含んで注入されることを特徴とする、請求項3または請求項4記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記LDD構造のための低濃度の不純物イオン注入の際には前記ソース領域周囲のフィールド領域の一定部分を含んで注入し、前記ソースとドレインを形成するための高濃度の不純物イオン注入の際には前記ソース領域を離れないようにイオン注入することを特徴とする、請求項3または請求項5記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記LDD構造のための低濃度の不純物イオン注入の際には前記ソース領域周囲のフィールド領域の一定部分を含んで注入し、前記高濃度の不純物イオン注入の際には前記ゲート電極を基準にし、ソース領域の反対側にのみイオンが注入されることを特徴とする、請求項3または請求項5記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- ゲート電極とフォトダイオードとの間のソース領域を、前記ゲート電極から前記フォトダイオードに向けて、その幅が拡大するように形成することを特徴とする、請求項3記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記フィールド領域の下部及び前記フィールド領域と接するアクティブ領域の一定部分の下部に所定の厚さをもつチャンネルストップ領域をさらに形成することを特徴とする、請求項3記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 前記チャンネルストップ領域はp型不純物イオンとしてホウ素(B)イオンを80〜150 KeV のエネルギーと5×1012〜5×1013イオン数/cm2 の濃度で注入して形成することを特徴とする、請求項10記載のCMOSイメージセンサーの製造方法。
- 半導体基板の上にアクティブ領域を定義するためのフィールド領域を形成するステップと、
前記フィールド領域が形成された基板の上にゲート電極を形成するステップと、
前記アクティブ領域上の一部にフォトダイオードを形成するステップと、
前記ゲート電極と前記フォトダイオードとの間に不純物イオン注入領域を定義するために、前記フィールド領域及び前記フィールド領域と接する境界面上のアクティブ領域にマスク層を形成するステップと、
LDD構造及びソースとドレインを形成するための不純物イオンを注入するステップと、
を含むCMOSイメージセンサーの製造方法。 - 半導体基板の上にアクティブ領域を定義するためのフィールド領域を形成するステップと、
前記フィールド領域が形成された基板の上にゲート電極を形成するステップと、
前記アクティブ領域上の一部にフォトダイオードを形成するステップと、
前記フィールド領域上にマスク層を形成し、LDD構造を形成するために低濃度の不純物イオンを注入するステップと、
高濃度の不純物イオン注入領域を定義するために、前記ゲート電極と前記フォトダイオードとの間の前記フィールド領域及び前記フィールド領域と接する境界面上のアクティブ領域にマスク層を形成するステップと、
ソースとドレインを形成するための高濃度の不純物イオンを注入するステップと、
を含むCMOSイメージセンサーの製造方法。 - 半導体基板の上にアクティブ領域を定義するためのフィールド領域を形成するステップと、
前記フィールド領域が形成された基板の上にゲート電極を形成するステップと、
前記アクティブ領域上の一部にフォトダイオードを形成するステップと、
前記フィールド領域上にマスク層を形成し、LDD構造を形成するために低濃度の不純物イオンを注入するステップと、
高濃度の不純物イオン注入領域を定義するために、前記フィールド領域、前記フォトダイオード及び前記ゲート電極と前記フォトダイオードとの間の領域にマスク層を形成するステップと、
ソースとドレインを形成するための高濃度の不純物イオンを注入するステップと、
を含むCMOSイメージセンサーの製造方法。
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