JP2005093937A - 高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法 - Google Patents
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Abstract
光の漏斗効果をそのカップリン孔の真正面に集積し、光学的結合効率を向上し、入射光がフォトデテクタのインアクティブな区域に漏射せず、アクティブな吸収区域に結合集中でき、入射光の密度が低く、空間電荷の影響の軽微な高速の、エージ・カップル式フォトデテクタの改善方法の提供。
【解決手段】
光の漏斗効果をそのカップリン孔の真正面に集積させて、光の結合効果を増強させる光漏斗を湿式蝕刻で結晶学的に半導体のスロープを規定するか、または、乾式蝕刻で、レジスト・プロファイルで規定された、半導体スロープの上を平坦化した誘電体で被覆した。光漏斗の内部を部分的、或いは全面的に金属化することにより、鏡面の全反射効果を得た。光漏斗に入射した光波は光軸に沿って伝播し、鏡面の反射により集中、或いは内部で全反射する。
【選択図】 図1(a)
Description
図2(a)に示された始めのフォトデテクタの層構造は例えば、濃厚にドープされたn型のInP基板211、エピタキシィで成長したInP層212、エピタキシィで成長した低度な、または未ドープのInGaAsP吸収層213、エピタキシィで成長したInGaAsPの蔽覆層214、とエピタキシィで成長したInGaAsPの接触層215よりなるものである。特にInGaAsP吸収層213の吸収カットオフ波長(λg)は1.3μmか、またはそれより長く、InGaAsPの蔽覆層214のλgは層213のそれよりも短く、InGaAsPの接触層215のλgは層214のそれと同じか、または長いのである。このような層配置は、厚いInGaAsPの蔽覆層214での吸収の発生を防止し、また金属化した接触部と接触層215との間の低い接触抵抗を提供するためである。
111、113:P+とn+型半導体層 112:未ドープの光吸収層
114:入射光 115:直接カップリングされた光
112:薄い吸収層 114、115:厚い蔽覆層
111a:P型ドープの広いバンドギャップの半導体区域
111b:低い、または未ドープの広いバンドギャップの半導体区域
111c:低い、または未ドープ区域
第1実施例:
211:n型InP基板 212:InP層
213:InGaAsP吸収層 214:InGaAsP蔽覆層
215:InGaAsP接触層 217:アクティブ・メサ
218:垂直な側壁 112A:結晶面
212a:傾斜層 216:蝕刻マスク
220:底面 219:誘電膜
221:高度な反射性金属膜 222:平坦化した誘電体
313a、313b、313c:漏斗の形 216:接触用金属体
223:接触延長部 224:漏斗キャップ
225:誘電絶縁膜 311:接触用金属体
312:アクティブ・メサ区域 314a:漏斗313aの直線稜辺
314b:漏斗313bのテーパー稜辺 314c:漏斗313cの末端面
414:漏斗の頂部 411:カップリング面
414、415:高度な反射鏡 416:誘電体/空気界面
418:メタル・ボンディング・パッド 417:金属延長部
412b:誘電膜 419:n−コンタクト金属体
第2実施例:
511:n型InP基板 512:InP層
513:InGaAsP吸収層 514:InGaAsP蔽覆層
515:InGaAsP接触層 518:アクティブ・メサ
519:垂直な側壁 516:蝕刻マスク
517a:レジスト層 513a:蝕刻マスク516下の部分
521:反射金属膜 523:P−コンタクトの延長部
525:漏斗キャップ 524:誘電絶縁膜
614:漏斗の頂部 611:カップリング面
612a:誘電体ウェーブガイド 613:デテクタ孔
614、615:高度な反射面 616:誘電体/空気界面
619:メタル・ボディナグ・パッド 617:P−コンタクトの延長部
612b:誘電膜
Claims (11)
- 化合物半導体基板を台座とする、高速のエージ・カップル式フォトデテクタの性能を改善する方法であって、
a)蝕刻により、前記フォトデテクタにカップリング面を形成するプロセスと、
b)前記カップリング面に1つの吸収層と、その上の複数層の稜辺を設けるプロセスと、
c)前記カップリング面の真正面と下方に、化学蝕刻により結晶学的に規定された半導体傾斜面を形成するプロセスと、
d)前記カップリング面を抗反射性の誘電膜で塗布するプロセスと、
e)前記半導体傾斜面を高度な反射性のある金属膜と、厚い誘電層で被覆し、引続き、前記傾斜面を平坦化するプロセスと、
f)前記厚い誘電層と、その傾斜した底面と、その平坦化した頂面とで、垂直方向に光学的漏斗効能を付与するプロセスと、
g)前記平坦化された誘電層のトップ・ヴューを適当な漏斗状に形成し、側面方向に光学的漏斗効能を発揮せしめるプロセスとを含むことを特徴とする、高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。 - 前記カップリング面は、更に前記吸収層の下部に諸層の稜辺を含み、光学上のガイドとなることを特徴とする、請求項1記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記半導体の傾斜面の上升角度は45゜以下であることを特徴とする、請求項1記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記厚い誘電層の平坦化プロセスは、ポリマー・スピン・オン プロセスに引続き、サーマル・キュアリングと全面性のエッチング・バックで均一に前記フォトデテクタの頂部を露出することを特徴とする、請求項1記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記厚い誘電層の平坦化プロセスは一致した沈積プロセスに引続き、誘電体の研磨と全面性のエッチング・バックで均一に前記フォトデテクタの頂部を露出することを特徴とする、請求項1記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記平坦化した誘電層の頂部は、高度な反射性のある金属膜で蔽われているか、または蔽われていないことを特徴とする、請求項1記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 化合物半導体基板を台座とする、高速のエージ・カップル式フォトデテクタの性能を改善する方法であって、
a)蝕刻により、前記フォトデテクタにカップリング面を形成するプロセスと、
b)前記カップリング面に1つの吸収層と、その上の複数層の稜辺を設けるプロセスと、
c)前記カップリング面の真正面と下方に、乾式蝕刻による、規定された抵抗輪郭を持った、半導体の傾斜面を形成するプロセスと、
d)前記半導体の傾斜面に、十分な屈曲作用のあるテーパーリング輪郭を持たせるように形成するプロセスと、
e)前記カップリング面を抗反射性の誘電膜で塗布するプロセスと、
f)前記半導体傾斜面を高度な反射性のある金属膜と、厚い誘電層で被覆し、引続き、前記傾斜面を平坦化するプロセスと、
g)前記厚い誘電層と、そのテーパーした底部と、その平坦化した頂面とで、垂直方向に光学的漏斗効能を付与するプロセスと、
h)前記平坦化された誘電層のトップ・ヴューを適当な漏斗状に形成し、側面方向に光学的漏斗効能を発揮せしめるプロセスとを含むことを特徴とする、高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。 - 前記カップリング面は、更に前記吸収層の下部に諸層の稜辺を含み、光学上のガイドとなることを特徴とする、請求項7記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記厚い誘電層の平坦化プロセスは、ポリマー・スピン・オン プロセスに引続き、サーマル・キュアリングと全面性のエッチング・バックで均一に前記フォトデテクタの頂部を露出することを特徴とする、請求項7記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記厚い誘電層の平坦化プロセスは一致した沈積プロセスに引続き、誘電体の研磨と全面性のエッチング・バックで均一に前記フォトデテクタの頂部を露出することを特徴とする、請求項7記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
- 前記平坦化した誘電層の頂部は、高度な反射性のある金属膜で蔽われているか、または蔽われていないことを特徴とする、請求項7記載の高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法。
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JP2003328746A JP2005093937A (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 高速のエージ・カップル式フォトデテクタの改善方法 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120876A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
JPH0766502A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその形成方法 |
JP2002324911A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | アバランシェホトダイオード及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-09-19 JP JP2003328746A patent/JP2005093937A/ja active Pending
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JPH03120876A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
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