JP2005093895A - ZnSe系発光素子 - Google Patents
ZnSe系発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005093895A JP2005093895A JP2003328088A JP2003328088A JP2005093895A JP 2005093895 A JP2005093895 A JP 2005093895A JP 2003328088 A JP2003328088 A JP 2003328088A JP 2003328088 A JP2003328088 A JP 2003328088A JP 2005093895 A JP2005093895 A JP 2005093895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- znse
- layer
- type
- cladding layer
- type cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 化合物半導体基板1に形成され、n型ZnMgSSeクラッド層3とp型ZnMgSSeクラッド層6との間に位置する活性層4を備え、活性層4とp型ZnMgSSeクラッド層6との間にp型ZnMgSSeクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層5を有する。
【選択図】 図1
Description
(a1)ホール(正孔)と再結合して発光する。
(a2)p型クラッド層へリーク(オーバーフロー)し、p型クラッド層で非発光的再結合をする。
(b1)活性層のバンドギャップと、p型クラッド層のバンドギャップとの差ΔEgを大きくする。
(b2)p型クラッド層のキャリア密度を増加させて、p型クラッド層のフェルミレベルを下げる。
(b3)活性層に注入する電流密度を下げる。
図1は、本発明の実施の形態におけるZnSe系発光素子を示す図である。n型化合物半導体基板1の上にn型ZnSe系バッファ層(以下、n型バッファ層)2が位置し、その上にn型ZnMgSSeクラッド層(以下、n型クラッド層)3が形成されている。n型化合物半導体基板1には、n型ZnSe単結晶基板またはn型GaAs単結晶基板を用いることができる。n型GaAs単結晶基板は、ZnSe系エピタキシャル膜を形成しやすく、また安価である。
上記(I)式で、0.1eVを差し引いているが、これは4.2Kから室温への温度上昇に伴うバンドギャップの減少分である。上記の換算式は必ずしも正確ではなく系統誤差を含むが、簡便であることから近似式として採用している。
Claims (11)
- 化合物半導体基板に形成され、n型クラッド層とp型クラッド層との間に位置する活性層を備えるZnSe系発光素子であって、
前記活性層とp型クラッド層との間にp型クラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層を有する、ZnSe系発光素子。 - 前記n型クラッド層がn型ZnMgSSe層であり、前記p型クラッド層がp型ZnMgSSe層である、請求項1に記載のZnSe系発光素子。
- 前記バリア層のバンドギャップの大きさが前記p型クラッド層のバンドギャップよりも0.025eV〜0.5eV大きい、請求項1または2に記載のZnSe系発光素子。
- 前記バリア層のバンドギャップにおいて、その価電子帯のエネルギーは前記p型クラッド層のそれとほとんど同じであり、その伝導帯のエネルギーが前記p型クラッド層のそれより大きい、請求項1〜3のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記バリア層が、Beを含むII−VI族化合物半導体である、請求項1〜4のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記バリア層が、Zn1-x-yMgxBeySe(0.01≦y≦0.1)である、請求項1〜5のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記バリア層が、Zn1-xMgxSySe1-yである、請求項1〜4のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記バリア層の厚みが、5nm以上で前記活性層の厚み以下の範囲にある、請求項1〜7のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記化合物半導体基板にn型ZnSe単結晶基板を用いた、請求項1〜8のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記化合物半導体基板にn型GaAs単結晶基板を用いた、請求項1〜8のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
- 前記ZnSe系発光素子を構成する前記化合物半導体基板を含む積層構造において、前記基板からのひずみの指標に用いられる面方位のX線回折のピークと、積層構造からの前記面方位のX線回折のピークとのずれが1000秒以下である、請求項1〜10のいずれかに記載のZnSe系発光素子。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003328088A JP3900128B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | ZnSe系発光素子 |
NO20041523A NO20041523L (no) | 2003-09-19 | 2004-04-06 | Lysemitterende halvlederelement |
EP04008437A EP1517379A3 (en) | 2003-09-19 | 2004-04-07 | Semiconductor light emitting device |
KR1020040023635A KR20050029103A (ko) | 2003-09-19 | 2004-04-07 | 반도체 발광소자 |
TW093110013A TWI232599B (en) | 2003-09-19 | 2004-04-09 | Semiconductor light emitting device |
CNB2004100325705A CN100342557C (zh) | 2003-09-19 | 2004-04-09 | 半导体发光装置 |
US10/829,306 US20050062054A1 (en) | 2003-09-19 | 2004-04-20 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003328088A JP3900128B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | ZnSe系発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093895A true JP2005093895A (ja) | 2005-04-07 |
JP3900128B2 JP3900128B2 (ja) | 2007-04-04 |
Family
ID=34457776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003328088A Expired - Fee Related JP3900128B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | ZnSe系発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3900128B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009245973A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 発光素子 |
WO2012164847A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子 |
WO2014123092A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
WO2017073046A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器 |
-
2003
- 2003-09-19 JP JP2003328088A patent/JP3900128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009245973A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 発光素子 |
WO2012164847A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子 |
JPWO2012164847A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2015-02-23 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子 |
WO2014123092A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社トクヤマ | 窒化物半導体発光素子 |
CN105009310A (zh) * | 2013-02-05 | 2015-10-28 | 株式会社德山 | 氮化物半导体发光元件 |
WO2017073046A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器 |
JP2017085035A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器 |
US10593828B2 (en) | 2015-10-30 | 2020-03-17 | Riken | Ultraviolet light-emitting diode and electric apparatus provided with the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3900128B2 (ja) | 2007-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101698629B1 (ko) | 질화물 반도체 레이저 다이오드 | |
US6479836B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US7652281B2 (en) | Light emitting diode | |
JP2785254B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP3698402B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP3643665B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH08330629A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JPH0621511A (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH0823124A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP2007109885A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2010171272A (ja) | 発光素子 | |
US8164106B2 (en) | AIGaInP light emitting diode | |
JP3620292B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
US7656918B2 (en) | Semiconductor laser | |
JP3900128B2 (ja) | ZnSe系発光素子 | |
KR20070122078A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
US20050062054A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP3484997B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP5060823B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH10173231A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP4929652B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4254373B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
TWI555230B (zh) | Light emitting element | |
JP7488456B2 (ja) | 発光素子 | |
JP3635727B2 (ja) | 半導体発光ダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140112 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |