JP2005085846A

JP2005085846A - 半導体モジュール及びその製造方法

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Publication number: JP2005085846A
Application number: JP2003313722A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Shimizu; 隆幸清水
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-09-05
Filing date: 2003-09-05
Publication date: 2005-03-31
Anticipated expiration: 2023-09-05
Also published as: JP4159951B2

Abstract

【課題】電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化する。
【解決手段】電極端子板２２は三つの部位２２ａ，２２ｂ，２２ｃを有してこの順に連結されており、部位２２ａは平面３ａ上にこれと平行に例えば半田付けによって固着される。金属ワイヤ３１ａの一方の端は半導体素子４に、他方の端は部位２２ｂにそれぞれ接続される。部位２２ａ，２２ｂの間の位置１０と、部位２２ｂ，２２ｃの間の位置１１とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる。これにより、部位２２ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２２ｃは平面３ａと例えば平行に位置する。また、金属ワイヤ３１ａの他方の端が一方の端へと近づくため、金属ワイヤ３１ａは、電極端子板２２を折り曲げる前よりも曲率の大きな弧状３１ｃを呈する。
【選択図】図２

Description

この発明は、半導体モジュール及びその製造方法に関し、例えば電力半導体モジュールに適用することができる。

半導体装置、特にモジュール化された半導体装置には、半導体素子の電極や電極端子などの導電体のみならずセラミック素子や絶縁基板などの絶縁体も構成要素として備えているので、金属ワイヤによる配線が採用される場合がある。例えば、電力半導体モジュール等の製造には金属ワイヤの配線が従来から採用されている。

なお、メタライズされた絶縁基板に半田付けされた電極端子を、絶縁基板に対して垂直に折り曲げる際に、絶縁基板に加わる応力を低減する技術が、特許文献１に開示されている。また、セラミック基板に平行してセラミック基板上に設置された端子部を、セラミック基板に対して垂直に折り曲げる技術が、特許文献２に開示されている。

特開平７−３８０３７号公報特開２００３−６８９６６号公報

これまで、電極端子板のうち金属ワイヤが配線される部位は、基板に対して平行に設けられていた。このため、電極端子板の寸法が大きくなると半導体モジュールの寸法も大きくなるという問題が生じていた。半導体モジュールを小型化するために電極端子板の寸法を小さくすることも考えられるが、金属ワイヤを配線するためにはあまり小さくすることができない。

これらの事情に鑑みてなされた本発明では、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することが目的とされる。

この発明にかかる半導体モジュールの製造方法は、（ａ）第一の電極端子板を、その一方の端を絶縁基板上に固定して前記絶縁基板と平行に設ける工程と、（ｂ）導線を、その一方の端を、直接に若しくは第一の半導体素子を介して前記第一の電極端子板に接続する工程と、（ｃ）前記第一の電極端子板のうち、前記導線が直接に若しくは前記第一の半導体素子を介して接続される部位が、固定されない端の部位とともに、前記絶縁基板に対して傾斜して折り曲げられる工程とを含む。

この発明にかかる半導体モジュールは、第一の半導体素子と、前記第一の半導体素子を載置し、表面を有する絶縁基板と、前記表面に固着された第一部位と、前記第一部位に連結して前記絶縁基板に対して傾斜して延在する第二部位とを有する第一の電極端子板と、一端と、前記第二部位に接続された他端とを有する導線とを備える。

この発明にかかる半導体モジュール及びその製造方法によれば、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することができる。

実施の形態１．
本実施の形態では、金属ワイヤを電極端子板に接続し、その電極端子板を絶縁基板に対して傾斜して、例えばほぼ垂直に折り曲げる。図１及び図２は、本実施の形態にかかる半導体モジュールの製造方法を工程順に示す概念的な断面図である。

第１に、絶縁基板３上に互いに接触しない電極端子板２１，２２が設けられる（図１）。電極端子板２１は三つの部位２１ａ，２１ｂ，２１ｃを有してこの順序に連結されており、部位２１ａ，２１ｂの間の位置１２及び部位２１ｂ，２１ｃの間の位置１３において、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる。絶縁基板３の平面３ａ上は例えばメタライズされており、部位２１ａは平面３ａ上に平面３ａと平行に、例えば半田付けによって固着される。これにより、部位２１ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２１ｃは平面３ａと平行に位置する。そして絶縁基板３には部位２１ａを介して半導体素子４が載置される。部位２１ｃは部位２１ａと同じ側に折り曲げられてもよい。

電極端子板２２は三つの部位２２ａ，２２ｂ，２２ｃを有してこの順に連結されており、部位２２ａは平面３ａ上にこれと平行に例えば半田付けによって固着される。そして、金属ワイヤ３１ａの一方の端は半導体素子４に、他方の端は部位２２ｂにそれぞれ接続される。

第２に、電極端子板２２は、部位２２ａ，２２ｂの間の位置１０と、部位２２ｂ，２２ｃの間の位置１１とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる（図２）。これにより、部位２２ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２２ｃは平面３ａと例えば平行に位置する。部位２２ｃは部位２２ａと同じ側に折り曲げられてもよい。金属ワイヤ３１ａの他方の端が一方の端へと近づくため、金属ワイヤ３１ａは、図１に示される金属ワイヤ３１ａよりも曲率の大きな弧状３１ｃを呈する。

電極端子板２２を折り曲げることにより、表面３ａが拡がる方向に対して半導体モジュールの寸法を小さくすることできる。よって、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することができる。

上記第２の工程において、金属ワイヤ３１ａが弧状３１ｃを呈するため、金属ワイヤ３１ａの両端、すなわち接続部に負担がかかり、接続部が劣化する可能性が考えられる。

金属ワイヤ３１ａがベンド構造３１ｂを呈する場合を図３に示す。このとき、金属ワイヤ３１ａの接続部にかかる負担が軽減され、振動等に対する半導体モジュールの強度が増す。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、振動等に対する半導体モジュールの信頼性が向上する。

図２及び図３に示される半導体モジュールでは、金属ワイヤ３１ａの全長が、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。このため、金属ワイヤ３１ａの抵抗が大きくなり、金属ワイヤから発生する熱量も大きくなることが考えられる。

金属ワイヤ３１ａに替えて、接続部をほぼ直線で結んだ金属ワイヤ３１ｄを設けた半導体モジュールが図４に示される。このとき、金属ワイヤ３１ｄの抵抗は金属ワイヤ３１ａに比べて小さくなり、そこから発生する熱量も小さくなる。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、金属ワイヤ３１ｄから発生する熱量を低減できる。

上述の内容は以下のように把握することもできる。すなわち、絶縁基板３と電極端子板２１，２２・導線たる金属ワイヤ３１ａ（３１ｄ）・半導体素子４とをそれぞれ有する半導体モジュールにおいて、電極端子板２１，２２は絶縁基板３の表面３ａに固着された第一部位２１ａ，２２ａと、前記第一部位２１ａ，２２ａに連結して前記絶縁基板３に対して傾斜して延在する第二部位２１ｂ，２２ｂとを有する。第二部位２１ｂ，２２ｂは、例えば垂直に設けられる。電極端子板２１の第一部位２１ａには半導体素子４が載置される。そして金属ワイヤ３１ａ（３１ｄ）は、一方の端が半導体素子４を介して電極端子板２１の第一部位２１ａに、他方の端が直接に電極端子板２２の第二部位２２ｂに接続される。

上記の半導体モジュールを製造する際には、次の方法を採用する。すなわち第一に、電極端子板２２の部位２２ａを絶縁基板３上に固定する。このとき、電極端子板２２は絶縁基板３と平行に位置する（図１）。第二に、導線たる金属ワイヤ３１ａの一方の端を、直接に電極端子板２２に接続する。第三に、電極端子板２２のうち、金属ワイヤ３１ａが直接に接続される部位２２ｂが、固定されない端の部位２２ｃとともに、絶縁基板３に対して傾斜して、例えば垂直に折り曲げられる。

実施の形態２．
本実施の形態では、半導体素子を介して金属ワイヤを電極端子板に接続し、その電極端子板を絶縁基板に対して傾斜して、例えばほぼ垂直に折り曲げる。図５及び図６は、本実施の形態にかかる半導体モジュールの製造方法を工程順に示す概念的な断面図である。

第１に、絶縁基板３上に互いに接触しない電極端子板２７，２８が設けられる（図５）。電極端子板２７は三つの部位２７ａ，２７ｂ，２７ｃを有してこの順に連結されており、部位２７ａ，２７ｂの間の位置１０２及び部位２７ｂ，２７ｃの間の位置１０３において、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる。絶縁基板３の平面３ａ上は例えばメタライズされており、部位２７ａは平面３ａ上に平面３ａと平行に、例えば半田付けによって固着される。これにより、部位２７ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２７ｃは平面３ａと平行に位置する。絶縁基板３には部位２７ａを介して半導体素子４が載置される。部位２７ｃは部位２７ａと同じ側に折り曲げられてもよい。

電極端子板２８は三つの部位２８ａ，２８ｂ，２８ｃを有してこの順に連結されており、部位２８ａは平面３ａ上にこれと平行に例えば半田付けによって固着される。部位２８ｂのうち絶縁基板３と接する面とは反対の面上に、半導体素子５が設けられる。そして、金属ワイヤ３２ａの一方の端は半導体素子４に、他方の端は半導体素子５にそれぞれ接続される。

第２に、部位２８ａ，２８ｂの間の位置１００と、部位２８ｂ，２８ｃの間の位置１０１とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる（図６）。これにより、部位２８ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２８ｃは平面３ａと例えば平行に位置する。部位２８ｃは部位２８ａと同じ側に折り曲げられてもよい。金属ワイヤ３２ａの他方の端が一方の端へと近づくため、金属ワイヤ３２ａは、図５に示される金属ワイヤ３１ａよりも曲率の大きな弧状３２ｃを呈する。

電極端子板２８を折り曲げることにより、表面３ａが拡がる方向に対して半導体モジュールの寸法を小さくすることできる。よって、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することができる。

上記第２の工程において、金属ワイヤ３２ａが弧状３２ｃを呈するため、金属ワイヤ３２ａの両端、すなわち接続部に負担がかかり、接続部が劣化する可能性が考えられる。

金属ワイヤ３２ａがベンド構造３２ｂを呈する場合を図７に示す。このとき、金属ワイヤ３２ａの接続部にかかる負担が軽減され、振動等に対する半導体モジュールの強度が増す。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、振動等に対する半導体モジュールの信頼性が向上する。

図６及び図７に示される半導体モジュールでは、金属ワイヤ３２ａの全長が、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。このため、金属ワイヤ３２ａの抵抗が大きくなり、金属ワイヤ３２ａから発生する熱量も大きくなることが考えられる。

金属ワイヤ３２ａに替えて、接続部をほぼ直線で結んだ金属ワイヤ３２ｄを設けた半導体モジュールが図８に示される。このとき、金属ワイヤ３２ｄの抵抗は金属ワイヤ３２ａに比べて小さくなり、そこから発生する熱量も小さくなる。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、金属ワイヤから発生する熱量を低減できる。

実施の形態３．
本実施の形態では、金属ワイヤの両端を二つの電極端子板にそれぞれ接続し、それらの電極端子板を絶縁基板に対して傾斜して、例えばほぼ垂直に折り曲げる。図９及び図１０は、本実施の形態にかかる半導体モジュールの製造方法を工程順に示す概念的な断面図である。

第１に、絶縁基板３上に互いに接触しない電極端子板２３，２４が設けられる（図９）。電極端子板２３は三つの部位２３ａ，２３ｂ，２３ｃを有してこの順に連結されている。絶縁基板３の平面３ａ上は例えばメタライズされており、部位２３ａは平面３ａ上に平面３ａと平行に、例えば半田付けによって固着される。絶縁基板３には部位２３ａを介して半導体素子４が載置される。電極端子板２４は三つの部位２４ａ，２４ｂ，２４ｃを有してこの順に連結されており、部位２４ａは平面３ａ上にこれと平行に例えば半田付けによって固着される。そして、金属ワイヤ３３ａの一方の端は部位２３ｂに、他方の端は部位２４ｂにそれぞれ接続される。

第２に、部位２３ａ，２３ｂの間の位置１１２と、部位２３ｂ，２３ｃの間の位置１１３とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる。さらに、部位２４ａ，２４ｂの間の位置１１０と、部位２４ｂ，２４ｃの間の位置１１１とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる（図１０）。部位２３ｃ，２４ｃはそれぞれ部位２３ａ，２４ａと同じ側に折り曲げられてもよい。これにより、部位２３ｂ，２４ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２３ｃ，２４ｃは平面３ａと例えば平行に位置する。また、金属ワイヤ３３ａの両端が互いに近づくため、金属ワイヤ３３ａは、図９に示される金属ワイヤ３３ａよりも曲率の大きな弧状３３ｃを呈する。

電極端子板２３，２４を折り曲げることにより、表面３ａが拡がる方向に対して半導体モジュールの寸法を小さくすることできる。よって、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することができる。

上記第２の工程において、金属ワイヤ３３ａが弧状３３ｃを呈するため、金属ワイヤ３３ａの両端、すなわち接続部に負担がかかり、接続部が劣化する可能性が考えられる。

金属ワイヤ３３ａがベンド構造３３ｂを呈する場合を図１１に示す。このとき、金属ワイヤ３３ａの接続部にかかる負担が軽減され、振動等に対する半導体モジュールの強度が増す。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、振動等に対する半導体モジュールの信頼性が向上する。

図１０及び図１１に示される半導体モジュールでは、金属ワイヤ３３ａの全長が、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。このため、金属ワイヤ３３ａの抵抗が大きくなり、金属ワイヤ３３ａから発生する熱量も大きくなることが考えられる。

金属ワイヤ３３ａに替えて、接続部をほぼ直線で結んだ金属ワイヤ３３ｄを設けた半導体モジュールが図１２に示される。このとき、金属ワイヤ３３ｄの抵抗は金属ワイヤ３３ａに比べて小さくなり、そこから発生する熱量も小さくなる。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、金属ワイヤから発生する熱量を低減できる。

実施の形態４．
本実施の形態では、二本の金属ワイヤを二つの電極端子板に接続し、それらの電極端子板を絶縁基板に対して傾斜して、例えばほぼ垂直に折り曲げる。図１３及び図１４は、本実施の形態にかかる半導体モジュールの製造方法を工程順に示す概念的な断面図である。

第１に、絶縁基板３上に互いに接触しない電極端子板２５，２６が設けられる（図１３）。電極端子板２５は三つの部位２５ａ，２５ｂ，２５ｃを有してこの順に連結されている。絶縁基板３の平面３ａ上は例えばメタライズされており、部位２５ａは平面３ａ上に平面３ａと平行に、例えば半田付けによって固着される。絶縁基板３には部位２５ａを介して半導体素子４が載置される。電極端子板２６は三つの部位２６ａ，２６ｂ，２６ｃを有してこの順に連結されており、部位２６ａは平面３ａ上にこれと平行に例えば半田付けによって固着される。そして、金属ワイヤ３４ａの一方の端は半導体素子４に、他方の端は部位２６ｂにそれぞれ接続される。また、金属ワイヤ３５ａの一方の端は部位２５ｂに、他方の端は部位２６ｂにそれぞれ接続される。

第２に、部位２５ａ，２５ｂの間の位置１２２と、部位２５ｂ，２５ｃの間の位置１２３とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる。さらに、部位２６ａ，２６ｂの間の位置１２０と、部位２６ｂ，２６ｃの間の位置１２１とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる（図１４）。これにより、部位２５ｂ，２６ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位２５ｃ，２６ｃは平面３ａと例えば平行に位置する。部位２５ｃ，２６ｃは部位２５ａ，２６ａと同じ側に折り曲げられてもよい。金属ワイヤ３４ａの両端が互いに近づき、また金属ワイヤ３５ａの両端も互いに近づくため、金属ワイヤ３４ａ，３５ａは、図１３に示される金属ワイヤ３４ａ，３５ａよりも曲率の大きな弧状３４ｃ，３５ｃを呈する。

電極端子板２５，２６を折り曲げることにより、表面３ａが拡がる方向に対して半導体モジュールの寸法を小さくすることできる。よって、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することができる。

上記第２の工程において、金属ワイヤ３４ａ，３５ａが弧状３４ｃ，３５ｃを呈するため、金属ワイヤ３４ａ，３５ａの両端、すなわち接続部に負担がかかり、接続部が劣化する可能性が考えられる。

金属ワイヤ３４ａ，３５ａがベンド構造３４ｂ，３５ｂを呈する場合を図１５に示す。このとき、金属ワイヤ３４ａ，３５ａの接続部にかかる負担が軽減され、振動等に対する半導体モジュールの強度が増す。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、振動等に対する半導体モジュールの信頼性が向上する。

図１４及び図１５に示される半導体モジュールでは、金属ワイヤ３４ａの全長が、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。また、金属ワイヤ３５ａの全長も、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。このため、金属ワイヤ３４ａ，３５ａの抵抗が大きくなり、金属ワイヤ３４ａ，３５ａから発生する熱量も大きくなることが考えられる。

金属ワイヤ３４ａ，３５ａに替えて、接続部をほぼ直線で結んだ金属ワイヤ３４ｄ，３５ｄを設けた半導体モジュールが図１６に示される。このとき、金属ワイヤ３４ｄ，３５ｄの抵抗は金属ワイヤ３４ａ，３５ａに比べて小さくなり、そこから発生する熱量も小さくなる。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、金属ワイヤから発生する熱量を低減できる。

実施の形態５．
本実施の形態では、第一の金属ワイヤを二つの電極端子板に直接に接続し、かつ第二の金属ワイヤを二つの電極端子板にそれぞれ半導体素子を介して接続して、それらの電極端子板を絶縁基板に対して傾斜して、例えばほぼ垂直に折り曲げる。図１７及び図１８は、本実施の形態にかかる半導体モジュールの製造方法を工程順に示す概念的な断面図である。

第１に、絶縁基板３上に互いに接触しない電極端子板４１，４２が設けられる（図１７）。電極端子板４１は三つの部位４１ａ，４１ｂ，４１ｃを有してこの順に連結されている。絶縁基板３の平面３ａ上は例えばメタライズされており、部位４１ａは平面３ａ上に平面３ａと平行に、例えば半田付けによって固着される。絶縁基板３には部位４１ａを介して半導体素子４が載置される。電極端子板４２は三つの部位４２ａ，４２ｂ，４２ｃを有してこの順に連結されており、部位４２ａは平面３ａ上にこれと平行に例えば半田付けによって固着される。部位４２ｂのうち絶縁基板３と接する面とは反対の面上に、半導体素子５が設けられる。そして、金属ワイヤ３７ａの一方の端は半導体素子４に、他方の端は半導体素子５を介して部位４２ｂにそれぞれ接続される。また、金属ワイヤ３８ａの一方の端は部位４１ｂに、他方の端は部位４２ｂにそれぞれ接続される。

第２に、部位４１ａ，４１ｂの間の位置１３２と、部位４１ｂ，４１ｃの間の位置１３３とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる。さらに、部位４２ａ，４２ｂの間の位置１３０と、部位４２ｂ，４２ｃの間の位置１３１とにおいて、例えば直角にそれぞれ折り曲げられる（図１８）。部位４１ｃ，４２ｃは部位４１ａ，４２ａと同じ側に折り曲げられてもよい。これにより、部位４１ｂ，４２ｂは平面３ａに対して傾斜して、例えば垂直に延在し、部位４１ｃ，４２ｃは平面３ａと例えば平行に位置する。金属ワイヤ３７ａの両端が互いに近づき、また金属ワイヤ３８ａの両端も互いに近づくため、金属ワイヤ３７ａ，３８ａは、図１７に示される金属ワイヤ３７ａ，３８ａよりも曲率の大きな弧状３７ｃ，３８ｃを呈する。

電極端子板４１，４２を折り曲げることにより、表面３ａが拡がる方向に対して半導体モジュールの寸法を小さくすることできる。よって、電極端子板の寸法を十分に確保しつつも半導体モジュールを小型化することができる。

上記第２の工程において、金属ワイヤ３７ａ，３８ａが弧状３７ｃ，３８ｃを呈するため、金属ワイヤ３７ａ，３８ａの両端、すなわち接続部に負担がかかり、接続部が劣化する可能性が考えられる。

金属ワイヤ３７ａ，３８ａがベンド構造３７ｂ，３８ｂを呈する場合を図１９に示す。このとき、金属ワイヤ３７ａ，３８ａの接続部にかかる負担が軽減され、振動等に対する半導体モジュールの強度が増す。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、振動等に対する半導体モジュールの信頼性が向上する。

図１８及び図１９に示される半導体モジュールでは、金属ワイヤ３７ａの全長が、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。また、金属ワイヤ３８ａの全長も、その両端の接続部を結んだ直線の距離に比較して長い。このため、金属ワイヤ３７ａ，３８ａの抵抗が大きくなり、金属ワイヤ３７ａ，３８ａから発生する熱量も大きくなることが考えられる。

金属ワイヤ３７ａ，３８ａに替えて、接続部をほぼ直線で結んだ金属ワイヤ３７ｄ，３８ｄを設けた半導体モジュールが図２０に示される。このとき、金属ワイヤ３７ｄ，３８ｄの抵抗は金属ワイヤ３７ａ，３８ａに比べて小さくなり、そこから発生する熱量も小さくなる。よって、半導体モジュールの小型化に加えて、金属ワイヤから発生する熱量を低減できる。

上述のいずれの実施の形態においても、半導体素子が設けられた電極端子板に厚みの大きな電極端子板を採用することが考えられる。例えば、図２１及び図２２に示される半導体モジュールのように、図１９及び図２０で示される半導体モジュールの電極端子板４２に替えて、部位２９ｂの厚みの大きな電極端子板２９を採用する。これにより、半導体素子５から発生する熱を放出しやすくなり、半導体モジュールの放熱性が向上する。

電極端子板４１の部位４１ａ上にも半導体素子４が設けられており、放熱性を向上させるために電極端子板４１に替えて厚みの大きい電極端子板を用いることが考えられるが、絶縁基板３の表面３ａが拡がる方向に半導体モジュールの寸法が大きくなってしまい、あまり望ましくない。そこで半導体４から発生する熱を放出するために、例えば放熱用の金属ベース板Ｐ上に、半導体素子４が設けられる側とは反対側の絶縁基板３の表面が金属ベース板Ｐの表面と接するように、上記半導体モジュールを設けることが採用できる（図２１，図２２）。

実施の形態１で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態１で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態１で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態１で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態２で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態２で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態２で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態２で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態３で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態３で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態３で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態３で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態４で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態４で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態４で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態４で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態５で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態５で、半導体モジュール製造方法を示す概念的な断面図である。実施の形態５で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態５で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態５で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。実施の形態５で説明する、半導体モジュールを示す概念的な断面図である。

符号の説明

３絶縁基板、３ａ表面、４，５半導体素子、２１〜２９，４１，４２電極端子板、２１ａ〜２９ａ，４１ａ，４２ａ，２１ｂ〜２９ｂ，４１ｂ，４２ｂ部位、３１ａ〜３５ａ，３７ａ，３８ａ金属ワイヤ。

Claims

（ａ）第一の電極端子板を、その一方の端を絶縁基板上に固定して前記絶縁基板と平行に設ける工程と、
（ｂ）導線を、その一方の端を、直接に若しくは第一の半導体素子を介して前記第一の電極端子板に接続する工程と、
（ｃ）前記第一の電極端子板のうち、前記導線が直接に若しくは前記第一の半導体素子を介して接続される部位が、固定されない端の部位とともに、前記絶縁基板に対して傾斜して折り曲げられる工程と
を含む、半導体モジュールの製造方法。
前記工程（ａ）では、第二の電極端子板を前記絶縁基板上にさらに設け、
前記工程（ｂ）では、前記導線の他方の端を前記第二の電極端子板に第二の半導体素子を介して接続する、請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
前記工程（ａ）では、第二の電極端子板を、その一方の端を前記絶縁基板上に固定して前記絶縁基板と平行にさらに設け、
前記工程（ｂ）では、前記導線の他方の端を前記第二の電極端子板にさらに接続し、
前記工程（ｃ）では、前記第二の電極端子板のうち、前記導線が接続されている部位が、固定されない端の部位とともに、前記絶縁基板に対して傾斜してさらに折り曲げられる、請求項１記載の半導体モジュールの製造方法。
第一の半導体素子と、
前記第一の半導体素子を載置し、表面を有する絶縁基板と、
前記表面に固着された第一部位と、前記第一部位に連結して前記絶縁基板に対して傾斜して延在する第二部位とを有する第一の電極端子板と、
一端と、前記第二部位に接続された他端とを有する導線と
を備える半導体モジュール。
前記第二部位に設けられた第二の半導体素子
を更に備え、
前記導線の前記他端は前記第二の半導体素子を介して前記第一の電極端子板の前記第二部位に接続される、請求項４記載の半導体モジュール。
前記表面に固着された第一部位と、前記第一部位に連結して前記絶縁基板に対して傾斜して延在する第二部位とを有する第二の電極端子板
を更に備え、
前記導線の前記一端は前記第二の電極端子板の前記第二部位に接続される、請求項４又は請求項５に記載の半導体モジュール。
前記表面に固着され、前記第一の半導体素子を載置する第一部位と、前記第一部位に連結して前記絶縁基板に対して傾斜して延在する第二部位とを有する第二の電極端子板
を更に備え、
前記導線の前記一端は、前記第一の半導体素子を介して前記第二の電極端子板の前記第一部位に接続される、請求項４又は請求項５に記載の半導体モジュール。
前記第一の電極端子板の前記第二部位は、前記第二の電極端子板よりも厚みが大きい、請求項７記載の半導体モジュール。