KR100664514B1 - 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 리셋 게이트 하단에 채널 확산층을 형성하여 리셋 동작시 부유 확산층의 전하를 제거할 수 있는 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 이미지 센서는 다이오드 영역 및 활성 영역을 한정하는 소자 분리 패턴, 포토다이오드 영역 내에 형성된 포토다이오드, 포토다이오드에 인접하여 활성 영역에 형성된 트랜스퍼 게이트, 트랜스퍼 게이트와 일정 간격 이격되어 활성 영역에 형성된 채널 확산층, 채널 확산층 위에 형성된 리셋 게이트 및 트랜스퍼 게이트 및 리셋 게이트 사이의 활성 영역에 형성된 부유 확산층을 포함한다. 본 발명에 따르면 리셋 동작에 의하여 부유 확산층에 있는 전하가 제거됨으로써 부유 확산층에 남아 있는 잉여 전하로 인한 암신호를 줄일 수 있다.
시모스 이미지 센서, 부유 확산층, 리셋 게이트, 신호 전하

Description

시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법{CMOS image sensor and method for fabricating the same}
도 1은 종래의 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 등가 회로도.
도 2는 종래의 시모스 이미지 센서에 있어서 단위 화소의 레이아웃을 도시한 도면.
도 3은 종래의 시모스 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 시모스 이미지 센서의 단면을 개략적으로 나타낸 도면.
도 5 및 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리셋 동작에 의하여 부유 확산층의 전하가 제거되는 모습을 설명하기 위한 도면들.
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 시모스 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
405 : 포토다이오드
407 : 트랜스퍼 게이트
409 : 리셋 게이트
413 : 부유 확산층(F/D)
415 : 채널 확산층
본 발명은 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자를 말한다. 이미지 센서의 소자 종류에는 CCD(Charge Coupled Device) 방식의 소자 및 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Silicon) 방식의 소자가 있다. CCD 방식의 소자는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS 방식의 소자는 제어회로 및 신호 처리 회로를 주변 회로로 사용하는 기술을 이용하여 화소수만큼의 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력 소모가 많으며, 마스크 공정 스텝수가 많아서 공정이 복잡하고 시그날 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현할 수 없어 원칩(One Chip)화가 곤란하다는 등의 여러 단점이 있는바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용 한 시모스(CMOS) 이미지 센서의 개발이 많이 연구되고 있다. 시모스 이미지 센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현한다. 또한 시모스 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30개 내지 40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지 센서로 각광을 받고 있다.
도 1은 종래의 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 등가 회로도이다.
도 1을 참조하면, 시모스 이미지 센서는 포토다이오드(PD; Photodiode), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx; Transfer Transistor), 리셋 트랜지스터(Rx; Reset Transistor), 선택 트랜지스터(Sx; Select Transistor) 및 액세스 트랜지스터(Ax; Access Transistor)를 포함한다. 포토다이오드에 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 리셋 트랜지스터(Rx)가 직렬로 접속된다. 상기 리셋 트랜지스터(Rx)의 드레인(Drain)에는 전원 전압단의 인가 전압(VDD)이 접속된다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 드레인 즉 리셋 트랜지스터(Rx)의 소오스(Source)는 부유 확산층(F/D; Floating Diffusion)에 해당한다. 상기 부유 확산층(F/D)은 선택 트랜지스터(Rx)의 게이트(Gate)에 접속된다. 선택 트랜지스터(Sx) 및 액세스 트랜지스터(Ax)는 직렬로 접속되고, 선택 트랜지스터(Sx)의 드레인에 인가 전압(VDD)이 접속된다.
상기 구성을 가지는 시모스 이미지 센서의 동작을 설명하면 다음과 같다. 먼저 상기 리셋 트랜지스터(Rx)가 온(On)되면 부유 확산층(F/D)의 전위는 인가 전압(VDD)이 된다. 외부에서 수광부인 포토다이오드(PD)에 빛이 입사되면, 이에 비 례하게 전자 홀 쌍(EHP; Electron Hole Pair)이 생성되어 신호 전하가 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 소오스에 축적된다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)가 온되면 상기 신호 전하는 부유 확산층(F/D)으로 전달되고, 전달된 신호 전하의 양에 비례하여 부유 확산층(F/D)의 전위는 변화된다. 이러한 부유 확산층(F/D) 전위의 변화는 선택 트랜지스터(Sx)의 게이트 전위의 변화에 해당한다. 이때 선택 신호(Row)에 의하여 액세스 트랜지스터(Ax)가 온되면 데이터가 칼럼(Column) 쪽으로 출력된다. 다시 리셋 트랜지스터(Rx)가 온되면 부유 확산층(F/D)의 전위가 인가 전압(VDD)이 되고, 이러한 과정을 반복하여 영상 신호가 출력된다.
도 2는 종래의 시모스 이미지 센서에 있어서 단위 화소의 레이아웃을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 시모스 이미지 센서는 기판에 형성되어 다이오드 영역(201) 및 활성 영역(203)을 한정하는 소자 분리 패턴(211)을 포함한다. 통상적으로 상기 다이오드 영역(201)은 광효율을 높이기 위하여 넓게 형성되고, 상기 활성 영역(203)은 상기 다이오드 영역(201)의 일측에 연장되어 형성된다. 상기 활성 영역(203) 상에 트랜스퍼 게이트(205), 리셋 게이트(207) 및 선택 게이트(209)가 순차적으로 소정 간격 이격되어 형성된다. 도시하지는 않았지만, 상기 활성 영역(203)에 상기 선택 게이트(209)와 소정 간격 이격되어 액세스 게이트가 형성된다. 이때 상기 트랜스퍼 게이트(205)는 상기 다이오드 영역(201)에 인접하여 상기 활성 영역(203)에 형성된다. 상기 트랜스퍼 게이트(205) 및 상기 리셋 게이트(207) 사이의 활성 영역(203)에 부유 확산층(213)이 형성된다. 한편, 도시하지는 않았지 만, 상기 부유 확산층(213) 및 상기 선택 게이트(209)는 배선에 의해 전기적으로 접속된다.
도 3은 종래의 시모스 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 본 도면은 도 2의 A-A를 따라 절단한 시모스 이미지 센서의 단면도를 나타낸다.
도 3을 참조하면, P형 에피택시얼층(305)이 형성된 반도체 기판(301) 및 상기 에피택시얼층(305) 사이에 깊은 P웰(303)이 형성된다. 이후 상기 P형 에피택시얼층(305) 내에 불순물이 주입되어 P웰(307)이 형성된다. 상기 P웰(307)은 후속 공정에서 정의되는 다이오드 영역(도 2의 201) 주변에 형성된다. 이후 다이오드 영역(도 2의 201) 및 활성 영역(도 2의 203)을 한정하기 위한 소자 분리 패턴(211)이 형성된다. 상기 다이오드 영역에 인접한 활성 영역에 N형 채널 확산층(313)이 형성되고, 이후 상기 활성 영역 상에 순차적으로 소정 간격 이격된 트랜스퍼 게이트(205), 리셋 게이트(207) 및 선택 게이트(209)가 형성된다. 이때 상기 트랜스퍼 게이트(205)는 상기 N형 채널 확산층(313) 상에 형성된다. 이어서, 상기 다이오드 영역 내에 불순물이 주입되어 N형 포토다이오드(309)가 형성되고, 상기 N형 포토다이오드(309) 상부에 P형 포토다이오드(311)가 형성된다. 한편 상기 N형 포토다이오드(309) 및 P형 포토다이오드(311)는 상기 트랜스퍼 게이트(205), 리셋 게이트(207) 및 선택 게이트(209)가 형성되기 전에 형성될 수 있다. 이후 트랜스퍼 게이트(205) 및 리셋 게이트(207) 사이와 상기 선택 게이트(209) 주변의 활성 영역에 불순물이 주입되어 저농도 및 고농도 확산층(213, 317)이 형성된다. 이때 트랜스퍼 게이트(205) 및 리셋 게이트(207) 사이의 저농도 및 고농도 확산층(213)이 시 모스 이미지 센서의 부유 확산층(213)에 해당한다.
상술한 종래의 시모스 이미지 센서에 의한 영상 출력 과정에서 포토다이오드에서 수집된 전하들은 트랜스퍼 게이트를 통해 부유 확산층으로 이동된다. 상기 전하들은 선택 게이트에 의하여 탐지된 후 리셋 동작에 의하여 리셋 게이트를 통해 제거된다. 그러나 종래의 시모스 이미지 센서는 리셋 동작 이후에도 부유 확산층의 전하들이 완전히 제거되지 못하고 잉여 전하로 남아 암신호를 유발하는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 리셋 동작에 의하여 부유 확산층에 있는 전하를 제거할 수 있는 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
상술한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면 다이오드 영역 및 활성 영역을 한정하는 소자 분리 패턴, 상기 다이오드 영역 내에 형성된 포토다이오드, 상기 포토다이오드에 인접하여 상기 활성 영역에 형성된 트랜스퍼 게이트, 상기 트랜스퍼 게이트와 일정 간격 이격되어 상기 활성 영역에 형성된 채널 확산층, 상기 채널 확산층 위에 형성된 리셋 게이트, 상기 트랜스퍼 게이트 및 상기 리셋 게이트 사이의 활성 영역에 형성된 부유 확산층 및 상기 리셋 게이트와 일정 간격 이격되어 상기 활성 영역에 형성된 선택 게이트를 포함하되, 상기 리셋 게이트 및 상기 선택 게이트 사이의 활성 영역은 배선에 의하여 전기적으로 전원 전압단에 접속되고, 상기 채널 확산층은 상기 부유 확산층 및 상기 전원 전압단 사이에 N- 채널을 형성하며 상기 리셋 게이트가 활성화되는 경우 상기 부유 확산층의 신호 전하는 상기 N- 채널을 통해 상기 전원 전압단으로 이동하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서를 제공할 수 있다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 포토다이오드는 상기 다이오드 영역에 형성된 N형 포토다이오드 및 상기 N형 다이오드 상의 상기 다이오드 영역에 형성된 P형 포토다이오드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 기판에 다이오드 영역 및 활성 영역을 한정하는 소자 분리 패턴을 형성하는 단계, 상기 다이오드 영역에 포토다이오드를 형성하는 단계, 상기 포토다이오드에 일정 간격 이격하여 상기 활성 영역에 채널 확산층을 형성하는 단계, 상기 포토다이오드에 인접하고 상기 채널 확산층과 일정 간격 이격하여 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계, 상기 채널 확산층 상부에 리셋 게이트를 형성하는 단계, 상기 트랜스퍼 게이트 및 상기 리셋 게이트 사이의 활성 영역에 부유 확산층을 형성하는 단계 및 상기 리셋 게이트와 일정 간격 이격하여 상기 활성 영역에 선택 게이트를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 리셋 게이트 및 상기 선택 게이트 사이의 활성 영역은 배선에 의하여 전기적으로 전원 전압단에 접속되며, 상기 채널 확산층은 상기 부유 확산층 및 상기 전원 전압단 사이에 N- 채널을 형성하고 상기 리셋 게이트가 활성화되는 경우 상기 부유 확산층의 신호 전하는 상기 N- 채널을 통해 상기 전원 전압단으로 이동하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서 제조 방법을 제공할 수 있다.
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이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 시모스 이미지 센서의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 시모스 이미지 센서는 포토다이오드(405), 트랜스퍼 게이트(Transfer Gate, 407), 리셋 게이트(Reset Gate, 409), N형의 부유 확산층(F/D; Floating Diffusion, 413), 채널 확산층(415), 저농도 및 고농도 확산층(417)을 포함한다. 또한 도시하지는 않았지만 상기 시모스 이미지 센서는 상기 저농도 및 고농도 확산층(417)과 인접하여 선택 게이트(Select Gate)를 더 포함하며, 상기 저농도 및 고농도 확산층(417)은 전원 전압단(VDD)과 배선을 통해 전기적으로 연결되어 있다. 또한 도시하지는 않았지만 상기 부유 확산층(413) 및 상기 선택 게이트는 배선에 의해 전기적으로 접속된다.
상기 포토다이오드(405)는 N형 포토다이오드(401) 및 P형 포토다이오드(403)를 포함하며, 수광부를 통해 들어오는 빛으로부터 신호 전하를 생성하는 기능을 수행한다.
상기 트랜스퍼 게이트(407)는 상기 포토다이오드(405)에서 생성된 신호 전하를 부유 확산층(413)으로 운송하는 기능을 수행한다. 상기 트랜스퍼 게이트(407)는 주로 폴리실리콘 등을 포함하는 전도성 물질을 이용하여 형성된다. 한편 트랜스퍼 게이트(407)의 성능을 향상시키기 위하여 트랜스퍼 게이트(407) 아래에 N- 임플란트를 이용한 채널이 형성될 수 있다.
상기 리셋 게이트(409)는 상기 부유 확산층(413)의 전위를 원하는 전위로 세팅하고 상기 부유 확산층(413)에 존재하는 신호 전하를 제거하여 리셋시키는 기능을 수행한다.
상기 채널 확산층(415)은 N- 임플란트가 이용되어 상기 부유 확산층(413) 및 전원 전압단(VDD) 사이의 N- 채널을 형성한다. 상기 채널 확산층(415)은 상기 리셋 게이트(409)가 활성화되는 리셋 동작시에 부유 확산층에 존재하는 신호 전하를 전원 전압단(VDD)으로 이동시키는 기능을 수행한다.
상기 구성을 가지는 시모스 이미지 센서의 동작을 설명하면 다음과 같다. 먼저 상기 리셋 게이트(409)가 활성화(On)되면 부유 확산층(413)의 전위는 전원 전압단(VDD)의 전위와 같아진다. 수광부인 포토다이오드(405)에 영상 신호 즉, 빛이 입사되면, 신호 전하가 생성된다. 트랜스퍼 게이트(407)가 활성화(On)되면, 상기 신호 전하는 트랜스퍼 게이트(407)를 통해 부유 확산층(413)으로 전달되고, 전달된 신호 전하의 양에 비례하여 부유 확산층(413)의 전위는 변화된다. 이러한 부유 확산층(413) 전위의 변화는 부유 확산층(413)과 전기적으로 접속된 선택 게이트에 의하여 탐지되어 전기적인 신호로 출력될 수 있다. 다시 리셋 게이트(409)가 활성화(On)되면 부유 확산층(413)의 전위가 전원 전압단(VDD)의 전위가 되어, 부유 확산층(413)에 존재하는 신호 전하는 채널 확산층(415)에 의하여 형성된 N- 채널을 통해 전원 전압단으로 이동한다. 종래의 시모스 이미지 센서와 비교하여 본 발명의 시모스 이미지 센서는 채널 확산층(415)을 더 포함하므로, 리셋 동작시 부유 확산층(413)의 신호 전하가 상기 채널 확산층(415)에 의하여 형성된 N- 채널을 통해 전원 전압단(VDD)으로 이동할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리셋 동작에 의하여 부유 확산층의 전하가 제거되는 모습을 설명하기 위한 도면들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 도 5는 리셋 게이트가 비활성화(Off)된 상태에서 부유 확산층, 리셋 게이트 및 전원 전압단(VDD)의 각 영역의 전위를 나타낸 도면이고, 도 6은 리셋 게이트가 활성화(On)된 상태에서 부유 확산층, 리셋 게이트 및 전원 전압단(VDD)의 각 영역의 전위를 나타낸 도면이다. 리셋 게이트가 비활성화(Off)된 상태에서는 비록 부유 확산층 및 전원 전압단(VDD) 사이에 N- 채널이 형성되어 있다 하여도 리셋 게이트의 전위가 부유 확산층의 전위보다 높기 때문에 부유 확산층에 머물러 있는 전하(501)들이 전원 전압단(VDD)으로 넘어가지 못한다. 리셋 게이트가 활성화(On)된 상태에서는 리셋 게이트의 전위가 낮아지게 되며, 부유 확산층에 머물러 있던 전하(501)들은 부유 확산층 및 전원 전압단(VDD) 사이에 형성되어 있는 N- 채널을 통해 모두 전원 전압단(VDD)으로 이동한다.
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 시모스 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, P형 에피택시얼층(705)이 형성된 반도체 기판(701) 및 상 기 에피택시얼층(705) 사이에 깊은 P웰(703)이 형성된다. 이후 N형 포토다이오드(401) 및 P형 포토다이오드(403)가 형성될 다이오드 영역 주변의 상기 P형 에피택시얼층(705) 내에 불순물이 주입되어 P웰(707)이 형성된다. 이후 다이오드 영역 및 활성 영역을 한정하기 위한 소자 분리 패턴(709)이 형성된다. 상기 다이오드 영역에 인접한 활성 영역의 트랜스퍼 게이트(407)가 형성될 자리에 N형 채널 확산층(711)이 형성된다. 상기 N형 채널 확산층(711)으로부터 소정 간격 이격된 활성 영역의 리셋 게이트(409)가 형성될 자리에 채널 확산층(415)이 형성된다. 본 발명의 특징은 상기 채널 확산층(415)을 형성한다는 점에 있다. 이때 상기 채널 확산층(415)은 바람직하게는 N- 임플란트를 주입함으로써 형성된다.
이후 상기 활성 영역 상에 순차적으로 소정 간격 이격된 트랜스퍼 게이트(407), 리셋 게이트(409) 및 선택 게이트(411)가 형성된다. 이때 상기 트랜스퍼 게이트(407)는 상기 N형 채널 확산층(711) 상에 형성되며 상기 리셋 게이트(409)는 상기 채널 확산층(415) 상에 형성된다. 이어서, 상기 다이오드 영역 내에 불순물이 주입되어 N형 포토다이오드(401)가 형성되고, 상기 N형 포토다이오드(401) 상부에 P형 포토다이오드(403)가 형성된다. 한편 상기 N형 포토다이오드(401) 및 P형 포토다이오드(403)는 상기 트랜스퍼 게이트(407), 리셋 게이트(409) 및 선택 게이트(411)가 형성되기 전에 형성될 수 있다. 이후 트랜스퍼 게이트(407) 및 리셋 게이트(409) 사이의 활성 영역에 불순물이 주입되어 부유 확산층(413)이 형성된다. 또한 선택 게이트(411) 주변의 활성 영역에 불순물이 주입되어 저농도 및 고농도 확산층(713)이 형성된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
본 발명에 의하면 시모스 이미지 센서의 리셋 게이트 아래에 N- 임플란트 채널을 형성함으로써 리셋 동작에 의하여 부유 확산층에 있는 전하를 제거할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면 리셋 동작에 의하여 부유 확산층에 있는 전하가 제거됨으로써 부유 확산층에 남아 있는 잉여 전하로 인한 암신호를 줄일 수 있다.

Claims (7)

  1. 다이오드 영역 및 활성 영역을 한정하는 소자 분리 패턴;
    상기 다이오드 영역 내에 형성된 포토다이오드;
    상기 포토다이오드에 인접하여 상기 활성 영역에 형성된 트랜스퍼 게이트;
    상기 트랜스퍼 게이트와 일정 간격 이격되어 상기 활성 영역에 형성된 채널 확산층;
    상기 채널 확산층 위에 형성된 리셋 게이트;
    상기 트랜스퍼 게이트 및 상기 리셋 게이트 사이의 활성 영역에 형성된 부유 확산층; 및
    상기 리셋 게이트와 일정 간격 이격되어 상기 활성 영역에 형성된 선택 게이트
    를 포함하되,
    상기 리셋 게이트 및 상기 선택 게이트 사이의 활성 영역은 배선에 의하여 전기적으로 전원 전압단에 접속되고, 상기 채널 확산층은 상기 부유 확산층 및 상기 전원 전압단 사이에 N- 채널을 형성하며 상기 리셋 게이트가 활성화되는 경우 상기 부유 확산층의 신호 전하는 상기 N- 채널을 통해 상기 전원 전압단으로 이동하는 것
    을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 포토다이오드는 상기 다이오드 영역에 형성된 N형 포토다이오드 및 상기 N형 다이오드 상의 상기 다이오드 영역에 형성된 P형 포토다이오드를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서.
  6. 반도체 기판에 다이오드 영역 및 활성 영역을 한정하는 소자 분리 패턴을 형성하는 단계;
    상기 다이오드 영역에 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 포토다이오드에 일정 간격 이격하여 상기 활성 영역에 채널 확산층을 형성하는 단계;
    상기 포토다이오드에 인접하고 상기 채널 확산층과 일정 간격 이격하여 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계;
    상기 채널 확산층 상부에 리셋 게이트를 형성하는 단계;
    상기 트랜스퍼 게이트 및 상기 리셋 게이트 사이의 활성 영역에 부유 확산층을 형성하는 단계; 및
    상기 리셋 게이트와 일정 간격 이격하여 상기 활성 영역에 선택 게이트를 형성하는 단계
    를 포함하되,
    상기 리셋 게이트 및 상기 선택 게이트 사이의 활성 영역은 배선에 의하여 전기적으로 전원 전압단에 접속되며, 상기 채널 확산층은 상기 부유 확산층 및 상기 전원 전압단 사이에 N- 채널을 형성하고 상기 리셋 게이트가 활성화되는 경우 상기 부유 확산층의 신호 전하는 상기 N- 채널을 통해 상기 전원 전압단으로 이동하는 것
    을 특징으로 하는 시모스 이미지 센서 제조 방법.
  7. 삭제
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KR20010098144A (ko) * 2000-04-28 2001-11-08 박종섭 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법
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KR20040095910A (ko) * 2003-04-29 2004-11-16 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법

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